【課題】相異する極性が印可されるウエーハ基板と可動部同士が不可避に接触する際に電気的なショート事故を予防し、収率を高められ、製造原価が低いＭＥＭＳ構造体を提供する。
【解決手段】下部シリコン層間に酸化膜が介在されたウェーハ基板、上記ウェーハ基板に一体に連結される固定部及び上記固定部に対して遊動可能に浮遊する可動部から成るＭＥＭＳ構造体において、上記上部シリコン層（１１１）に１次ドライエッチングで形成され２次ドライエッチングにより底面の酸化膜が除去されたエッチングホールから供給されるエッチングガスにより、上記可動部（１００ｂ）を浮遊させるよう一定の深さで上記下部シリコン層（１１３）にドライエッチングされる浮遊空間（Ｒ）と、上記浮遊空間（Ｒ）を挟んで上記下部シリコン層（１１３）と対応するよう上記可動部（１００ｂ）の下部面に残留するショート防止用酸化膜（１１２ａ）とを含んで成る。 （もっと読む）

【課題】エッチング精度とエッチング制御性の向上を図ることができるとともに、ウエハ状態によって異なるエッチング条件の最適化を図ることができる半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体基板の一方の主面側からエッチングを行って形成される半導体素子を有する半導体装置において、前記エッチングの終点を検知する手段となる可動部位が前記半導体基板上に設けられていることを特徴とする。又、発明に係る半導体装置の製造方法は、少なくとも半導体基板の一方の主面側からエッチングを行う工程を有し、前記エッチングの終点を前記半導体基板上に設けられた可動部位が変位した時点とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】非常に小型の半導体圧力センサーにおいて、ダイヤフラムに対して十分に強い強度を確保しつつ、高感度を達成する。
【解決手段】被測定圧力を受けて変位可能なダイヤフラム１が、ｎ型シリコン単結晶領域２とその表裏に形成された絶縁膜によって形成されている。ｎ型シリコン単結晶領域２には、ダイヤフラム１の部分において、歪み検出素子として機能する拡散抵抗層７が形成されている。ｎ型シリコン単結晶領域２の、拡散抵抗層７が形成された表面上の絶縁膜であるＳｉＯ膜４とＳｉＮ膜５の合計膜厚は、裏面上の絶縁膜であるＳｉＯＮ膜３の膜厚より薄い。 （もっと読む）

加速度計は、基部（２）と、この基部（２）にしっかりと取着された平坦なリング状の外側支持フレーム（１７）と、基部（２）から離間し、外側支持フレーム（１７）と同一平面上にあるように、内側支持フレーム（１８）を外側フレーム（１７）に接続している装着部（１９）によって外側支持フレーム（１７）内に変形可能に支持された平坦なリング状の内側支持フレームとを有している。この内側支持フレームが変形可能に支持されていることによって、プルーフマス（３）を内側支持フレーム（１８）内に変形可能に装着している装着脚部（４）への圧縮力並びに/若しくは張力は減じられる。
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【解決手段】 一対のカバープレートの間に感知機構を可撓的に懸架するための装置及び方法であり、本装置は、結晶シリコン基板に形成された感知機構と、結晶シリコン基板に形成された一対のカバープレートと、感知機構とカバープレートの内の第１のカバープレートとの間に固定された関係にある第１の複数の相補形の境界面と、感知機構とカバープレートの内の第２のカバープレートとの間に可撓的に懸架される第２の複数の相補形の境界面であって、可撓的に懸架される境界面の内の１つ又はそれ以上は、相補形の雄型と雌型の境界面である、第２の複数の相補形の境界面と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】一例における装置は、第一の入力軸線に沿った第一の加速度を検知すべく採用可能な第一のプルーフマスと、第二の入力軸線に沿った第二の加速度を検知すべく採用可能な第二のプルーフマスと、第三の入力軸線に沿った第三の加速度を検知すべく採用可能な第三のプルーフマスとを備えている。第一の入力軸線、第二の入力軸線及び第三の入力軸線は実質的に直交する。第一のプルーフマス、第二のプルーフマス及び第三のプルーフマスは実質的に面一である。プルーフマスのキャビティは重心を配置する機能を果たす。入力軸線は、これらの入力軸線が共通の点にて交差し且つ、互いに直交するよう配置することができる。
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振動する回転センサは、「ｚ軸」周りの回転を感知するために記述される。それは、構造的結合、及び２つのプルーフ・マスの基本的な反位相振動が機械的結合により実現されるような力学を有するチューニングフォークである。

