【課題】マイクロレンズ基板にスペーサーを形成する工程を簡素化する。
【解決手段】工程Ｐ1および工程Ｐ2では、基板１２のうちスペーサー１６が形成される領域１３Aの周囲に反射パターン１８を形成する。工程Ｐ3では、反射パターン１８が形成された基板１２上にポジ型の感光性材料で感光層５２を形成する。工程Ｐ4では、感光層５２のうちマイクロレンズ１４およびスペーサー１６の各々に対応する領域以外の領域を露光する。工程Ｐ5では、マイクロレンズ１４に対応する第１パターン７２とスペーサー１６に対応する第２パターン７４とを感光層５２の現像により形成する。工程Ｐ6では、第１パターン７２および第２パターン７４の各々の表面を加熱により曲面状に変形させることでマイクロレンズ１４およびスペーサー１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】信号配線、ゲート配線の寄生容量を低下させ、感度の向上、ノイズの減少を図る放射線検出装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に配置されたスイッチ素子と、スイッチ素子上に配置された放射線を電荷に変換する変換素子とを含み、スイッチ素子と変換素子とは接続されている画素を有し、画素は絶縁基板上に行列に二次元配列され、絶縁基板上に配置された行方向に配列された複数のスイッチ素子が共通に接続されるゲート配線と、列方向に配列された複数のスイッチ素子が共通に接続される信号配線と、を有し、スイッチ素子と変換素子の間に複数の絶縁層が配置され、ゲート配線又は信号配線の少なくとも一方が、複数の絶縁層に挟まれて配置されている。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置を提供する。または、良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層を形成し、半導体層上に、単層でなる第１の導電層を形成し、第１の導電層上に、３６５ｎｍ以下の波長の光を用いて第１のレジストマスクを形成し、第１のレジストマスクを用いて第１の導電層をエッチングして、凹部を有する第２の導電層とし、第１のレジストマスクを縮小させて第２のレジストマスクを形成し、第２のレジストマスクを用いて第２の導電層をエッチングして、周縁に突出部を有し、且つ突出部はテーパ形状であるソース電極及びドレイン電極を形成し、ソース電極及びドレイン電極上に、半導体層の一部と接するゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上の半導体層と重畳する位置にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの出力特性のばらつきを抑制しつつ、検出精度の低下が防がれた高性能なフォトダイオードを形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】所定のゲート金属を用いて、フォトダイオード用の第１の半導体層３０ａのうち、真性半導体領域となる部分を覆うシールド部３４ａをゲート絶縁膜２９上に形成するとともに、薄膜トランジスタ用の第２〜第５の各半導体層３０ｂ〜３０ｅのうち、チャネル領域となる部分を覆う第１〜第４のゲート電極３４ｂ〜３４ｅをゲート絶縁膜２９上に形成する。その後、シールド部３４ａをマスクとして用いて、第１の半導体層３０ａにｎ型領域及びｐ型領域を形成した後、当該シールド部３４ａを除去する。 （もっと読む）

