【課題】製造工程も簡易で、信号読み出しも容易であり、素子分離部により素子分離を確実に行い、素子分離部から発生する暗電流を抑制しつつ、Ｎ型フォトダイオードの飽和蓄積電子数を増加させる。
【解決手段】光電変換素子部３と信号走査回路部４とを分離するトレンチ分離部５の深さが、周辺回路形成領域７で素子間を分離するトレンチ分離部７ｃの深さの１／８〜１／２として、画素形成領域６のトレンチ分離部５の深さを浅くする。これによって、トレンチ分離部５の幅の縮小が可能となる。トレンチ分離部５が従来のように基板表面から突出していない。しかも、光電変換素子部３の不純物濃度が最大となるＮ型電荷蓄積領域の深さがトレンチ分離部５の深さよりも浅く構成されている。 （もっと読む）

【課題】少なくとも暗電流の抑制を図ることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】基板の第１面側に配線層を有し、基板の第２面側から光を受光する固体撮像装置であって、基板に形成された受光部と、基板の第２面側に形成された第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の前記基板と反対側の面に形成された第２の絶縁膜とを備える。第１の絶縁膜は、ハフニウム、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、チタン、イットリウム、及び、ランタノイドから選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む酸化物絶縁膜からなる。 （もっと読む）

【課題】裏面入射型の固体撮像素子の製造工程を簡略化する。
【解決手段】固体撮像素子の製造方法は、互いに反対側の面である第１面および第２面を有する半導体基板に対して前記第１面の側からイオンを注入することによって前記半導体基板に光電変換部を形成する第１注入工程と、前記半導体基板に対して前記第１面の側からイオンを注入することにより、第１不純物半導体領域および第２不純物半導体領域を含む混在領域を前記半導体基板に形成する第２注入工程と、前記半導体基板を前記第２面の側から薄化して前記混在領域を露出させる薄化工程と、前記第１不純物半導体領域のエッチングレートと前記第２不純物半導体領域のエッチングレートとが異なるエッチャントを用いて前記混在領域をエッチングすることによって前記混在領域に段差を有するマークを形成するエッチング工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】開口率を低下させることなく広ダイナミックレンジを実現することができ、高照度下においても撮像可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２０の表面に形成された画素部が二次元状に配列された撮像領域２Ａを有する固体撮像装置であって、撮像領域２Ａは、２行２列の画素部からなる画素ブロックを配列単位として構成され、当該画素ブロックは赤色信号を検出する赤色画素１１Ｒと、青色信号を検出する青色画素１１Ｂと、第１の輝度信号を検出する白色画素１１Ｗ１と、第２の輝度信号を検出する白色画素１１Ｗ２とで構成されており、白色画素１１Ｗ２の受光面上部には、可視光線領域の光透過率を低減させる光減衰フィルタが設けられている。 （もっと読む）

【課題】混色及び白傷の少ない画像取得可能な固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の基板１０１と、前記基板内に格子状に形成された素子分離絶縁膜１２１とを備える。更に、前記装置は前記素子分離絶縁膜により互いに分離された第１導電型の複数の第１半導体領域１１１，１１２，１１３と、前記基板内において前記素子分離絶縁膜上に格子状に形成され、画素分離領域として機能する第１導電型の第２半導体領域１１５とを備える。更に、前記装置は前記基板内において前記第２半導体領域の側方に形成され、前記第２半導体領域により互いに分離され、電荷蓄積領域として機能する第２導電型の複数の第３半導体領域１１４と、前記基板内において前記第２及び第３半導体領域上に形成された第１導電型の第４半導体領域１１６とを備える。更に、前記装置では前記素子分離絶縁膜は、前記第１及び第２半導体領域により側壁面が覆われている。 （もっと読む）

【課題】従来の裏面入射型の固体撮像装置においては、撮像面である裏面と反対側の面（表面）から、受光部が設けられた半導体基板内に迷光が入り込む可能性がある。
【解決手段】固体撮像装置１は、半導体基板１０、受光部１４、および遮光膜２０を備えている。固体撮像装置１は、裏面入射型であり、半導体基板１０の裏面Ｓ２に入射した被撮像体からの光を半導体基板１０の内部で光電変換し、その光電変換により発生した電荷を受光部１４で受けて当該被撮像体を撮像する。受光部１４は、半導体基板１０と共にＰＮ接合ダイオードを構成している。半導体基板１０の表面Ｓ１側には、受光部１４を覆うように遮光膜２０が設けられている。この遮光膜２０は、固体撮像装置１の外部から上記表面Ｓ１に入射しようとする光を遮るものである。 （もっと読む）

