【課題】 欠陥画素をより精度良く検出するためには撮像素子の温度上昇や信号電荷の蓄積時間を必要とするため、工場出荷前の調整時間に時間が掛かり、生産効率性の点などにおいて問題があった。
【解決手段】 欠陥画素検出時に、撮像素子内の読み出しゲート部に存在する読み出し電極に印加する電位を読み出しゲート部における半導体基板の界面が空乏状態となるような電位を与えるように撮像素子の駆動方法を変更することにより、温度依存及び露光時間依存しているキズの発生頻度を上げ、欠陥画素検出時間の短縮及び検出精度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＤ型の固体撮像装置において、水平方向の読み出しの際の転送動作による発熱を効率良く放熱し、且つ出力信号に含まれるノイズを低減する。
【解決手段】固体撮像装置２Ａは、Ｍ×Ｎ個（Ｍ，Ｎは２以上の整数）の画素がＭ行Ｎ列に２次元配列されて成る撮像面１２、及び、撮像面１２に対して列方向の一端側に各列毎に配置されており各列から取り出される電荷の大きさに応じた電気信号をそれぞれ出力するＮ個の信号読出回路２０を有するＣＣＤ型の固体撮像素子１０と、信号読出回路２０から各列毎に出力される電気信号をディジタル変換してシリアル信号として順次出力するＣ−ＭＯＳ型の半導体素子５０と、主面８１ａ及び裏面８１ｂを有する伝熱部材８０と、裏面８１ｂ上に設けられた冷却ブロック８４とを備え、半導体素子５０と伝熱部材８０の主面８１ａとが互いに接合されている。 （もっと読む）

【課題】より簡単な構成で、熱雑音の増大や信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】固体撮像装置は、複数の画素が配置されてなる画素アレイが形成される画素形成領域と、画素アレイから出力される電気信号に対する信号処理を行うロジック回路が形成されるロジック回路形成領域と、少なくとも一部がSi表面を同位体濃縮して形成されている基板とを備え、基板は、ロジック回路形成領域において発生した熱を、外装としてのパッケージに伝達するように設けられる。本技術は、CMOSイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップの発熱がデバイスチップに与える影響を低減することが可能な真空封止デバイスを提供する。
【解決手段】真空封止デバイスは、デバイスチップ１００Ａと、デバイスチップ１００Ａと協働するＩＣチップ２００Ａと、デバイスチップ１００ＡとＩＣチップ２００Ａとが互いの厚み方向に離間して収納されたパッケージ３００とを備える。パッケージ３００は、パッケージ本体３０１の一面側に２段の凹部３０１ａ，３０１ｂが設けられ、ＩＣチップ２００Ａが、下段の凹部３０１ａの内底面に第２接合部３１２を介して接合され、デバイスチップ１００Ａが、上段の凹部３０１ｂの内底面における下段の凹部３０１ａの周部の全周に亘って第３接合部３１３を介して気密的に接合されている。真空封止デバイスは、パッケージ本体３０１とデバイスチップ１００Ａと第３接合部３１３とパッケージ蓋３０２とで囲まれた第１気密空間３２１が真空雰囲気となっている。 （もっと読む）

【課題】複数の不良画素が存在する場合であっても、簡易な冗長化プロセスで、不良画素が存在する領域に実際に入射する光に基づく情報が得られるようにし、不良画素による画像情報の欠落を防止して、歩留まりを向上させる。
【解決手段】イメージセンサ１を、同一波長に感度を持ち、かつ、入射光の向きに対して感度が異なる２つのフォトディテクタ７Ａ、７Ｂを有する複数の画素８を備えるセンサアレイ４と、複数の画素の中の少なくとも一の画素に対応する位置に設けられ、入射光を周囲の画素に散乱させる散乱体９とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の画像品質などの各特性を向上する。
【解決手段】イメージセンサチップ１００の撮像領域ＰＡと、信号処理チップ２００とが対面する間に、他の配線層よりも厚い配線層Ｈ３１を設ける。この配線層Ｈ３１を介して熱を外部へ放出させて、イメージセンサチップ１００において、撮像領域ＰＡで温度が上昇することを抑制し、暗電流の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】撮像素子の画素領域における熱による画素むらを低減させること。
【解決手段】撮像素子搭載用部材１は、上面11ａおよび下面11ｂを有している基体11を含んでいる。基体11の上面11ａは、画素領域２ａおよび出力回路領域２ｂを有する撮像素子２の実装領域11ｃを有している。実装領域11ｃは、画素領域２ａに対応する第１の領域11ｃ_１と出力回路領域２ｂに対応する第２の領域11ｃ_２を有している。基体11の下面11ｂは、第２の領域11ｃ_２に対応するように設けられた穴11ｄを有している。 （もっと読む）

