【課題】感度低下の抑制に加え、空乏化の抑制、暗時出力のバラつき抑制、及び画素信号の変動による素子変化の抑制が可能な固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】第１半導体層２４内で生成された電子を蓄積する第１蓄積部２１と、電気的に浮遊状態の第２拡散層２３と、第１読出電極２２と、を含む第１受光層と、第２半導体層７１を備え、前記第２半導体層上に設けられ、回路を含む回路層７０と、前記第２半導体層を貫通しつつ、前記第１読出電極または前記第２拡散層と前記回路とを接続する第１電極ＣＰ２とを具備し、前記第１電極は、前記第２半導体層内において順に内部絶縁膜１００、外部導電膜１０１、及び外部絶縁膜１０２によって被膜され、且つこの外部導電膜の電位は一定である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、リセットトランジスタまたは増幅トランジスタと光電変換部とを分離するための素子分離領域で発生する暗電流によるノイズを低減するとともに、画素の微細化に有利な固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１画素領域には光電変換部、ＦＤ、及び転送トランジスタが画素を単位として行列状に配される。第２画素領域には増幅トランジスタ、及びリセットトランジスタが配される。第１画素領域には第１素子分離部が配され、第２画素領域には第２素子分離部が配される。第１素子分離部において絶縁膜が半導体基板内部に突出する量が、第２素子分離部において絶縁膜が半導体基板内部に突出する量に比べて小さい。配線が配された第１主面側とは反対の第２主面側から、光電変換部に光が入射する。 （もっと読む）

【課題】製造コストの上昇を抑えながらも、色間で受光部に到達する入射光の強度を均一に近づけることが可能な固体撮像装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】カラーフィルター２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂと、入射光を光電変換する受光部２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂと、その上方に色毎に形成された第１絶縁膜１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂと、第１絶縁膜１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂと屈折率が異なる第２絶縁膜１４と、半導体基板６上における受光部２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂが設けられていない領域３に形成され、ゲート絶縁膜１７ｒ、１７ｇ、１７ｂの膜厚が異なる複数のトランジスタ１６ｒ、１６ｇ、１６ｂとを備える固体撮像装置であって、第１絶縁膜１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂの膜厚が色毎に異なるとともに、第１絶縁膜１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂの膜厚がゲート絶縁膜１７ｒ、１７ｇ、１７ｂの膜厚の何れかと１対１対応の関係で一致している。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置における層間絶縁膜の表面を平坦化するために有利な技術を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、複数の画素が配置された画素アレイ領域と、前記アレイ領域の外側に配置された周辺回路領域とを有する。前記画素は、光電変換素子と、前記光電変換素子で発生した電荷を電荷電圧変換部に転送するチャネルを形成する転送ゲート電極とを含む。前記固体撮像装置は、前記光電変換素子の上面、前記転送ゲート電極の上面の少なくとも一部、および、前記転送ゲート電極の側面を覆うように配置された第１絶縁膜と、前記周辺回路領域に配置されたＭＯＳトランジスタのゲート電極の上に配置された第２絶縁膜と、前記ゲート電極の側面に形成されたサイドウォールと、前記第１絶縁膜、前記第２絶縁膜および前記サイドウォールを覆うように前記第１絶縁膜、前記第２絶縁膜および前記サイドウォールに接して配置された層間絶縁膜とを備える。前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜とが同一の材料で構成される。 （もっと読む）

【課題】残像が抑制され、画素の微細化が可能なグローバル電子シャッタを有するＭＯＳ型の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】２次元状に配列された複数の画素部１００を備える固体撮像素子であって、画素部１００は、半導体基板１と、入射光を光電変換して信号電荷に変換するＰＤ３と、ＰＤ３の隣に形成されるＳＤ４と、ＳＤ４の隣に形成されるＦＤ５と、ＦＤ５の隣に形成されるリセットドレイン９と、ＰＤ３とＳＤ４との間に形成され、信号電荷をＰＤ３からＳＤ４に転送する第１の転送ゲート６と、ＳＤ４とＦＤ５との間に形成され、信号電荷をＳＤ４からＦＤ５に転送する第２の転送ゲート７と、ＦＤ５とリセットドレイン９との間に形成され、ＦＤ５の電荷を排出する第１のリセットゲート８とを備え、ＳＤ４は、第２のリセットゲート１３を備えたリセットトランジスタのソースに接続されている。 （もっと読む）

【課題】素子を分離するための素子分離部による不具合の発生確率を低減する。
【解決手段】フォトダイオード３１０が内部に形成された半導体基板５００と、素子分離部４２０とを備える。素子分離部４２０は、該素子分離部４２０の少なくとも一部が、半導体基板５００に形成された溝４１０の内部に充填されるように形成される。素子分離部４２０は、溝４１０の内部の下方に形成されたシリコン酸化膜４２１と、溝４１０の内部の上方に形成されたシリコン酸化膜４２２とから構成される。シリコン酸化膜４２１の密度は、シリコン酸化膜４２２の密度より小さい。 （もっと読む）

