説明

Fターム[4M113AD35]の内容

超電導デバイスとその製造方法 (1,906) | 超電導回路 (453) | 回路構造 (353) | 基板 (266) | バッファ (49) | バッファ材料 (46)

Fターム[4M113AD35]に分類される特許

21 - 40 / 46


【課題】幅方向に複数のレーンを成すように配列した基材または幅広の基材に対しても、膜厚や特性が均一な薄膜を効率良く成膜することが可能であり、また、良好な生産性で厚い膜の成膜が可能な成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】レーザー光Lによってターゲット6から叩き出され若しくは蒸発した構成粒子を帯状の基材34の表面上に堆積させ、基材34の表面上に薄膜を形成するにあたり、基材34の移動方向を転向させる転向部材11を囲んで加熱ボックス20を設けるとともに、転向部材11に接した状態にある基材34の表面に対向するようにターゲット6を配し、転向部材11に基材34の裏面が接しつつ、基材34を長手方向に移動させた状態で、加熱ボックス20の中を均等加熱するヒーター25により、基材34を加熱し、ターゲット6にレーザー光Lを照射する位置を、基材34の幅方向と同じ方向に振幅させる。 (もっと読む)


【課題】無配向である基材上にベッド層を用いることなく、単結晶に近い良好な配向性を有する多結晶薄膜を直接形成することが可能な多結晶薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】被成膜面βが無配向である基材α上に設けられた六方晶系の面内配向を有する多結晶薄膜の製造方法であって、被成膜面β上に多結晶薄膜を成膜する際にイオンビームアシスト法を用い、成膜の温度を100度から1200度の範囲とすることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】超電導機器に電力を供給することができる低熱伝導性でコンパクトな単一の電流リードを提供する。
【解決手段】基板上に中間層を介して積層された超電導層及び安定化層を備えたテープ状のReBaCu系酸化物超電導線材A及びBを電気的絶縁テープを介して、その基板面を外側にして電流リード支持体10の外周に同方向に無誘導巻きされるように巻回し、超電導線材Aの両端末を電流端子11a及び11bの半円板状の部分に半田接続し、同様に超電導線材Bの両端末を電流端子11c及び11dの半円板状の部分に半田接続して酸化物超電導電流リード20を形成することにより、単一の電流リードで電力を供給することができ、熱伝導量を低減させることができる上、コンパクトで、自己磁界による超電導特性の低下を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】高い臨界面電流を実現できる超伝導酸化物薄膜、および大きな耐電力性を持った超伝導部材の提供。
【解決手段】サファイアR面基板上に形成された、酸化物からなるバッファ層と、さらにその上に形成された超電導超伝導層とを具備してなる超電導超伝導部材であって、前記酸化物の酸素原子同士の最近接酸素間の距離と、酸化物の粒塊の粒径が特定された超電導超伝導部材とその製造方法。この超伝導部材は超伝導フィルターの部材として用いることができる。 (もっと読む)


【課題】高臨界電流密度であり、かつ、クラックの生じない高温超電導酸化物(RE)Ba2Cu3O7 (RE = Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Yb)(以下 (RE)BCO 薄膜と略称)の薄膜及びその作製方法を提供する。
【解決手段】
バッファ層を有するサファイア単結晶基板のバッファ層上に、1%以上の空孔を導入した高温超電導酸化物 (RE)BCO 薄膜を、間に (RE)BCO 薄膜とは異なるRE’を選んだ (RE’)Ba2Cu3O7の中間層薄膜を介して設けた多層構造の(RE)BCO 薄膜及びその製造方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ジョセフソン接合素子、その形成方法、および超電導接合回路に関し、IcRn積を向上することを目的とする。
【解決手段】ジョセフソン接合素子は、基板11上に形成された下部電極層12と、絶縁膜13と、下部電極層12の一端に形成された斜面を覆うバリア層14と、バリア層14を覆う上部電極層15を有し、超電導接合部16が形成される。下部電極層12及び上部電極層15は、(RE)1(AE)2Cu3yを主成分とする酸化物超電導材料からなり、元素REはY、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、およびLuからなる群のうち少なくとも1種、元素AEがBa、Sr、およびCaからなる群のうち少なくとも1種である。バリア層14は、元素RE、元素AE、Cu、及び酸素を含む材料からなり、この材料中のカチオンのうち、Cu含有量が35〜55原子%、かつ元素RE含有量が12〜30原子%の範囲に設定され、かつ下部電極層12及び上部電極層15の組成と異なる。 (もっと読む)


