【課題】 生産性が高く、かつ、感度の高い真空封止する慣性力センサの提供。
【解決手段】 ゲッター剤を挿入箇所の半導体にテーパー加工を施すことで、簡単、かつ、確実にゲッター剤を配置する事が可能となり生産性高く作製できるようになった。 （もっと読む）

【課題】 圧力検出用のダイアフラムを有する金属ステムのダイアフラムの表面に、歪みゲージを有する半導体基板を固定してなる圧力センサにおいて、感度の向上および精度の向上に適した構成を実現する。
【解決手段】 金属ステム１０のダイアフラム１１の表面に、歪みゲージ２４を有する半導体基板２０が取り付けられてなる圧力センサ１００において、半導体基板２０は、絶縁層２３を第１および第２の半導体層２１、２２で挟んでなる積層構造を有し、第１の半導体層２１には、第１の半導体層２１の表面から絶縁層２３にまで到達するトレンチ２５により絶縁分離されたパターン形状を有する歪みゲージ２４が形成され、第２の半導体層２２のうち歪みゲージ２４に対応する部位には、絶縁層２３にまで達する凹部２８が形成され、ダイアフラム１１は凹部２８内に入り込み凹部２８の底面を構成する絶縁層２３に取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】相異する極性が印可されるウエーハ基板と可動部同士が不可避に接触する際に電気的なショート事故を予防し、収率を高められ、製造原価が低いＭＥＭＳ構造体を提供する。
【解決手段】下部シリコン層間に酸化膜が介在されたウェーハ基板、上記ウェーハ基板に一体に連結される固定部及び上記固定部に対して遊動可能に浮遊する可動部から成るＭＥＭＳ構造体において、上記上部シリコン層（１１１）に１次ドライエッチングで形成され２次ドライエッチングにより底面の酸化膜が除去されたエッチングホールから供給されるエッチングガスにより、上記可動部（１００ｂ）を浮遊させるよう一定の深さで上記下部シリコン層（１１３）にドライエッチングされる浮遊空間（Ｒ）と、上記浮遊空間（Ｒ）を挟んで上記下部シリコン層（１１３）と対応するよう上記可動部（１００ｂ）の下部面に残留するショート防止用酸化膜（１１２ａ）とを含んで成る。 （もっと読む）

【課題】非常に小型の半導体圧力センサーにおいて、ダイヤフラムに対して十分に強い強度を確保しつつ、高感度を達成する。
【解決手段】被測定圧力を受けて変位可能なダイヤフラム１が、ｎ型シリコン単結晶領域２とその表裏に形成された絶縁膜によって形成されている。ｎ型シリコン単結晶領域２には、ダイヤフラム１の部分において、歪み検出素子として機能する拡散抵抗層７が形成されている。ｎ型シリコン単結晶領域２の、拡散抵抗層７が形成された表面上の絶縁膜であるＳｉＯ膜４とＳｉＮ膜５の合計膜厚は、裏面上の絶縁膜であるＳｉＯＮ膜３の膜厚より薄い。 （もっと読む）

【解決手段】 一対のカバープレートの間に感知機構を可撓的に懸架するための装置及び方法であり、本装置は、結晶シリコン基板に形成された感知機構と、結晶シリコン基板に形成された一対のカバープレートと、感知機構とカバープレートの内の第１のカバープレートとの間に固定された関係にある第１の複数の相補形の境界面と、感知機構とカバープレートの内の第２のカバープレートとの間に可撓的に懸架される第２の複数の相補形の境界面であって、可撓的に懸架される境界面の内の１つ又はそれ以上は、相補形の雄型と雌型の境界面である、第２の複数の相補形の境界面と、を含んでいる。 （もっと読む）

耐衝撃性が高く、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸ピエゾ抵抗素子の出力の差が小さく、小型で高感度、高出力の半導体型３軸加速度センサを提供する。 可撓腕が可撓幅広部と可撓平行部で構成され、可撓幅広部に最大応力部があり、最大応力部にピエゾ抵抗素子の一端が来るように可撓腕上面上にピエゾ抵抗素子を設ける。可撓腕の幅中心線の近傍にＺ軸ピエゾ抵抗素子、幅中心線から離れてＸ軸／Ｙ軸ピエゾ抵抗素子を設ける。また、最大応力部から可撓腕の長さ方向にＺ軸ピエゾ抵抗素子をずらすことで、Ｘ軸とＹ軸、Ｚ軸ピエゾ抵抗素子間の出力差を小さくする。 （もっと読む）

