【課題】ＲＴＳノイズを低減することが可能な絶縁ゲート型半導体素子、絶縁ゲート型半導体集積回路を提供する。
【解決手段】チャネル領域として機能するｐ型の半導体層１１と、チャネル領域を少なくとも囲み、活性領域２１Ｂを定義する素子分離絶縁膜２１と、活性領域２１Ｂの一方に設けられたｎ型の第１主電極領域１２と、活性領域２１Ｂの他方に設けられたｎ型の第２主電極領域１３と、活性領域２１Ｂ上に設けられたゲート絶縁膜２２と、ゲート絶縁膜２２上において、第１主電極領域１２と第２主電極領域１３との間のチャネル領域を流れるキャリアの流路に直交する方向に伸延するゲート電極２４とを備え、チャネル領域への前記キャリアの注入口が素子分離絶縁膜２１から離間して設けられている。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子の製造方法において、重金属汚染等が混入した場合にも白キズ、暗電流等の発生を抑制する。
【解決手段】固体撮像素子の製造方法は、基板に対し、６００℃以上で且つ７５０℃以下、３０分以上で且つ１８０分以下の第１の熱処理を行なう工程（ａ）と、工程（ａ）の後、第１の熱処理の温度よりも高い温度において熱酸化を行ない、基板上に熱酸化膜を形成する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後、基板に対し、１０００℃以上で且つ１１００℃以下、４０分以上で且つ１８０分以下の第２の熱処理を行なう工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後、基板に第１の不純物を導入し、光電変換部となる不純物層を形成する工程（ｄ）とを備える。第１の熱処理の温度から熱酸化の温度に昇温する際に、４℃／分以下の昇温速度で昇温を開始する。 （もっと読む）

【課題】画素サイズの微細化による飽和電荷量の低下と、感度の低下とを抑制できるようにする。
【解決手段】固体撮像素子は、半導体層３１の上部に行列状に配置して形成された複数の単位画素１３を備えている。各単位画素１３は、半導体層３１の内部に形成されたｎ型の第１の半導体領域３２と、該第１の半導体領域３２の上に形成されたｐ型の第２の半導体領域３３とを有している。第２の半導体領域３３は、該第２の半導体領域３３の一部が第１の半導体領域３２の深さ方向に延びる少なくとも１つの延伸部３３ａを有し、第１の半導体領域３２と第２の半導体領域３３及びその延伸部３３ａとは接合容量を形成し、延伸部３３ａは半導体層３１の表面からの深さに応じて異なる不純物濃度を有している。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置においてＰＮ接合を急峻化してダイナミックレンジを改善しながら、歩留まり低下を抑制する。
【解決手段】半導体基板１０に画素ごとに区分して第１導電型の半導体領域１７を有するフォトダイオードが形成され、その隣接領域に半導体基板上にゲート絶縁膜２０を介してフォトダイオードに生成及び蓄積される信号電荷を転送する第１導電型の転送ゲート電極（２１ａ）と信号電荷に応じた電圧または信号電荷を読み取る信号読み取り部が形成され、フォトダイオードの一部または全部を被覆する領域において半導体基板上にゲート絶縁膜２０を介して転送ゲート電極より大きい仕事関数を有する導電体または半導体からなる反転層誘起電極（２１ｂ）が形成され、反転層誘起電極により半導体領域の反転層誘起電極側表面に第２導電型のキャリアを蓄積した反転層１７ａが誘起された構成とする。 （もっと読む）

