【課題】能動ピクセルセンサの色フィルタアレイを提供する。
【解決手段】それぞれが六角形の形状を有する複数個のフォトダイオードを備えたイメージセンサであって、前記イメージセンサは、さらに、前記複数個のフォトダイオードのうちの１つである第１フォトダイオードと、前記複数個のフォトダイオードのうちの２つである、前記第１フォトダイオードの側面に配置される第２及び第３フォトダイオードと、前記第１、第２及び第３フォトダイオード上に配置されるそれぞれの色フィルタと、を備え、前記第１、第２及び第３フォトダイオードの色フィルタは、相異なる色であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画素の開口をより広くすることができるようにする。
【解決手段】固体撮像素子を構成する基板には、被写体からの光を光電変換し、その結果得られた信号電荷を蓄積する受光部と、受光部から信号電荷を読み出すときに電圧が印加される第１転送電極とが隣接して設けられている。第１転送電極には、第１転送電極の一部を覆うように第１遮光膜が形成され、さらに第１遮光膜の表面の一部には第２遮光膜が形成されている。信号電荷の読み出し時には、これらの第１遮光膜と第２遮光膜を介して第１転送電極に電圧が印加される。第１転送電極に形成する遮光膜を、第１遮光膜と第２遮光膜に分けて形成することで、所望の形状の遮光膜を簡単に形成することができ、画素の開口をより広くすることができる。本技術は、撮像ユニットに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】画素が微細化されても、転送トランジスタのトランジスタ特性を維持し、かつ光電変換素子の受光面積を十分に確保できる固体撮像装置及びカメラを提供する。
【解決手段】光電変換素子ＰＤと画素トランジスタからなる画素が複数配列され、画素トランジスタのうちの転送トランジスタにおける転送ゲートのチャネル幅が、光電変換素子ＰＤ側よりフローティングディフージョン（ＦＤ）領域側で広くして成る。そして、転送ゲートは、ＦＤ領域と転送ゲートとが接する位置の両端部間を結ぶ直線よりも、ＦＤ領域側に少なくともその一部が形成されている。さらに、ＦＤ領域は、直線と平行な方向において、転送ゲートと接する位置以外のＦＤ領域の端部間の長さが、両端部間を結ぶ直線からＦＤ領域側に向けて広がる部分を有する。 （もっと読む）

【課題】被写体の動きを容易に検知することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】第１の画素１３ａ、第２の画素１３ｂ、および単位セルの出力回路１７を有する。第１の画素１３ａは、第１の信号電荷を発生させる第１のフォトダイオード１１ａ、および第１のフォトダイオード１１ａ上に形成された第１のマイクロレンズ１２ａを有する。第２の画素１３ｂは、第２の信号電荷を発生させる第２のフォトダイオード１１ｂ、および第２のフォトダイオード１１ｂ上に形成された、第１のマイクロレンズ１２ａより小さい第２のマイクロレンズ１２ｂを有する。第２の画素１３ｂは、第１の画素１３ａに対して１／ｎ倍の感度と、ｎ倍の光電変換期間とを有する。単位セルの出力回路１７は、第１の信号電荷の電荷量に基づく第１の検出信号と、第２の信号電荷の電荷量に基づく第２の検出信号との差分信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】端部（胸壁側）においても解像度の高い画像を撮影できる放射線検出素子等を提供する。
【解決手段】平面視したとき長方形の放射線検出素子１０にマトリックス配置された複数の画素２０各々の形状を、胸壁側に平行する方向において長く、それと交差する方向である奥行き方向において短い画素形状（長方形）とする。また、放射線検出素子１０の一方の長辺側にスキャン信号制御部、信号増幅部等の外部回路を設けず、その長辺側が被検者の胸壁側となるように構成することで、胸壁側での撮像欠損をなくすとともに、奥行き方向の分解能を向上させる。 （もっと読む）

【課題】白キズや飽和電荷量を改善し、微細化に適した固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】本実施形態に係る固体撮像素子は、３画素で出力回路を共有化したブロック基本ブロックを２個準備し、一方を１８０度回転させリセットドレインを共有化して配置した６画素１セルとし、これを正方格子状または市松状に配置することで、画素と隣接する出力回路間の素子分離領域を極力減らし、かつ画素廻りの配線本数を減らし、セルを微細化しても白キズ、飽和電荷量に対するマージンを高めた固体撮像素子。 （もっと読む）

【課題】読み出し部の構造の複雑化を抑制しながら、読み出し電圧の低減や読み出し時間の短縮を実現する撮像素子を提供する。
【解決手段】アレイ状に配置される各受光センサ部１０１が、読み出し用電極１０３側が長く、対向する側が短い非対称形状を有し、前記アレイ状の配置において、各行は、互いに同一の方向を向く前記受光センサ部１０１により構成され、前記受光センサ部１０１の向きが互いに逆の２種類の行が垂直方向に交互に配置される。 （もっと読む）

