【課題】光照射面側の素子分離を強化して、混色を低減させ、感度向上、素子分離部の暗電流低減できる固体撮像装置、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ｎ型の半導体基板３０表面内に形成された前記ｎ型の拡散層３２を含み、前記半導体基板の裏面側から表面側に向かって照射された光により前記半導体基板内で生成された電子を蓄積する電荷蓄積部ＰＤと、前記電荷蓄積部を挟み、前記半導体基板表面からこの半導体基板内に達するように形成されたｐ型の第１、第２拡散層（３６）と、前記電荷蓄積部を電気的に分離し、前記半導体基板の前記裏面側が開口されるよう形成された第１、第２トレンチ５５に埋め込まれたｐ型のａ−アモルファスシリコン化合物（ｐ型ａ−ＳｉＣ）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で出力部の寄生容量を大幅に低減でき、従来構造よりも格段に高感度とする。
【解決手段】電荷転送領域２の終端部にある信号出力取り出し部であるＦＤ部３と、そのＦＤ部３からのコンタクト１３が接続される出力回路６の初段トランジスタ６ａとの間の素子分離領域を空洞化した空間部１５を有するので、従来の絶縁酸化膜から空気層にして誘電率を約１／３程度に大幅に低減したことにより、簡便な方法でＦＤ部３から出力回路６に向かう部分のゲート電極１１と間の基板との寄生容量を大幅に低減して、従来構造よりも格段に固体撮像素子１の感度特性を高感度化する。 （もっと読む）

【課題】 耐圧を有しつつ、素子分離部から電荷保持部への電荷の混入を低減する。
【解決手段】 撮像領域に電荷保持部を有する光電変換装置において、電荷保持部のための素子分離部は、ＰＮ接合を用いた第１の素子分離部と絶縁体を用いた第２の素子分離部とを有する。そして、第２の素子分離部は電荷保持部と複数のトランジスタの少なくとも一部との間に配される。 （もっと読む）

【課題】微細で製造が容易な画像撮像デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板２上にハードマスク材料膜を形成し、半導体基板２の上面２ａにおける開口部の直下域に凹部２ｃを形成する。次に、ハードマスク材料膜をマスクとして撮像領域Ａに不純物を注入することにより、凹部２ｃの直下域にｐ型領域４を形成する。また、処理領域Ｂにおいて凹部２ｃをさらに加工することによりトレンチ１４を形成する。そして、凹部２ｃ内及びトレンチ１４内に絶縁材料を埋め込むことにより半埋込絶縁膜５及びＳＴＩ７を形成し、ハードマスク材料膜を除去する。次に、半埋込絶縁膜５及びＳＴＩ７にそれぞれ乗り上げるように電極８ａ及び８ｂを形成し、電極８ａ及び半埋込絶縁膜５をマスクとして撮像領域Ａに不純物を注入することにより、半導体基板２におけるｐ型領域４に接する領域に、フォトダイオードを構成するｎ型領域３を形成する。 （もっと読む）

【課題】受光面積、受光量、感度、光電荷の伝送効率、正確度を向上し、チップ上の占有面積を低減できるセンサー系を提供する。
【解決手段】本センサー系は、半導体基板上に形成され、それぞれが、第１フォトゲートと第２フォトゲートとを含む複数のフォトゲート対と、半導体基板内に形成された第１共有フローティングディフュージョン領域と、半導体基板上に形成された複数の第１伝送トランジスタと、を含む。複数の第１伝送トランジスタのそれぞれは、第１制御信号に応答して、複数のフォトゲート対のそれぞれの第１フォトゲート下に形成された複数の電荷を第１共有フローティングディフュージョン領域に伝送する。 （もっと読む）

