【課題】高集積化に伴う、個々の光電変換部で受光される光量の減少より、光電変換部に対して、その隣の光電変換部に入射すべき光が漏れ込んできたときの混色が大きくなる。
【解決手段】撮像領域の配線層の層数が周辺回路領域の配線層の層数より少ない配線構造と、撮像領域における配線構造の上部に配置された複数のマイクロレンズと、撮像領域における最上の配線層の上部であって、隣接する光電変換部の間に配置された反射部と、を有する固体撮像装置を提供することによって、前記問題を解決する。 （もっと読む）

【課題】光導波路の材料とそれを取り囲む絶縁膜との間に作用する熱応力により、プロセス欠陥が生じうる。
【解決手段】光導波路の材料を堆積させる工程と、堆積された前記材料に光または放射線を照射することによって前記材料をアニールするアニール工程により、前記堆積工程および前記アニール工程を経て前記光電変換部に光を導く光導波路を形成する。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの電子ホール対生成率を増加させ、ノイズに対する抵抗性の高いＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＯＳイメージセンサは、シリコン基板と、この基板上のシリコンゲルマニウムエピタキシャル層と、この層上のアンドープのシリコンエピタキシャル層と、この層の表面からシリコンゲルマニウムエピタキシャル層の一部に至るまでの所定の深さに形成されたフォトダイオード領域とを備える。シリコンゲルマニウムエピタキシャル層は、ゲルマニウム濃度が漸進的に増加するドーピングプロファイルを有する第１シリコンゲルマニウムエピタキシャル層と、この層上で成長し、高濃度のＰ型不純物がドーピングされた第２シリコンゲルマニウムエピタキシャル層と、この層上で成長し、低濃度のＰ型不純物がドーピングされた第３シリコンゲルマニウムエピタキシャル層とを備える。 （もっと読む）

【課題】画像の劣化を抑制する。
【解決手段】半導体基板４０内の表面にフォトダイオード４２を有する画素領域１０と、前記画素領域とその周辺に配置された周辺回路領域２０との間に配置され、前記半導体基板内の表面に前記フォトダイオードと機能が異なる画素を有する非画素領域と、を具備し、前記非画素領域における前記半導体基板内で、かつ前記画素の下方に空洞４１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 遮光膜を有する固体撮像装置の光学特性を維持しつつ、歩留まりを向上させる製造方法を提供すること。
【解決手段】 画素部と周辺回路部とを有する固体撮像装置の製造方法であって、画素部と周辺回路部に第１の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜を形成する工程と、光電変換部の第２の絶縁膜をエッチングする工程とを有する。そして、固体撮像装置の製造方法は、光電変換部のエッチングされた第２の絶縁膜と周辺回路部の第２の絶縁膜の上に金属膜を形成する工程と、周辺回路部の金属膜を除去し光電変換部に金属膜から遮光膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 高い遮光性能を有する遮光膜を有する固体撮像装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 光電変換部と、電荷保持部と、複数のトランジスタと、を含む画素を有する固体撮像装置において、光電変換部と、電荷保持部と、複数のトランジスタとの上部に配される第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の開口に配され、複数のトランジスタのソースあるいはドレインに配置された導電体と、第１の絶縁膜に配され、電荷保持部の上に配された遮光膜を有する。 （もっと読む）

【課題】高エネルギーγ線等の高エネルギー放射線に対しても、高感度かつ高いエネルギー識別能力を有するとともに、高い画像分解能を備えた半導体放射線画像検出器を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】ＣｄＴｅ単結晶ウェーハ１１上にｐ型ＣｄＴｅ単結晶層１２をＭＯＶＰＥ法によりエピタキシャル成長させて形成する。次にｐ型Ｓｉ単結晶基板１４に導電性樹脂をコートし、前記ＣｄＴｅ単結晶ウェーハ上のｐ型ＣｄＴｅ単結晶層１２と貼り合わせて硬化する。さらにＣｄＴｅ単結晶ウェーハ１１の非接合面およびＳｉ単結晶基板１４の非接合面にＡｕを蒸着して電極１５および１６を形成する。その後、溝１７をＣｄＴe単結晶ウェーハ側の電極１６側よりＳｉ単結晶基板１４の内部に到達する深さで、Ｘ方向およびＹ方向にそれぞれ形成する。 （もっと読む）

