【課題】「混色」の発生などを防止して、撮像画像の画像品質を向上させる。
【解決手段】第１トレンチＴＲ１と、半導体基板１０１において第１トレンチよりも浅い部分において、第１トレンチＴＲ１よりも幅が広い第２トレンチＴＲ２とを、トレンチＴＲとして形成する。そして、第１トレンチＴＲ１の内部を埋め込むと共に、第２トレンチＴＲ２の内側の面を被覆するようにピニング層３１１を形成する。そして、少なくともピニング層３１１を介して第２トレンチＴＲ２の内部を埋め込むように、遮光層３１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】「混色」の発生などを防止して、撮像画像の画像品質を向上させる。
【解決手段】半導体基板１０１において裏面（上面）側に形成されたトレンチＴＲ内に、画素分離部３０１を設ける。ここでは、受光面ＪＳに入射した光を吸収する絶縁材料によって、画素分離部３０１を形成する。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の画像品質を向上させる。
【解決手段】半導体基板１０１の画素分離部３０１に形成されたトレンチＴＲの内部に第１遮光部３１３Ａを設ける。これと共に、その第１遮光部３１３Ａの上面側に第２遮光部３１３Ｂを設ける。ここでは、画素領域ＰＡの中心よりも周辺において、第２遮光部３１３Ｂの中心が、画素分離部３０１の中心に対して、画素領域ＰＡの周辺の側へ多くシフトするように、第２遮光部３１３Ｂを形成する。つまり、少なくとも第２遮光部について「瞳補正」を実施する。 （もっと読む）

【課題】 簡単な工程で半導体装置を製造することが可能となる。
【解決手段】 半導体基板１０１の撮像領域１０３及び周辺領域１０４の上に第５層間絶縁膜１１３ｅが配される。第５層間絶縁膜１１３ｅの光電変換部１０５と重なった位置に開口１１６が形成される。半導体基板１０１の撮像領域１０３及び周辺領域１０４に第１導波路部材１１８を形成する。第１導波路部材１１８の周辺領域１０４に配された部分を除去し、第５層間絶縁膜１１３ｅを露出させる。 （もっと読む）

【課題】ローリングシャッタ的雑音を低減した高性能なグローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】二次元状に配置された複数の単位画素セルを備え、グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置であって、前記複数の単位画素セル２３のそれぞれは、半導体基板の上方に形成され、入射光を信号電荷に変換する光電変換膜１６と、前記光電変換膜の前記半導体基板側の面に形成された画素電極１５と、前記半導体基板上に形成され、グローバルシャッタによって前記光電変換膜１６から転送された信号電荷を蓄積するグローバル電荷蓄積拡散層７とを備え、前記グローバルシャッタは前記複数の単位セルにおいて同時に光電変換膜１６からグ信号電荷を転送することであり、前記画素電極１５は、遮光性を有する金属で形成される。 （もっと読む）

【課題】 光電変換部の電荷の転送効率を向上させることを目的とする。
【解決手段】 活性領域１１５にＮ型半導体領域１０１及びフローティングディフュージョン１０５が配される。ＰＤからＦＤ１０５に電荷を転送するための転送ゲート電極１０３が半導体基板上に絶縁体を介して配される。ＰＤを構成するＮ型半導体領域１０１の一部と転送ゲート電極１０３の一部とが互いに重なる。活性領域１１５にＰ型半導体領域１０６が配される。Ｐ型半導体領域１０６と、Ｎ型半導体領域１０１の転送ゲート電極１０３と重なった部分とは、半導体基板と絶縁体との界面に平行な方向において互いに隣接して配される。Ｎ型半導体領域１０１の不純物濃度ピークの位置とＰ型半導体領域１０６の不純物濃度ピークの位置とが異なる深さである。 （もっと読む）

【課題】光電変換部へのエッチングによるダメージや金属汚染による光電変換特性の低下、等を低減する。
【解決手段】複数の光電変換素子と該光電変換素子の電荷に基づく信号を読み出すための第１のＭＯＳトランジスタとが配された光電変換領域１０１と前記第１のＭＯＳトランジスタの駆動を行なう第２のＭＯＳトランジスタが配された周辺回路領域１０２とが同一の半導体基板に配され、前記光電変換素子の受光面に反射防止膜１０６が配された光電変換装置であって、前記第１のＭＯＳトランジスタのドレイン１１４の不純物濃度は、前記第２のＭＯＳトランジスタのドレイン１１１の不純物濃度よりも低く、前記第２のＭＯＳトランジスタはゲート電極１１２に絶縁膜のサイドスペーサ１１３が配されたＬＤＤ構造を有しており、前記サイドスペーサの膜厚は前記反射防止膜と前記光電変換素子の受光面との間に配されたシリコン酸化膜より厚い。 （もっと読む）