【課題】固体イメージセンサー、具体的に、３Ｔ、高感度、低いリセットノイズ及び低い暗電流を有するイメージセンサーピクセルを提供すること。
【解決手段】低いリセットノイズは、電荷検出ノードの電圧依存キャパシタンスをパラメーター的に変化させることによって達成され、その結果、リセットされる間、電荷検出ノードキャパシタンスは低くなり、その代わりに、感知及び集積サイクルの間、電荷検出ノードキャパシタンスは高くなる。したがって、このような特徴は、結果的に高いダイナミックレンジを招き、これは、非常に小さなピクセルを用いるセンサーにおいて重要である。低い暗電流の生成は、シリコン−二酸化シリコン（Ｓｉ−ＳｉＯ_２）インターフェスの近くにｐ^＋インプラントを実行して、インターフェス状態を消去することによって達成される。 （もっと読む）

【課題】横型オ−バーフロー構造を有するＣＭＯＳ固体撮像装置において、オ−バーフローバリアのばらつきを抑制し、画素特性を向上させる。
【解決手段】半導体基板に形成された光電変換部ＰＤと画素トランジスタからなる複数の画素と、画素内のフローティングディフージョン部ＦＤを有する。また、画素における光電変換部ＰＤ側の表面と、画素トランジスタのうちの転送トランジスタの転送ゲート電極２８下の半導体基板表面との全面にわたって形成された表面ピニング用の第１導電型半導体領域３１を有する。さらに、第１導電型半導体領域３１の全域下に形成され、フローティングディフージョン部へのオ−バーフローパスとなるオ−バーフローパス形成用の第２導電型半導体領域３２を有する。転送ゲート電極下の第２導電型半導体領域によりオ−バーフローパスを形成するオ−バーフローバリアが形成され、光電変換部の第２導電型半導体領域とオ−バーフローパス形成用の第２導電型半導体領域との重なる領域により電荷蓄積領域が形成される。 （もっと読む）

【課題】シリコン層に結晶欠陥が生じて画素特性が悪化を抑制する固体撮像装置とその製造方法並びにカメラを提供する。
【解決手段】半導体基板の複数の画素が集積されてなる受光面の画素ごとに区分されたフォトダイオードと、フォトダイオードに生成及び蓄積される信号電荷または信号電荷に応じた電圧を読み取る信号読み取り部を有し、フォトダイオードは、半導体基板１０に形成された第１導電型の第１半導体層１３と、第１半導体層上に半導体基板に対して凸状に形成され、半導体基板の表面と平行な面における断面の面積が半導体基板から遠くなるにつれて小さくなる形状を有する第１導電型の第２半導体層２４ａと、第２半導体層の表面に形成された第２導電型の第３半導体層２５とを有し、第２半導体層及び第３半導体層が信号読み取り部の転送ゲート電極２２ａから離間して形成されている構成とする。 （もっと読む）

【課題】簡易なフィルタを用いて、精度良く材質を判定することができるようにする。
【解決手段】材質判定装置は、格子状に配置された複数の孔が形成された金属膜１２であって、孔の大きさ及び間隔を、透過させる所望の光の波長に応じて定め、かつ、孔の大きさを波長より小さくした金属膜１２を備える。判定対象物からの光のうち、所望の光の波長が金属膜を透過し、受光素子によって、金属膜を透過した光を受光し、受光した光の量に応じた信号を出力する。材質判定部によって、受光素子から出力された信号に基づいて、判定対象物の材質を判定する。 （もっと読む）

【課題】不純物の拡散によるナローチャネル効果の発生を抑制することを可能にする半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基体１と、半導体基体１に少なくとも一部が埋め込まれた、素子分離のための絶縁層２と、半導体基体１内に形成された不純物領域を含んで成る能動素子と、絶縁層２と半導体基体１との間に形成された、負の固定電荷を有する膜１１とを含んで半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】入射されてフォトダイオードを通過した後、メタル層から反射されて再びフォトダイオードに戻る光子を、フォトダイオードの中心部分に屈折させる光子屈折用マイクロレンズを備える単位画素、該単位画素を備えるバックサイドイルミネーションＣＭＯＳイメージセンサ及び該単位画素の形成方法を提供する。
【解決手段】光子屈折用マイクロレンズを備える単位画素は、フォトダイオード、メタル層及び光子屈折用マイクロレンズを備える。マイクロレンズは、フォトダイオード及びメタル層の間に配され、メタル層から反射された光子をフォトダイオードの中央部分に屈折させる。 （もっと読む）

