【課題】自然で滑らかな動画撮像を可能とする撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】光電変換部３を含む画素部１００を多数有する撮像装置であって、画素部１００は、光電変換部３で発生した電荷を蓄積するための半導体基板上方に設けられたフローティングゲートＦＧを含む書き込みトランジスタＷＴと、フローティングゲートＦＧに蓄積された電荷を引き抜いて消去するための消去ゲートＥＧとを備え、画素部１００の光電変換部３で発生した電荷をフローティングゲートＦＧに蓄積させ、フローティングゲートＦＧに蓄積させた電荷に応じた信号を読み出すことなく、フローティングゲートＦＧに蓄積させた電荷を消去ゲートＥＧに排出するＥＧ排出駆動を行う制御部４０を備える。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減できる半導体基板およびその製造方法、固体撮像装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板は、支持基板７１と、前記支持基板中に設けられ、不純物濃度が１０^１９／ｃｍ^３以上、５×１０^２０／ｃｍ^３以下である不純物導入層７７と、前記不純物導入層上に形成されるエピタキシャル層５５とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ノイズを抑えながら電荷蓄積部内の電荷を消去することが可能な撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】光電変換部３を含む画素部１００を多数有する撮像装置であって、画素部１００は、光電変換部３で発生した電荷を蓄積するための半導体基板上方に設けられたフローティングゲートＦＧを含む書き込みトランジスタＷＴと読み出しトランジスタＲＴを有し、複数の画素部１００からなるグループ毎に、該グループ内の画素部１００の光電変換部３で発生した電荷を該画素部１００内の書き込みドレインＷＤ又は読み出しドレインＲＤに排出する第一の電荷排出駆動を独立に行って、各グループの露光期間の開始タイミングを制御する制御部４０を備える。 （もっと読む）

【課題】ノイズを抑えた高画質撮像が可能な撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】光電変換部３と、光電変換部３で発生した電荷を蓄積するための半導体基板上方に設けられたフローティングゲートＦＧと、光電変換部３で発生した電荷をフローティングゲートＦＧに注入するための書き込みトランジスタＷＴとを有する固体撮像素子１０を備えた撮像装置であって、露光期間中は光電変換部３で発生した電荷のフローティングゲートＦＧへの注入を停止し、露光期間の終了後、露光期間中に光電変換部３で発生した電荷をフローティングゲートＦＧに注入するように書き込みトランジスタＷＴを駆動する制御部４０を備える。 （もっと読む）

【課題】画素の寸法を微細化した場合でも、画素において、光電変換部の受光面積を確保しながら、寄生ＭＯＳトランジスタが動作することを防止する。
【解決手段】光電変換装置は、光電変換部と前記光電変換部により蓄積された信号を読み出すためのトランジスタとをそれぞれ含む複数の画素が配される撮像領域を有した半導体基板を備え、前記撮像領域には、隣接する前記画素の間で複数の前記光電変換部を電気的に分離する第１の素子分離部と、隣接する前記画素の間で複数の前記トランジスタを電気的に分離する第２の素子分離部とが配され、前記第１の素子分離部は、前記第２の素子分離部より平面方向の幅が狭くかつ深さが浅い部分を有する。 （もっと読む）