【課題】画素セルの微細化に伴う感度低下を抑制することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体層１と、半導体層１に設けられた、第２導電型の不純物領域からなる電荷蓄積領域７とを備える。電荷蓄積領域７に蓄積された信号電荷が転送される、第２導電型の不純物領域からなる検出部８が、電荷蓄積領域７に対応して、電荷蓄積領域７と間隔をおいて半導体層１に設けられている。さらに、半導体層１の表面には、電荷蓄積領域７と重なる状態で絶縁膜４を介して設けられ、当該重なり部分の少なくとも一部が、可視光に対して透過性を有する透明導電体からなる転送ゲート電極５を備える。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、ＭＥＭＳ素子を固体撮像装置と同一のチップ上に設けて装置の実装面積を縮小して装置の小型化を実現する。
【解決手段】画素ごとに区分されたフォトダイオードがマトリクス状に配置された受光面を有する固体撮像素子部（Ｒ５）を有するデバイス基板１０上に、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子（１６ａ，１６ｂ，１７ａ，１７ｂ，ＤＦ）を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、且つ焦点検出用の画素を撮像画素としても兼用可能な固体撮像素子、およびこれを用いた撮影装置を提供する。
【解決手段】撮影装置２のＣＣＤ１１は、素子構造が対称な第一画素３８ａ、第二画素３８ｂと、各画素３８ａ、３８ｂ同士を分離する素子分離層４８に独立した電圧印加を可能とするＬＣＳ端子３７とを有する。瞳分割位相差検出方式による焦点検出を行う場合は、各画素３８ａ、３８ｂの受光部３０が左右対称に変形するようＬＣＳ端子３７に所定電圧よりも正負いずれかの側にシフトした電圧（素子分離層４８がｐ型半導体の場合は所定電圧よりも負側にシフトした電圧、ｎ型半導体の場合は所定電圧よりも正側にシフトした電圧）が印加される。画像データを生成する場合は、各画素３８ａ、３８ｂの受光部３０に変形が生じず各画素３８ａ、３８ｂの受光特性が等しくなるようＬＣＳ端子３７に所定電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥に起因するリーク電流に起因する再生画面上での白い点状欠陥の発生を抑制することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１０は、半導体基板１０３と、フォトダイオード１１０と、フローティングディフュージョン１６０と、転送ゲート電極１２３とを備え、フローティングディフュージョン１６０は、第１の領域において半導体基板１０３の表面から第１の深さまで形成された、第１の濃度の第１の不純物を含む第１の不純物領域１２１と、第１の領域より転送ゲート電極１２３から離れた第２の領域において半導体基板１０３の表面から第２の深さまで形成された、第２の濃度の第２の不純物を含む第２の不純物領域１２２と、第２の領域において半導体基板１０３の表面から第２の深さより浅い第３の深さまで形成された、第２の濃度より大きい第３の濃度の、第２の不純物と異なる第３の不純物を含む第３の不純物領域１２４とを含む。 （もっと読む）

【課題】単位画素のサイズを微細化によるフォトダイオードの光感度低下およびノイズ信号が増大を抑制する固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】実施の形態の固体撮像装置は、フォトダイオードと、第２の拡散層と、基準電圧設定手段とを備える。フォトダイオードは、光電効果で発生したキャリアを蓄積する第１の拡散層を有し、基板に形成される。第２の拡散層は、前記第１の拡散層と接するとともに前記第１の拡散層とは逆の極性を有する。基準電圧設定手段は、前記第２の拡散層に配線を介して接続し、時間的に急激に値が変動する変動電圧を前記第２の拡散層を介して前記第１の拡散層に印加することによって、印加した前記変動電圧の振幅に基づく電圧を前記第１の拡散層の基準電圧として設定する。 （もっと読む）

【課題】集光特性の向上が図られ、フレアやスミア等の光学的雑音が抑制された裏面照射型の固体撮像装置、及びその製造方法を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】基板１３に形成された複数の画素２を有する固体撮像装置１において、各画素２は、基板１３に埋め込まれた遮光部１７によって分離されている。この遮光部１７は、隣接する受光部ＰＤ間に形成され、基板１３の裏面側から所望の深さに形成されたトレンチ部１９、及びトレンチ部１９内に埋め込まれた遮光膜２０で構成されている。これにより、斜めに入射した光が受光部ＰＤに入射するのを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】電荷蓄積時にこれらのノイズ信号が混入されない構造を有する光電変換膜積層型の固体撮像装置を提供することである。
【解決手段】固体撮像装置は、ｎ型半導体基板１３０上に形成され、入射光を信号電荷に変換する光電変換部１２０ｒ、１２０ｇ、１２０ｂと、信号電荷を読み出して画素信号として出力する信号読み出し回路とを備えている。信号読み出し回路は、ゲート電極が、光電変換部１２０ｒ、１２０ｇ、１２０ｂに接続された信号変換トランジスタ１１６ｒ、１１６ｇ、１１６ｂを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を用いた固体撮像装置であって、近赤外を含む波長帯域に実用上十分な感度特性を有する固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１０は、互いに対向する第１主面１０ａ及び第２主面１０ｂを含む。シリコン基板１０の第１主面１０ａ側には、入射光強度に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードをそれぞれ有する複数の受光部Ｐ_ｍ,ｎが配列されている。シリコン基板１０には、第２主面１０ｂ側にアキュムレーション層２１が形成されていると共に、第２主面１０ｂに不規則な凹凸２０が形成されている。シリコン基板１０の第２主面１０ｂにおける受光部Ｐ_ｍ,ｎに対向する領域は、光学的に露出している。シリコン基板１０は、アイソレーション領域２３により、受光部Ｐ_ｍ,ｎに対応する部分毎に光学的に実質的に分離されている。 （もっと読む）

