【課題】高いＭＲ比を有するＴＭＲ素子を安定して得ることができるＴＭＲ素子の製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】強磁性層間にトンネルバリア層が挟設されてなるＴＭＲ素子の製造方法であって、トンネルバリア層を作製する工程が、強磁性層上に第１の金属材料膜を成膜し、成膜した第１の金属材料膜を不純物濃度が１Ｅ−０２以下の環境下で酸化することを含む。 （もっと読む）

【課題】スピン注入型の磁気抵抗効果素子を有する磁気メモリ装置に関し、バリア層の信頼性及び出力のＳ／Ｎ比を向上しうる磁気メモリ装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】第１の方向に磁化方向が固定された磁性層４２と、磁性層４２上に形成された非磁性層５０と、非磁性層５０上に形成され、第１の方向に磁化された第１の磁区と、第１の方向とは逆方向の第２の方向に磁化された第２の磁区とを有する磁性層５２とを有する磁気抵抗効果素子５４と、第２の磁性層５２に第１の方向又は第２の方向の書き込み電流を流すことにより、第１の磁区と第２の磁区との間の磁壁を移動し、磁性層４２と対向する部分の磁性層５２の磁化方向を制御する書き込み電流印加手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】出力ΔＲＡを高め、保磁力Ｈｃとゼロ磁場からのシフト量Ｈｉｎを低下させて感度を高め、抵抗半減点の磁場Ｈｕａを大きくしてピン安定性を高めた磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】下地層、固定強磁性層、非磁性金属中間層、自由強磁性層を含む積層フェリスピンバルブ構造を有し、自由強磁性層を特定組成のＣｏＦｅＡｌまたはＣｏＭｎＡｌとしたＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子であって、下地層がアモルファス金属下層と非磁性金属上層とから成る。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率および信頼性の向上が図れる磁気抵抗効果素子，磁気ヘッド，および磁気ディスク装置を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子が，磁化方向が実質的に一方向に固着される磁化固着層と，磁化固着層上に配置され，かつ絶縁層と，この絶縁層を貫通する金属導電体と，を有するスペーサ層と，スペーサ層上に，金属導電体と対向して配置され，かつ磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と，を具備する。 （もっと読む）

【課題】組成式がＸＹＺまたはＸ₂ＹＺで表される合金の規則化処理温度を低くできる構成を提供する。
【解決手段】ＭＲ素子４は、ピンド層４３、スペーサ層４４およびフリー層４５が、この順番で積層された構成を有する。フリー層４５は、少なくともスペーサ層４４と隣接する側がホイスラー合金層で構成される。ホイスラー合金層は、組成式がＸＹＺまたはＸ₂ＹＺで表される合金に対して、デバイ温度が３００Ｋ以下の付加元素を添加したものである。 （もっと読む）

【課題】 スピン依存バルク散乱抵抗を高く維持したまま、保磁力を低減させた磁性膜を有する磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】 磁化方向が固定された強磁性材料を含むピンド層(5A)、非磁性導電材料からなる非磁性中間層(10A)、及び外部磁場の影響を受けて磁化方向を変化させる強磁性材料からなるフリー層(20)がこの順番に積層されてスピンバルブ膜(30)が構成される。一対の電極(2A,2B)が、スピンバルブ膜に、その積層方向の電流を流す。ピンド層及びフリー層の少なくとも一方は、強磁性を示す元素の組成比が第２の層のそれより高い第１の層(8,21)と、非磁性を示す元素の組成比が第１の層のそれよりも高い第２の層(9,22)とが交互に配置され積層部分を含む。この積層部分に、第１の層は少なくとも２層含まれ、第２の層は少なくとも１層含まれる。 （もっと読む）

【課題】 特に、ＲＡを小さくし、且つ抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を大きくすることが可能なトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 酸化チタン等の絶縁酸化物で形成された絶縁障壁層５の上に形成されるフリー磁性層６のうち前記絶縁障壁層５と接する位置にエンハンス層６ａが形成されている。前記絶縁障壁層５の下には固定磁性層４を構成する第２固定磁性層４ｃが形成される。前記第２固定磁性層４ｃは、膜面と平行な方向に｛１１１｝面が優先配向する面心立方構造で形成され、前記絶縁障壁層５は、ルチル型構造等で形成され、前記エンハンス層６ａは、膜面と平行な方向に｛１１０｝面が優先配向する体心立方構造で形成される。これにより、ＲＡを小さくし、且つ抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を大きくすることが可能である。 （もっと読む）

【課題】 高いＭＲ比による高出力の垂直通電型の磁気抵抗効果素子、およびこのような磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド、磁気再生装置を提供する。
【解決手段】 磁化固着層あるいは磁化自由層作成後、表面の酸化を行うことで酸化層を形成した後、イオンビーム照射、あるいはプラズマ照射を施すことで酸化層を薄膜化する。 （もっと読む）

【課題】ＣＰＰ−ＧＭＲ素子において、大きな磁気抵抗変化率とフリー層の良好な軟磁気特性とを両立させつつ、ＳＶ膜厚の低減を図る。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、外部磁界に対して磁化方向が固定されたピンド層７と、外部磁界に応じて磁化方向が変化するフリー９層と、ピンド層７とフリー層９とに挟まれた、銅からなるスペーサ層８とを有している。ピンド層７、スペーサ層８、およびフリー層９の各層を膜面垂直方向にセンス電流２２が流れるようにされている。フリー層９は、銅を主成分とする非磁性層９２ａ，９２ｂと、非磁性層の両側界面に設けられたコバルト・鉄・ニッケルの三元合金層９１ａ〜９１ｃとを有し、三元合金層の、ニッケルおよび鉄の合計原子分率に対するニッケルの原子分率の比率ｘは２７％≦ｘ≦４５％の範囲にある。 （もっと読む）

