【課題】封止する樹脂における半導体素子及び導電部材に至るクラックの発生を防止するとともに導電部材及び放熱部材の間の絶縁を確実に行うことを可能にする放熱部材付き半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】放熱部材付き半導体装置１０１は、半導体チップ１と、ダイパッド部２ａと、ヒートシンク３と、ダイパッド部２ａ及びヒートシンク３の間に間隙ｇ１を形成し且つ同様の構成を有する第一樹脂ブロック１０及び第二樹脂ブロック２０とを備える。第一樹脂ブロック１０は、第一樹脂材料からなる第一樹脂層１１、第三樹脂層１３と、第二樹脂材料からなる第二樹脂層１２とを有し、第一樹脂層１１はダイパッド部２ａと接触し、第二樹脂層１２はダイパッド部２ａと接触しない。なお、第一樹脂材料は、第二樹脂材料より低い融点を有している。さらに、放熱部材付き半導体装置１０１は、第一樹脂材料からなる封止用樹脂４で樹脂封止されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子からの熱を有効に放散し、且つ封止樹脂の流動性、充填性を確保する放熱パッケージを提供する。
【解決手段】ＢＧＡ型半導体装置は、配線と電極を備えた基板１上に、矩形状の平面形状を有し、矩形の各辺に沿って複数の電極を備えた半導体素子２を配置し、半導体素子上の電極と基板上の電極とをワイヤ４で接続し、半導体素子を覆い、半導体素子の各辺に沿った電極に接続された複数のワイヤの頂上部に対向する領域に開口１６が形成された放熱部材１１を基板上に配設し、半導体素子および前記放熱部材を封止樹脂２０で覆って封止する。 （もっと読む）

【課題】ユニット表面が傷ついたとしても、中身の半導体チップ等についてはリユースすることができる構造の半導体モジュールを提供する。
【解決手段】半導体チップ１１等の構成部品を熱硬化性樹脂モールド部２１にて覆うことで耐熱性を確保しつつ、熱硬化性樹脂モールド部２１の外縁部を熱可塑性樹脂モールド部２２にて覆う。また、熱可塑性樹脂モールド部２２によって水路３０の一部を構成し、半導体チップ１１等の構成部品を熱硬化性樹脂モールド部２１および熱可塑性樹脂モールド部２２にて覆ったユニット１０を積層することで、冷却機構を構成する水路３０が内蔵された構造を構成する。このような構成とすることで、熱可塑性樹脂モールド部２２のみに傷がついたような場合には、熱可塑性樹脂モールド部２２を加熱して軟化させて除去し、熱可塑性樹脂モールド部２２以外の部分を用いてリビルト品を製造すれば、リユースすることができる。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れた半導体モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】熱硬化性樹脂組成物で形成された絶縁シート１０を用い、該絶縁シート１０が未硬化な状態でその一面側に前記ヒートスプレッダ３０を熱接着させるとともに他面側に前記ヒートシンク２０を熱接着させ、該熱接着された前記絶縁シート１０を熱硬化させる半導体モジュール１の製造方法であって、前記絶縁シート１０として、前記一面側と前記他面側とが異なる熱硬化性樹脂組成物で形成され、しかも、前記一面側よりも熱硬化反応の反応速度が速い熱硬化性樹脂組成物で前記他面側が形成され、該絶縁シート１０の前記他面側を前記ヒートシンク２０に熱接着させた後に前記一面側を前記ヒートスプレッダ３０に熱接着させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の圧接型の半導体装置と比較して簡素な構造で半導体素子を位置決めすることができ、半導体素子の絶縁性及び耐圧性を確保しつつ、耐熱性に優れると共に製造コストが低減された半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置Ｓは、半導体素子９と、これを挟持するエミッタ端子１ａ、ゲート端子１ｂ、及びコレクタ端子２ａとの外周を覆うように硬化性樹脂３が付与されると共に、エミッタ端子１ａ、ゲート端子１ｂ、及びコレクタ端子２ａ（電極端子）には、これらの電極端子を位置決めする係止部（窪み部１ｅ，２ｅ）が設けられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガラス転移点（Ｔｇ）が約２００℃以上で、熱膨張率が小さく、放熱性に優れる樹脂複合組成物およびこれを用いた半導体封止材ならびに基板を提供する。
【解決手段】下式


（式中、Xは−CH₂−、−C(CH₃)₂−、又は−SO₂−を表す。）で表されるベンゾオキサジン誘導体とエポキシ樹脂と無機フィラーを有する樹脂複合組成物であって、ベンゾオキサジン環に対する該エポキシ樹脂が有するエポキシ基のモル比が０．２〜０．７であり、無機フィラーが鱗片状の一次粒子が配向せずに集合してなる松ボックリ状の六方晶窒化ホウ素を含み、無機フィラーが樹脂複合組成物全体の３０〜８５体積％である樹脂複合組成物。 （もっと読む）

