【課題】画素サイズを縮小しても混色が発生しにくい固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】裏面照射型の固体撮像装置１において、支持基板１１上に多層配線層１３、半導体基板２０、複数のカラーフィルタ３２、複数のマイクロレンズ３３をこの順に設ける。そして、半導体基板２０の下層部分を複数の領域に区画するようにｐ型領域２１を形成し、ｐ型領域２１の直上域に例えばＢＳＧからなる絶縁部材２３を埋め込む。ｐ型領域２１及び絶縁部材２３により、ＰＤ領域２５が区画される。また、ＰＤ領域２５の下部には高濃度領域２６を形成し、上部を低濃度領域２７とする。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオード面積を広く取っても完全電荷転送をより容易に行う。
【解決手段】Ｎ型半導体基板２上に形成されたＰ型ウェル領域３と、このＰ型ウェル領域３上に形成された３つのＮ型領域で構成されたフォトダイオード部４と、このフォトダイオード部４のＮ型領域近傍位置に形成されたＮ型ドレイン領域７と、Ｎ型ドレイン領域７とフォトダイオード部４との間に形成されたＰ型バリア層８と、このＰ型バリア層８の上部に設けられた転送ゲート９とを有しており、この３つのＮ型領域は、転送ゲート９に最も近傍の第１一導電型領域としての電荷転送ゲート近傍Ｎ領域４１と、電荷転送ゲート近傍Ｎ領域４１の転送ゲート９側を除く外側を覆うＮ−領域４２と、Ｎ−領域４２の転送ゲート９側を除く外側を覆うＮ−−領域４３の３段階の不純物濃度領域で構成され、転送ゲート９から離れたＮ型領域ほどＮ型不純物濃度を小さく設定している。 （もっと読む）

【課題】素子分離部に対するウエルコンタクトホールの位置合わせ精度を向上する。
【解決手段】半導体基板にウエル領域２を形成する第１の工程と、前記半導体基板に、第１のアライメントマークと、前記ウエル領域２にアクティブ領域を分離する素子分離部７とを形成する第２の工程と、前記半導体基板の上に、第２のアライメントマークと、ＭＯＳトランジスタのゲート電極９とを形成する第３の工程と、前記ゲート電極９とともにソース電極又はドレイン電極となるべき半導体領域を形成する第４の工程と、前記半導体基板及び前記ゲート電極９の上に絶縁膜１４を形成する第５の工程と、前記第１のアライメントマークを基準として決められた位置に、ウエルコンタクトホールを形成する第６の工程と、前記第２のアライメントマークを基準として決められた位置に、前記絶縁膜１４を貫通するコンタクトホールを形成する第７の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パッドの電極をいわゆる裏面側（光入射側）に形成することを可能にして素子面積を縮小し、アライメントマークとコンタクト部の構成を同一材料とすることで、同一工程で製造することを可能にして、製造工程を簡略化することを可能にする。
【解決手段】シリコン層１１と、前記シリコン層１１に形成されていて入射光を光電変換した信号電荷を処理して出力する画素部２０と、前記シリコン層１１中で前記画素部２０の周辺に形成された位置合わせマーク５０と、前記シリコン層１１の第１面に形成された配線層４５内の第１電極４４と前記シリコン層１１の前記第１面とは反対の第２面に絶縁膜を介して形成された第２電極４７とを接続するコンタクト部６１とを有し、前記位置合わせマーク５０と前記コンタクト部６１は、ともに、前記シリコン層１１を貫通する孔内に同一材料の絶縁層１５を介して形成された同一導電材料の導電層１６からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、オフセットスペーサを形成するときのシリコン基板へのエッチングダメージを防止して、画素トランジスタのノイズ発生、光電変換部の白点の発生を抑制することを可能にする。
【解決手段】半導体基板１１上に、ロジック回路部１４のトランジスタの第１ゲート絶縁膜３１Ｎ，３１Ｐを介して形成した第１ゲート電極３２Ｎ，３２Ｐと、画素トランジスタ部１２の第２ゲート絶縁膜５１を介して形成した第２ゲート電極５２と、フローティングディフュージョン部の形成領域ＡＦＤと、光電変換部２１を被覆する第１絶縁膜７１を形成した後、光電変換部２１、画素トランジスタ部１２、フローティングディフュージョン部の形成領域ＡＦＤ上をマスク８３で被覆した状態で第１絶縁膜７１をエッチバックして第１ゲート電極３２Ｎ，３２Ｐの側壁にオフセットスペーサ３３を形成する。 （もっと読む）

