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Fターム[4M113AD35]の内容

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Fターム[4M113AD35]に分類される特許

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【課題】フォノンイベントによる低エネルギーのノイズを除去することができる超伝導フォトン検出器を提供する。
【解決手段】基板14上に積層された下部超伝導電極13、トンネルバリア12及び上部超伝導電極11を有する超伝導フォトン検出器であって、基板14と下部超伝導電極13との間に介在し、基板14から入射する音響波の反射係数が透過係数よりも大きい材料で形成されたフォノン遮蔽層20を備える。このフォノン遮蔽層20は、基板14から下部超伝導電極13に入力するフォノンを遮断する。そのため、フォノンイベントによる低エネルギーのノイズを除去することができ、低エネルギーの可視光を正確に観測することができる。
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クラックの発生を防止し、かつ面内配向度と方位性等の結晶性並びに表面平滑性に優れた中間層の上に高い臨界電流密度(Jc)を有するRE系超電導層を形成する。配向性Ni基板の上に、希土類元素の1種または2種以上を金属含有量で20〜60mol%を添加したセリウム系酸化物からなる中間層をMOD法により形成し、この酸化物層上にMOD法により高いJcを有するRE系超電導層を形成する。上記の中間層は、Ceの有機金属化合物溶液に、Gd、Y及び/またはYbの各有機金属化合物溶液を混合した混合溶液を配向Ni基板上に塗布して塗膜を形成した後、仮焼熱処理を施し、Ar−H2の雰囲気中で950〜1150℃の温度で、50〜500Paの圧力下で焼成を行うことにより形成する。この中間層の上にTFA−MOD法によりYBCO超電導層を形成する。
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本発明の超伝導ワイアは、基板と自動的に配列する超伝導材料の連続層とを含む。本発明のワイアの長さは10メートルを超える。
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【課題】複数のLn系超電導体の原料溶液を混合することによって得られる混合超電導体膜の格子定数を調整することができ、基板上に厚膜を形成したときにc軸配向粒子を高い比率で含み、高い特性を示す酸化物超電導体を提供することにある。
【解決手段】主成分が一般式LnBa2Cu37-x(ここで、LnはGd,Tb,Dy,Ho,Er,TmおよびYからなる群より選択される2種以上であり、各々の元素の含有率は10〜90モル%である)で表され、モル比で銅の10-2〜10-6のフッ素を含む酸化物超電導体。 (もっと読む)


本発明の目的は、叙上の従来の問題を解消し、優れた性能を示す酸化物超伝導体を低い基板温度で成膜した酸化物超伝導体薄膜素子を提供することである。本発明は、少なくとも基板と酸化物超伝導体薄膜から構成され、該酸化物超伝導体薄膜が、Yb1−xNdBaCu7−yであって、xが0.01〜0.30、yが0.00〜0.20である組成を有し、結晶粒のc軸が基板に垂直に配向された酸化物超伝導体薄膜素子に関する。
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コーティングされるべき基板(116)上に照射するイオン源(132)或いは(218)が、MOCVD、PVD或いは超伝導体素材の調整のためのその他の処理を強化するのに用いられる。
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