【課題】微細化しても高い感度を得ることを可能にする。
【解決手段】第１導電型の半導体基板１５０上に設けられた複数の画素２００であって、それぞれが半導体基板の第１面側から入射する光を信号電荷に変換し蓄積する第２導電型の半導体領域２０１ａを有する複数の画素２００と、半導体基板の第１面と反対の第２面側に設けられ、前記画素に蓄積された信号電荷を読み出すための読み出し回路と、半導体基板の、隣接する画素間に設けられた画素分離構造１６０であって、画素分離構造は半導体基板の前記第１面側から設けられたトレンチ内に埋め込まれた積層膜を有し、積層膜は、トレンチの側面および底面に沿って設けられた第１絶縁膜１６４と、第１絶縁膜を覆うようにトレンチ内に設けられ固定電荷を保持する固定電荷膜１６２とを含む画素分離構造１６０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 光学特性が改善されたイメージセンサを提供する。
【解決手段】 イメージセンサ１０１は、内部に光電変換素子１２０が形成された基板１１０、基板１１０上に形成され、多層の金属間絶縁膜１４０ａ、１４０ｂ、１４０ｃと、多層の金属間絶縁膜１４０ａ、１４０ｂ、１４０ｃ内に配置された多層の金属配線Ｍ１、Ｍ２を含む配線構造体１４０、光電変換素子１２０に対応して配線構造体１４０を貫くキャビティ１５０、配線構造体１４０内に形成されたキャビティ１５０上にコンフォーマルに形成された吸湿防止膜１６０、および吸湿防止膜１６０上に形成されてキャビティ１５０を埋め込む光透過物質を含む光案内部１７０を含み、吸湿防止膜１６０は、キャビティ１５０の両側壁、底面および多層の金属間絶縁膜１４０ａ、１４０ｂ、１４０ｃの上面上に同一の厚さで形成されたものを含む。 （もっと読む）

【課題】耐放射線性を有する絶縁ゲート型半導体素子、絶縁ゲート型半導体集積回路を提供する。
【解決手段】一部がチャネル領域をなすｐ型の半導体層１１と、半導体層１１の上部に活性領域２１Ｂを定義する素子分離絶縁膜２１と、チャネル領域にキャリア注入口を介してキャリアを注入するｎ型の第１主電極領域１２と、チャネル領域から、キャリアを排出するキャリア排出口を有するｎ型の第２主電極領域１３と、活性領域２１Ｂの上に設けられたゲート絶縁膜２２と、ゲート絶縁膜２２の上に設けられ、第１主電極領域１２と第２主電極領域１３との間を流れるキャリアの流路に直交する主制御部、主制御部に交わる２本のガード部２４１，２４２を有してπ字型をなすゲート電極２４と、第２主電極領域１３のゲート幅方向の両端側に設けられたｐ型のリーク阻止領域６１，６２とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板裏面を入射光の受光面とする裏面照射型固体撮像素子において、残像による画質劣化を抑制する。
【解決手段】半導体基板１１に複数の単位セル２が行列状に配列されてなり、単位セル２はｎ型の光電変換層１２と、ｎ型の電荷蓄積層１３と、ｐ型の転送経路電位障壁層１９と、半導体基板１１表面上における電荷蓄積層１３に対応する位置に絶縁層を介して設けられ、光電変換層１２に蓄積された信号電荷を電荷蓄積層１３に転送するための転送電圧が印加されたときに、転送電圧が印加されないときよりも半導体基板１１の裏面の電位に対して電荷蓄積層１３の電位井戸の深さを深くするとともに転送経路電位障壁層１９の電位障壁を消滅させる転送電極２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像装置の感度を維持しながら、周辺回路形成領域におけるトレンチ型の素子分離領域幅を縮小し、周辺回路の素子数などが増加してもこの領域の面積が増大するのを抑制する。
【解決手段】 シリコン基板１００の周辺回路形成領域Ａに形成された溝に、ＳＡ−ＣＶＤ法で堆積されるＯ₃−ＴＥＯＳシリコン酸化膜１０５を埋め込み、１１００℃で熱処理し膜を緻密化する。また画素形成領域Ｂに形成された溝にＨＤＰ−ＣＶＤ法で堆積されるシリコン酸化膜１１０を埋め込み形成する。Ｏ₃−ＴＥＯＳシリコン酸化膜１０５は素子分離領域の溝幅を縮小してもボイドを発生させないので周辺回路形成領域Ａの面積を抑制でき、ＨＤＰ−ＣＶＤシリコン酸化膜１１０は高温熱処理を必要としないのでＰ型不純物層１０９が拡大せず、センサ部の面積を確保できる。 （もっと読む）

