【課題】固体撮像素子の信号出力部およびバイアス電圧発生回路を構成するＭＯＳトランジスタにおいてホットエレクトロンによる発光現象が発生し、それによりシェーディングと呼ばれる画像劣化が引き起こされる。シェーディングによる画像劣化を抑制して高画質を実現するために、ホットエレクトロンによる発光現象を抑制することが求められている。
【解決手段】固体撮像素子の周辺回路における信号出力部およびバイアス電圧発生回路を構成するＭＯＳトランジスタの半導体表面に形成された絶縁膜のうちゲート電極で覆われた部分であるゲート絶縁膜について、ドレイン側端部を含む一部の膜厚を、それ以外の部分における膜厚よりも厚膜化することにより、ドレインジャンクション部分の電界を緩和し、ホットエレクトロンによる発光現象を抑制して、シェーディングによる画像劣化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、感度ムラや、シェーディングが抑制された固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】基板１９と、基板１９に形成された画素２と、隣接する画素間を分離する多段素子分離層３１とを有して構成されている。画素２は、入射光に応じた信号電荷を生成、蓄積する受光部１２と、基板１９上に形成された画素電極１４とを有して構成されている。多段素子分離層３１は、複数段の不純物拡散層を有して構成されている。そして、受光部１２を挟んで画素電極１４に対向する領域の基板表面から深さ方向に形成された多段素子分離領域３１は、基板１９の光入射面から０．５μｍ〜１μｍよりも深い領域において、受光部１２から所定の距離Ｗ１だけ離して形成された下段素子分離層２４，２５を有している。 （もっと読む）

【課題】セルフアラインでチャネル領域が形成されたことにより特性の良好な縦型のトランジスタを備えた固体撮像素子を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板３に設けた孔部１３の内壁に成長させた半導体層からなるチャネル領域１５と、チャネル領域１５を覆うゲート絶縁膜１７と、ゲート絶縁膜１７を介して孔部１３内に設けられた読出ゲート電極１９ｔｇと、半導体基板３に設けられ読出ゲート電極１９ｔｇのオンオフによって電荷が読み出されるフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２とを有する固体撮像素子１。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、画素セルが微細化されても取り扱い信号電荷量を確保する。
【解決手段】光電変換部を有する複数の画素４２が配列された画素領域を備える。
光電変換部は、半導体基板４３の表面側の第１導電型半導体領域６１と、半導体基板４３の内部側の第２導電型電荷蓄積領域６３と、両領域６１及び６３との間に挟まれた真性半導体領域６２、又は第２導電型電荷蓄積領域６３より低不純物濃度のｐ型半導体領域とを有する。 （もっと読む）

【課題】微細な画素ピッチであってもリーク電流や暗電流をなくすことができる撮像素子を提供する。
【解決手段】フォトダイオ−ドＰＤ及びカラーフィルタＣＦを含む複数の画素がシリコン基板１０に配置された撮像素子において、シリコン基板１０の厚さ方向の表面位置が隣接する画素間で異なるようにした。 （もっと読む）

【課題】暗電流および白キズの発生をともに抑制することができる固体撮像装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】フォトダイオード１０１は、ｎ型の電荷蓄積層１１５と、ｐ型の表面層１１６とが、ｐ型ウェル領域１１２の厚み方向の内側から表面側に向けて順に積層された構成を有する。転送トランジスタは、その転送ゲート電極１２０が、フォトダイオード１０１における表面層１１６の一部と重なりを以って、ｐ型ウェル領域１１２の表面上にゲート絶縁膜１１９を介した状態で形成されている。表面層１１６は、Ｘ軸方向において、転送ゲート電極１２０と重なる部分を含み形成された第１表面層１１８と、転送ゲート電極１２０と重なりを有さず、且つ、第１表面層１１８に隣接する第２表面層１１７とを含んでなり、第２表面層１１７におけるｐ型の不純物濃度が、第１表面層１１８におけるｐ型の不純物濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードから浮遊不純物拡散領域への電荷転送を効率良く行うことができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】フォトダイオードＰＤで発生した電荷を浮遊不純物拡散領域２２に転送する転送トランジスタＴＲ_TGと、第１電圧ＶＲ₁が印加される電源線ＶＲと、浮遊不純物拡散領域２２の電圧を第１電圧ＶＲ₁にリセットするリセットトランジスタＴＲ_RSTと、信号線ＣＬと、ドレインが電源線ＶＲに接続された選択トランジスタＴＲ_SELと、ドレインが選択トランジスタＴＲ_SELのソースに接続され、ソースが信号線ＣＬに接続されて、ゲートが浮遊不純物拡散領域２２に接続された検出トランジスタＴＲ_SFと、第２電圧ＶＲ₂、及び第２電圧ＶＲ₂よりも電圧の高い第３電圧ＶＲ₃を信号線ＣＬに選択的に出力する電圧供給回路９３とを有する固体撮像装置による。 （もっと読む）

