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Fターム[4M118CA25]の内容

固体撮像素子 (108,909) | 受光部構造 (13,175) | 光電変換部 (1,837) | 各受光部の大きさ、特性を異ならせたもの (490)

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【課題】何れかの読出用配線または行選択用配線が断線している場合にも解像度が高い画像を得ることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、入射光強度に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードPDと、このフォトダイオードと接続された読出用スイッチSWと、を各々含むM×N個の画素部P1,1〜PM,NがM行N列に2次元配列された受光部を備える。各画素部Pm,nは略正方形の領域を占めていて、その領域の殆どの部分がフォトダイオードPDの領域であり、その領域の一つの角部に読出用スイッチSWとしての電界効果トランジスタが形成されている。画素部間の領域にチャネルストッパCSが連続して形成されている。任意の互いに隣接する2個の画素部により挟まれる領域において、チャネルストッパCSにより囲まれてダミー用フォトダイオードPD2が形成されている。 (もっと読む)


【課題】色ずれを生じることなく、ダイナミックレンジの拡大を可能にする固体撮像装置を提供する。
【解決手段】電磁波を電荷に変換し、電荷量に応じた信号を出力する画素10を含み、画素10が2次元配置され、隣接する画素10において、電磁波を電荷に変換する、フォトダイオードPD及び転送トランジスタ21の部分の構成は同一であるが、電荷量と信号量との関係を異ならせることが可能である、画素部とを含む固体撮像装置を構成する。 (もっと読む)


【課題】 光電変換部の分割に伴い生じる低感度帯の影響を抑制すること。
【解決手段】 撮像素子は、第1の方向に第1の分割数に分割され、前記第1の方向と垂直な第2の方向に第2の分割数に分割された光電変換部をそれぞれが有する、複数の第1画素と、前記第1の方向に第3の分割数に分割され、前記第2の方向に第4の分割数に分割された光電変換部をそれぞれが有する、複数の第2画素とをそれぞれが備えた、複数の撮像画素群を含み、第1画素及び前記第2画素を構成する複数の光電変換部は、撮像光学系からの光束のうち分割された光束により形成された複数の像を光電変換して位相差の検出に用いられる焦点検出信号を出力する機能を備えており、第1の分割数と第3の分割数が互いに素の自然数であり、第2の分割数と第4の分割数が互いに素の自然数であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】電気的な構造を複雑化することなく撮像用画素と焦点検出用画素とをレイアウトする。
【解決手段】マイクロレンズと複数の光電変換部とを有する単位画素が2次元に配列された画素群を備え、当該画素群が撮像用画素と焦点検出用画素を含む固体撮像素子であって、前記画素群の一部に前記焦点検出用画素として、前記複数の光電変換部のそれぞれを部分的に遮光する遮光部を設けた。 (もっと読む)


【課題】 モジュール当たりのPD数の減少が抑制されたフォトダイオードアレイモジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 第1半導体基板1と第2半導体基板2とは材料が異なるため、互いに異なる波長帯域の入射光に対して感度を有する。フォトダイオードアレイの各フォトダイオードは、第1半導体基板1のアンプに接続されている。この方法によれば、第2半導体基板2をエッチングした後に、そのエッチング溝の最深部をダイシングすることで、第2半導体基板2をウェハから分離している。エッチングによって現れる側面内の結晶欠陥密度は、ダイシングによって現れる側面内の結晶欠陥密度よりも小さい。第2半導体基板2の端部に位置するフォトダイオードは、取り除く必要が無いので、フォトダイオード数の減少を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】位相差検出画素の遮光膜開口を小さくすることなく良好な位相差情報を取得する。
【解決手段】基板上に二次元アレイ状に配列形成され各々が入射光量に応じた信号電荷を発生させる複数の光電変換素子5と、該複数の光電変換素子5の各々の上に積層される同形状のマイクロレンズと、光電変換素子5の受光面と対応する前記マイクロレンズとの間に介挿され該光電変換素子5の受光面上に開口6が設けられた遮光膜とを備え、光電変換素子5のうち被写体からの入射光の位相差情報を検出する隣接する2つの光電変換素子5G,5gに設けられる前記開口が該2つの光電変換素子で共通に1つの開口7として設けられる (もっと読む)


【課題】焦点検出用信号を得るための画素を活用しつつ、暗電流成分をより低減させることができる補正を行う。
【解決手段】固体撮像素子は、入射光を受光して光電変換する光電変換部41を有する複数の第1の画素20Aと、平面視において分割線により分割される一方側の領域及び他方側の領域にそれぞれ存し互いに独立して信号が読み出される第1の光電変換部45又は46及び第2の光電変換部46又は45を有し、第1の光電変換部45又は46は入射光を受光して光電変換する一方で、前記第2の光電変換部46又は45は遮光された複数の第2の画素20L,20Rと、を備える。 (もっと読む)