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マイクロ構造（２６）を収容する気密封止キャビティ（２２）を有するマイクロデバイス（２０）である。マイクロデバイス（２０）は基板（３０）と、キャップ（４０）と、絶縁層（７０）と、少なくとも一つの導電アイランド（６０）と、そして分離トレンチ（５０）と、を備える。基板（３０）は上面（３２）を有し、この上面の上には複数の導電配線（３６）が形成される。これらの導電配線（３６）がマイクロ構造（２６）への電気的接続手段となる。キャップ（４０）は基台部分（４２）及び側壁（４４）を有する。側壁（４４）は基台部分（４２）から外に向かって延びてキャップ（４０）内のリセス（４６）を画定する。絶縁層（７０）は、キャップ（４０）の側壁（４４）と複数の導電配線（３６）との間に取り付けられる。導電アイランド（６０）は複数の導電配線（３６）の内の少なくとも一つの導電配線に取り付けられる。分離トレンチ（５０）はキャップ（４０）と導電アイランド（６０）配線との間に位置し、かつ分離トレンチには何も充填されない、または分離トレンチの少なくとも一部には電気絶縁材料が充填される。上の構成と同じマイクロデバイスを形成する方法も提供される。
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本明細書には多数の発明が説明及び図示される。１つの態様において、本発明は、最終的なパッケージングの前にチャンバー（２６）に封入される機械的構造（１２）と、少なくとも部分的にチャンバーの外に配置されたコンタクト領域（２４）とを有するＭＥＭＳ装置、及びＭＥＭＳ装置の組み立て又は製造の方法を目的とする。コンタクト領域（２４）は、コンタクト領域の周囲に置かれた誘電分離トレンチ（４６）により、近くの導電領域から電気的に分離される。機械的構造を封止する素材（２８）は、堆積された際に、１つ又はそれ以上の以下の属性を備える。即ち、引張応力が低く、良好なステップカバレージを有し、その後の処理において完全性を維持し、チャンバー内の機械的構造の性能特性に大きな及び／又は悪い影響を与えず（堆積期間に素材でコーティングされた場合）、及び／又は、高性能集積回路の統合を可能とする。１つの実施の形態において、機械的構造を封止する素材は、例えば、シリコン（多結晶、アモルファス、又は多孔性の不純物を添加された又はされないシリコン）、炭化シリコン、シリコン・ゲルマニウム、ゲルマニウム又はヒ化ガリウムである。

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シリコンマイクは、高濃度にドープされたシリコン層、シリコン層、２つのシリコン層の間の中間酸化物層とを含む第１ウェハーを提供するステップを有する方法で形成される。第１ウェハーは、高濃度にドープされたシリコン層の１面上の第１主要面と、シリコン層の１面上の第２主要面とを有する。第２シリコンウェハーは、第１主要面と第２主要面とを有する。酸化物層が、第１および第２シリコンウェハーの少なくとも第１主要面上に形成される。第１ウェハーの第１主要面上の酸化物層を貫通し、高濃度にドープされたシリコン層まで到るキャビティがエッチングにより形成される。第１ウェハーの第１主要面が、第２ウェハーの第１主要面に、貼り合わされる。金属層が、第２ウェハーの第２主要面上に形成される。金属層および第２ウェハーの第２主要面がパターンニングの後、アコースティック・ホールがエッチングにより形成される。少なくとも１つの電極が第１ウェハーの高濃度にドープされたシリコン層上に形成され、少なくとも１つの電極が第２ウェハー上に形成される。第１ウェハーの酸化層は、シリコンマイクの製造中、少なくともダイアフラムの背面からエッチングされる。
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【課題】小型化を図れ且つ耐衝撃性に優れた半導体多軸加速度センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】センサ本体１は、矩形枠状のフレーム部１１の内側に重り部１２が配置されている。重り部１２は、４つの撓み部１３を介してフレーム部１１に支持された直方体状のコア部１２ａと、コア部１２ａと一体に形成されコア部１２ａとフレーム部１１とフレーム部１１の周方向において隣り合う各一対の撓み部１３の間の空間にそれぞれ配置された４つの付随部１２ｂとを有している。各撓み部１３は、両側縁から側方へ突出した突出片１３ｂ，１３ｂが一体に形成されており、各付随部１２ｂは、重り部１２が表面側に変位したときに突出片１３ｃの裏面に当たって重り部１２の変位を制限するストッパ部１２ｃを突出片１３ｂの表裏方向において重なるように突設してある。 （もっと読む）

【課題】測定精度の長期安定性を保証することができる静電容量型圧力センサ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明の静電容量型圧力センサは、圧力に応じて変形する上部電極が形成された第１の基板と、下部電極が形成された第２の基板とが誘電体膜を介して対向配置され、ダイアフラムの押圧により変化する第１の基板と第２の基板とで形成される静電容量の変化に応じて圧力を検出する静電容量型圧力センサであって、下部電極が、第２の基板に形成された溝を導電性材料で埋めて形成され、かつ形成された下部電極の表面が第２の基板の表面と同じ高さを有することで第１の基板と第２の基板の接合性を高めることができるので、測定精度の長期安定性を保証することができる静電容量型圧力センサを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 金属ダイヤフラムの表面にシリコンチップをガラス層を介して接合してなる圧力センサにおいて、ガラス層に生じる気泡によってセンサ出力が影響を受けないようにする。
【解決手段】 金属製のセンシングボディ２におけるダイヤフラム２ａの表面にシリコンチップ４をガラス層５を介して接合し、この接合後に、ガラス層５の気泡を検査する検査工程を設け、その検査結果が良好とされたセンシングボディ２についてハウジングへの組付けを行う。 （もっと読む）