【課題】蓄積期間の同時性を持った良好な画像を得るため、有効な画素数を損なうことなく偽信号を低減でき、かつ、画素面積の縮小化が図られたグローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置において、全画素同時の露光期間が終了した後、低照度信号を第２電荷蓄積部２８に転送し、高照度信号を第１電荷蓄積部に転送する。そして、低照度信号、及び高照度信号の読み出しの前に、第３電荷蓄積部１８の偽信号を読み出す。この偽信号を用いて低照度信号及び高照度信号の信号量を補正することにより、偽信号が低減された精度のよい画像を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】透明電極が形成された固体撮像素子において、感度低下の防止が図られた固体撮像素子を提供する。また、その固体撮像素子を用いた撮像装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１に形成され、入射した光の光量に応じて信号電荷を生成する光電変換部ＰＤと、基板１１上部に形成された透明電極１４を備える固体撮像素子１において、透明電極１４を、複数の開口を有するナノカーボン材料で構成する。 （もっと読む）

【課題】位相差検出画素の遮光膜開口を小さくすることなく良好な位相差情報を取得する。
【解決手段】基板上に二次元アレイ状に配列形成され各々が入射光量に応じた信号電荷を発生させる複数の光電変換素子５と、該複数の光電変換素子５の各々の上に積層される同形状のマイクロレンズと、光電変換素子５の受光面と対応する前記マイクロレンズとの間に介挿され該光電変換素子５の受光面上に開口６が設けられた遮光膜とを備え、光電変換素子５のうち被写体からの入射光の位相差情報を検出する隣接する２つの光電変換素子５Ｇ，５ｇに設けられる前記開口が該２つの光電変換素子で共通に１つの開口７として設けられる （もっと読む）

【課題】電荷発生領域から電荷収集領域に転送される電荷の移動速度が高速になる距離センサ及び距離画像センサを提供する。
【解決手段】画像距離センサは、二次元状に配置された複数のユニット（画素Ｐ）からなる撮像領域を半導体基板上に備え、ユニットから出力される電荷量に基づいて、距離画像を得る距離画像センサにおいて、１つのユニットは、入射光に応じて電荷が発生する電荷発生領域（転送電極５の外側の領域）と、空間的に離間して配置され、電荷発生領域からの電荷を収集する半導体領域と、半導体領域の周囲に設けられ、電荷転送信号が与えられ、半導体領域を囲む転送電極５と、電荷発生領域から半導体領域へ向かうポテンシャル勾配を急にするポテンシャル調整部６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】チップサイズ・パッケージを持ち、容易に製造することができる固体イメージセンサである。
【解決手段】受光素子層（２０）の半導体基板（２１）に複数の画素領域に対応して素子形成領域を形成し、それら素子形成領域内に半導体受光素子（ＰＤ）を形成して、透光性絶縁膜（２５ａ）、（２５ｂ）、（２６）で覆う。絶縁膜（２６）上に、複数のマイクロレンズ（４３）を内蔵した光導入用キャビティ（４２）と、それを閉鎖する石英キャップ（５１）を持つ光導入層（４０）を形成する。半導体受光素子（ＰＤ）の出力電気信号は、半導体基板（２１）の埋込配線を介してその底面に取り出し、出力層（１０）またはインターポーザ（１０Ａ）を介して固体イメージセンサの外部に取り出す。 （もっと読む）

【課題】画質の劣化を抑制する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】上部素子分離層５０Ａと、裏面と上部素子分離層５０Ａとの間に設けられる下部素子分離不純物層５１Ａと、不純物層２１を含むフォトダイオード１３１と、フローティングディフュージョン３９と、フォトダイオード１３１とフローティングディフュージョン３９との間に配置されるトランジスタ１３２と、を具備し、半導体基板１０の表面に対して水平方向において、不純物層２１を挟んでトランジスタ１３２に対向する下部素子分離不純物層５１Ａの側面は、上部素子分離層５０Ａの側面よりもトランジスタ１３２側に突出している。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサアセンブリ及びフォトセンサアセンブリを提供する。
【解決手段】フォトダイオードセル（１０８、３０４、５０４、７０４、９０４）は、第１のタイプのドーパントでドープしたサブストレート（１１０、３０２、５０２、７０２、９０２）の第１のボリュームを含み、接地拡散領域（３１８、５１８、７１６、７１８、９１４）は、第２の反対タイプのドーパントでドープしたサブストレートの第２のボリュームを含む。ガードバンド（３１２、３１４、５１２、５１４、７１２、７１４）は、サブストレート内に配置され、フォトダイオードセルの外側周囲の周りを延び、第１のタイプのドーパントでドープしたサブストレートの第３のボリュームを含み、フォトダイオードセルからサブストレートを通ってドリフトする電子または正孔を伝導させるために接地拡散領域及び／またはガードバンドを接地基準（１１６）と伝導性に結合させている。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置においてフォトダイオードの面積のばらつきに伴う不都合を抑制しつつ、２つの画素間でリセットトランジスターを共有化する。
【解決手段】第１の色の光を受光する第１のフォトダイオードと、第１のフォトダイオードの第１の方向の隣に配置された第２の色の光を受光する第２のフォトダイオードと、第２のフォトダイオードの第２の方向の隣に配置された第１の色の光を受光する第３のフォトダイオードと、第３のフォトダイオードの第１の方向の隣に配置された第３の色の光を受光する第４のフォトダイオードと、第１及び第２のフォトダイオードにおいて発生した電荷を排出させる第１のリセットトランジスターと、第３及び第４のフォトダイオードにおいて発生した電荷を排出させる第２のリセットトランジスターと、を具備し、第１のフォトダイオードの面積と第３のフォトダイオードの面積との差が小さい。 （もっと読む）