【課題】一般的に市販されているイオン注入装置を用いて、半導体基板の深い位置に形成される素子分離領域または光電変換素子の不純物濃度分布を改善する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板１１と、半導体基板１１に形成される複数の光電変換素子２５と、半導体基板１１に形成され、複数の光電変換素子２５の少なくとも側面部分を互いに分離する側面分離部５１とを有する。そして、側面分離部５１は、半導体基板１１の一面側から離間する所定の深さに形成された深層領域５３と、深層領域５３についての半導体基板１１の一面側に形成された表面領域５２とを有する。深層領域５３の不純物の濃度は、全体的に表面領域５２より低く、表面領域５２に近い部分より表面領域５２から離れた部分の濃度が低くなる濃度分布を有する。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の面積の低下を最小限に抑制しながら、高機能化を図る。
【解決手段】固体撮像装置１は、半導体基板１１と、半導体基板１１に形成される複数の画素回路２２とを有する。半導体基板１１に形成される画素回路２２は、光電変換素子２５と、光電変換素子２５と隣り合って形成される第１埋め込みゲート電極５１と、光電変換素子２５および第１埋め込みゲート電極５１から離間して形成される第２埋め込みゲート電極５６と、第１埋め込みゲート電極５１と第２埋め込みゲート電極５６との間に形成される第１拡散層５５と、第１埋め込みゲート電極５１と第２埋め込みゲート電極５６との間において、第１拡散層５５と離間した状態で重ねて形成される第２拡散層６０とを有する。光電変換素子２５に蓄積された電荷は、第１拡散層５５を通じて第２拡散層６０へ転送される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、受光センサー部内のＰ型領域のホウ素がＮ型領域中へ拡散することを抑制して飽和電荷量の低下を抑えることを可能にする。
【解決手段】半導体基板１１に形成されたＮ型領域１３と、前記Ｎ型領域１３上に形成された第１炭化シリコン層２１と、前記炭化シリコン層２１上に形成されたシリコン層２２からなるＰ型領域１４とで構成されたフォトダイオード１５を有する。 （もっと読む）

【課題】 画素センサ・セル、画素センサ・セルの製造方法及び画素センサ・セルのための設計構造体を提供する。
【解決手段】 画素センサ・セルは、半導体層（１００）の第１の領域内のフォトダイオード・ボディ（１５０）と、半導体層の第２の領域内の浮遊拡散ノード（１６５）であって、半導体層の第３の領域が第１の領域と第２の領域との間にあり、これらに隣接する、浮遊拡散ノード（１６５）と、半導体層内の誘電体分離部（１０５）であって、第１、第２及び第３の領域を囲み、第１、第２及び第３の領域並びにフォトダイオード・ボディに隣接し、浮遊拡散ノードには隣接せず、第２の領域の部分が誘電体分離部と浮遊拡散ノードとの間に介在する、誘電体分離部（１０５）とを含む。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の信頼性を向上する。
【解決手段】本発明の一態様に関わる固体撮像装置は、第１の面と第１の面に対向する第２の面とを有する半導体基板１０と、半導体基板１０内に設けられ、第１の面から入射した光を電気信号に変換する素子２１を有する画素領域２と、画素領域２に隣接して設けられ、画素領域内の素子の動作を制御する回路を有する周辺領域３と、第２の面上に積層された複数の層間絶縁膜６１，６２，６３内にそれぞれ設けられる複数の配線５１，５２，５３と、層間絶縁膜６３上及び配線５３上に設けられる支持基板１８と、を具備し、少なくとも最上層の配線５３は、最上層の層間絶縁膜６３内に設けられた溝Ｐ内に、設けられ、最上層の配線５３の上面の高さは、最上層の層間絶縁膜６３の上面の高さと一致する。 （もっと読む）