【課題】少なくとも暗電流の抑制を図ることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】基板の第１面側に配線層を有し、基板の第２面側から光を受光する固体撮像装置であって、基板の第２面上に形成された膜厚１ｎｍ以上５０ｎｍ以下の第１絶縁膜７１と、第１絶縁膜７１上において、周辺回路領域を除く撮像領域の受光部の受光面上に形成された酸化インジウム錫、又は、酸化亜鉛からなる透明導電膜７４とを備える。 （もっと読む）

【課題】縦方向と横方向の曲率に対して最適なレンズ形状とすることにより、平面視で縦方向と横方向の長さが異なる照射対象に対しても中央部分に確実に集光させて集光効率を向上させる。
【解決手段】平坦化膜上に感光性レジスト膜を成膜する感光性レジスト膜成膜工程と、透過率階調マスクを用いて照射光量を平面的に制御して、感光性レジスト膜をレンズ形状に形成するレンズ形状形成工程とを有し、レンズ形状を、マイクロレンズ３７として、平面視縦方向および横方向のうちの少なくともいずれかの方向に端部同士が重なりを有したアレイ状に形成する。平面視外形が円形のレンズ形状から、縦方向および横方向の少なくともいずれかの方向に重なりを有したアレイ状に形成する。 （もっと読む）

【課題】画素サイズの微細化を実現するとともに、高感度及び低混色の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】画素部１００が行列状に配置された固体撮像素子１０であって、画素部１００は、ナノメートルオーダーの直径を有する半導体または金属からなる複数の微粒子１１４ａ、１１４ｂが分散され入射光量に応じた信号電荷を生成する光電変換膜１１５と、信号電荷を光電変換膜１１５から読み出す読み出しトランジスタ１０３を有する半導体層１０１とを備える。 （もっと読む）

【課題】トレンチ溝の端と画素注入分離層およびフォトダイオード形成層の境界との各距離ＡおよびＢ、画素注入分離層とフォトダイオード形成層の境界の距離Ｃの各ばらつきを低減することにより、画素毎の暗電流および飽和感度のばらつきを低減することができて良好な画像を得る。
【解決手段】トレンチ溝４１の端と高濃度Ｐ型拡散層４６の境界との距離Ａがサイドウォール幅（サイドウォールの膜厚）で決定され、また、トレンチ溝４１の端とフォトダイオード形成層である受光部３の境界との距離Ｂも、フォトダイオード形成層である受光部３と高濃度Ｐ型拡散層４６と境界が同一になるため、その距離もサイドウォール幅（サイドウォールの膜厚）で決定される。 （もっと読む）