【課題】メタル汚染を防ぐことができる半導体装置の製造方法を得ること。
【解決手段】第１の基板の表面、裏面および側面上に絶縁膜を形成する。つぎに、前記第１の基板の表面側の前記絶縁膜を除去し、前記絶縁膜が除去された前記第１の基板の表面上に接着層を形成する。そして、前記接着層を介して前記第１の基板を、第２の基板と貼り合わせる。 （もっと読む）

【課題】画素領域中央部での電圧降下を抑制することができる固体撮像装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の画素部１００が二次元配置されてなる画素領域６１を有する固体撮像装置１であって、半導体基板５と、半導体基板５上に形成された層間絶縁膜２０〜２２と、層間絶縁膜２０〜２２上に形成された下部電極４０と、下部電極４０上に形成された光電変換膜４１と、光電変換膜４１上に形成された透光性を有する上部電極４２と、を有し、上部電極４２は画素領域６１全体に拡がっており、上部電極４２における少なくとも一部には、隣接する画素部１００の間を通り、上部電極４２を構成する材料よりも電気抵抗率が小さい材料からなる金属配線４５が積層されていることを特徴とする固体撮像装置１とする。 （もっと読む）

【課題】さらなる高性能化を実現する。
【解決手段】固体撮像素子２１は、受光した光を電荷に変換する光電変換素子が平面的に配置されたフォトダイオード層２５と、フォトダイオード層２５の上面に配置される導体構造体層２４とを備える。導体構造体層２４は、フォトダイオード層２５の受光面と平行な平面内で所定の周期間隔の微細加工が施されて形成された微小導体粒子であるアイランド２８を有する微小粒子層２９が複数積層されて形成されている。本発明は、例えば、デジタルスチルカメラに適用できる。 （もっと読む）

【課題】暗電流や残像の発生を抑制することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板１０１をベースに、複数の撮像画素１００が形成されてなり、各撮像画素１００は、入射光を光電変換して信号電荷を生成する光導電膜１２６と、半導体基板１０１内に形成され、光導電膜１２６で生成された電荷を蓄積する蓄積ダイオード１０４と、を有する。そして、固体撮像装置において、蓄積ダイオード１０４に対しては、接続電極１１０との接続部分を除く部分を覆うようにピニング層１０７が形成されている。ピニング層１０７は、ｎ^＋層である蓄積ダイオード１０４とは反対の導電型であるｐ^＋層であって、電荷の表面再結合を抑制する役割を果たす。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上した撮像素子、撮像モジュール及び撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の撮像素子は、基板と、光検出部と、回路部と、貫通配線と、を備える。基板は、凹部及び貫通孔を有する。凹部は基板の第１主面に設けられる。凹部は、第１主面とは反対の第２主面の方向に後退して設けられる。貫通孔は第１主面と第２主面とに連通し第１主面から第２主面に向かう第１方向に延在する。光検出部は、凹部の上で基板と離間して設けられる。回路部は、光検出部と導通し、第１主面の上に設けられる。
貫通配線は、回路部と導通し貫通孔の内部に設けられる。凹部は、第１主面に対して傾斜する第１傾斜面を有する。貫通孔は、第１傾斜面に平行な第２傾斜面を有する。 （もっと読む）

【課題】素子分離領域のパターンと不純物注入の角度を最適化し、イオン注入量を注入場所に応じて制御することにより、画素の読み出し特性を改善しかつ暗電流を抑制する。
【解決手段】受光部２の周囲の素子分離領域、電荷転送トランジスタ素子３の読み出し領域の素子分離領域および電荷電圧変換部としてのフローティング領域４の周囲の素子分離領域に応じて、受光部２とは逆極性の不純物層の不純物濃度を変えている。例えば、受光部２の周囲の素子分離領域の不純物濃度を濃く、電荷転送トランジスタ３の読み出し領域の活性層における素子分離領域の不純物濃度を薄くするようにイオン注入方向を、Ｘ軸方向およびＹ軸方向から所定角度（ここでは４５度）で傾き、かつ互いの角度が直角である４方向（図１の矢印（１）〜（４））のイオン注入方向に調整する。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型の固体撮像装置において、白点、暗電流の発生及び混色を抑制し、感度の向上を図る。
【解決手段】光電変換部ＰＤと複数の画素トランジスタからなる画素３８が２次元配列された画素領域と、画素領域内に形成され、トレンチ４２内にエピタキシャル成長による半導体層４３が埋め込まれて構成された画素間を分離する素子分離領域４１を有する。さらに、多層配線層３３とは反対の半導体基板裏面２２ｂ側の受光面を有し、裏面照射型として構成される。 （もっと読む）