【課題】シンプルな駆動方法によりダイナミックレンジを拡大させることが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】画素部１００を複数有する固体撮像素子１０であって、画素部１０は、光電変換部３と、光電変換部３で発生した電荷を蓄積可能な不揮発性メモリトランジスタＭＴ１，ＭＴ２を有し、光電変換部３をリセットした後、不揮発性メモリトランジスタＭＴ１のゲート電極ＣＧ１に第一の電圧を印加し、不揮発性メモリトランジスタＭＴ２のゲート電極ＣＧ２に第一の電圧とは異なる大きさの第二の電圧を印加して光電変換部３で発生した電荷をフローティングゲートＦＧ１，ＦＧ２に蓄積する制御部４０と、フローティングゲートＦＧ１，ＦＧ２に電荷が蓄積された後に、フローティングゲートＦＧ１に蓄積された電荷に応じた第一の撮像信号と、フローティングゲートＦＧ２に蓄積された電荷に応じた第二の撮像信号とを読み出す読み出し回路２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】シンプルな駆動方法によりダイナミックレンジを拡大させることが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】画素部１００を複数有する固体撮像素子１０であって、画素部１００は、光電変換部３と、光電変換部３で発生した電荷を蓄積可能な不揮発性メモリトランジスタＭＴ１，ＭＴ２とを有し、光電変換部３をリセットした後、第一の露光期間中に光電変換部３で発生した電荷を不揮発性メモリトランジスタＭＴ１に蓄積し、第一の露光期間終了後に開始され且つ第一の露光期間と長さの異なる第二の露光期間中に光電変換部３で発生した電荷を不揮発性メモリトランジスタＭＴ２に蓄積する制御部４０と、不揮発性メモリトランジスタＭＴ１及び不揮発性メモリトランジスタＭＴ２に電荷を蓄積した後に、不揮発性メモリトランジスタＭＴ１に蓄積された電荷に応じた第一の撮像信号と、不揮発性メモリトランジスタＭＴ２に蓄積された電荷に応じた第二の撮像信号とを読み出す読み出し回路２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ノイズの混入を抑制することができる受発光素子及びその製造方法、並びにその受発光素子を備える光センサ装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る受発光素子１は、半導体基板３と、半導体基板３の一方の主面３ａに設けられた発光ダイオード５と、半導体基板３の前記一方の主面３ａに、発光ダイオード５と離間して設けられたフォトダイオード７と、を備えている。半導体基板３の一方の主面３ａにおいて発光ダイオード５とフォトダイオード７との間の位置には溝１９が形成されている。フォトダイオード７は、半導体基板３の一方の主面３ａにＰ型不純物を拡散して形成されたＰ型半導体領域７ｐと、Ｐ型半導体領域７ｐと離間して配置され、半導体基板３の前記一方の主面３ａにＮ型不純物を拡散して形成されたＮ型半導体領域７ｎとを有している。Ｐ型半導体領域７ｐ及びＮ型半導体領域７ｎの不純物濃度は、半導体基板３の不純物濃度より高くなっている。 （もっと読む）

【課題】汎用性に優れた固体撮像素子を提供する。
【解決手段】画素部１００を複数有する固体撮像素子１０であって、画素部１０は、光電変換部３と、光電変換部３で発生した電荷を各々蓄積可能な複数の電荷蓄積部（不揮発性メモリトランジスタＭＴ１，２）とを有し、不揮発性メモリトランジスタＭＴ１は、フローティングゲートＦＧ１とゲート電極（コントロールゲートＣＧ１）を有し、不揮発性メモリトランジスタＭＴ２は、フローティングゲートＦＧ２とゲート電極（コントロールゲートＣＧ２）を有する。コントロールゲートＣＧ１とコントロールゲートＣＧ２は独立して駆動可能となっており、光電変換部３で発生した電荷をフローティングゲートＦＧ１とフローティングゲートＦＧ２に選択的に蓄積可能となっている。 （もっと読む）

【課題】受光素子と回路素子領域との素子分離領域でのリーク電流の低減を図ること。
【解決手段】本発明は、半導体基板に形成されるフォトダイオードＰＤと、半導体基板のフォトダイオードＰＤに隣接して形成されるトランジスタ（回路素子領域）と、半導体基板におけるフォトダイオードＰＤとトランジスタ（回路素子領域）との間に形成され、中央に関して一方側より他方側が深く形成されている素子分離部ＩＳＬとを有する固体撮像装置である。また、この固体撮像装置を備えた電子機器でもある。 （もっと読む）

【課題】画素アレイの光学特性とロジック回路の演算特性との両方を容易に満足させることのできるＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】上面にＰ型エピタキシャル層２１２を有する半導体基板２１０と、複数のトランジスタＴｘ、Ｒｘ、Ｄｘ、Ｓｘ及び活性領域ＢＰＤ、ＦＤ、２２０、２１４を備え、半導体基板２１０の第１領域に形成された画素アレイ領域２０１と、画素アレイ領域２０１におけるトランジスタＴｘ、Ｒｘ、Ｄｘ、Ｓｘのゲート絶縁膜２３４より薄いゲート絶縁膜２３４Ｂを有するトランジスタ２５０、２５２及び活性領域２２２、２２４を備え、半導体基板２１０の別の所定領域に形成されたロジック回路領域２０２とを有する。 （もっと読む）