【課題】半導体層に光電変換部が形成され半導体層の第１の面の上方に配線が形成される固体撮像素子を製造するための半導体ウエハーにおいて、当該半導体層の第２の面の側における加工精度を向上させる。
【解決手段】半導体層と、半導体層に形成された光電変換を行う光電変換部と、半導体層の第１の面に形成された窪み部を含むアライメントマークと、半導体層の第１の面の上方に形成された配線と、を具備し、上記アライメントマークは、窪み部の最も深い位置から半導体層の第２の面までの距離が、可視光によって半導体層の第２の面の側から識別可能な距離となるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】各ゲートとの寄生容量を抑えることによりＦＤＡの感度を向上する。
【解決手段】ＦＤ部２と直接接続する領域３ａと重なる部分のＳＦトランジスタ４のゲート電極３の周囲の半導体基板８に溝部２ａに空洞がある。ゲート電極３の平面視領域３ａの周囲のうちのゲート電極３の両側および先端側の半導体基板８に溝部２ａを設け、溝部２ａが空洞のままであっても、溝部２ａが酸化膜よりも誘電率が低い層間膜で埋め込まれていても、ＳＦトランジスタ４のゲート電極３の寄生容量を低減することができ、これによって、ＦＤＡの感度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光電変換膜が半導体基板上に積層された積層型の固体撮像装置に関する。
【解決手段】複数の画素が二次元配置されてなる固体撮像装置であって、半導体基板と、半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に、画素毎に隙間を空けて形成された下部電極と、真性半導体材料からなり、画素毎に、隙間を空けて、各下部電極上に形成された光電変換膜と、不純物半導体材料からなり、前記光電変換膜上に、複数の画素に亘って形成され、光電変換膜間の隙間に相当する部位が当該隙間に入り込んで、光電変換膜の側面の一部または全部を覆っているブロッキング層と、ブロッキング層上に、複数の画素に亘って形成された透光性を有する上部電極とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細化しても高い感度を得ることを可能にする。
【解決手段】第１導電型の半導体基板上に設けられた複数の画素であって、それぞれが半導体基板の第１面側から入射する光を信号電荷に変換し蓄積する第２導電型の半導体領域を有する複数の画素と、半導体基板の第１面側に設けられ、画素に蓄積された信号電荷を読み出すための読み出し回路と、半導体基板の、隣接する画素間に設けられた画素分離構造であって、画素分離構造は半導体基板の前記第１面側から設けられたトレンチ内に埋め込まれた積層膜を有し、積層膜は、トレンチの側面および底面に沿って設けられた第１絶縁膜と、第１絶縁膜を覆うように前記トレンチ内に設けられ固定電荷を保持する固定電荷膜とを含む画素分離構造と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】画素の微細化および／または電荷の完全転送に有利な技術を提供する。
【解決手段】電荷蓄積領域を含む光電変換部と、浮遊拡散領域と、前記電荷蓄積領域に蓄積された電荷を前記浮遊拡散領域に転送するためのチャネルを形成するためのゲート電極とを含む固体撮像装置を製造する方法は、半導体基板の上にゲート絶縁層を介して前記ゲート電極を含むゲート電極構造体を形成する工程と、前記ゲート電極構造体および前記ゲート絶縁層を介して前記半導体基板の第１領域および第２領域に対して同時にイオンを注入する工程とを含み、前記第１領域は、前記電荷蓄積領域を形成すべき領域であり、前記第２領域は、前記電荷蓄積領域から前記ゲート電極の下方の部分に延びた拡張領域を形成すべき領域であり、前記イオンを注入する工程におけるイオンの平均投影飛程は、前記ゲート電極および前記ゲート絶縁層の厚さの合計よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】最新の電子画像応用に必要な小さなセンサーサイズを達成する。
【解決手段】半導体基板上に形成された少なくとも２つの垂直積層感光性センサー、前記センサーの１つの上の第１のエピタキシャル層３１１、第１のエピタキシャル層の上の第２のエピタキシャル層３１５、並びに、第１のエピタキシャル層を通って前記センサーの１つへ伸びる底部部分、および第２のエピタキシャル層を通って底部部分から伸びる上部部分を有するプラグコンタクト、を含むセンサー群。前記第１のエピタキシャル層および前記第２のエピタキシャル層の各々は本質的にｐ型シリコンからなり、前記プラグコンタクトの底部部分は砒素が拡散した第１のエピタキシャル層の領域であり、前記プラグコンタクトの最上部部分は砒素が拡散した第２のエピタキシャル層の領域であってもよい。 （もっと読む）

【課題】回路ノイズ及び混色を低減しながら、高感度化を図る。
【解決手段】本発明の一形態に係る固体撮像装置１０は、シリコン層１０１の第一主面側から入射した光を電荷に変換する第一導電型の複数のフォトダイオード１１１と、シリコン層１０１の第一主面側の表面に形成されている第二導電型の埋め込み層１２６と、フォトダイオード１１１間に形成されるとともに、シリコン層１０１の第二主面から埋め込み層１２６まで到達するように形成されている第二導電型の分離部１２０と、分離部１２０の第二主面側に形成されているトランジスタ１１２と、シリコン層１０１の第ニ主面側に形成されている周辺回路部１３０と、シリコン層１０１の、フォトダイオード１１１間の領域の第一主面側と、周辺回路部１３０が形成されている領域の第一主面側とに埋め込み形成されている導電性の遮光部１１９とを備える。 （もっと読む）

【課題】垂直に積層したセンサーを含む感光性センサー群を提供する。
【解決手段】第１の極性を有する半導体基板上に形成されたセンサー群は、少なくとも２つの垂直積層センサーで、センサーの各々は、異なるスペクトル感度を持ち、フォトダイオードとして機能するためにバイアスすることが可能であり、また第２の極性を持つ半導体材料のキャリア収集層を含み、フォトダイオードとして機能するためにバイアスされる時第２の極性の光励起キャリアを収集するように作られることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサにおけるノイズの発生を抑える。
【解決手段】裏面照射型イメージセンサは、基板と、上記基板の裏面上に配置された裏面保護層と、上記裏面保護層上に配置された透明導電層とを備えている。 （もっと読む）