【課題】受光量の変化にともなう温度変化を抑制できる赤外線固体撮像素子及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】赤外線固体撮像素子２０は、赤外線を検出する複数の赤外線検出画素２１ａが２次元方向に配列された画素エリア２１と、画素エリア２１から映像信号を読み出して映像信号出力線４１に出力する読み出し回路２２，２３とを有する。読み出し回路２２，２３は、更に所定のタイミングで温度センサ１３の出力を映像信号出力線４１に出力する。 （もっと読む）

【課題】周辺回路の発熱の影響を防止し、良好なＳＮ比を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】表面と裏面とを有するシリコン基板３０１の表面に、複数の検出器８０２からなる検出器アレイ８０１と、検出器から読み出した電気信号を増幅する出力アンプと５０８、クロック信号を増幅するクロックドライバ５０６とを含む固体撮像装置３００において、検出器アレイ８０１と、出力アンプ５０８およびクロックドライバ５０６との間のシリコン基板３０１に、該シリコン基板３０１の熱伝導を妨げるように空隙５０５が設けられる。検出器は、ＣＣＤまたはＣＭＯＳから形成される。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の画像品質を向上する。
【解決手段】熱電対素子群２１０の受光面がグレーティング構造になるように、複数の熱電対２１１〜２１６について間を隔てて配置する。入射光がグレーティング構造へ入射して受光面でプラズモン共鳴が発生し、その熱電対素子群２１０においてプラズモン共鳴が発生した部分の温度が変化することによって、各熱電対２１１〜２１６において起電力が生ずるように、熱電対素子群２１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップからの発熱による光電変換部の機能障害を防止できる半導体モジュールを提供する。
【解決手段】光電変換領域１１８が形成された第１の半導体チップ１０１と、第１の半導体チップ１０１上における光電変換領域１１８が形成されていない領域に設けられ、第１の半導体チップ１０１と電気的に接続された第２の半導体チップ１０２と、第１の半導体チップ１０１，第２の半導体チップ１０２を収容するとともに、少なくとも光電変換領域１１８と対向する領域が透光性材料で形成されたパッケージ１０３と、第２の半導体チップ１０２とパッケージ１０３を熱的に連結する熱伝導部材１０９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】効率的な放熱と小型化とが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】本固体撮像装置１は、レンズ鏡筒を兼ねるケース１０１と、ケース１０１の開口端の内壁１１に装着され、相対向する第１の面１２及び第２の面１３を有する配線基板１０２と、配線基板１０２の第１の面１２に実装された固体撮像素子１０３と、ケース１０１の開口端を覆うモールド部１０４と、を備え、ケース１０１の開口端と配線基板１０２の第２の面１３とがモールド部１０４で覆われている。 （もっと読む）

【課題】低コスト化、および、温度の均一化を図ることができ、放熱性に優れる撮像部品を提供すること。
【解決手段】撮像部品１が、光が入射される光入射面、および、光入射面の反対側に配置される裏面を備える撮像素子２と、裏面に設けられ、撮像素子２から生じる熱を放熱するための、板状の窒化ホウ素粒子を含有し、熱伝導性シート３の厚み方向に対する直交方向の熱伝導率が、４Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱伝導性シート３とを備える。このような撮像部品１によれば、優れた放熱性を確保するとともに、温度の均一化を図ることができ、さらには、低コスト化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】パッケージレス構造の固体撮像素子を高速動作させる際に生じる熱ノイズを低減して画質劣化を防止することが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】入射光を受光する受光面８を有するセンサチップ５と、センサチップ５の受光面８側に配置されるとともに、センサチップ５と電気的に接続される配線を有するガラス基板６とを備えるセンサモジュール７と、センサモジュール７を収容する筐体の支持部１４と、支持部１４に支持されて、センサチップ５をガラス基板６方向に向けて弾性的に押圧するとともに、センサチップ５の熱を支持部１４に伝える押圧部材１５と、を備えること特徴とする。 （もっと読む）