【課題】クラックの発生及び結晶粒界の電気的結合性の低下の原因を抑制し、高いJc及びIc値を有するテープ状超電導体を得る。
【解決手段】MOD法により基板上にRe系(123)超電導体を製造する際に、Re、Ba及びCuのモル比をRe:Ba:Cu=1:X:3としたときにX<2の範囲内のBaモル比(好ましくは1.0≦X≦1.8、より好ましくは1.3≦X≦1.7)の原料溶液を用いることにより、Jc=3.20MA/cm、Ic=525A/cm(X=1.5)の超電導特性を有する厚膜のテープ状超電導体の製造が可能になる。 (もっと読む)


【課題】高いJおよび高いI等の優れた特性と、低コスト化の実現とを両立することが可能な超電導薄膜材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】超電導薄膜材料1は、金属配向基板10と、金属配向基板10上に形成された酸化物超電導膜30とを備え、酸化物超電導膜30は、物理蒸着法により形成された物理蒸着HoBCO層31と、物理蒸着HoBCO層31上に有機金属堆積法により形成された有機金属堆積HoBCO層32とを含んでいる。 (もっと読む)


【課題】超伝導薄膜の製造方法のひとつである塗布熱分解法において、結晶化の工程である本焼成に長時間を要するという問題を解決する。
【解決手段】塗布熱分解法において、基材1の上層に超伝導体の構成元素を含む塗布膜3を設ける。さらに塗布膜3表面側に表面側シード材層4を設け、仮焼成、本焼成を行う。本焼成時には、基材1側で表面に向けて結晶化が行われるとともに、前記表面側シード材層4からも基材側に向けて結晶化が行われる。この結果、両方向からの結晶化がなされることで結晶化に必要な時間が短縮される。また、基材1と塗布膜3との間にはバッファ層2を設けるのが望ましい。バッファ層2は、基材1と塗布膜3との化学反応を阻止するとともに、結晶化のシードとして機能する。 (もっと読む)


【課題】成膜条件の変化に依存せずに、配向性に優れるYBCO系高温超電導体膜を成膜することができる、配向再現性に優れたYBCO系高温超電導体成膜用複合基材を提供するとともに、優れた配向性を有するYBCO系高温超電導体膜の作製方法を提供する。
【解決手段】結晶方位の揃った基材表面にZrまたはZr酸化物が部分的に存在することを特徴とする配向再現性に優れたYBCO系高温超電導体成膜用複合基材、および、該YBCO系高温超電導体成膜用複合基材を用いて超電導体膜を作製することを特徴とする配向性に優れたYBCO系高温超電導体膜の作製方法。 (もっと読む)


【課題】基板の電解研磨時間を短縮することで生産性を向上させることができ、さらには、単位面積当たりのクラックの発生を低減させ、且つ水平度に優れている超伝導ケーブル用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による超伝導ケーブル用基板の製造方法は、ハステロイ(登録商標)(Hastelloy)C−276またはステンレス鋼を、表面粗さがRMS(Root Mean Square)値にて10nm以下の圧延ロールで圧延し基板を形成するステップと、圧延された基板を電解研磨液に浸漬して電解研磨するステップと、電解研磨された基板上に超伝導層を蒸着するステップとを含むことを技術的特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基盤上の表面平滑性に優れた第1中間層の上に第2中間層及び特性の優れたYBCO超電導層を形成する。
【解決手段】2軸配向させたNi―W合金テープ状基板1の表面に、MOD法により複数回の塗布および仮焼を繰り返して成膜した5nm以下の表面平滑性を有するAZrからなる第1中間層2、パルス蒸着法により成膜したCeO膜からなる第2中間層3、MOD法により形成されたYBCO超電導層4およびこのYBCO超電導層の上にAg安定化層5を成膜して1MA/cm以上の臨界電流密度(Jc)を有するYBCO超電導体10を製造する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、分断した個々のフィラメント導体どうしの絶縁性を高めることができ、低交流損失の酸化物超電導体を得ることができる技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、基体1上に酸化物超電導層6が設けられてなる低交流損失超電導導体Aにおいて、前記酸化物超電導層6が、前記基体1の長さ方向に沿って前記基体の幅方向に複数形成された細線化溝3により複数のフィラメント導体2に分離されてなり、前記細線化溝3に高抵抗酸化物8が形成されてなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】PLD法により、長尺の金属基材上に、バッファ層を介し、RE―Ba―Cu系酸化物からなる超電導層を形成した臨界電流密度特性に優れたRE―Ba―Cu系酸化物超電導長尺体と、その製造方法を提供する。
【解決手段】金属基材上に、バッファ層を介して、RE―Ba―Cu系酸化物からなる超電導層が形成されたRE―Ba―Cu系酸化物超電導長尺体であって、該RE―Ba―Cu系酸化物のBa組成が化学量論組成より小さいことを特徴とする臨界電流密度特性に優れたRE―Ba―Cu系酸化物超電導長尺体。ここで、REは、Y、La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Erのいずれか1種又は2種以上の元素。 (もっと読む)