【課題】小型化された半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、導電体を有する基板２と、基板２の上に配置され、かつ導電体２ａに電気的に接続された半導体チップ３と、一方端部４１が導電体２ａと電気的に接続された管状の電極４と、基板２、半導体チップ３および電極４を封止する封止樹脂５とを備えている。電極４は封止樹脂５を封止する前の状態で基板２と半導体チップ３とが積層する積層方向に伸縮可能に構成されている。電極４の他方端部４２の先端部４２ａは封止樹脂５から露出している。電極４は他方端部４２の先端部４２ａにおいて開口する中空空間６を有している。 （もっと読む）

【課題】露出したヒートシンク表面に水等が浸入することを防止することができ、良好な冷却性を確保することができる半導体パッケージの防水構造を提供すること。
【解決手段】半導体パッケージ１００は、ヒートシンク１１０と、ヒートシンク１１０の一方の面に搭載されたパワー素子１１２とを有し、パワー素子１１２が搭載された面を含んで樹脂モールドされている。パワー素子１１２が搭載された面と反対側のヒートシンク１１０の他方の面に伝熱材２１０を介して放熱部材２００が配置されている。放熱部材２００は、ヒートシンク１１０との接合面を覆う壁部２２０を有する。 （もっと読む）

【課題】
熱可塑性樹脂に熱伝導率の高い充填材料を少量添加しても熱を伝える経路を効率よく形成することが可能であり、成形性を損なうことがなく、また樹脂本来の電気絶縁性を供えた熱伝導性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】
同一平面内あるいは異なる平面において核部と該核部から異なる２軸以上、好ましくは４軸方向に伸びた針状結晶部とからなる酸化亜鉛ウィスカー及び平均粒子径が１μｍ以上、平均厚さが０．１μｍ以上の平板形状無機充填材料を熱可塑性樹脂に配合して成形して得られる熱伝導率が１．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導性樹脂組成物とした。ここで、核部から異なる４軸方向に伸びた針状結晶部とからなるテトラポット状酸化亜鉛ウィスカー及び平板形状無機充填材の配合量合計１０体積％〜７０体積％であり、好ましくは４０体積％〜６０体積％である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、急冷処理により表面形状をコントロールした高流動性の球状アルミナ粉末、その製造方法、及びそれを用いた樹脂組成物を提供するものである。
【解決手段】 Ｘ線回折において２θ＝４５．６°に検出されるδ相ピーク強度と２θ＝４４．８°に検出されるθ相ピーク強度の比、（δ相ピーク強度／θ相ピーク強度）が１．０以上である、平均球形度が０．９０以上、平均粒子径１００μｍ以下の球状アルミナ粉末。アルミナ原料を溶融後、ドライアイスで急冷処理することを特徴とする球状アルミナ粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子で発生した熱を迅速に奪い、半導体素子の発熱量が大きい場合においても高い放熱性を確保できる半導体実装構造体を提供する。
【解決手段】 半導体実装構造体（１００‘）は、基板（１０４）と、側面に凹凸部（１２０）が設けられたシリコン基板（１０３）と、シリコン基板（１０３）の上に実装された半導体チップ（１０１）と、半導体チップ（１０１）と覆おうと共にシリコン基板の上面を封止する絶縁層（１０５）とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パワーチップで発生した熱およびスイッチングノイズによるＩＣへの影響を低減することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明による半導体装置は、スイッチング動作を行うパワーチップ１と、パワーチップ１を制御するＩＣ２と、パワーチップ１とＩＣ２とをモールド樹脂で封止したパッケージ３と、パッケージ３のパワーチップ１とＩＣ２との間に形成された貫通穴４とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂組成物に半導体素子と基板の熱膨張差に起因する反りの抑制する効果を付加させた、室温及び半田付け工程での反りが少なく、かつ放熱性に優れる半導体装置を、製造のかかる手間やコストを低減した方法で製造するための封止用液状樹脂組成物の製造方法と調整方法及びこれにより封止された半導体装置と半導体素子の封止方法を提供する。
【解決手段】（A）液状エポキシ樹脂、（B）硬化剤、及び（Ｃ）無機充填剤を含有する封止用液状樹脂組成物の製造方法であって、２種類以上の封止用液状樹脂組成物を混合して製造されるものであり、該封止用液状樹脂組成物は、それぞれ（Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）無機充填剤を含有し、かつ（Ｃ）無機充填剤において全無機充填剤量の７０重量％以上を占める主な無機充填剤の種類が、それぞれの該封止用液状樹脂組成物の間で異なることを特徴とする封止用液状樹脂組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半田を介して半導体チップをダイパッドの上面に接合した状態で封止樹脂により封止した半導体パッケージにおいて、ダイパッドと半導体チップとの剥離を防止する。
【解決手段】ダイパッド３に、その厚さ方向に貫通すると共に前記ダイパッド３の側面３ｄに開口する凹部１３と、前記ダイパッド３の上面３ａから前記ダイパッド３の厚さ方向に窪むと共に前記凹部１３に対して前記上面３ａの周縁よりも内側に間隔をあけて配される有底の係合穴１５とが形成され、前記凹部１３及び前記係合穴１５が、それぞれ前記上面３ａの周縁に沿って複数配列されている半導体パッケージを提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続された、金属を主構成材料とする複数のリードと、前記半導体チップを封止する封止体とを備えた半導体装置において、リードと封止体（モールド封止体）の密着性を向上させ、剥離を起こさない半導体装置を提供することにある。
【解決手段】半導体チップ５と、前記半導体チップと電気的に接続された、金属を主構成材料とする複数のリード３と、前記半導体チップを封止する封止体２とを備えた半導体装置において、リード３と封止封止体（モールド封止体）の密着性を向上させるため、リード３の表面材料と封止体２の組合せとして、格子整合性の良い材料の組合せを用い、アセン類を主構材料とする封止体２を用いる。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂を含む半導体装置の放熱特性を良好に制御するとともに、品質を向上させる。
【解決手段】半導体装置１００は、基板１０２と、基板１０２上に搭載された半導体チップ１０４と、半導体チップ１０４を封止する封止樹脂１１０と、半導体チップ１０４上に配置されるとともに、封止樹脂１１０と接触して設けられた放熱材料（１３０）と、を含み、封止樹脂１１０は、第１の樹脂組成物により構成された第１の樹脂領域１１２、第２の樹脂組成物により構成された第２の樹脂領域１１６と、第１の樹脂領域１１２および第２の樹脂領域１１６の間に形成されるとともに第１の樹脂組成物および第２の樹脂組成物が混合された混合層１１４とを含む。 （もっと読む）