【課題】赤外光及び可視光に対する感度の高い光電変換素子を提供する。
【解決手段】第１のゲート電極と、第１のゲート電極を覆う第１のゲート絶縁層と、第１のゲート絶縁層上の結晶性半導体層と、結晶性半導体層上の非晶質半導体層と、非晶質半導体層上の不純物半導体層と、不純物半導体層に接するソース電極及びドレイン電極と、少なくともソース電極及びドレイン電極の間を覆う第２のゲート絶縁層と、第２のゲート絶縁層上の第２のゲート電極と、を有し、少なくともソース電極とドレイン電極の間に受光部が設けられ、第１のゲート電極は遮光性材料により結晶性半導体層及び非晶質半導体層のすべてと重畳し、第２のゲート電極は透光性材料により受光部と重畳し、第１のゲート電極は、ソース電極またはドレイン電極に電気的に接続されている光電変換素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】リフレッシュ動作を不要とする酸化物半導体を利用した光センサ、当該光センサを搭載した半導体装置、及び光センサを利用した光の測定方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体を用いて形成されたチャネルを含むトランジスタに、ゲート電圧をパルス状に印加することにより、一定のゲート電流が得られることを見出し、これを光センサに応用した。当該光センサはリフレッシュ動作を要さないため、少ない消費電力で、高速かつ簡易な測定手順にて光の照度を測定できる。比較的高い移動度と低いＳ値、低いオフ電流を有する酸化物半導体を利用したトランジスタにより光センサを形成できるため、少ない工程で多機能を有する半導体装置を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。または、良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】平坦な表面に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に第１のマスクを形成し、第１のマスクにスリミング処理を行うことにより、第２のマスクを形成し、第２のマスクを用いて第１の絶縁膜にエッチング処理を行うことにより、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜を覆うように第１の導電膜を形成し、第１の導電膜および第２の絶縁膜に研磨処理を行うことにより、等しい厚さの第３の絶縁膜、ソース電極およびドレイン電極を形成し、第３の絶縁膜、ソース電極およびドレイン電極上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上の第３の絶縁膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】平坦な表面上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上にマスクを形成し、マスクにスリミング処理を行い、マスクを用いて絶縁膜にエッチング処理を行い、絶縁膜を覆うように導電膜を形成し、導電膜および絶縁膜に研磨処理を行うことにより、導電膜および絶縁膜の厚さを等しくし、導電膜をエッチングして、導電膜より厚さの小さいソース電極およびドレイン電極を形成し、絶縁膜、ソース電極、およびドレイン電極と接する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜を覆うゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上の絶縁膜と重畳する領域にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサにおいて、入射光を正確に電気信号に変換することを目的の一とする。
【解決手段】フォトダイオード、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、及び第４のトランジスタを有し、第２のトランジスタは、第１のトランジスタのゲートに蓄積された電荷を保持する機能を有し、第３のトランジスタは、第１のトランジスタのゲートに蓄積された電荷を放電する機能と、第１のトランジスタのゲートに蓄積された電荷を保持する機能を有し、第２のトランジスタ及び第３のトランジスタを非導通状態とする期間において、第２のトランジスタ及び第３のトランジスタのゲートに印加される電圧レベルを、第２のトランジスタ及び第３のトランジスタのソース及びドレインの低電圧の側の電圧レベルより小さくする。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。さらに、これらの微細化を達成した半導体装置の良好な特性を維持しつつ、３次元高集積化を図ることを目的の一つとする。
【解決手段】絶縁層中に埋め込まれた配線と、絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と重畳して設けられたゲート電極と、酸化物半導体層と、ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、を有し、絶縁層は、配線の上面の一部を露出するように形成され、配線は、その上面の一部が絶縁層の表面の一部より高い位置に存在し、且つ、絶縁層から露出した領域において、ソース電極またはドレイン電極と電気的に接続し、絶縁層表面の一部であって、酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下である半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】電荷転送効率を劣化させることなく、光電変換部表面で発生する電荷による偽信号を低減することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板内に形成された複数の光電変換部２と、平面視において光電変換部２の隣に設けられたＣＣＤとを有する固体撮像素子１０であって、ＣＣＤは、半導体基板内に形成された垂直電荷転送路３を含み、光電変換部２は、Ｎ型不純物領域２ｃと、Ｎ型不純物領域２ｃの表面に形成されたＰ型不純物領域２ｂとで構成され、垂直電荷転送路３と光電変換部２との間に形成された電荷読み出し領域４と、垂直電荷転送路３と光電変換部２との間の領域のうち、電荷読み出し領域４を除く領域に形成された素子分離領域５と、Ｐ型不純物領域２ｂの表面に素子分離領域５に沿って形成され、光電変換部２の表面で発生した電荷が素子分離領域５に移動するのを抑制する偽信号バリア領域７とを備える。 （もっと読む）

【課題】安価に製造することができ、フレキシブルな基板上に形成することが可能な高精度な紫外線センサを提供することを課題とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトランジスタと、前記トランジスタのゲートに接続する電圧源を有し、前記トランジスタのしきい値電圧は前記酸化物半導体膜に紫外線を照射することによって変化し、前記トランジスタのしきい値電圧の変化は酸化物半導体膜に照射される紫外線の波長に依存し、前記電圧源は前記トランジスタのゲートに出力する電圧を調整する構成を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサを有する表示装置において、フォトセンサへの入射光の強度にかかわらず、高精度の撮像を行うことを目的の一とする。
【解決手段】フォトセンサが配置された表示パネルを有し、フォトセンサにより入射光を測定し、入射光に応じてフォトセンサの感度を変更して撮像を行う機能を有する表示装置を提供する。入射光が暗いときにフォトセンサの感度を上げて撮像の精度を向上することで、接触の誤認識の防止や鮮明な画像取り込みを行う。 （もっと読む）

