【課題】端部（胸壁側）においても解像度の高い画像を撮影できる放射線検出素子等を提供する。
【解決手段】平面視したとき長方形の放射線検出素子１０にマトリックス配置された複数の画素２０各々の形状を、胸壁側に平行する方向において長く、それと交差する方向である奥行き方向において短い画素形状（長方形）とする。また、放射線検出素子１０の一方の長辺側にスキャン信号制御部、信号増幅部等の外部回路を設けず、その長辺側が被検者の胸壁側となるように構成することで、胸壁側での撮像欠損をなくすとともに、奥行き方向の分解能を向上させる。 （もっと読む）

【課題】体格の増大が抑制された光センサを提供する。
【解決手段】複数の受光部（６０）を有する光センサであって、受光部（６０）は、半導体基板（１０）に形成された受光素子（２０）と透光用の開口部（５０）を有し、受光素子（２０）の形成面（１０ａ）上に透光膜（３０）を介して遮光膜（４０）が形成され、該遮光膜（４０）に開口部（５０）が形成されており、受光部（６０）として、形成面（１０ａ）に直交する光によって形成面（１０ａ）に投影した開口部（５１，５２）の投影部位と受光素子（２１，２２）との距離が互いに等しく、投影部位から受光素子（２１，２２）に向かう向きが互いに逆向きの関係にある、対を成す受光部（６１，６２）を有し、対を成す受光部（６１，６２）は、形成面（１０ａ）に沿い、投影部位と受光素子（２１，２２）とを結ぶ方向に直交する方向にて、並んでいる。 （もっと読む）

【課題】 正確な軟Ｘ線の検出を行うことを目的とする。
【解決手段】 本発明に係る軟Ｘ線検出装置１００は半導体基板２を有する。半導体基板２には複数の検出ユニット１が配され、それぞれの検出ユニット１は変換部３と回路部４とを含む。変換部３は例えばフォトダイオードである。変換部３では軟Ｘ線によって発生した電荷が収集される。回路部４には例えば第１導電型（Ｎチャネル型）の増幅トランジスタ６が配される。増幅トランジスタ６は、変換部３からの信号を増幅して出力する増幅部である。隣接する変換部３の間には第１導電型のトランジスタが配されない。あるいは、隣接する検出ユニットに含まれるトランジスタが、互いに近接して配される。 （もっと読む）

【課題】受光素子の受光面に発光層からの直接光や対象物から斜めに入射した散乱光が入射することを抑制しつつ装置を薄型化する。
【解決手段】発光部２０は、照射光ＩＬを発する発光層２６と、照射光ＩＬと反射光ＲＬを透過する第１電極２２と、照射光ＩＬと反射光ＲＬを遮光すると共に互いに離間して設けられた第２，第３電極２４とを備える。受光部３０は反射光ＲＬを受光する受光素子Ｄを備える。遮光層ＢＭは照射光と反射光を遮光すると共に開口部が形成されている。絶縁層２８は遮光層ＢＭを覆うと共に照射光と反射光を透過する絶縁体である。対象物Ｆ側から平面視した場合に、遮光層ＢＭと絶縁層２８は第２，第３電極２４間の離間領域と重なり、受光素子Ｄの受光面は遮光層ＢＭの開口部内に位置する。絶縁層２８において、発光層２６に接する面は第１電極２２の表面に対して傾斜した斜面を含み、この斜面と第１電極２２に接する面とのなす角は鋭角である。 （もっと読む）