【課題】ジョセフソン接合の動作特性に優れ、かつ、絶縁体膜の表面が緻密で平坦性に優れると共に、超電体層の平坦性および結晶性に優れる超電導素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】酸化物基板1上に、第1酸化物超電導体薄膜2、セリアからなる第1絶縁体薄膜3、第2酸化物超電導体薄膜4、セリアからなる第2絶縁体薄膜5を順次形成する。第2酸化物超電導体薄膜4に、第1絶縁体薄膜3に対して鈍角をなす斜面を形成すると共に、第2絶縁体薄膜5に、第2酸化物超電導体薄膜4の斜面に略連続する斜面を形成する。第2酸化物超電導体薄膜4の斜面に極薄い絶縁体薄膜を形成する。第2絶縁体薄膜5上、第2絶縁体薄膜5の斜面上、上記極薄い絶縁体薄膜上、および、第1絶縁体薄膜3上に、第3酸化物超電導体膜6を形成する。 (もっと読む)


【課題】 長尺な線材と同様の効果を有する超電導テープ線材の製造方法、超電導テープ線材、および超電導機器を提供する。
【解決手段】 超電導テープ線材10の製造方法は、テープ状基板11を準備する工程(S10)と、テープ状基板11上に中間薄膜層12を形成する工程(S20)と、中間薄膜層12上に超電導層13を形成する工程(S30)と、超電導層13は一方端部13cから他方端部13dまで伸び、超電導層13に一方端部13cから他方端部13dまで延在する少なくとも1つの分割領域13aを形成する加工工程とを備えている。分割領域13aは、超電導層13の臨界温度では超電導状態とならない領域であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】製品が77 K、ゼロ磁場で約105 A/cm2より大きい、もしくはこれに等しい輸送臨界電流密度(Jc)を有する、基板上に沈着された0.8ミクロンより大きい厚さを有する酸化物超伝導体被膜を有する酸化物超伝導体製品を提供する。
【解決手段】酸化物超伝導体製品は、金属オキシフッ化物被膜が実質的に化学量論的比率で酸化物超伝導体の構成金属元素を含む、金属オキシフッ化物被膜を提供すること;および製品が77 K、ゼロ磁場で約105 A/cm2より大きい、もしくはこれに等しい輸送臨界電流密度を有する酸化物超伝導体被膜が得られるように、温度、PH2O、PO2、及びその組み合わせからなる群より選択される反応パラメータを調節することによって選択される変換速度で、金属オキシフッ化物を酸化物超伝導体に変換すること、によって調製される。 (もっと読む)


【課題】マグネシウムの酸化を引き起こしにくい緩衝膜を用いてより超伝導性のよいホウ化マグネシウムの薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】サファイア(酸化アルミニウム)からなり主表面がC面とされた基板101の上に例えば窒化ガリウム(GaN)などのガリウムと窒素とから構成された緩衝層102が形成され、緩衝層102の上に接してホウ化マグネシウムからなる超伝導体層103が形成されている。緩衝層102は、膜厚250nm程度に形成され、超伝導体層103は、膜厚100〜120nm程度に形成されている。 (もっと読む)


【課題】超伝導ストリップにおけるバッファ層等として使用される薄膜層の形成に関し、双軸の結晶方向を持つ薄膜層の製造方法を提供する。
【解決手段】所望の薄膜層に対応する組成の原子11をストリップの形状を持つ基板2上に複数回交互に繰り返し積層させ、この措置とは時間的及び空間的に分離した形で、この積層させた原子に、基板に対して所定の角度範囲内の角度(α)に方向を調整した高エネルギービーム12を照射する。 (もっと読む)


【課題】 複数の水銀系超電導膜を備えた超電導積層体およびその製造方法、超電導積層体を有するジョセフソン接合素子および電子装置を提供する。
【解決手段】 超電導積層体10は、基板11と、基板11上、第1超電導膜12と、絶縁膜13と、第2超電導膜14が順次積層して構成され、第1超電導膜12および第2超電導膜14が水銀系超電導膜からなり、絶縁膜13がCeO2、SrTiO3、(LaAlO30.3−(SrAl0.5Ta0.530.7(LSAT)、および(SrAl0.5Ta0.530.7(SAT)から選択される。第1超電導膜12と、絶縁膜13と、第2超電導膜14は、それぞれ下地に対してエピタキシャル成長してなる。 (もっと読む)


21 - 40 / 46