【課題】画質の劣化を抑制する。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、フォトダイオード形成領域５０内に設けられ、少なくとも１つの不純物層５５を含むフォトダイオード５と、フォトダイオード形成領域５０内に設けられ、フォトダイオード５の下方に設けられる空洞５９とを、含んでいる。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、光電変換効率を向上でき、結晶欠陥起因の望ましくない電流を低減できる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、フォトダイオードを備えた固体撮像装置が提供される。フォトダイオードでは、第１導電型の領域と第２導電型の領域とが接合されている。第１導電型の領域は、第１の半導体領域と複数の第２の半導体領域とを有する。第１の半導体領域は、Ｓｉを主成分とする材料で形成されている。複数の第２の半導体領域のそれぞれは、Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（０＜ｘ≦１）を主成分とする材料で形成されている。複数の第２の半導体領域のそれぞれは、第１の半導体領域の上に島状に配されている。 （もっと読む）

【課題】信号蓄積動作の開始、終了タイミングを全画素同時とすることで、動
く被写体でもゆがみのない画像を得られる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】転送ゲート１９の直下のチャネル部に形成された信号電荷保持部
となるＮ型の半導体領域２１、電荷保持領域２１とフローティングディフュージョン領域１８との間に形成され、フローティングディフュージョン領域１８の電位がＰ型ウエル１６に対して十分逆バイアスされる時に完全に空乏化されるＮ型半導体領域２２、電荷保持領域２１への光入射をさえぎるように遮光層２３が形成されている。ひとつの画素の動作は、フォトダイオード領域１７での信号電荷蓄積→フォトダイオード領域１７に蓄積された信号電荷を電荷保持領域２１に転送→電荷保持領域２１における信号電荷の保持→電荷保持領域２１からフローティングディフュージョン領域１８への信号電荷転送、を基本としている。 （もっと読む）

【課題】検出感度が高く、大面積化が可能な赤外線検出素子、赤外線検出装置及び赤外線検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】遠赤外線〜中赤外線を透過し、近赤外線〜可視光を反射する反射部１と、反射部１を透過した遠赤外線〜中赤外線により電子が励起されて、光電流が生成される量子ドット構造を多重に積層した光電流生成部２と、光電流生成部２で生成された光電流の電子が注入されて、正孔と再結合させることにより、近赤外線〜可視光を放出する量子井戸構造を多重に積層した発光部３と、発光部３から放出された近赤外線〜可視光を検出すると共に、発光部３から放出されて、反射部１で反射された近赤外線〜可視光を検出する光検出部４とを有し、反射部１、光電流生成部２及び発光部３を、半導体の基板上に積層したIII−Ｖ族化合物半導体から構成する。 （もっと読む）

【課題】任意の大きさの画素でも、読み出し不良を発生させずに信号電荷を読み出すことができる技術を提供する。
【解決手段】上記の課題を解決するために、素子分離領域（４）で区画された１つのフォトダイオード領域と、転送ゲート（２）を介して１つのフォトダイオード領域に接続するＣＣＤレジスタ（３）とを具備するＣＣＤイメージセンサを構成する。ここで、１つのフォトダイオード領域は、複数のテーパ状領域（１ａ、１ｂ、１ｃ）を備えることが好ましい。その、複数のテーパ状領域（１ａ、１ｂ、１ｃ）の各々は、転送ゲートに近づくにしたがって幅が広くなるように形成されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 金属シリサイド膜が形成されたソース及びドレイン上、及び金属シリサイド膜が形成されていないフォトダイオード上にビアホールを形成する際に、エッチング工程を２回に分けなければならない。
【解決手段】 半導体基板が、第１の導電型の表層部を有する。第１の導電型とは反対の第２の導電型の第１の拡散領域が、表層部内に形成されている。第１の拡散領域と表層部の第１の導電型の領域との間に、受光領域となるｐｎ接合が形成される。第１の拡散領域の表面の一部の領域に第１の金属シリサイド膜が形成されている。第１の拡散領域の表面において、第１の金属シリサイド膜の縁から離れて、第１の金属シリサイド膜を取り囲むようにシールド層が配置されている。シールド層は第１の導電型よりなり、第１の拡散領域との間にｐｎ接合を形成する。 （もっと読む）