【課題】受光素子の受光面に発光層からの直接光や対象物から斜めに入射した散乱光が入射することを抑制しつつ装置を薄型化する。
【解決手段】センシング装置は発光部２０と受光部３０と遮光膜ＢＭを備え、発光部２０は受光部３０より対象物Ｆ側に位置する。発光部２０は、照射光ＩＬを発する発光層２６と、照射光ＩＬと反射光ＲＬを透過する第１電極２２と、照射光ＩＬと反射光ＲＬを遮光すると共に互いに離間して設けられた第２，第３電極２４とを備える。受光部３０は、反射光ＲＬを受光する受光素子Ｄを備える。遮光層ＢＭは、第１電極２２の発光層２６側の表面のうち第２，第３電極２４間の離間領域に対応する位置に設けられ、照射光ＩＬと反射光ＲＬを遮光すると共に開口部が形成された絶縁体である。対象物Ｆ側から平面視した場合に、遮光層ＢＭは第２，第３電極２４間の離間領域と重なり、受光素子Ｄの受光面は遮光層ＢＭの開口部内に位置する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ型の固体撮像装置において、画素が微細化されても感度の向上を図る。
【解決手段】画素トランジスタのうち、少なくともリセットトランジスタ及び増幅トランジスタを共有する横２画素、縦４×ｎ画素（ｎは正の整数）のフォトダイオード配列を１共有単位としたレイアウトを有する。そして、増幅トランジスタのゲート長を画素ピッチ以上の長さとする。 （もっと読む）

【課題】高輝度の光入力または被写体の瞬時の明るさ上昇に対しても、画像形成不能状態を生じない受光装置を提供する。
【解決手段】受光素子アレイ１０と、信号入力部および該信号入力部を経由する信号を受ける本体部を有するマルチプレクサとを備え、受光素子アレイ１０において、受光素子Ｓの間に位置するモニタ受光部Ｍを備え、いずれも、各自ｐｉｎ型フォトダイオードを形成し、モニタ受光部および受光素子の電極は各別に信号入力部に接続され、該信号入力部において、受光素子からの直の信号は、モニタ受光部からの直の信号に基づいてゲイン制御またはオンオフ制御されて、本体部へ出力される。 （もっと読む）

【課題】チップサイズ・パッケージを持ち、容易に製造することができる固体イメージセンサである。
【解決手段】受光素子層（２０）の半導体基板（２１）に複数の画素領域に対応して素子形成領域を形成し、それら素子形成領域内に半導体受光素子（ＰＤ）を形成して、透光性絶縁膜（２５ａ）、（２５ｂ）、（２６）で覆う。絶縁膜（２６）上に、複数のマイクロレンズ（４３）を内蔵した光導入用キャビティ（４２）と、それを閉鎖する石英キャップ（５１）を持つ光導入層（４０）を形成する。半導体受光素子（ＰＤ）の出力電気信号は、半導体基板（２１）の埋込配線を介してその底面に取り出し、出力層（１０）またはインターポーザ（１０Ａ）を介して固体イメージセンサの外部に取り出す。 （もっと読む）

【課題】 熱型光検出器の検出感度を向上させること。
【解決手段】 熱型光検出器は、基板１０と、基板に対して空洞部１０２を介して支持される支持部材２１５と、記支持部材上に形成されている熱検出素子２２０と、熱検出素子２２０および支持部材２１５上において、熱検出素子２２０に接して形成されている第１光吸収層２７０と、第１光吸収層上において第１光吸収層に接して形成され、かつ、第１光吸収層よりも高い屈折率を有する第２光吸収層２７２と、支持部材２１５の表面と第２光吸収層２７２の上面との間で第１波長が共振し、第１光吸収層２７０と第２光吸収層２７２とが接する界面ＲＬと第２光吸収層２７２の上面との間で前記第１波長とは異なる第２波長が共振する。 （もっと読む）