【課題】パッケージと外部との熱的な接続を行うための絶縁物を別途準備することなく、リードフレームの反り及び封止樹脂の剥離が抑制可能な半導体パッケージを提供する。
【解決手段】リードフレーム１０の一面１１に半導体素子２０を搭載し、リードフレーム１０の他面１２を露出させつつ、これらリードフレーム１０および半導体素子２０を封止樹脂３０で封止してなる半導体パッケージＳ１において、リードフレーム１０の表面１１〜１３のうち封止樹脂３０にて被覆される部位に、リードフレーム１０よりも封止樹脂３０との密着力が大きくセラミックよりなる電気絶縁性の絶縁膜５０を、当該部位を被覆するように設け、当該部位は絶縁膜５０を介して封止樹脂３０に接触して封止樹脂３０に被覆されるようにし、絶縁膜５０を、リードフレーム１０の他面１２にも設けて当該他面１２を被覆し、当該他面１２を被覆する絶縁膜５０を封止樹脂３０より露出させた。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュール半製品を構成するヒートプレートを絶縁基板より面積的に小さくしても、成形時の絶縁基板の亀裂や破壊による損傷を防止することができると共に、製品としてのパワーモジュールの極小化の要請に十分答え得る実用化製品を提供する。
【解決手段】パワーモジュール半製品Ｙを、両外部接続端子５、６における一端側の外部表出側端部５ｂ及びヒートプレート２の他面側をそれぞれ表出させた状態で、成形樹脂層により封止して構成する場合、積層基板体Ｘを構成するパワーモジュール基板３に、成形樹脂層７を成形する上側成形型１１と共に成形型を構成する下側成形型１２に設けた位置決めピン１４が挿入される位置決め孔８を設けて、パワーモジュール半製品Ｙのキャビティー１３内における位置決めを行うようにした。 （もっと読む）

【課題】材料の充填性向上とワイヤ流れの抑制、及びパッケージの放熱性向上を同時に実現することを目的とする。
【解決手段】ワイヤ５の周囲をフィラー充填量の少ない封止材料１で樹脂封止し、それを含めた全体をフィラー充填量の多い封止材料２で樹脂封止することにより、材料の充填性向上とワイヤ流れの抑制、及びパッケージの放熱性向上を同時に実現することができる。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂から放熱面を露出させるために封止樹脂および放熱面の研削や切削を不要とすることができる構造を提供する。
【解決手段】第２ヒートシンク４０に凹部４３を設け、この凹部４３内に第１封止樹脂５０を設ける。このように、凹部４３に第１封止樹脂５０が配置されることにより、凹部４３の底面４４とは反対側に位置する第２放熱面４１が第１封止樹脂５０に埋没されることはない。また、第１封止樹脂５０の最上面５１を第１放熱面１１よりも第１端面１２側に位置させる。これにより、第１放熱面１１が第１封止樹脂５０に被覆・埋没されることはない。したがって、第１封止樹脂５０から各放熱面１１、４１を露出させるために第１封止樹脂５０および各放熱面１１、４１を研削もしくは切削する必要がない。 （もっと読む）