【課題】ノイズを抑えながら電荷蓄積部内の電荷を消去することが可能な撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】光電変換部３を含む画素部１００を複数有する撮像装置であって、画素部１００は、光電変換部３で発生した電荷を蓄積するための半導体基板上方に設けられたフローティングゲートＦＧを含む書き込みトランジスタＷＴ及び読み出しトランジスタＲＴを有し、フローティングゲートＦＧに蓄積された電荷を、書き込みトランジスタＷＴの書き込みドレインＷＤ及び読み出しトランジスタＲＴの読み出しドレインＲＤに排出する駆動（書き込みドレインＷＤ及び読み出しドレインＲＤの電位をＶｃｃにし、書き込みコントロールゲートＷＧ及び読み出しコントロールゲートＲＧを−Ｖｐｐにする駆動）を行う制御部４０を備える。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像素子にＩＳＰを内蔵すると、周辺回路の回路規模が大きくなるため、固体撮像素子のチップサイズも大きくなってしまう。
【解決手段】 半導体基板の表面に、平坦面と、その平坦面に連続し、平坦面から遠ざかるに従って低くなる少なくとも１つの斜面とが現れている。この半導体基板の平坦面にフォトセンサアレイが形成されている。半導体基板の斜面にトランジスタが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ構造の半導体基板に形成された１チップ化された照度センサの感度のバラツキを抑制する手段を提供する。
【解決手段】シリコン基板と、シリコン基板上に形成された埋込み酸化膜と、埋込み酸化膜上に形成されたシリコン半導体層とを有する半導体基板に形成された照度センサであって、シリコン半導体層に形成された信号処理回路と、シリコン基板に形成された可視光感光素子とを備え、可視光感光素子の受光部上の採光部の周囲のシリコン半導体層に、遮光膜を設ける。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の低背化を実現し、グローバル配線による入射光の多重反射を防止すると共に入射効率を高め且つ混色，シェーディングを回避する。
【解決手段】半導体基板５０の受光部領域に二次元アレイ状に配列形成された複数の感光素子３２と、各感光素子３２の各々に対応して形成され被写体からの受光量に応じて蓄積された該感光素子３２の信号電荷量に対応する撮像画像信号を検出する信号読出回路と、受光部領域の表面に沿う一方向に渡って形成され該方向に沿って設けられている複数の前記信号読出回路に接続される高濃度不純物拡散層で形成された第１種の配線４１，４２を備える。 （もっと読む）

駆動トランジスタのチャネルからの二次電子の発生を抑制して暗電流による画像欠陥の発生を防止することのできる、電圧バッファとしての駆動トランジスタを備えた画像センサが提供される。このトランジスタは、基板上に形成されたゲート電極と、それぞれ該ゲート電極の両側に露出した基板に形成されたソース領域及びドレイン領域と、該ドレイン領域に形成され、かつ該ゲート電極と部分的に重なっている電界減衰領域とを有している。 （もっと読む）

【課題】入射光利用効率を向上させることが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板内に設けられた光電変換部１７と、半導体基板上方に設けられたフローティングゲート１６及び光電変換部１７で発生した電荷をフローティングゲート１６に注入するための制御ゲート１５を含む書き込みトランジスタ１８とを有する固体撮像素子１であって、フローティングゲート１６に注入された電荷に応じた信号を読み出すための読み出しトランジスタ１９を備え、書き込みトランジスタ１８が、光電変換部１７に接続されたソースと制御ゲート１５の２端子構造となっている。 （もっと読む）

【課題】不純物拡散層からなる正孔蓄積層を設けることなく界面準位に起因した暗電流を低減でき、これにより半導体基板の浅い位置にセンサを設けて電荷転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１の表面層に形成された不純物拡散層からなるダイオード（センサ）Ｄと、ダイオードＤ上に設けられた炭素を含有する酸化絶縁膜９Ａとを備えた固体撮像装置１Ａ。酸化絶縁膜１Ａは、金属酸化物を用いて構成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＣＭＯＳ型イメージセンサにおいて、画素のレイアウトが等方的でない場合にも、周辺部の画素に対する入射光の受光感度を向上できるようにする。
【解決手段】たとえば、半導体基板１１の表面部のイメージエリア１１ａ内には、複数のフォトダイオード１３が二次元状に配置されている。複数のフォトダイオード１３は、それぞれ、同一の配列ピッチＰを有して配置されるとともに、右サイドにのみ突出するようにして配線１７が配設されている。また、各フォトダイオード１３上には、透光膜１５を介して、集光性のマイクロレンズ１９が設けられている。マイクロレンズ１９の配列ピッチＬはイメージエリア１１ａ内で一様ではなく、イメージエリア１１ａの右方向の周辺部でのマイクロレンズ１９の配列ピッチＬが、左方向の周辺部でのマイクロレンズ１９の配列ピッチＬよりも小さくなるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、画素部のＭＯＳトランジスタ上で異なる２層のシリサイドブロック膜の一部が重なるように形成して、白傷、暗電流を低減することを可能にする。
【解決手段】半導体基板１１に、光電変換部２１を備えた画素部１２とその周辺に形成された周辺回路部１３を有し、画素部１２のゲート電極３２の側壁にサイドウォール形成膜で形成された第１サイドウォール３３と、周辺回路部１３のゲート電極５２の側壁にサイドウォール形成膜で形成された第２サイドウォール５３と、光電変換部２１上および画素部１２のＭＯＳトランジスタ３０の一部上にサイドウォール形成膜で形成された第１シリサイドブロック膜７１と、画素部１２のＭＯＳトランジスタ３０上に、第１シリサイドブロック膜７１の一部上に重なる第２シリサイドブロック膜７２を有し、第１、第２シリサイドブロック膜７１、７２で画素部１２のＭＯＳトランジスタ３０上が被覆されている。 （もっと読む）