【課題】画素トランジスタにおける欠陥の異常成長を抑制する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１のＰウェル１０２の内部に形成され、入射光を光電変換する受光領域１０３と、Ｐウェル１０２の内部に形成されたウェル領域１０４と、Ｐウェル１０２の内部において、ウェル領域１０４に隣接して形成された素子分離領域１０５と、素子分離領域１０５の上に形成されたダミー素子１０９とを備える。 （もっと読む）

【課題】 裏面照射型イメージセンサ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 イメージセンサデバイスは、表面及び表面と対向する裏面を有する基板、この基板に配置され、裏面を通過して基板に入射する放射波を検出するように動作可能である放射線検出領域、基板の表面の上に配置された相互接続構造、基板の裏面の上に配置され、基板に引張応力を与える材料層、及び材料層の少なくとも一部の上に配置された放射線遮蔽デバイスを含む。 （もっと読む）

【課題】リセットトランジスタ及びアドレストランジスタを有しないＣＭＯＳイメージセンサピクセルを提供する。
【解決手段】イメージセンサピクセルは、電荷を感知するためのフローティングベースバイポーラトランジスタとピンドフォトダイオードとを含み、前記ピンドフォトダイオードが、前記ピンドフォトダイオードから前記フローティングベースバイポーラトランジスタのフローティングベース２１３に電荷を伝送することができる伝送ゲート２０７を介して、前記フローティングベースバイポーラトランジスタに結合されている。イメージセンサアレイは、複数のピクセルと信号線とを含んでおり、特定ロー上のすべての伝送ゲートが互いに接続されており、特定カラム上のエミッタ領域が互いに接続されて、ピクセル当たり２個の信号線を形成する。 （もっと読む）

【課題】画素サイズが小さくなっても、上記電荷検出部の容量を更に低減することにより電荷電圧変換率を更に向上させて更なる高画質の画像信号を得る。
【解決手段】Ｎ型基板２の上部にＰ型ウエル３が設けられ、Ｐ型ウエル３内に埋め込みフォトダイオード６および電荷検出部７が設けられており、電荷検出部７の下方のＰ型ウエル３は完全に空乏化されている。このように、電荷検出部７とＮ型基板２に挟まれたＰ型ウエル３を空乏化することにより、電荷検出部７のジャンクション容量Ｃを大幅に下げることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】低輝度レベルでの画像収集を行う電子増倍画像センサを提供する。
【解決手段】各ピクセルは、半導体能動層１２の表面に、フォトダイオード領域（ＰＨＤ）、電荷蓄積ノード１８、およびフォトダイオードから蓄積ノードに電荷を転送するための転送構造を含んでいる。転送構造は、フォトダイオードに隣接する第１の転送ゲート（ＴＲ１）、蓄積ノードに隣接する第２の転送ゲート（ＴＲ２）、および第１と第２の転送ゲートの間に位置する電子増倍増幅構造（ＡＭＰ）を含んでいる。増幅構造は、２個の別々の加速ゲート（ＧＡ、ＧＢ）、および２個の加速ゲートの間に位置し、固定された表面電位を有する中間ダイオード領域（ＤＩ）を含んでいる。電荷が蓄積ノードに転送される前に転送構造内で移動中に、一連の高および低電位が交互に加速ゲートに印加される。増幅は交替の数に依存する。 （もっと読む）

【課題】グローバル電子シャッター機能を備えながら、高い感度および高い画質を有するＭＯＳ型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板１０１、フォトダイオード１０５、接続ダイオード１７５、蓄積ダイオード１０６、オーバーフロードレイン１０９を有する。フォトダイオード１０５は、半導体基板１０１内におけるＺ軸方向の上主面側に、当該主面に沿う状態で、且つ、互いの間に間隔をあけた状態で二次元形成されている。蓄積ダイオード１０６は、半導体基板１０１内におけるＺ軸方向の下主面側に、設けられている。オーバーフロードレイン１０９も、半導体基板１０１内におけるＺ軸方向の下主面側に、設けられている。フォトダイオード１０５に接続された接続ダイオード１７５は、蓄積ダイオード１０６およびオーバーフロードレイン１０９の各々に対し、ゲートを介して配されている。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の特性劣化を抑制する。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板１０内の画素形成領域内に設けられる光電変換素子５と、半導体基板１０上及び光電変換素子５上に設けられ、光電変換素子の上方に少なくとも１つの凸部４を含む絶縁膜４１と、絶縁膜４１上に設けられる配線層３１と、絶縁膜４１上及び配線層３１上に設けられ、凸部４に対応するように形成された傾斜角を有する段差部６を含む絶縁膜４２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】複数の撮像素子をタイル状につなぎ合わせた大面積撮像装置において、ダイシング後の切断面に欠損が無く、画素配列に欠落を生じない素子端部の構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】つなぎ合わせ端部の受光領域の構造が素子分離領域の一部であって密接する互いの素子分離領域の幅の合計がつなぎ合わせ領域以外の素子分離領域の幅と同等もしくはそれよりも狭く形成する。 （もっと読む）