感光素子および関連方法が提供される。一側面では、例えば、感光撮像素子は、少なくとも１つの接合部を形成する複数のドープ領域と、半導体基板に連結され、電磁放射と相互作用するように設置される、テクスチャ加工領域と、半導体基板に連結され、少なくとも１つの接合部から電気信号を伝導するように動作可能な電気伝導要素とを有する、半導体基板を含むことができる。一側面では、テクスチャ加工領域は、赤外線電磁放射の検出から電気信号の発生を促進するように動作可能である。別の側面では、電磁放射と相互作用するステップはさらに、テクスチャ加工領域を欠いている半導体基板と比較して、半導体基板の有効吸収波長を増加させるステップを含む。
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【課題】 撮像画素および焦点検出画素を備える固体撮像素子において、精度の高いＡＦを実現する。
【解決手段】 固体撮像素子は、被写体の像を撮像して画像信号を生成する撮像画素と、各画素で光学系の瞳の異なる部分領域を通過する光束をそれぞれ受光し、被写体の像の位相差情報を取得する一対の焦点検出画素とを備える。焦点検出画素は、瞳のうち位相差情報の生成に用いる第１範囲に対応する受光面上の位置に、入射光の光量に応じて信号電荷を生成する光電変換領域を備える。また、焦点検出画素は、瞳のうち第１範囲と重複しない第２範囲に対応する受光面上の位置に、電荷を排出する排出領域を備える。 （もっと読む）

【課題】 ソリッド・ステート・イメージ・センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ソリッド・ステート・イメージ・センサは、感光領域が設けられている基板を有する。ソリッド・ステート・イメージ・センサ内には、感光領域の放射光が入射する側と反対の側に非平坦状の反射層が配置されている。非平坦状の反射層は、感光領域により最初に捕獲されなかった入射放射光を反射して前記感光領域に戻し、一方１つの感光領域により最初に捕獲されなかった入射放射光を、上記１つの感光領域に隣接して基板に設けられている他の感光領域へ反射しないような形状を有する。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の面積を平面的に拡大したり不純物濃度を高めたりしなくても、飽和信号電荷量を増加させる。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、半導体基板２１と、半導体基板２１に二次元的に配列された複数の画素とを備える。画素は、光電変換素子となるフォトダイオード２２と電荷読み出しトランジスタを含む画素トランジスタを有する。フォトダイオード２２は、Ｐ型不純物領域（２５，２６）と、Ｎ型不純物領域（２７，２８）とを有し、これらの高濃度不純物領域（２６，２８）同士が接するＰＮ接合部２９が、半導体基板２１の表面側に凸の形状で形成されている。転送ゲートがＰＮ接合部の一部に重なるように形成され、凸形状をなすＰＮ接合部のポテンシャルが前記転送ゲートに向かって傾斜している。 （もっと読む）

【課題】画素サイズを縮小しても画素間分離を確実に行うことができ、裏面照射型の画素の微細化に伴うクロストークの増加を防止することができ、色再現性の向上をはかる。
【解決手段】光電変換により信号電荷を生成する光電変換部及び信号電荷を出力する信号走査回路部を含む単位画素を二次元配置してなる固体撮像装置であって、信号走査回路部は光電変換部を有する第１の半導体層とは異なる第２の半導体層に設けられ、第２の半導体層は第１の半導体層の表面上に絶縁膜を介して積層され、第１半導体層には、画素境界部分に第１の半導体層の厚さ方向に絶縁膜からなる画素分離層が埋め込み形成され、且つ表面部に光電変換部で生成された信号電荷を読み出す読み出しトランジスタが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ドレイン領域等の不純物拡散領域からフローティングゲートに電荷が注入されてしまうことを防止でき、Ｓ／Ｎを向上できる固体撮像素子及び撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板に配列された複数の画素部が配列され、画素部が、半導体基板に形成された光電変換部と半導体基板の上方に設けられた電荷蓄積領域と、電荷蓄積領域に電荷を蓄積させて、該電荷に応じた信号を読み出すトランジスタ構造とを備え、トランジスタ構造がソース領域及びドレイン領域を含み、ソース領域及びドレイン領域と光電変換部との間の半導体基板に、ソース領域及びドレイン領域と光電変換部との間で移動する電荷に対して電位勾配のポテンシャル障壁となる障壁層を備える。 （もっと読む）

