【課題】超電導スイッチの構造強度を保ちつつ、超電導スイッチのＯＮ状態（超電導状態）／ＯＦＦ状態（常電導状態）を切り替える際の、超電導膜とヒータとの間の熱効率が高い超電導スイッチを提供する。
【解決手段】超電導スイッチ１は、基板７と、通電により発熱するヒータ６と、導電性膜４と、前記導電性膜４に蒸着されたＭｇＢ₂膜３とを備えている。この基板７の一の面に前記ヒータ６，前記導電性膜４，前記ＭｇＢ₂膜３の順で積層する。 （もっと読む）

【課題】障害を最小限にして回復機能を改善する。
【解決手段】電流を制限する細長い複合材であって、少なくとも１つの酸化物超伝導部材、及び前記少なくとも１つの酸化物超伝導部材を実質的に囲む少なくとも１つの第２の導電部材から成り、前記複合材が約０．０５〜０．５Ｖ／ｃｍの範囲の電場を障害電流を制限する事象の間に示し、障害電流を制限する事象は動作電流の約３〜１０倍を前記複合材を通過させることから成り、前記動作電流が少なくとも１つの酸化物超伝導部材の臨界温度より低い選択された動作温度において前記酸化物超伝導体の臨界電流以下及び前記酸化物超伝導体の臨界電流の２分の１以上であるように選択されることを特徴とする複合材。 （もっと読む）

【課題】 高速応答時間及び短回復時間で電流を調整し、かつ、コスト効率よく生産することが可能な超電導装置を提供する。
【解決手段】 輸送電流が臨界値を超えると、ゼロ抵抗になる超電導状態から非ゼロ抵抗になるクエンチ状態に遷移することが可能なクエンチ可能超電導体（１）と、クエンチ可能超電導体（１）に電気的に結合され、クエンチ可能超電導体に熱的に結合される第１の金属部材（２）とを備える超電導装置であって、抵抗素子（４）と、抵抗素子を前記第１の金属部材（２）に電気的に結合するための手段（５）とを有する第２の金属部材（３）を備え、前記抵抗素子（４）が第１の金属部材から熱的に切り離されており、第１の金属部材（２）の電気抵抗が、第２の金属部材（３）の電気抵抗に比べて大きいものとする。 （もっと読む）

【課題】配線部分を含めた全体の抵抗値を低減させた半導体スイッチ及び永久電流スイッチシステムを提供する。
【解決手段】第１電流配線１０及び第２電流配線２０を常電導材配線５０（断面５×０．５ｍｍの銅線）及びそれに並列配置された超電導材配線６０（Ｂｉ２２２３高温超電導線）で構成する。また、制御配線３０は、常電導材配線５０と同じ銅線である。ＭＯＳ−ＦＥＴ４０は、常温におけるオン抵抗１．８ｍΩ、液体窒素温度におけるオン抵抗０．５ｍΩのＭＯＳ−ＦＥＴである。ＭＯＳ−ＦＥＴ４０のＳ端子４２を第１電流配線１０に、また、Ｄ端子４４を第２電流配線２０に各々ハンダ付けで接続する。この際、Ｓ端子４２の端部及びＤ端子４４の端部が各々第１電流配線１０及び第２電流配線２０を構成する常電導材配線５０と超電導材配線６０の両方に接触するように接続する。同様に、Ｇ端子４６を制御配線３０にハンダ付けで接続する。 （もっと読む）

【課題】
そこで、本発明の目的は、温度マージンが高い、熱的に安定で、超電導状態と常電導状態との切り替え動作が確実である永久電流スイッチを提供することにある。
【解決手段】
本発明の永久電流スイッチは、コイル状の超電導線とヒータ線とを有し、ヒータ線によって、超電導線の超電導状態と常電導状態とを切り替える永久電流スイッチにおいて、超電導線が、外側に高抵抗金属、内側に二ホウ化マグネシウム超電導部を有し、高抵抗金属と二ホウ化マグネシウム超電導部との間の層に超電導金属を形成して作製された二ホウ化マグネシウム超電導線であり、超電導線から導かれる口出し線と配線用超電導線とが超電導接続された超電導接続部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】一体型高速スイッチモジュールを備えた半波非限流型の超電導限流器を提供する。
【解決手段】超電導素子を最小限に配置した、超電導素子（310）、一体型の高速スイッチモジュール（320）及び限流負荷（330）をハイブリッド方式で回路を構成した超電導限流器で、正常電流時は超電導素子（310）の固有特性を用いて電力供給源（300）から供給する電力を損失なしで系統（350）に供給し、落雷、地絡、短絡などの事故によって過電流が発生する場合は駆動コイル（322）により互に一体に連動する高速スイッチング接点（324）とアーク切換スイッチ（326）により事故電流の半周期以後に過電流を制限することにより、電力系統上の遮断器などの電力機器が正常に動作できるようにする。 （もっと読む）