【課題】撮像素子と冷却素子との間に配した温度センサの熱抵抗に起因する冷却性能の低下を防止する。
【解決手段】 撮像装置２３には、筺体３８の内部に撮像素子３３、冷却素子３５、及び温度センサ３６が設けられている。冷却素子３５は、撮像素子３３の結像面とは逆側の面に取り付けられ、撮像素子３３を冷却する。温度センサ３６は、撮像素子３３の周囲に設けられ前記周囲の温度を検出する。記憶部６２には、撮像素子３３が目標温度に収束する時の冷却素子３５への印加電圧とその時点の温度センサ３６の検出温度とを、外気温度毎に測定したデータ配列に基づいて求めた関数が記憶されている。制御部１８は、温度センサ３６から得られる検出温度を前記関数に入力して算出した電圧を冷却素子３５に印加する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子の放熱構造で、効果的な放熱を実現する。
【解決手段】固体撮像素子１０７の前面側に配置されるフロント部１０１、１０２、固体撮像素子の背面側に配置されるコネクタ基板１０９、コネクタ基板の背面側に配置される放熱金具１０３、１０４、放熱金具の背面側に配置される押さえバネ１０５、放熱金具の側面側に配置されるファン１１０を有する。コネクタ基板はフロント部と固定される。放熱金具は、押さえバネがコネクタ基板と固定されることで、その押し付け力により固定される。放熱金具は前面側に突起部１０３を有しており、当該突起部がコネクタ基板に形成された穴を貫通して固体撮像素子の背面と接触する。押さえバネとして板バネが用いられる。 （もっと読む）

【課題】暗電流の発生を抑制する。
【解決手段】イメージセンサチップ１００の撮像領域ＰＡと、信号処理チップ２００とが対面する間に介在するように、多層配線セラミックパッケージ３００のセラミック基板よりも熱伝導率が低い空気層を、低熱伝導層９０１として設ける。 （もっと読む）

【課題】 電子増倍率を正確に測定可能な電子増倍率の測定方法を提供する。
【解決手段】 固体撮像素子１０を備える電子増倍型撮像装置１において、予め設定された所定の電子増倍率で、第１光量の入射光による第１増倍画像と、第２の光量の入射光による第２増倍画像と、を取得し、第１増倍画像に含まれる画素の輝度平均値及び輝度分散平均値と、第２増倍画像に含まれる画素の輝度平均値及び輝度分散平均値と、を算出する。そして、算出した輝度平均値及び輝度分散平均値を用いて、第１及び第２増倍画像の変換係数を算出し、算出した変換係数と、予め保持する基準電子増倍率における変換係数と、を用いて固体撮像素子１０の実際の電子増倍率を算出する。 （もっと読む）

【課題】外乱赤外線をより適切に遮断することができ、画像劣化を抑制することができる赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面には、空洞部１ａの開口を覆うように面状に遮蔽膜７及び反射膜８が形成されている。即ち、遮蔽膜７は、半導体基板１における光学系１５０と対向する面に、機械的でかつ熱的に接続されている。反射膜８は、遮蔽膜７の表面の全体を覆うように形成されている。撮像画素開口１０１ａは、遮蔽膜７及び反射膜８に空けられている。遮蔽膜７及び反射膜８は、撮像画素開口１０１ａで、光学系通過赤外線１５２のみを空洞部１ａ内の温度検出部５へ通す。遮蔽膜７及び反射膜８は、これらの面全体における撮像画素開口１０１ａ以外の箇所で、外乱赤外線を遮断・反射する。 （もっと読む）

【課題】焦電型の赤外線検出素子及びこれを用いた赤外線検出装置において、画素として用いる赤外線検出素子の受光面積を小さく、膜厚を薄くしても、ノイズの影響を低減化することを目的とする。
【解決手段】基板１１と、支持電気絶縁層１２と、第１の電極１４と、焦電層１５と、第２の電極１６と、を備える。焦電層１５は、受光面積が１×１０^２μｍ^２以上１×１０^４μｍ^２以下であり、膜厚が０．８μｍ以上１０μｍ以下であり、且つ、Ｐｂ（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）Ｏ_３（但し０．５７＜ｘ＜０．９３とする）で表される化合物を主成分とする。圧電ノイズを抑え、十分な焦電特性が得られ、高い感度の検出が可能となる。 （もっと読む）