【課題】暗電流を抑制することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換が行われるフォトダイオードが形成された半導体層２と、少なくともフォトダイオードが形成された領域の半導体層２上に、原子層蒸着法又は有機金属化学的気相成長法を用いて形成された負の固定電荷を有する第１の膜２１と、この負の固定電荷を有する第１の膜２１上に、物理的気相成長法を用いて形成された、負の固定電荷を有する第２の膜２２と、この負の固定電荷を有する第２の膜２２上に、原子層蒸着法又は有機金属化学的気相成長法を用いて形成された負の固定電荷を有する第３の膜２３を含む固体撮像素子１を構成する。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子における逆導電型の半導体層のエッジ間でのリーク電流を抑えるようにする。
【解決手段】絶縁層（６６，６８）にｎ型半導体層７１の面積よりも小さい面積（上部開口面積）のコンタクトホール６９を形成し、当該コンタクトホール６９を介してｐ型半導体層６４とｉ型半導体層７０が接するようにする。すなわち、ｐ型半導体層６４のｉ型半導体層７０と接するエッジ（コンタクトホール６９の下部開口端）をｎ型半導体層７１のエッジよりも内側に位置させる。これにより、ｐ型半導体層６４のｉ型半導体層７０と接するエッジとｎ型半導体層７１のエッジの間の距離を、従来技術のようにｐ型半導体層６４とｎ型半導体層７１がほぼ同一形状で形成され、ｐ型半導体層６４とｉ型半導体層７０が直接接している場合に比べて長くする。 （もっと読む）

【課題】基板コンタクトの最適配置を実施することにより、シェーディングの発生を抑制することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、第１の画素１０ｒおよび第２の画素１０ｇと、第１の画素１０ｒの上部に形成された第１のカラーフィルタと、第２の画素１０ｇの上部に形成された第２のカラーフィルタ１３ｇと、半導体基板１１の第２の面１１ｂ側に形成された積層配線層１６と、第２の面１１ｂに接続された基板コンタクト１５と、を備え、第１のカラーフィルタは主に第１の光を透過し、第２のカラーフィルタ１３ｇは主に第２の光を透過し、第２の光の波長は第１の光の波長よりも短く、基板コンタクト１５は、第１の画素１０ｒ内には配置せず、第２の画素１０ｇ内に配置された構成としている。 （もっと読む）

【課題】機械的強度を確保しつつ、開口率を向上させて検出感度を向上させることができるフォトダイオードアレイ及び放射線検出器を提供する。
【解決手段】
被検出光の入射面と反対面側に、ｐｎ接合型の複数のフォトダイオードがアレイ状に形成された半導体基板を備え、半導体基板は、複数のフォトダイオードの形成された領域が被検出光の入射面側から薄化されることにより、当該複数のフォトダイオードの形成された領域に挟まれた領域が被検出光の入射面側に向かって断面凸形状の凸部９とされ、凸部９には、フォトダイオードの被検出光の入射面側と同一導電型の高濃度不純物領域５ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】高温での熱処理プロセスを必要とする不純物拡散層からなるホール蓄積層を設けることなく界面準位に起因した暗電流を低減することが可能で、これにより半導体基板の浅い位置にセンサを設けて電荷転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１の表面層に形成された不純物拡散層１０２，１０３からなるダイオードＤと、第１金属材料を含有する絶縁材料からなりダイオードＤ上に設けられた負電荷蓄積層１３と、第１金属材料よりも電気陰性度が大きい第２金属材料を含有する絶縁材料からなりダイオードＤと負電荷蓄積層１３との間に設けられた界面層１１とを備えたことを特徴とする固体撮像装置１。 （もっと読む）

【課題】高電圧印加用バイアス電極の外周縁部への電界集中をなくし、放電破壊の生じないＦＰＤを提供する。
【解決手段】Ｘ線の入射により電荷を生成するＸ線変換層２と、このＸ線変換層２にバイアス電圧を与えるバイアス電極１が、ＴＦＴガラス３上に積層形成されている。バイアス電極１の４個の外周縁部１ａは、円弧状の曲線で形成されており、この部分への電界集中は生じない。バイアス電極１の上面には有効画素領域ＳＡの外側となる位置でバイアス電圧給電用の高圧ワイヤ４が固定材で固定され接続されている。 （もっと読む）