【課題】画素間のクロストークが小さく、優れた量子効率を持つＣＭＯＳ撮像装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＯＳ撮像装置のための光検出器アレイまたは画素アレイを製造する方法であって、複数の高アスペクト比のトレンチを基板の正面側に形成するステップと、複数のフォトダイオードを基板の正面側に形成し、複数のフォトダイオードの各々が基板の正面に対して平行な面内で高アスペクト比のトレンチによって囲まれるようにするステップとを含む。トレンチをクリーニングするため、酸化物層を複数のトレンチの内壁に形成し、そして複数のトレンチの内壁から酸化物層を除去する。トレンチは高ドープ材料で充填し、基板は裏面から薄型化する。このクリーニングは、側壁を通過する拡散を制限し、トレンチ側壁での不要な電荷キャリア再結合を生じさせ、画素間のクロストークをもたらす欠陥、残留物、不純物をトレンチ側壁から除去する。 （もっと読む）

【課題】集光特性の向上が図られ、フレアやスミア等の光学的雑音が抑制された裏面照射型の固体撮像素子及びその製造方法を提供する。また、その固体撮像素子を用いた固体撮像装置、撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の素子分離領域に、半導体基板の裏面側から１００ｎｍ〜３００ｎｍの線幅の第１の溝部６１が形成され、第１の溝部６１には酸化ハフニウム膜６２を介して二酸化シリコン６３が埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】画像の劣化を抑制する。
【解決手段】裏面照射型固体撮像装置は、半導体層３６と、前記半導体層内に形成され、前記半導体層の裏面側から照射された光を信号変換して電荷を蓄積する複数の受光部ＰＤと、前記半導体層の表面上に形成され、前記複数の受光部に蓄積された電荷を読み出す複数の回路部３３と、を備える裏面照射型固体撮像装置であって、前記半導体層内の前記裏面から前記表面まで達するように形成され、隣接する２つの前記受光部を分離する不純物分離層３４と、前記不純物分離層内の前記裏面側の一部に、前記裏面から前記表面に向かって形成された遮光膜３５と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 隙間のない接合面を有する固体撮像装置用の基板および製造方法を提供する。
【解決手段】 光電変換素子が主面に配された第１基板と第１配線構造とを準備する工程と、周辺回路の一部が主面に配された第２基板と第２配線構造とを準備する工程と、第１基板、第１配線構造、第２配線構造、第２基板とがこの順に配置されるように接合する工程と、を有する。そして、少なくとも第１配線構造の上面あるいは第２配線構造の上面のいずれかに凹部が配置され、凹部の底面は導電体が配されている。 （もっと読む）

【課題】周辺論理回路領域を微細化し、かつ画素特性の劣化を防止する固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態によれば、固体撮像装置の製造方法は、複数の単位画素領域を有する撮像領域と、撮像領域の周辺に設けられた周辺論理回路領域とを備える固体撮像装置の製造方法である。この方法は、半導体基板上に第１膜厚の電極膜及びブロック膜を形成する工程と、単位画素領域のトランジスタのゲート電極に対応した第１レジストパターンをマスクとして前記ブロック膜を除去し、前記電極膜を薄くする工程と、周辺論理回路領域のトランジスタのゲート電極に対応した第２レジストパターン及び前記ブロック膜をマスクとして前記電極膜を除去する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電気的容量結合による単位画素セル間の信号混合を抑えることが可能な積層型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】単位画素セル１３を備える固体撮像装置であって、単位画素セル１３は、シリコン基板１上に形成された光電変換膜６及び画素電極５と、シリコン基板１内に形成され、画素電極５と結線されたゲート電極３を有し、画素電極５の電位に応じた信号電圧を出力する増幅トランジスタ１０と、シリコン基板１内に形成され、増幅トランジスタ１０のゲート電極３の電位をリセットするリセットトランジスタ１１とを有し、固体撮像装置は、単位画素セル１３の列に対応して設けられ、対応する列の単位画素セル１３の信号電圧を伝達する垂直信号線１７と、垂直信号線１７に信号電圧を出力させる単位画素セル１３の行を選択する垂直走査部１５とを備え、垂直信号線１７はそれに対応する単位画素セル１３の画素電極５の下方に位置する。 （もっと読む）

【課題】 暗電流やリーク電流の発生を抑制することが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 固体撮像装置は、光電変換素子が主面に配された第１基板と、導電体を含む第１の接合部を有する第１配線構造と、周辺回路の一部が主面に配された第２基板と、導電体を含む第２の接合部を有する第２配線構造と、を有する。そして、第１基板と、第１配線構造と、第２配線構造と、第２基板とがこの順に配置されるように第１の接合部及び第２の接合部とが接合されている。そして、第１の接合部の導電体と、第２の接合部の導電体とは、導電体に対する拡散防止膜で囲まれている。 （もっと読む）