【課題】青色波長でのパッシベーション膜の膜透過率の低下を抑制することにより、受光部における青色感度の低下を抑制して、画質劣化を防止する。
【解決手段】フォトダイオード１２の上方で、パターニングされた最上層である第２配線層１９のアルミニュウム（Ａｌ）配線パターン形成後、カラーフィルタ形成前に、プラズマＣＶＤ法によりパッシベーション膜として青色波長での屈折率が１.９以上２.１５以下のプラズマＳｉＮ膜２２を成膜するため、青色波長でのパッシベーション膜の膜透過率の低下が抑制される。 （もっと読む）

【課題】低温増速拡散を抑制して低電圧で充分な飽和電荷を得る急速熱加熱技術の提供。
【解決手段】光電変換部を配すべき領域を露出する第１のレジストパターンＲＰ２をマスクとして前記半導体基板にＮ型の不純物のイオン注入を行うことにより、前記光電変換部における電荷蓄積領域５１１ｉを形成する第１の工程と、前記光電変換部を配すべき領域を露出する第２のレジストパターンＲＰ３をマスクとして前記半導体基板にＰ型の不純物のイオン注入を行うことにより、前記光電変換部における前記電荷蓄積領域５１１ｉの上に配されるべき表面領域を形成する第２の工程と、前記第１の工程及び前記第２の工程の後に、ＲＴＡ法による８００℃以上１２００℃以下での前記半導体基板の加熱を行う第３の工程と、８００℃未満での前記半導体基板の加熱を伴う方法により、前記半導体基板を覆うように反射防止膜６０を形成する第４の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードのカソードをｎ型の埋め込み層で構成した新規な構造の光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換装置は、ｐ型領域ＰＲと、ｐ型領域ＰＲの下に形成されたｎ型の埋め込み層１０と、素子分離領域９と、素子分離領域９の少なくとも下側部分を覆うチャネルストップ領域８とを含む。ｐ型領域ＰＲおよび埋め込み層１０によってフォトダイオードＰＤが構成されている。チャネルストップ領域８の主要不純物の拡散係数は、埋め込み層１０の主要不純物の拡散係数より小さい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光電変換部（フォトダイオード）の面積と増幅トランジスタの面積を最大化し、かつ光電変換部が急峻な濃度プロファイルを有するＰ／Ｎ接合に形成されていることで、飽和電荷量の増大とノイズの低減を両立させることを可能にする。
【解決手段】半導体基板１１と、前記半導体基板１１中でかつ前記半導体基板１１の表面側に形成されていて入射光を光電変換して信号電荷を得る光電変換部２１と、前記光電変換部２１に隣接した前記半導体基板１１上に形成されていて前記光電変換部２１から信号電荷を読み出す転送ゲートＴＲＧと、前記半導体基板１１の前記光電変換部２１上に形成された絶縁層１２と、前記絶縁層１２上に形成されたシリコン層１３と、前記絶縁層１２上に前記シリコン層１３を活性領域として形成されていて前記転送ゲートＴＲＧで読み出された信号電荷を増幅して出力する画素トランジスタ部１４を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、画素サイズの縮小化に伴う光電変換部の占有面積の縮小化を抑え、感度の向上を可能にする。
【解決手段】半導体基板１１に、入射光を光電変換して信号電荷を得る光電変換部１２と、光電変換部１２で生成された信号電荷を出力する画素トランジスタ部１３と、光電変換部１２と画素トランジスタ部１３を有する画素部の周辺に形成された周辺回路部１４と、光電変換部１２と画素トランジスタ部１３と周辺回路部１４を電気的に分離する素子分離領域１５を有し、画素トランジスタ部１３の周囲の素子分離領域１５は、半導体基板１１表面より高く形成された絶縁体部１６を有し、画素トランジスタ部１３のトランジスタの第１ゲート電極２２は半導体基板１１上にゲート絶縁膜２１を介して絶縁体部１６間に形成されている。 （もっと読む）