【課題】スイッチングの速さとオン時の抵抗値の低さとを両立させた永久電流スイッチシステムを提供する。
【解決手段】指令信号を受け、オン／オフ作動を行うＭＯＳ−ＦＥＴから構成されるバイパススイッチ３０を熱式永久電流スイッチ２０に並列に接続する。そして、制御装置６０から熱式永久電流スイッチ２０及びバイパススイッチ３０に指令信号を出力することにより熱式永久電流スイッチ２０及びバイパススイッチ３０のオン／オフ制御を行う。ＭＯＳ−ＦＥＴは、熱式永久電流スイッチ２０よりもスイッチング速度が速く、かつ、並列化されたり冷却されたりすると抵抗値が低下する。したがって、熱式永久電流スイッチ２０をオンすると共にバイパススイッチ３０をオンすると、熱式永久電流スイッチ２０の抵抗値がゼロになるまでの間、超電導コイル１０を流れる電流はバイパススイッチ３０の方を流れるので、スイッチング速度が速くなる。 （もっと読む）

【課題】正常電流が流れるとき超電導素子の自己磁界と外部素子からの磁界による電流損失を低減し、事故電流が流れるとき超電導限流素子が均一にクエンチされるように誘導して超電導限流素子の高電圧耐性を向上した抵抗型超電導限流器を提供する。
【解決手段】超電導限流素子２１と、超電導限流素子に直列に接続され、正常電流が流れるとき超電導限流素子と電流の流れ方向が逆になって磁界が相殺されるように超電導限流素子に対向して設けられ、事故電流が流れるとき超電導限流素子の均一なクエンチを誘導する超電導直列コイル２２と、超電導限流素子に並列に接続され、事故電流が流れて超電導限流素子がクエンチされるとき事故電流を分流して超電導限流素子の過熱を防止する常電導体並列コイル２３とを含む。 （もっと読む）

【課題】長い超伝導線材を稠密に巻いて形成された無誘導巻線と、この無誘導巻線用の巻枠と、これらを備えた永久電流スイッチ、及びこの永久電流スイッチを備えた超伝導磁石を提供する。
【解決手段】巻胴に単線の超電導線をらせん状かつ稠密に巻きつけて形成された第１層目の超伝導コイル層と、前記巻胴の一端側に設けられた折返し部に前記第１層目の超伝導コイル層を巻き終えた残りの超伝導線を掛けて折り返し、この折り返した超伝導線を前記第１層目の超伝導コイル層の超伝導線間の凹部に沿って逆向きに巻きつけて形成された第２層目の超伝導コイル層とを少なくとも備えた無誘導巻線である。巻枠は超電導線材を折り返すことができる折返し部を有している。永久電流スイッチはこれらの無誘導巻線及び巻枠を備えている。超伝導磁石は、この永久電流スイッチを備えたものである。 （もっと読む）

本発明は超伝導スイッチング素子を有する電流制限装置に関する。スイッチング機構がスイッチング素子のクエンチに基づく従来技術による超伝導電流制限器と異なり、本発明に従う超伝導スイッチング素子は、電流制限作用時に要求される短絡カットオフ電流に達したときシューブニコフ相（２３）にあるように構成される。従ってスイッチング素子は、超伝導体を囲む冷却材が熱を排出することができT_Sにおいて安定な状態が得られる限り、熱発生が制限される作動状態で作動することができる。従ってT_Cを超えることと結び付く超伝導体のクエンチ（曲線２６）は有効に阻止することができ、その結果超伝導体は電流制限作用後回路網から外され再冷却される必要がない。
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超伝導ＦＣＬのための導体素子は、本体２６ａ、２６ｂによって囲まれた細長い超伝導素子１８を備え、本体は超伝導素子１８の周囲の蓄熱体を形成する。蓄熱体は低温システムのような冷却システムと熱的接続状態にある。本体２６ａ、２６ｂは固形であって、例えば銅である。蓄熱体は超伝導素子１８に沿って均一な温度を維持し、障害応答と復帰を改善する。冷却機能は導体素子の外部から提供され、従来の低温冷却システムであってよい。素子は冷却剤を持たず且つ堅固である。
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