スピン依存トンネリング（ＳＤＴ）セル（５）は、第１の材料の第１の障壁層（１６）と第２の材料の第２の障壁層（１８）とを備え、これらは第１の強磁性層（１４）と第２の強磁性層（２０）との間に挟まれている。第１および第２の障壁層（１６，１８）は、セル（５）のトンネリング磁気抵抗対電圧特性（２４）が非ゼロ・バイアス電圧において最大値（２８）を有するような合成厚みに形成される。
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【課題】垂直通電型の磁気抵抗素子において、抵抗変化量の大きい磁気抵抗効果素子、及びこれを用いた磁気ヘッド、磁気再生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。 その結果として、素子抵抗を上昇させることなく、室温あるいはそれよりも昇温した温度範囲において、ＭＲ変化率の高い磁気抵抗効果素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】差動動作などを行う場合に、記録、読み出しの条件のばらつきの影響が少ない磁気メモリを提供する。
【解決手段】第１の方向に延在する第１の配線と、前記第１の配線の上下に形成された第１及び第２の磁気抵抗効果素子と、前記第１の配線の上側及び下側において、前記第１の方向とそれぞれ交差する方向に延在する第２及び第３の配線と、を備え、前記第１の配線に電流を流しつつ前記第２及び第３の配線の少なくともいずれかに電流を流して前記第１及び第２の磁気抵抗効果素子の少なくともいずれかの記録層に対して電流磁界を印加することにより多値情報のいずれかを記録し、前記第１の配線を介して前記第１及び第２の磁気抵抗効果素子にセンス電流を流すことにより得られるこれら磁気抵抗効果素子からの出力信号の差分を検出することにより、多値情報のいずれかとして読み出す。 （もっと読む）

【課題】クロスポイントメモリアレイにおける、回り込み電流に起因する読み取り障害を防止する。
【解決手段】メモリ素子１００を用いてクロスポイントメモリアレイを作成する。メモリ素子１００は、抵抗メモリ下部電極１０２、抵抗メモリ物質１０４、抵抗メモリ上部電極１０６、ＭＳＭ下部電極１０８、半導体層１１０、ＭＳＭ上部電極１１２がこの順に積層されてなる。ここで、ＭＳＭ下部電極１０８、半導体層１１０、ＭＳＭ上部電極１１２はＭＳＭバイナリスイッチを形成する。ＭＳＭバイナリスイッチは、逆バイアス下において、高い抵抗値を示す。ＭＳＭバイナリスイッチと抵抗メモリ物質１０４が直列に接続された構成を有するメモリ素子１００を用いて、クロスポイントメモリアレイを作成することにより、望ましくない方向に電流が流れるのを防ぐ。 （もっと読む）

磁気メモリを提供するための方法及びシステム。本方法及びシステムは、複数の磁気記憶セル、複数のワードライン及び複数のビットラインを設けることを含む。複数の磁気記憶セルの各々は、複数の磁気素子及び少なくとも１つの選択トランジスタを含む。各磁気素子は、該磁気素子を通じて駆動される書込み電流によって、スピン転移誘起スイッチングを用いてプログラム可能である。各磁気素子は、第１端及び第２端を有する。各磁気素子の第１端には、少なくとも１つの選択トランジスタが接続される。複数のワードラインは、複数の選択トランジスタに結合され、複数の選択トランジスタの一部を選択的にイネーブル状態にする。
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【課題】適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数の少ない、実用的な磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気ヘッド及び磁気再生装置を提供することを可能にする。
【解決手段】センス電流を膜面に対して垂直方向に流す磁気抵抗効果素子において、ピン層、フリー層あるいは非磁性中間層の少なくともいずれかに電子反射層を設ける。電子反射層は、酸化物、あるいは窒化物、あるいはフッ化物、あるいは炭化物でもよい。スピン依存散乱効果を有効に利用しながら、適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数が少ない、実用的な磁気抵抗効果素子を提供することができる。 （もっと読む）

本発明は、トンネル障壁層を有する磁気トンネル接合部であって、スピン感度を持つ希薄磁性半導体を含む磁気トンネル接合部を提供する。本発明に係る磁気トンネル接合部は、下部電極と結合される下部導線を含む。下部電極は、希薄磁性半導体に結合される。希薄磁性半導体は、上部導線と結合される上部電極へ結合される。前記下部電極は、非磁性体である。本発明は、更に、本発明に係るトンネル接合部を利用した、様々な構成部品やコンピュータを提供する。
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単結晶ＭｇＯ（００１）基板１１を準備し、５０ｎｍ厚のエピタキシャルＦｅ（００１）下部電極（第１電極）１７をＭｇＯ（００１）シード層１５上に室温で成長し、次いで、超高真空（２×１０^−８Ｐａ）において、３５０℃でアニールを行う。２ｎｍ厚のＭｇＯ（００１）バリア層２１をＦｅ（００１）下部電極（第１電極）１７上に室温でエピタキシャル成長する。この際、ＭｇＯの電子ビーム蒸着を用いた。ＭｇＯ（００１）バリア層２１上に室温で、厚さ１０ｎｍのＦｅ（００１）上部電極（第２電極）２３を形成した。連続して、１０ｎｍ厚さのＣｏ層２１をＦｅ（００１）上部電極（第２電極）２３上に堆積した。Ｃｏ層２１は、上部電極２３の上部電極２３の保持力を高めることによって反平行磁化配置を実現するためのものである。次いで、上記の作成試料を微細加工してＦｅ（００１）／ＭｇＯ（００１）／Ｆｅ（００１）ＴＭＲ素子を形成する。これによりＭＲＡＭの出力電圧値を高めることができる。 （もっと読む）