【課題】入射光に対する感度が高く且つ電荷の蓄積期間を長く設定することが可能な固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】固体撮像装置１は、平面形状が二つの長辺と二つの短辺とによって形作られる略矩形状をなし、長辺に交差する第１方向に並置された複数の光感応領域１３を有する光電変換部２と、複数の光感応領域１３に対向して配置され、一方の短辺から他方の短辺に向かう第２方向に沿った電位勾配を形成する電位勾配形成部３と、を備える。電位勾配形成部３は、第２方向に沿って低くされた電位勾配を形成する第１電位勾配形成領域と、第２方向に沿って高くされた電位勾配を形成する第２電位勾配形成領域とを有する。第２電位勾配形成領域は、第１電位勾配形成領域に対し第２方向に並置されている。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置においてフォトダイオードの面積のばらつきに伴う不都合を抑制しつつ、２つの画素間でリセットトランジスターを共有化する。
【解決手段】第１の色の光を受光する第１のフォトダイオードと、第１のフォトダイオードの第１の方向の隣に配置された第２の色の光を受光する第２のフォトダイオードと、第２のフォトダイオードの第２の方向の隣に配置された第１の色の光を受光する第３のフォトダイオードと、第３のフォトダイオードの第１の方向の隣に配置された第３の色の光を受光する第４のフォトダイオードと、第１及び第２のフォトダイオードにおいて発生した電荷を排出させる第１のリセットトランジスターと、第３及び第４のフォトダイオードにおいて発生した電荷を排出させる第２のリセットトランジスターと、を具備し、第１のフォトダイオードの面積と第３のフォトダイオードの面積との差が小さい。 （もっと読む）

【課題】ジャギーを低減し、高精細な画像を表示または撮像することができる映像装置を提供する。
【解決手段】二次元状に配置された複数の画素１を備える映像装置であって、複数の画素１のそれぞれは、当該画素１の一部に受光または発光を行う有効領域２を含み、有効領域２は、当該有効領域２を含む画素１内での予め定められた複数の位置のいずれかにランダムに配置され、有効領域２を含む画素１の面積に対する当該有効領域２の面積の比率である開口率は、４０〜７０％である。 （もっと読む）

【課題】光強度に対するダイナミックレンジの自由度を、より拡大する。
【解決手段】各画素２１は、受光した光の光量に応じて電荷を発生するフォトダイオード２２と、フォトダイオード２２から出力される電荷を蓄積するフローティングディフュージョン２４と、フローティングディフュージョン２４に蓄積されている電荷をリセットするリセットトランジスタ２７とを少なくとも有する。また、４つの画素２１が組み合わされて疑似画素２０が構成される。そして、疑似画素２０では、所定の露光順番で露光が行われ、露光順番に従って、先に露光する画素２１のフローティングディフュージョン２４の電荷蓄積容量まで電荷が蓄積されると、次に露光する画素２１のリセットトランジスタ２７によるリセット動作が解除される。本発明は、例えば、CMOSイメージセンサに適用できる。 （もっと読む）

【課題】高感度化を図りつつ、電荷の高速転送を実現することが可能な距離センサ及び距離画像センサを提供すること。
【解決手段】フォトゲート電極ＰＧは、平面形状が互いに対向する第１及び第２長辺ＬＳ１，ＬＳ２と互いに対向する第１及び第２短辺ＳＳ１，ＳＳ２とを有する長方形状である。第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、第１及び第２長辺ＬＳ１，ＬＳ２の対向方向でフォトゲート電極ＰＧを挟んで対向して配置されている。第３半導体領域ＳＲ１は、第１及び第２短辺ＳＳ１，ＳＳ２の対向方向でフォトゲート電極ＰＧを挟んで対向して配置されている。第３半導体領域ＳＲ１は、第１及び第２短辺ＳＳ１，ＳＳ２側でのポテンシャルをフォトゲート電極ＰＧの直下の領域における第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２の間に位置する領域でのポテンシャルよりも高めている。 （もっと読む）

【課題】従来技術とは全く異なる構成でＯＢ段差をなくすことが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】互いに隣接して配置される２つの有効画素５１，５２からなる有効画素ペアであって、二次元状に配列された複数の有効画素ペアと、撮像画像信号の黒の基準レベルを検出するためのＯＢ画素５３，５４を含むＯＢ画素群であって、同一行に並ぶ複数の前記有効画素ペアに対応して設けられた少なくとも１つのＯＢ画素群を備え、前記ＯＢ画素群に含まれるＯＢ画素５３，５４は、前記有効画素ペアに含まれる有効画素５１，５２の光電変換領域５１ａ,５２ａと対応する位置に形成される素子領域５３ａ,５４ａの構成が全てのＯＢ画素５１，５２で同じになっていないものである。 （もっと読む）