本発明は、特にＸ線Ｘ及びγ線用の放射線検出器１００に関し、この検出器は、（ａ）フォトンに対する低い減衰係数を有する少なくとも１つの主変換層１０１ａ〜１０１ｆと、（ｂ）フォトンに対する高い減衰係数を有する少なくとも１つの副変換層１０２との組み合わせを有する。好適実施例において、主変換層１０１ａ〜１０１ｆは、関連のエネルギ分解計数電子回路部１１１ａ〜１１１ｆ，１２１に結合したシリコン層により実現することができる。副変換層１０２は、例えば、エネルギ分解計数電子回路部又は統合電子回路部に結合したＣＺＴ又はＧＯＳにより実現可能である。低阻止能を持つ主変換層を用いることにより、スペクトルＣＴのための積層型放射線検出器１００を、各層の計数率を非現実的な薄い層を必要とすることなく実現可能な値に限定させた形態で構成することができる。
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【課題】
固体撮像素子の受光素子は規則的に配列されているために偽信号が発生する。このために光学的ローパスフィルタが必要であり、画像は劣化する。
【解決手段】
固体撮像素子の画素となる受光素子を配列するのに、それらの間隔を等しくせず、不規則性を持たせて配置し、偽信号の発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】画素数を増加させることなく高精細な画像を表示または撮影する。
【解決手段】平面状に配置された複数の画素１を備える映像装置であって、複数の画素１は、それぞれ一部に受光または発光を行う有効領域２を含み、各画素１における有効領域２は、予め定められた複数の位置のいずれかにランダムに配置される。また、レイアウトにおいて、各画素の境界における配線位置は、同一であってもよい。 （もっと読む）

【課題】高度な量子効果により高感度で赤外線を検知することができ、室温近くの温度条件下においても動作させることが可能な量子型赤外線センサを提供すること。
【解決手段】中心細孔直径が１．５〜５．０ｎｍであるメソ多孔体１１と、メソ多孔体１１の細孔内に配列された波長３〜１５μｍの光に対する屈折率が１．７〜２．１の範囲にある金属酸化物１２と、金属酸化物１２に電気的に接続されている電極１３とを備えること特徴とする量子型赤外線センサ。 （もっと読む）

【課題】 短時間で不要電荷を除去することのできる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 第１導電型の半導体基板と、半導体基板内に形成された、第１導電型とは逆導電型の第２導電型のウェルと、ウェル内に形成された複数の第１導電型の電荷蓄積領域であって、行列状に配置され、入射光の光量に応じて生成された信号電荷を蓄積する電荷蓄積領域と、電荷蓄積領域とその下方の半導体基板の第１導電型の領域との間に形成された、第２導電型の高濃度不純物層であって、ウェルよりも第２導電型の不純物濃度が高い高濃度不純物層と、行列状に配置された電荷蓄積領域の列に沿ってウェル内に形成され、電荷蓄積領域に蓄積された信号電荷が読み出され、読み出された信号電荷が列方向に転送される第１導電型の垂直転送チャネルと、ウェル内に形成され、垂直転送チャネルの端部に結合され、垂直転送チャネルから転送された信号電荷が行方向に転送される第１導電型の水平転送チャネルと有する固体撮像素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】固体ＣＭＯＳイメージセンサ、さらに詳細には、スタックフォトサイト、高感度及び低暗電流を有するＣＭＯＳイメージセンサを開示している。
【解決手段】ピクセルは、シリコンバルクからフォトダイオードと隣接したシリコン表面に位置した分離された電荷貯蔵構造まで光−発生電荷を転換するように標準フォトサイト下に特殊電位バリアを含む。したがって、本発明のピクセルはその上部に所定の光吸収カラーフィルタなくても２個のカラー−コーディングされる信号を検出する能力を有する。このようなスタックフォトサイトを利用して構成されたイメージセンサは、高いピクセル密度、より高解像度及びより高感度を有する。また、本発明は相違した深くに位置になった電位バリアを有するピクセルをアレイで統合することによって、所定のカラーフィルタない高解像度ＣＭＯＳカラーイメージセンサを形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 ＯＢ画素に不要な光が入射した場合の暗出力の基準値変動を低減することである。
【解決手段】 半導体基板１１４上に形成される有効画素領域１０２およびＯＢ画素領域１０３において、Ｎ型半導体領域１０９とＰ型半導体領域１０８および１１２とのＰＮ接合部を形成し、Ｐ型半導体領域１１２に比べ、半導体基板１１４の表面を基準として、その浅い位置にＰ型半導体領域１１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】視感度に近い分光感度特性を有する半導体光センサ装置およびこれを備えた情報機器を提供する。
【解決手段】シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成された第１フォトダイオードと、第２フォトダイオードと、前記第１フォトダイオードからの光電流を増幅する第１増幅回路と、前記シリコン基板上に形成され、前記第２フォトダイオードからの光電流を増幅し、前記第１増幅回路と略同一の増幅特性を有する第２増幅回路と、前記第２フォトダイオードの上に設けられ、入射光のうちの可視光成分を赤外光成分に対して相対的に減衰させる赤外透過フィルタと、前記シリコン基板上に形成され、前記第１増幅回路の出力と前記第２増幅回路の出力との差分を出力する減算回路と、を備え、前記シリコン基板上において、前記第１フォトダイオードの中心と前記第２フォトダイオードの中心とが実質的に対称に配置されてなることを特徴とする。 （もっと読む）