【課題】最新の電子画像応用に必要な小さなセンサーサイズを達成する。
【解決手段】半導体基板上に形成された少なくとも２つの垂直積層感光性センサー、前記センサーの１つの上の第１のエピタキシャル層３１１、第１のエピタキシャル層の上の第２のエピタキシャル層３１５、並びに、第１のエピタキシャル層を通って前記センサーの１つへ伸びる底部部分、および第２のエピタキシャル層を通って底部部分から伸びる上部部分を有するプラグコンタクト、を含むセンサー群。前記第１のエピタキシャル層および前記第２のエピタキシャル層の各々は本質的にｐ型シリコンからなり、前記プラグコンタクトの底部部分は砒素が拡散した第１のエピタキシャル層の領域であり、前記プラグコンタクトの最上部部分は砒素が拡散した第２のエピタキシャル層の領域であってもよい。 （もっと読む）

【課題】基板の光入射面とは反対側の界面で発生する暗電流を抑制すると共に、基板を透過した光による混色を抑制できる裏面照射型の固体撮像装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。さらに、その固体撮像装置を用いた電気機器を提供することを目的とする。
【解決手段】裏面照射型の固体撮像装置において、基板１１と、基板１１に形成されたフォトダイオード領域ＰＤと、配線層１７と、遮光配線２８と、接続部３０とを備えた構成とする。遮光配線２８は、配線層１７内に形成され、フォトダイオード領域ＰＤの少なくとも一部を覆う領域に形成される。接続部３０は、遮光配線２８からフォトダイオード領域ＰＤに所望の電圧を供給する。遮光配線２８により、基板１１を透過した光による混色が低減される。また、遮光配線２８からフォトダイオード領域ＰＤに所望の電圧を供給することで、暗電流の抑制が図られる。 （もっと読む）

【課題】高感度化を図ることが可能な距離センサ及び距離画像センサを提供すること。
【解決手段】電荷発生領域は、矩形形状を呈し且つ第１の方向Ｄ１に伸びる第１の領域Ｒ１内に配置される。信号電荷収集領域は、第１の領域Ｒ１の辺Ｒ１ａ，Ｒ１ｂ側に設けられ且つ第１の方向Ｄ１での位置が互いにずれている複数の第２の領域Ｒ２内に配置される。第２の領域Ｒ２は、第１の領域Ｒ１と重複する部分の縁が第１の方向Ｒ１と交差する方向に伸びる２辺Ｒ２ａ，Ｒ２ｂを含む。信号電荷収集領域は、その縁が辺Ｒ２ａ，Ｒ２ｂに沿って伸びる辺ＦＤ１ａ，ＦＤ１ｂ，ＦＤ２ａ，ＦＤ２ｂを含む。転送電極は、信号電荷収集領域の辺ＦＤ１ａ，ＦＤ１ｂ，ＦＤ２ａ，ＦＤ２ｂに沿って伸びる部分を有する。電荷発生領域は、その縁が第２の領域Ｒ２の２辺Ｒ２ａ，Ｒ２ｂに沿って伸びる２辺を含む。 （もっと読む）

【課題】高感度化を図ることが可能な距離センサ及び距離画像センサを提供すること。
【解決手段】電荷発生領域は、矩形形状を呈し且つ第１の方向Ｄ１に伸びる第１の領域Ｒ１内に配置されている。信号電荷収集領域は、第１の方向Ｄ１に直交する方向で互い対向するように第１の領域Ｒ１の第１の方向Ｄ１に伸びる２辺Ｒ１ａ，Ｒ１ｂ側にそれぞれ設けられ且つ第１の領域Ｒ１と重複する複数の第２の領域Ｒ２内に少なくとも一部が含まれるように配置されている。転送電極は、第２の領域Ｒ２内における電荷発生領域と信号電荷収集領域との間に位置すると共に、第２の領域Ｒ２の縁に沿って伸びる部分を有している。電荷発生領域は、その縁が第２の領域Ｒ２の縁に沿って伸びている。 （もっと読む）

【課題】全体の面積を小さくすることができる構成、構造を有する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子は、（Ａ）半導体層11に形成され、Ｍ層の受光／電荷蓄積層121,122,123が積層されて成る受光／電荷蓄積領域120、（Ｂ）半導体層11に形成された電荷保持領域140、（Ｃ）受光／電荷蓄積領域120と電荷保持領域140との間に位置する半導体層11の部分から構成された空乏層形成領域150、並びに、（Ｄ）空乏層形成領域150における空乏層の形成状態を制御する制御電極領域160を備え、各受光／電荷蓄積層121,122,123から空乏層形成領域150へと延在する受光／電荷蓄積層・延在部121A,122A,123Aを更に備えている。 （もっと読む）