【課題】光電変換部で発生した信号電荷であるホールを電荷蓄積領域に効率良く収集する。
【解決手段】光電変換装置は、半導体基板に配された複数の光電変換部を有し、前記光電変換部は、第１の不純物を含むＰ型の電荷蓄積領域と、前記Ｐ型の電荷蓄積領域とフォトダイオードを構成するＮ型のウエル部とを備える。前記ウエル部は、砒素を第１の濃度で含むＮ型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域の下に配され、砒素を前記第１の濃度より低い第２の濃度で含むＮ型の第２の半導体領域と、前記第２の半導体領域の下に配され、第２の不純物を前記第１の濃度よりも高い第３の濃度で含むＮ型の第３の半導体領域とを含む。 （もっと読む）

【課題】隣接する光電変換部間の距離が小さくなった場合における光電変換部の感度の低下を抑制する。
【解決手段】半導体基板ＳＢに配された複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部を互いに分離するように前記半導体基板に配された分離部１０３とを備え、前記光電変換部は、第１の導電型と反対の第２の導電型の不純物を含む第２の半導体領域と、前記第２の半導体領域の下に配され、前記第２の半導体領域より低い濃度で前記第２導電型の不純物を含む第３の半導体領域と、前記第３の半導体領域の下に配され、前記第１導電型の不純物を含む第４の半導体領域とを含み、前記分離部１０３は、前記半導体基板ＳＢの表面より深い位置であって少なくとも前記第２の半導体領域の側方に配され、前記第１導電型の不純物を含む第５の半導体領域と、前記第５の半導体領域の下方であって少なくとも前記第３の半導体領域の側方に配される。 （もっと読む）

【課題】画素における１／ｆノイズの低減と撮像装置における信号の読み出しの高速化とを両立する。
【解決手段】画素を構成する増幅ＰＭＯＳトランジスタは、そのゲートがｎ型導電パターンであり、かつ、第１素子分離領域およびその少なくとも下側部分を覆うｎ型不純物領域によって分離され、周辺回路の列選択回路に含まれるＰＭＯＳトランジスタは、そのゲートがｐ型導電パターンであり、かつ、第２素子分離領域によって分離され、前記第２不純物領域の下側部分の近傍領域におけるｎ型不純物濃度が前記ｎ型不純物領域におけるｎ型不純物濃度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】本発明は、オフセットスペーサを形成するときのシリコン基板へのエッチングダメージを防止して、画素トランジスタのノイズ発生、光電変換部の白点の発生を抑制することを可能にする。
【解決手段】半導体基板１１に、光電変換部２１と画素トランジスタを有する画素部１２と、周辺回路部と、ロジック回路部１４を有する固体撮像装置の製造方法は、半導体基板１１上に、第１ゲート絶縁膜３１Ｎ，３１Ｐを介して形成したロジック回路部１４のトランジスタの第１ゲート電極３２Ｎ，３２Ｐと、第２ゲート絶縁膜５１を介して形成した画素部１２および周辺回路部のトランジスタの第２ゲート電極５２を被覆し、さらに光電変換部２１を被覆する第１絶縁膜７１を形成した後、光電変換部２１、画素部１２および周辺回路部をマスク８３で被覆した状態で第１絶縁膜７１をエッチバックして第１ゲート電極３２Ｎ，３２Ｐの側壁にオフセットスペーサ３３を形成する。 （もっと読む）