【課題】特性の良い光電変換素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。または、簡単な工程で、特性の良い光センサ光電変換装置を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】光透過性を有する基板と、光透過性を有する基板上の絶縁層と、絶縁層上の、光電変換を奏する半導体領域、第１の導電型を示す半導体領域、および、第２の導電型を示す半導体領域を有する単結晶半導体層と、第１の導電型を示す半導体領域と電気的に接続された第１の電極と、第２の導電型を示す半導体領域と電気的に接続された第２の電極とを有する光電変換素子とを備える半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】画素マトリクス、イメージセンサ、及びそれらを駆動するための周辺回路を有する、すなわち、撮像機能と表示機能とを兼ね備え、インテリジェント化された新規な半導体装置を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】第１の基板と、第１の基板表面上の表示部及びセンサ部と、第１の基板表面に対向する第２の基板と、第１の基板と第２の基板を貼り合わせるシール材と、第１の基板と第２の基板の間の液晶材料と、を有し、第１の基板の裏面には、カラーフィルターと、光学系と、光学系を取り付ける支持台とが設けられる。 （もっと読む）

【課題】光センサーと遮光膜を有する半導体装置において、段切れや膜剥がれに起因にする歩留まりの低下を防止することができるとともに、暗電流の増大を防止して光センサーの性能の低下を防止することができる半導体装置及びその製造方法、並びに液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】フォトダイオード１５を構成するポリシリコン膜を形成する部分Ｂの非晶質シリコン膜３０の厚みＷ１が、遮光膜２８の周縁に対応した部分Ａの非晶質シリコン膜３０の厚みＷ２より薄くなるように、非晶質シリコン膜３０を薄膜化する。そして、非晶質シリコン膜３０にレーザー光を走査して、非晶質シリコン膜３０を多結晶化させてポリシリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】遮光層上に設けられ、光センサ等の用途に適した半導体素子と、高速駆動が可能な高性能の半導体素子とが同一の基板上に搭載されており、従来よりも部品点数が削減され、薄型化や軽量化が可能であるとともに、遮光層の有無による結晶性への影響が無い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、絶縁基板１上に形成されたＴＦＴ２１とＴＦＤ２２とを備えている。ＴＦＤ２２と絶縁基板１との間には、遮光層２が選択的に形成されている。ＴＦＴ２１およびＴＦＤ２２における各半導体層５・６は、ラテラル成長結晶からなり、ＴＦＤ２２の半導体層６の表面には、ＴＦＴ２１の表面粗さよりも大きな凹凸が設けられている。 （もっと読む）

【課題】光透過性基板を用いても、光リーク電流の発生による特性低下を確実に防止するとともに、安価で容易に大型化が可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】下電極４１（第一電極）、ソース配線１６、ゲート配線２１は、それぞれ遮光性を有する導電性材料から形成される。これによって、下電極４１（第一電極）、ソース配線１６、及びゲート配線２１は、本発明における遮光層を形成する。下電極４１（第一電極）、ソース配線１６、及びゲート配線２１は、イメージセンサー１の厚み方向Ｔにおいて、互いに異なる２以上の位置（レベル）で広がるように形成されている。しかも、その一部は厚み方向Ｔにおいて互いに重なり合うように形成されている。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサ素子の感度を向上可能する。
【解決手段】ｎ層４７ｎとｉ層４７ｉとｐ層４７ｐとのそれぞれを液晶パネル２００の面の法線方向ｚにおいて、順次、積層することで、フォトセンサ素子３２を形成する。ここでは、ポリシリコンよりも光吸収係数が高い微結晶シリコンによって、ｉ層４７ｉを形成する。 （もっと読む）

【課題】優れたイメージセンサを提供する。
【解決手段】バックライトを伴う二次元イメージセンサは光検出器配列（１２０）を備える。光源（１３５）からの光は、後方から配列（１２０）を通過して、撮像されるべき表面（１１０）に反射する。この場合、反射された光が配列（１２０）によって検出される。光検出器配列は不透明のシリコン基板（１９０）に形成されてもよく、その場合、撮像されるべき表面（１１０）へ向けて光が通過できるように、チャンネル（１８０）が基板を貫通してエッチングされる。センサは拡散層（１３０）とスペーサ層（１５０）とを更に備える。イメージセンサは、密に離間されたドットコーディングパターン（１１１、１１２）を撮像するのに適している。ＵＶ誘起赤外光エミッタがＵＶフィルタおよび光検出器配列の下側に配置された前方照明イメージセンサも開示される。 （もっと読む）