【課題】受光量に十分に対応（ばらつきの少ない線形又は非線形）したデータを不揮発性メモリセルから読み出すことができる固体撮像装置を実現すること。
【解決手段】入射光を受け信号電荷を発生させる受光素子と、一端が受光素子に接続され、他端が検出ノードに接続された第１のトランジスタと、一端が検出ノードに接続された第２のトランジスタと、検出ノードに制御ゲート又は一端が接続された電荷蓄積層を有するメモリセルトランジスタと、を具備することを特徴とする固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】ＦＧを有する固体撮像素子であって、高速連写や滑らかな動画撮像を行うことが可能な固体撮像素子を低コストで提供する。
【解決手段】光電変換部１７と、光電変換部１７で発生した電荷を蓄積するためのフローティングゲート（ＦＧ）１６を含むトランジスタ１３とを有する固体撮像素子１０であって、フローティングゲート１６に蓄積された電荷を引き抜いて消去するための電荷消去用電極（ＥＧ）１５を備える。 （もっと読む）

【課題】周辺回路部のＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜に酸窒化膜を適用して動作速度を向上させ、光電変換部の性能劣化を抑制することを可能にする。
【解決手段】半導体基板１１に、入射光を光電変換して電気信号を得る光電変換部２１を備えた画素部１２と前記画素部１２の周辺に形成された周辺回路部１３を有し、前記周辺回路部１３のＭＯＳトランジスタ５０のゲート絶縁膜５１は酸窒化膜からなり、前記画素部１２のＭＯＳトランジスタ３０のゲート絶縁膜３１は酸窒化膜からなり、前記画素部１２の光電変換部１２の直上に酸化膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＦＧへの電荷注入効率の向上や、ＦＧに蓄積された電荷に応じた信号の検出感度の向上が可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換膜２１と、半導体基板１上方に設けられたフローティングゲート（ＦＧ）１４と、ＦＧ１４に該電荷を蓄積させるための書き込みトランジスタ１７と、ＦＧ１４に蓄積された電荷に応じた信号を読み出すための読み出しトランジスタ１８とを有する固体撮像素子であって、書き込みトランジスタ１７のゲート電極１５とＦＧ１４との距離ｄ１が、読み出しトランジスタ１８のゲート電極１６とＦＧ１４との距離ｄ２よりも短くなっている。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ固体撮像素子において、受光領域への入射光の斜め入射によりシェーディング特性が色成分毎に変化する課題を解決する。
【解決手段】ＣＭＯＳ固体撮像素子は、受光領域を画成されたシリコン基板と、前記受光領域中に配列され、それぞれ画素を構成する複数の受光素子と、を含み、前記複数の受光素子の各々は、前記シリコン基板中に形成され、フォトダイオードを構成する拡散領域を含み、前記シリコン基板の表面から測った前記拡散領域の深さが、前記受光領域の中心部の画素で最小であり、前記受光領域の周辺部の画素において、前記中心部の画素よりも増大していることを特徴とする。 （もっと読む）

ＣＭＯＳ画像センサで生じる暗電流およびクロストークを抑制するための空隙を有する浅型トレンチ分離構造が開示されている。該浅型トレンチ分離構造は、隣接画素から注入された光子と、暗電流とを抑制するため、高品質な画像が取得される。該空隙を形成するために内壁酸化層がエッチングされる時に、不純物が、フォトダイオード用のｐ型イオン注入領域から除去されるため、該ｐ型イオン注入領域は均一なドーピングプロファイルを有し、表面への電子の拡散を抑制して、高品質な画像を達成することができる。
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