【課題】ジャギーを低減し、高精細な画像を表示または撮像することができる映像装置を提供する。
【解決手段】二次元状に配置された複数の画素1を備える映像装置であって、複数の画素1のそれぞれは、当該画素1の一部に受光または発光を行う有効領域2を含み、有効領域2は、当該有効領域2を含む画素1内での予め定められた複数の位置のいずれかにランダムに配置され、有効領域2を含む画素1の面積に対する当該有効領域2の面積の比率である開口率は、40〜70%である。 (もっと読む)


【課題】全体の面積を小さくすることができる構成、構造を有する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子は、(A)半導体層11に形成され、M層の受光/電荷蓄積層121,122,123が積層されて成る受光/電荷蓄積領域120、(B)半導体層11に形成された電荷保持領域140、(C)受光/電荷蓄積領域120と電荷保持領域140との間に位置する半導体層11の部分から構成された空乏層形成領域150、並びに、(D)空乏層形成領域150における空乏層の形成状態を制御する制御電極領域160を備え、各受光/電荷蓄積層121,122,123から空乏層形成領域150へと延在する受光/電荷蓄積層・延在部121A,122A,123Aを更に備えている。 (もっと読む)


【課題】高画質な画像と位相差方式の焦点検出機能を両立する撮像素子を提供する。
【解決手段】それぞれの画素が、第1半導体層311を有する第1副画素と、第1半導体層と極性が異なる第2半導体層312を有する第2副画素と、第1半導体層と極性が等しい第3半導体層300と、マイクロレンズ305とを備え、第1半導体層が第2半導体層に包含され、第2半導体層が第3半導体層に包含されている、複数の画素を有する撮像素子であって、第1半導体層の受光面の重心位置が、第1半導体層と第2半導体層を合わせた受光面の重心位置と異なる。 (もっと読む)


【課題】ダイナミックレンジの拡大、高速シャッタ、低駆動電圧化を可能にする高画素密度な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】画素1aは、第2の半導体領域3を共有する少なくとも4つの第1〜第4半導体層5a〜5dを備えている。第1の半導体層5aは、第1の外部回路と電気的に接続された第1の半導体領域2と、第2の半導体領域3によって第1の半導体領域から分離されるとともに、第2の外部回路と電気的に接続された第3の半導体領域4とを有する。第2の半導体層5bには、絶縁膜6a、6bと、第3の外部回路と電気的に接続されたゲート導体電極7a、7bとを有するMOSトランジスタが形成されている。第3の半導体層5cは、第2及び第4の半導体領域3、8a、8bからなるフォトダイオードを有する。第4の半導体領域がゲート、第1の半導体領域及び前記第5の半導体領域の内の一方がドレイン、他方がソースとなる接合トランジスタが形成されている。 (もっと読む)


【課題】互いに感度が異なる画素を含む固体撮像装置において、画素間の感度のばらつきを低減する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】各々が光電変換素子を有する複数の画素と、複数の画素の信号を増幅して出力する増幅回路とを備える固体撮像装置が提供される。複数の画素は、第1感度を有する第1光電変換素子を含む第1画素と、第1感度よりも高い第2感度を有する第2光電変換素子を含む第2画素とを含む。増幅回路は、第1画素から出力された信号を第1ゲインで増幅し、第2画素から出力された信号を第1ゲインよりも小さい第2ゲインで増幅する。 (もっと読む)


【課題】MOS型の固体撮像装置において、画素が微細化されても感度の向上を図る。
【解決手段】4つのフォトダイオードで1つのフローティングディフージョンを共有した構成部を垂直方向に複数配置したレイアウトを有する。そして、隣接する構成部と構成部との間に増幅トランジスタの増幅ゲート電極を形成する。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子の面積が異なる画素を含む固体撮像装置において、画素間の感度のばらつきを低減する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光電変換素子をそれぞれ有する複数の画素と、光電変換素子を覆う遮光層とを備える固体撮像装置が提供される。遮光層は、複数の画素のそれぞれの光電変換素子に対して、当該光電変換素子への入射光の一部分を遮るための遮光部と、入射光の残り部分を通すための開口部とを有し、複数の画素は、光電変換素子の平面視における面積が異なる少なくとも2種類の画素を含み、光電変換素子の平面視における面積の大きい画素ほど遮光部の面積が大きい。 (もっと読む)