【課題】ダイナミックレンジの拡大、高速シャッタ、低駆動電圧化を可能にする高画素密度な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】画素1aは、第２の半導体領域3を共有する少なくとも４つの第１〜第４半導体層5a〜5dを備えている。第１の半導体層5aは、第１の外部回路と電気的に接続された第１の半導体領域2と、第２の半導体領域3によって第1の半導体領域から分離されるとともに、第２の外部回路と電気的に接続された第３の半導体領域4とを有する。第２の半導体層5bには、絶縁膜6a、6bと、第３の外部回路と電気的に接続されたゲート導体電極7a、7bとを有するＭＯＳトランジスタが形成されている。第３の半導体層5cは、第２及び第４の半導体領域3、8a、8bからなるフォトダイオードを有する。第４の半導体領域がゲート、第１の半導体領域及び前記第５の半導体領域の内の一方がドレイン、他方がソースとなる接合トランジスタが形成されている。 （もっと読む）

【課題】画素セルの微細化に伴う感度低下を抑制することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体層１と、半導体層１に設けられた、第２導電型の不純物領域からなる電荷蓄積領域７とを備える。電荷蓄積領域７に蓄積された信号電荷が転送される、第２導電型の不純物領域からなる検出部８が、電荷蓄積領域７に対応して、電荷蓄積領域７と間隔をおいて半導体層１に設けられている。さらに、半導体層１の表面には、電荷蓄積領域７と重なる状態で絶縁膜４を介して設けられ、当該重なり部分の少なくとも一部が、可視光に対して透過性を有する透明導電体からなる転送ゲート電極５を備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体イメージセンサにおける解像度の更なる向上を図り、色信号の演算式の簡略化を図る。
【解決手段】 光電変換手段と該光電変換手段を選択読み出するＭＯＳトランジスタとを含む複数の画素を備えた半導体イメージセンサであって、二次元的に複数の画素１０３Ａが水平方向及び垂直方向のそれぞれに所定ピッチで配列された第１の画素グループと、第１の画素グループに対して水平方向及び垂直方向共に前記ピッチの略１／２ピッチずらした状態で、二次元的に複数の画素１０３Ｂが配列された第２の画素グループとを備え、第１の画素グループに対応するオンチップカラーフィルタに補色フィルタを用いて成る。 （もっと読む）

【課題】少ないレンズ枚数で、所望の解像力を有し、歪曲の目立ちにくい良好な解像感が得られる、撮像レンズおよび撮像モジュールを実現する。
【解決手段】撮像レンズ１００は、入射された光を、短辺の寸法と長辺の寸法との比率がａ：ｂである四角形状の、センサ４の受光部に対して導くものであり、条件式（１）〜（５）を満足するように構成されている。
２．０％＜ｄｉｓｔＡ＜５．０％ ・・・（１）
０．５％＜ｄｉｓｔＡ−ｄｉｓｔＢ＜１．４％ ・・・（２）
ｄｉｓｔＣ−ｄｉｓｔＢ＜０％ ・・・（３）
Ａ＝ａ／（ａ^２＋ｂ^２）^１／２ ・・・（４）
Ｂ＝ｂ／（ａ^２＋ｂ^２）^１／２ ・・・（５） （もっと読む）

【課題】微弱な赤外線光を高感度、高Ｓ／Ｎ比で検出することができる赤外線センサを提供する。
【解決手段】基板１上に形成された半導体材料を含む第１メサ部４０、第１メサ部４０と極性が異なる半導体材料を含む第２メサ部４３を含む複数のフォトダイオードを含む赤外線センサを、複数のフォトダイオードの全てについて、フォトダイオードが占有する基板面積Ｓ_Wと、第１メサ部４０と第２メサ部４３との接触面積Ｓ₁₂とが、０．７≦（Ｓ₁₂／Ｓ_W）≦０．９８の関係になるように構成する。 （もっと読む）