【課題】暗電流が少なくかつ、ＣＤＳ動作によるリセットノイズ除去が行え、低照度の撮影環境においても高いＳ／Ｎ比での撮影が可能な固体撮像素子を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板上に形成され、電荷を蓄積する第１の導電型の電荷蓄積領域（１０４）と、電荷蓄積領域の少なくとも一部を覆って半導体基板の表面に形成された第２の導電型の第１の表面領域（１０５）と、電荷を蓄積する第１の導電型のフローティングディフュージョン領域（１０３）と、電荷蓄積領域の全面を覆い、半導体基板上にゲート絶縁膜を介して、電荷蓄積領域に蓄積された電荷をフローティングディフュージョン領域に転送する電極（１０２）とを有し、電極は光が透過可能な膜厚であり、電極の下は、フローティングディフュージョン領域から離れ第１の表面領域を有する部分と、フローティングディフュージョン領域に近く第１の表面領域を有しない部分とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＳＯＩ基板等のシリコン層を用いた固体撮像装置において、そのシリコン層の汚染金属をゲッタリングすることを可能にする。
【解決手段】シリコン層１１の裏面側から入射光を受光して光電変換する光電変換部１２と、前記シリコン層１１の表面側に前記光電変換部１２で生成された信号電荷を出力する画素トランジスタ部１３を有し、前記シリコン層１１の表面側で平面レイアウト上前記光電変換部１２にオーバラップする位置に応力を有するゲッタリング層１６を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の貫通孔に形成される貫通電極において、シリコン基板と導電体層との間に発生するショート不良を低減することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０の第１の主面に撮像素子２１が形成され、シリコン基板１０の第１の主面に対向する第２の主面上にハンダボール１８が形成されている。シリコン基板１０に開けられた貫通孔内に絶縁膜３５が形成され、貫通孔内の絶縁膜３５上に貫通電極３６が形成されている。シリコン基板１０の第１の主面上及び貫通電極３６上に層間絶縁膜２３が形成され、層間絶縁膜２３上に内部電極３２が形成される。貫通電極３６と内部電極３２との間の層間絶縁膜２３内に、貫通電極３６と内部電極３２とを電気的に接続するコンタクトプラグ３７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】集積度が高く低ノイズで高速な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１導電型領域と第２導電型領域とに対して共通のコンタクトホールを形成するホール形成工程と、前記第１導電型領域および前記第２導電型領域の少なくとも一方に対して不純物を注入する注入工程と、前記コンタクトホールに導電材料を充填してシェアードコンタクトプラグを形成するプラグ形成工程とを含む。前記注入工程では、前記第１導電型領域と前記シェアードコンタクトプラグとがオーミック接触し、かつ前記第２導電型領域と前記シェアードコンタクトプラグとがオーミック接触するように、前記第１導電型領域および前記第２導電型領域の少なくとも一方に対して不純物を注入する。 （もっと読む）

【課題】 フォトダイオードよりも下方で発生した信号電荷がフォトダイオード以外の領域に吸収され難く、隣接するフォトダイオードへの信号電荷の漏れこみを低減した固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、第１導電型の第１の半導体領域と第１導電型と逆導電型の第２導電型の第２の半導体領域とにより形成されるフォトダイオードと、前記第２の半導体領域の表面に絶縁膜を介してゲート電極が形成された第２導電型のトランジスタと、を含む画素の複数を有する固体撮像装置において、隣接する前記フォトダイオード間に、トレンチ内に絶縁膜を形成した素子分離領域が形成されており、前記素子分離領域の側壁に第１導電型の第３の半導体領域が形成され、前記素子分離領域の下部に第１導電型の第４の半導体領域が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】動画撮像と静止画撮像との両立に適した撮像素子及び撮像素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】撮像装置は、複数の画素部が行列状に配列され、画素部が光電変換部と、光電変換部で発生した電荷を蓄積するための半導体基板上方に設けられた電荷蓄積部とを備え、電荷蓄積部の電荷量に応じた撮像信号を出力する読み出し、複数の画素部のうち隣接する２ラインの撮像信号同士を加算する構成であって、静止画撮像時に、光電変換部の電荷を排出してから電荷蓄積部へ電荷を蓄積する露光の１回に対して、隣接する２ラインの組み合わせからなるパターンで撮像信号を読み出し、かつ、該隣接する２ラインの撮像信号同士を加算してフィールド信号として出力する第１駆動と、第１駆動のパターンを１ラインずらした隣接する２ラインからなるパターンで撮像信号を読み出し、かつ、該隣接する２ラインの撮像信号同士を加算してフィールド信号として出力する第２駆動とを実行して１フレームの信号を出力する。 （もっと読む）