【課題】配線や遮光膜などの光のケラレがあっても、同色受光素子で点対称または線対称となるようにレンズ中心から周囲にかけて受光素子を配置することにより、レンズ中心からのシェーディング特性をより容易かつ正確に均一にする。
【解決手段】光学中心を横軸Xと縦軸Yの交点として第1象限A〜第4象限Dとする。受光部3の受光面に対して読み出しゲート3aの位置や配線および遮光膜の位置などによって、受光部平面視形状の配列方向に差が生じるが、配列方向の差をレンズ中心(交点P)から4象限方向に点対象に均一に形成する。これによって、レンズ中心(交点P)からその周辺部にかけて、輝度シェーディングおよび色シェーディングがきれいな同心円状となる。 (もっと読む)


【課題】 半導体イメージセンサにおける解像度の更なる向上を図り、色信号の演算式の簡略化を図る。
【解決手段】 光電変換手段と該光電変換手段を選択読み出するMOSトランジスタとを含む複数の画素を備えた半導体イメージセンサであって、二次元的に複数の画素63Aが水平方向及び垂直方向のそれぞれに所定ピッチで配列された第1の画素グループと、第1の画素グループに対して水平方向及び垂直方向共に前記ピッチの略1/2ピッチずらした状態で、二次元的に複数の画素63Bが配列された第2の画素グループとを備え、第1の画素グループと前記第2の画素グループは、光電変換に寄与する半導体領域の深さが異なるようにして成る。 (もっと読む)


【課題】位相差画素のスミアを低減する。
【解決手段】半導体基板の表面部に二次元アレイ状に複数の画素2を配列形成し、画素2で構成される複数の画素列に対し1本置きの画素列に沿って電荷転送路3を形成すると共に、両脇の2本の画素列で該電荷転送路3を共用させ、共用する電荷転送路3を挟んで隣接する2つの画素2a,2bを位相差画素とすべく、該位相差画素の2つの画素の夫々に遮光膜開口4a,4bを設けると共に、2つの遮光膜開口4a,4bを、当該画素の中央部に対して電荷転送路3に沿う方向で逆方向、及び電荷転送路3に沿う方向に対して直角の方向で逆方向、かつ、該共用する電荷転送路3から離れる方向に偏心して設ける。 (もっと読む)


【課題】CMOSイメージセンサにおいて、ダイナミックレンジを大きくし得ると共にブルーミング特性を改善する。
【解決手段】CMOSイメージセンサにおいて、単位画素1(m,n) は、第1のフォトダイオードPD1 及びそれよりも光感度が小さい第2のフォトダイオードPD2 と、第1、第2のフォトダイオードの信号電荷をフローティングディフュージョンFDに読み出す第1、第2の読出しトランジスタREAD1 、READ2 を有し、信号蓄積期間に第1、第2のフォトダイオードの信号電荷をフローティングディフュージョン読み出す第1の動作モードと、信号蓄積期間に第2のフォトダイオードの信号電荷をフローティングディフュージョンに読み出す第2の動作モードを有し、第2の動作モードの際に、第2のフォトダイオードの信号蓄積期間内に第1の読み出しトランジスタをオン状態にして第1のフォトダイオードに蓄積された信号電荷をフローティングディフュージョンに排出する。 (もっと読む)


【課題】光電変換部の面積を増加させることなく、分光感度特性のリップルを低減させ、かつ出力感度を向上させることのできる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】フォトダイオードPD1は、N型領域13とP型領域14を有し、受光面のP型領域14上に屈折率が均一な透明絶縁膜15が形成され、フォトダイオードPD2は、フォトダイオードPD1と画素開口部およびN型領域13とP型領域14を共有し、受光面のP型領域14上に透明絶縁膜15および透明絶縁膜15とは屈折率が異なる透明絶縁膜16を有し、電荷読み出し部3は、フォトダイオードPD1およびフォトダイオードPD2に共通に接続されている。 (もっと読む)


【課題】CMOSイメージセンサにおいて、画素内の低感度のフォトダイオードの飽和レベルを色毎に異なる値にして、ダイナミックレンジを大きくする。
【解決手段】高感度のフォトダイオードPD1 と、高感度のフォトダイオードで光電変換された信号電荷を読み出す第1の読出しトランジスタREAD1 と、低感度のフォトダイオードPD2 と、低感度のフォトダイオードで光電変換された信号電荷を読み出す第2の読出しトランジスタREAD2 と、フローティングディフュージョンFDと、リセットトランジスタRST と、増幅トランジスタAMP とを有する単位画素1が複数配列された撮像領域10と、異なる分光透過特性を有する少なくとも第1、第2の色フィルタを含む複数の色フィルタとを具備し、第1の色フィルタに対応する低感度のフォトダイオードの飽和レベルをQSAT1 とし、第2の色フィルタに対応する低感度のフォトダイオードの飽和レベルをQSAT2 としたときに、QSAT1 >QSAT2 の関係を満たしている。 (もっと読む)


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