【課題】画素サイズを小型化できると共に、混色やスロストークを防止しかつ、製造工程が複雑化せず、周辺回路領域においてもラッチアップの発生を防止して、高画質な画像データを得る。
【解決手段】ｐ型半導体基板１とその上部に形成されたｐ型ウエル層３と、ｐ型ウエル層３内に受光部４として形成されたｎ型光電変換層を有し、ｐ型半導体基板１とｐ型ウエル層３との間にフローテイングＮ型蓄積層２を有している。このフローテイングＮ型蓄積層２は、遮光画素領域ＯＢを含む画素領域全面に形成されて、画素領域の周辺のＣＭＯＳ回路部側には形成されていない。 （もっと読む）

【課題】各走査期間において、共有画素部から複数の光電変換素子の画素信号を自由に出力可能にする。
【解決手段】固体撮像装置１は、行列状に配列され、同じ行に配列された複数個の光電変換素子３４の画素信号を出力可能な複数の共通画素部２１と、各行の一部の光電変換素子３４を選択するための複数の行アドレス線ＶＬと、複数の行アドレス線ＶＬを順番に選択するアドレッシング処理により複数の光電変換素子３４の画素信号を出力させる走査部１２とを有し、アドレッシング処理において走査部１２が各共通画素部２１において同じ行に配列された複数個の光電変換素子３４を個別に選択できるように、各共通画素部２１において同じ行に配列された複数個の光電変換素子３４に対して複数本の行アドレス線ＶＬが接続されている。 （もっと読む）

【課題】画素間のコンタクト抵抗のばらつきを抑え、均質な画像を撮像することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る固体撮像装置１は、入射光を信号電荷に変換するフォトダイオード（光電変換部）１０と、フォトダイオード１０からの信号電荷を読み出して転送する転送トランジスタ３Ａと、半導体基板２に形成され、転送トランジスタ３Ａにより転送された信号電荷を蓄積する浮遊拡散層７Ａと、浮遊拡散層７Ａ上の一部に形成されたシリサイド層８Ａと、シリサイド層８Ａに接続されたコンタクトプラグ６とを備える。 （もっと読む）

【課題】蓄積（光）電荷に作用するスミア等のノイズ成分を全画素の配置面内で均一かつ十分に抑圧する。
【解決手段】画素は、光路制限部、光電変換部、電荷保持部、読出部（共有可）を有する。走査駆動部は、全画素同時読み出しを行い各読出部を一方向に走査駆動する。走査方向で光電変換部と電荷保持部が交互に繰り返され、その画素列において、隣接画素の２つの電荷保持部が光路制限部または光電変換部に対して走査方向内で一方側に偏って配置されている。 （もっと読む）

【課題】積層される半導体ウェハのそれぞれの性能を十分に発揮して高性能化を図り、且つ量産性、コスト低減を図った、固体撮像装置等の半導体装置とその製造方法を提供する。また、固体撮像装置を備えたカメラ等の電子機器を提供する。
【解決手段】第１の半導体ウェハ３１と、第２の半導体ウェハ４５とを、基板間配線６８で接続する構成とする。基板間配線は、第１の半導体ウェハ３１表面の第１の多層配線層に形成される接続孔６６と、第２の半導体ウェハ４５表面の第２の多層配線層に形成された貫通接続孔６５とに、導電材料が埋め込まれて形成されている。そして、貫通接続孔６５は接続孔６６の直径よりも大きく形成されている。これにより、貫通接続孔６５の構内に導電材料を埋め込む際のボイドの発生を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子のスミアを抑制する。
【解決手段】固体撮像素子は、導体基板１上に行列状に複数の画素が配列された固体撮像素子２０において、それぞれの画素は、入射光を信号電荷に変換して蓄積する光電変換領域３と、信号電荷を転送するための電荷転送領域７と、光電変換領域３と電荷転送領域７との間に設けられた転送部６と、電荷転送領域７上にゲート絶縁膜８を介して形成されたゲート電極９と、光電変換領域３上に開口部１２を有し、ゲート電極９上を覆う遮光膜１１とを含む。電荷転送領域７は、それぞれの画素における光電変換領域３の間を列方向に繋がって延びるように形成されている。それぞれの画素における光電変換領域３と、当該光電変換領域３に行方向に隣接し且つ他の画素に含まれる電荷転送領域７との間に、絶縁物からなる素子分離部１４が設けられている。遮光膜１１は、素子分離部１４に接触している。 （もっと読む）