【課題】隣接画素間の光干渉によるイメージ特性の劣化を防止できるイメージセンサを提供する。
【解決手段】画素領域及びロジック領域を備えるイメージセンサにおいて、前記画素領域の基板に設けられるフォトダイオードＰＤと、前記画素領域の基板上に設けられる第１のメタルラインないし第Ｍのメタルライン（Ｍは、１より大きい自然数）と、前記ロジック領域の基板上に設けられる第１のメタルラインないし第Ｎのメタルライン（Ｎは、Ｍより大きい自然数）と、前記画素領域の前記第Ｍのメタルライン上において、前記フォトダイオードとオーバーラップされないように配置された少なくとも１つのダミーメタルラインＤＭ１，ＤＭ２と、前記フォトダイオードとオーバーラップされるように、前記ダミーメタルライン上に配置されたマイクロレンズＭＬとを含むイメージセンサを提供する。 （もっと読む）

【課題】接合リーク電流が生じる原因となるシリサイド材料のスパイクを防止し、画像欠陥である白キズ及びＲＴＳノイズを低減できるようにする。
【解決手段】固体撮像装置は、シリコンからなる半導体基板の上に形成され、入射光を光電変換するフォトダイオード、フォトダイオードで得られた信号を転送するための転送トランジスタ、及び信号を増幅するための画素内トランジスタを含む複数の単位画素１１が一次元状又は二次元状に配列された感光領域１０を備えている。画素内トランジスタは、ゲートパターン１３とシリサイドが形成された拡散層１２とを含み、拡散層１２の表面の少なくとも一辺の近傍にダミーパターン１４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 フォトダイオードと絶縁膜との界面における光の反射率を最小化し、イメージ
感度を向上させたＣＭＯＳイメージセンサーを提供すること。
【解決手段】 Ｓｉのフォトダイオード１２が形成された基板１０と、基板１０の上に形
成されるＳｉＯ_２の絶縁膜１４と、基板１０及び絶縁膜１４の間に介在する半反射膜１３
と、絶縁膜１４の上に形成され、単位画素を構成する複数の金属配線Ｍ１〜Ｍ４と、カラ
ーフィルター１９と、マイクロレンズ２１とを備えているＣＭＯＳイメージセンサーであ
って、半反射膜１３の屈折率が、Ｓｉのフォトダイオード１２の屈折率とＳｉＯ_２の絶縁
膜１４の屈折率との間の値である。 （もっと読む）

【課題】小型で、かつ、大きい電荷保存容量、高い動的範囲、及び高感度を有する固体状
態のＣＭＯＳイメージセンサ画素を提供すること。
【解決手段】本発明の電荷転送トランジスタは、第１の拡散領域及び第２の拡散領域と、
制御信号により、前記第１の拡散領域から第２の拡散領域への電荷転送を制御するゲート
と、該ゲートの下部に統合された電位井戸とを備え、前記第１の拡散領域がピンドフォト
ダイオードであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より確実に画素間クロストークを抑制することが可能な、固体撮像素子を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】主表面を有する半導体基板ＳＵＢと、半導体基板ＳＵＢの主表面上に配置された第１導電型の不純物層ＤＰＷと、不純物層ＤＰＷ上に、第１導電型の不純物領域と第２導電型の不純物領域とが互いに接合する構成を含む光電変換素子と、光電変換素子を含む単位画素を構成し、光電変換素子と電気的に接続されるトランジスタＭ１〜Ｍ４とを備えている。平面視において光電変換素子の外周部の少なくとも一部には、内部に空隙ＡＧが含まれ、光電変換素子と、光電変換素子に隣接する光電変換素子とを、互いに電気的に絶縁する分離絶縁層ＳＩが配置されている。上記分離絶縁層ＳＩは、第１導電型の不純物層ＤＰＷの最上面に接する。 （もっと読む）