【課題】アンプトランジスタの実効的なゲート容量を、そのゲート面積を変えることなく抜本的に削減することが可能で、総合的な寄生容量を大幅に削減することが可能な撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】画素２００は、埋め込み型フォトダイオード１１１と、アンプトランジスタ１１４と、フォトダイオード１１１で光電変換された電荷をアンプトランジスタ１１４のゲートに転送する転送トランジスタ１１２と、を含み、アンプトランジスタ１１４は、ゲートを入力とし、ソースを出力とするソースフォロワ回路を形成し、少なくとも埋め込み型フォトダイオードおよび転送トランジスタが形成されている第１の半導体基板２０２から電気的に分離された第２の半導体基板２０６内に形成され、アンプトランジスタの基板は、アンプトランジスタのソースに接続されている。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する電位保持機能の高い固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子の信号電荷蓄積部を光電変換素子のカソード電位に初期化することでリセットトランジスタを省く構成とし、酸化物半導体層を用いたオフ電流が１×１０^−１３Ａ以下の薄膜トランジスタを固体撮像素子の転送トランジスタに用いることで信号電荷蓄積部の電位が一定に保たれ、ダイナミックレンジを向上させることができる。また、周辺回路に相補型金属酸化物半導体素子が作製可能なシリコン半導体を用いることで高速かつ低消費電力の半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも飽和特性、感度、混色等の画素特性を向上した固体撮像装置とその製造方法、及びこの固体撮像装置を備えたカメラなどに適用される電子機器を提供するものである。
【解決手段】フォトダイオードＰＤと画素トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１４、Ｔｒ２〜Ｔｒ４からなる画素と、隣り合うフォトダイオードの間に形成された不純物半導体領域による第１素子分離領域４６を有する。また、フォトダイオードと画素トランジスタの間に形成された不純物半導体による第２素子分離領域４７を有する。第１素子分離領域４６と第２素子分離領域４７との不純物濃度が異なる。 （もっと読む）

【課題】ＲＴＳノイズを低減することが可能な絶縁ゲート型半導体素子、絶縁ゲート型半導体集積回路を提供する。
【解決手段】チャネル領域として機能するｐ型の半導体層１１と、チャネル領域を少なくとも囲み、活性領域２１Ｂを定義する素子分離絶縁膜２１と、活性領域２１Ｂの一方に設けられたｎ型の第１主電極領域１２と、活性領域２１Ｂの他方に設けられたｎ型の第２主電極領域１３と、活性領域２１Ｂ上に設けられたゲート絶縁膜２２と、ゲート絶縁膜２２上において、第１主電極領域１２と第２主電極領域１３との間のチャネル領域を流れるキャリアの流路に直交する方向に伸延するゲート電極２４とを備え、チャネル領域への前記キャリアの注入口が素子分離絶縁膜２１から離間して設けられている。 （もっと読む）