本明細書にて提供されるトランスデューサは不釣合いのプルーフマス（５１）を備え、それは、互いに直交する少なくとも２方向の加速を感知するように構成されている。プルーフマス（５１）は、互いに対向する第１側部（６５）及び第２側部（６７）を備えており、それらは異なる重量をそれぞれ有している。
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マイクロ構造（２６）を収容する気密封止キャビティ（２２）を有するマイクロデバイス（２０）である。マイクロデバイス（２０）は基板（３０）と、キャップ（４０）と、絶縁層（７０）と、少なくとも一つの導電アイランド（６０）と、そして分離トレンチ（５０）と、を備える。基板（３０）は上面（３２）を有し、この上面の上には複数の導電配線（３６）が形成される。これらの導電配線（３６）がマイクロ構造（２６）への電気的接続手段となる。キャップ（４０）は基台部分（４２）及び側壁（４４）を有する。側壁（４４）は基台部分（４２）から外に向かって延びてキャップ（４０）内のリセス（４６）を画定する。絶縁層（７０）は、キャップ（４０）の側壁（４４）と複数の導電配線（３６）との間に取り付けられる。導電アイランド（６０）は複数の導電配線（３６）の内の少なくとも一つの導電配線に取り付けられる。分離トレンチ（５０）はキャップ（４０）と導電アイランド（６０）配線との間に位置し、かつ分離トレンチには何も充填されない、または分離トレンチの少なくとも一部には電気絶縁材料が充填される。上の構成と同じマイクロデバイスを形成する方法も提供される。
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接触型圧力センサ（１０）及び２つの表面の間の接触圧力を検知するための接触型圧力センサの製造方法が開示される。開示された接触型圧力センサは、センサを支持するための基材（４０）及び接触型圧力センサに加えられた圧力に感応する接触圧力感応層（２６）を備える。開示された製造方法は、第１のプロセス支持基材（２０）上に形成されたプロセス後の構造物（８）を、該第１のプロセス支持基材から第２の接触型圧力センサ支持基材（４０）まで移動させることも含む。 （もっと読む）

本明細書には多数の発明が説明及び図示される。１つの態様において、本発明は、最終的なパッケージングの前にチャンバー（２６）に封入される機械的構造（１２）と、少なくとも部分的にチャンバーの外に配置されたコンタクト領域（２４）とを有するＭＥＭＳ装置、及びＭＥＭＳ装置の組み立て又は製造の方法を目的とする。コンタクト領域（２４）は、コンタクト領域の周囲に置かれた誘電分離トレンチ（４６）により、近くの導電領域から電気的に分離される。機械的構造を封止する素材（２８）は、堆積された際に、１つ又はそれ以上の以下の属性を備える。即ち、引張応力が低く、良好なステップカバレージを有し、その後の処理において完全性を維持し、チャンバー内の機械的構造の性能特性に大きな及び／又は悪い影響を与えず（堆積期間に素材でコーティングされた場合）、及び／又は、高性能集積回路の統合を可能とする。１つの実施の形態において、機械的構造を封止する素材は、例えば、シリコン（多結晶、アモルファス、又は多孔性の不純物を添加された又はされないシリコン）、炭化シリコン、シリコン・ゲルマニウム、ゲルマニウム又はヒ化ガリウムである。

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【課題】小型化を図れ且つ耐衝撃性に優れた半導体多軸加速度センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】センサ本体１は、矩形枠状のフレーム部１１の内側に重り部１２が配置されている。重り部１２は、４つの撓み部１３を介してフレーム部１１に支持された直方体状のコア部１２ａと、コア部１２ａと一体に形成されコア部１２ａとフレーム部１１とフレーム部１１の周方向において隣り合う各一対の撓み部１３の間の空間にそれぞれ配置された４つの付随部１２ｂとを有している。各撓み部１３は、両側縁から側方へ突出した突出片１３ｂ，１３ｂが一体に形成されており、各付随部１２ｂは、重り部１２が表面側に変位したときに突出片１３ｃの裏面に当たって重り部１２の変位を制限するストッパ部１２ｃを突出片１３ｂの表裏方向において重なるように突設してある。 （もっと読む）