【課題】遮光画素における暗電流と有効画素における暗電流との差異を低減する。
【解決手段】有効領域ＥＲに前記複数の有効画素における複数の第１の光電変換部１１ａが配され、遮光領域ＳＲに前記複数の遮光画素における複数の第２の光電変換部１１ｂが配された半導体基板と、半導体基板の上方に配され、前記遮光領域における前記複数の第２の光電変換部の上方に複数の穴を有する絶縁膜１１０と、前記絶縁膜の上面と前記複数の穴の側面及び底面とを覆っているバリア層１１１と、前記複数の穴に充填された複数の充填部材２０１と、前記バリア層の上に配され、前記遮光領域における前記複数の第２の光電変換部を遮光する遮光層１１２とを備え、前記バリア層は、前記遮光層よりも水素吸蔵能力が高い材料で形成されており、前記バリア層における前記複数の穴の底面に配された第１の部分は、前記バリア層における前記複数の穴の外側に配された第２の部分より薄い。 （もっと読む）

【課題】光電変換蓄積部からの信号電荷を電荷検出部へ完全に電荷転送することができて、ノイズや残像をより抑制した高画質な画像を得ると共に白キズを防止する。
【解決手段】フォトダイオード表面の表面Ｐ＋ピンニング層７と、転送ゲート電極１０下の表面Ｐ−領域１２に加えて、これらの間で光電変換蓄積部４のオーバーラップ領域上に表面Ｐ−領域１１を形成することにより、このオーバーラップ領域表面の表面Ｐ−領域１１から表面Ｐ−領域１２を介してドレイン領域に向かう電界を形成している。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置を微細化しても、混色やブルーミングの発生のない、高解像度及び高感度な固体撮像装置を提供することにある。
【解決手段】アレイ状に配列された画素部１０は、光電変換部１１、浮遊拡散層１２に電荷を転送する転送トランジスタ１３、及び転送された電荷を出力線に出力する増幅トランジスタ１４を備え、隣接する光電変換部１１間、及び光電変換部１１と増幅トランジスタ１４間は、絶縁分離部２２で分離されている。絶縁分離部２２は、光電変換部１１間に増幅トランジスタ１４が配置されていない第１の領域Ａと、増幅トランジスタ１４が配置されている第２の領域Ｂとを有し、絶縁分離部２２の下方には、第１の分離拡散層２３と第２の分離拡散層２４とが形成されており、第１の領域Ａにおいて、第２の分離拡散層２４の幅は、第１の分離拡散層２３の幅よりも広い。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生によるノイズ電流の影響を抑制し、長波長領域の光に対する感度の向上を実現する固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、第１の材料からなる半導体基板上に形成された光電変換素子２０６を含む画素を複数備える。光電変換素子２０６は、第１の材料からなり、凹部または凸部を有する第１の半導体部分と、第１の半導体部分の凹部上または凸部上に三次元状に積層され、第１の材料よりもバンドギャップエネルギーが小さい第２の材料で構成され、第１の半導体部分と同じ導電型の第２の半導体部分とを有している。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードから浮遊不純物拡散領域への電荷転送を効率良く行うことができる固体撮像装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の上に第１絶縁膜５を形成する工程と、第１絶縁膜５上に、転送ゲート１２と、リセットトランジスタのゲート電極９とを間隔をおいて形成する工程と、転送ゲート１２の第１側面１２ａと、その第１側面１２ａに対向するゲート電極９の第２側面９ａとが露出する第１窓２１ａを備えた第１レジストパターン２１を半導体基板１の上方に形成する工程と、第１窓２１ａを通じて半導体基板１の表層に不純物を導入することにより、転送ゲート１２とゲート電極９との間の半導体基板１の表層に浮遊不純物拡散領域２２を形成する工程と、浮遊不純物拡散領域２２に不純物を導入することにより高濃度領域２２ａを形成する工程とを有する固体撮像装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＤ固体撮像装置において、ホットキャリア現象に起因する発光光が画素領域へ到達するのを抑制し、画質の向上を図る。
【解決手段】画素領域２２と出力回路部２５との間の半導体基板３１に、出力回路２５を構成するトランジスタ２６において発生するホットキャリア発光３７の光電変換部（ＰＤ）への進入を阻止する阻止部４２を有する。 （もっと読む）

【課題】 光電変換素子同士の間隔が異なる場合、隣接する光電変換素子へ混入する電荷量にばらつきが生じてしまう。
【解決手段】 本発明の光電変換装置は、第１〜第３の光電変換素子を含む複数の光電変換素子を有し、第１の光電変換素子と第２の光電変換素子との間に、第１の幅の、電荷が少数キャリアとなる第１導電型の第１の半導体領域を有する。そして、第１の光電変換素子と第３の光電変換素子との間に、第１の幅より狭い第２の幅の、第１の半導体領域よりも半導体基板に深い、あるいは不純物濃度が高い第１導電型の第２の半導体領域を有する。 （もっと読む）