【課題】微細化が進んだ場合においても半導体基板の表層における素子分離拡散層の拡がりに起因した受光素子の飽和電子数の低減および混色が防止可能な固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】第１導電型の半導体層１１ａと、前記第１導電型の半導体層１１ａ上に設けられた第２導電型の半導体層１１ｂと、前記第２導電型の半導体層１１ｂ中に形成された受光素子と、前記受光素子を前記第２導電型の半導体層１１ｂの面内方向において取り囲むように形成された素子分離領域１５とを備え、前記素子分離領域１５は、前記第１導電型の半導体層に接続された第１導電型の第１の素子分離部１７と、前記第１の素子分離部１７上に形成された空洞１９ａと、前記空洞１９ａ上に形成された第１導電型の第２の素子分離部１９ａとを有する。 （もっと読む）

【課題】AlCuプロセスのCMOSイメージセンサーの大ビアボンディングパッドのアプリケーションを提供する。
【解決手段】集積回路は、ボンディングパッド領域と非ボンディングパッド領域とを有する基板からなる。“大ビア”と称される相対して大きいビアが、ボンディング領域の基板上に形成される。大ビアは、基板向きの上面図にて、第一寸法を有する。集積回路は、非ボンディング領域の基板上に形成された複数のビアも有する。複数のビアは、それぞれ、上面図にて、第二寸法を有し、第二寸法は、第一寸法より相当小さい。 （もっと読む）

【課題】 光電変換装置のコンタクトホール形成時に光電変換部が金属あるいは高融点金属で汚染されないようにすること。
【解決手段】 画素領域と周辺回路領域とを有する光電変換装置の製造方法であって、
前記周辺回路領域のＭＯＳトランジスタの拡散層あるいはゲート電極の表面と高融点金属とを反応させて、半導体化合物層を形成し（図２（Ｃ））、前記画素領域と前記周辺回路領域に絶縁層を形成する（図２（Ｄ））。前記画素領域の拡散層を露出するように前記絶縁層にコンタクトホールを形成し（図２（Ｄ））、異なるタイミングで、前記周辺回路領域に形成された前記半導体化合物層を露出するように前記絶縁層にコンタクトホールを形成する（図３（Ａ））。後で形成されるコンタクトホールに先立って、先に形成されるコンタクトホールにコンタクトプラグを形成する（図３（Ａ））。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子の信号出力部およびバイアス電圧発生回路を構成するＭＯＳトランジスタにおいてホットエレクトロンによる発光現象が発生し、それによりシェーディングと呼ばれる画像劣化が引き起こされる。シェーディングによる画像劣化を抑制して高画質を実現するために、ホットエレクトロンによる発光現象を抑制することが求められている。
【解決手段】固体撮像素子の周辺回路における信号出力部およびバイアス電圧発生回路を構成するＭＯＳトランジスタの半導体表面に形成された絶縁膜のうちゲート電極で覆われた部分であるゲート絶縁膜について、ドレイン側端部を含む一部の膜厚を、それ以外の部分における膜厚よりも厚膜化することにより、ドレインジャンクション部分の電界を緩和し、ホットエレクトロンによる発光現象を抑制して、シェーディングによる画像劣化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】画素が微細化した場合にも光の回折の影響を抑えることが可能な導波路を備えた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、上部に第１の受光部と第２の受光部とが形成された半導体基板１５０と、第１の受光部の上方に位置する部分に第１の凹部Ｈ１が形成され、前記第２の受光部の上方に位置する部分に第２の凹部が形成された絶縁膜と、第１の凹部Ｈ１及び前記第２の凹部Ｈ２に埋め込まれ、絶縁膜よりも高い屈折率を有する高屈折率材料膜と、第１の凹部Ｈ１の上方に形成され、第１の波長の光を選択的に透過する第１のカラーフィルタ１１３ｒと、第２の凹部Ｈ２の上方に形成され、第１の波長よりも短い第２の波長の光を選択的に透過する第２のカラーフィルタ１１３ｇとを備える。第１の凹部Ｈ１の底面積は、第２の凹部Ｈ２の底面積よりも大きい。 （もっと読む）