【課題】素子抵抗の低抵抗化を実現することを課題とする。
【解決手段】リード素子は、磁気記録媒体などに記録された記録ビットから出る小さな磁場変化を感知して、高密度で記録された磁気ビットを読取ることを概要とする。そして、ＴＭＲ膜を構成する絶縁層を、高バンドギャップ金属酸化物と、低バンドギャップ金属酸化物とで構成する点に特徴がある。具体的に説明すると、高バンドギャップ金属酸化物（高バンドギャップ酸素ｓ電子励起型金属酸化物絶縁材料）間に、低バンドギャップ金属酸化物（低バンドギャップ酸素ｓ電子励起型金属酸化物絶縁材料）を配置して絶縁層を構成する。 （もっと読む）

【課題】強磁性層が１層のみで構成されるシンプルな構造のスピンホール効果素子を用いて、熱揺らぎを低減して高感度な信号検出を実現する磁気センサを得る。
【解決手段】非磁性体スピンホール効果層１３，非磁性絶縁体層１２，強磁性層１１が積層された積層膜と、非磁性体スピンホール効果層１３の側面に接続された非磁性体端子対１４１，１４２と、積層膜の膜厚方向に電流を印加する手段１６１とを備え、非磁性体スピンホール効果層１３の厚みは、非磁性体スピンホール効果層を構成する材料のスピン拡散長の２倍よりも薄く、外部磁場により磁化された強磁性層１１の磁化の向きを、非磁性体端子対１４１，１４２の両端に生じる電圧の極性によって検出する。 （もっと読む）

【課題】磁気トンネル接合を用いる熱アシスト書き込みを用いるランダムアクセル磁気メモリまたは論理素子を提案する。
【解決手段】磁場またはスピン移動を用いる熱アシスト書込みを用いる磁気素子であって、各々が、“トラップ層”と称される磁気参照層であって、その磁化が固定方向にある磁気参照層と、可変的な磁化方向を有し、その層の平面に磁化を有する強磁性材料から作られ、反強磁性材料から作られる磁化トラップ層４１に磁気的に結合される層からなる“自由層”と呼ばれる磁気記憶層４０と、前記参照層と前記記憶層４０との間に挟まれた半導体または制限電流路の絶縁層４２と、を有する。それぞれ非晶質または準非晶質の材料４５と、反強磁性層と同一の構造または同一の結晶格子を有する材料と、からなる１つ又はそれ以上の二重層が、前記半導体または制限電流路の絶縁層４２と接触する強磁性層と反強磁性層との間の前記記憶層４０に配置される。 （もっと読む）

【課題】これまで以上に磁気情報を正確に読み出すことができるＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性の自由磁性層５８および導電性の固定磁性層５６の間には導電性の非磁性中間層５７が挟み込まれる。自由磁性層５８および固定磁性層５６の少なくともいずれかは、窒化された磁性金属合金から構成される。本発明者らの検証によれば、自由磁性層５８および固定磁性層５６の少なくともいずれかで単位面積あたりの磁気抵抗変化量（ΔＲＡ）が増大することが確認された。その結果、ＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子の出力は向上する。しかも、窒化された磁性金属合金では飽和磁束密度（Ｂｓ）が減少する。その結果、磁性層では磁化は容易に反転する。ＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子の読み出し感度はこれまで以上に向上する。こうしたＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子はこれまで以上に正確に磁気情報を読み出すことができる。 （もっと読む）

【課題】動作信頼性に優れたＳＴＴ−ＲＡＭに好適なＭＴＪ素子を提供する。
【解決手段】ＭＴＪ素子８は、ＡＦＭ層１１と、ＳｙＡＦピンド層１２と、マグネシウム層を自然酸化処理してなる結晶質のＭｇＯを有するトンネルバリア層１３と、フリー層１４とを含む。フリー層１４は、鉄もしくはＦｅ _(100-X)Ｂ_x（０＜ｘ≦５）からなる単層構造、または、Ｆｅ＼ＣｏＦｅＢ＼Ｆｅの積層構造を有する。これにより、ギルバート減衰定数が減少し、伝導電子に対してスピン偏極がより強く促される。その結果、臨界電流密度が低減され、動作上の信頼性が向上する。抵抗のばらつきが小さくなるので、リードマージンを大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】選択されたメモリセルと同一の行又は列にある他のメモリセルについては高い雑音余裕を確保しつつ、選択されたメモリセルに書き込むことができるメモリセルを提供することにある。
【解決手段】メモリセルは、自由層を有する層を含む磁気抵抗センサを含んでいる。磁気抵抗センサは、読出し間隔の間に、メモリセルに格納されたデータを表す読出し電流を導通する。第一書込み導線は、自由層内にデータを書き込む書込み電流を流す。少なくとも一つの層は、マルチフェロイック材料から形成されたマルチフェロイック層を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】真空中で行われるドライエッチングの微細加工の製造工程に特別な変更を加えることなく微細加工時に使用されるマスク材を二重に重ねて積層することで、製造工程中必然的に含まれる酸化過程により保護層の最表層に酸化層が形成されたとしても、ＭＲ比の低下を防止し、磁気抵抗効果素子としての性能を高く保持することができる磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜からなる磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、Ｔａからなる第１のマスクの下層にＲｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｉｒ、及びＲｅのいずれか１つである第２のマスクを二重に積層する方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体層上にエピタキシャル成長したホイスラー合金を有する積層体、及び前記ホイスラー合金を有する積層体を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタ及びトンネル磁気抵抗効果素子などの半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板３１の表面領域には不純物拡散層３２が形成され、不純物拡散層３２上には、（００１）配向したＭｇＯ層３３が形成されている。さらに、ＭｇＯ層３３上には、エピタキシャル成長したホイスラー合金３４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域内でのスピン拡散或いはスピン緩和を抑える。
【解決手段】スピントランジスタ１０は、基板上に設けられ、かつ磁化方向が固定された第１の強磁性層１４と、基板上に第１の強磁性層１４から第１の方向に離間して設けられ、かつ磁化方向が可変の第２の強磁性層１５と、第１の方向に延在するように基板上に設けられ、かつ第１の強磁性層１４及び第２の強磁性層１５に挟まれた複数のフィン１２と、複数のフィン１２にそれぞれ設けられた複数のチャネル領域１３と、複数のチャネル領域１３上に設けられたゲート電極１９とを含む。 （もっと読む）

【課題】高出力で高感度な磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置を提供する
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、固定磁化層と、自由磁化層と、前記固定磁化層と自由磁化層の間に挿入される非磁性層とを備え、前記自由磁化層と前記固定磁化層の少なくとも一方は、Ｃｏ及び／又はＦｅを構成成分として含みＭｇをさらに含むＣｏＦｅＭｇ合金膜で構成され、当該ＣｏＦｅＭｇ合金膜は、（Ｃｏ_ｘＦｅ_100-ｘ）Ｍｇ_ｙ（ここで０≦ｘ≦１００，０<ｙ<３０ａｔ％）の組成範囲の組成を有する。 （もっと読む）

【課題】ターゲット間のクロスコンタミネーションを防止する。
【解決手段】シャッタ機構は、下記（ａ）〜（ｃ）を同時に満たす様に動作するスパッタ装置。
（ａ）第１シャッタ板６１の第１孔６１ａと第２シャッタ板６２の第３孔６２ａとの重ね合わせ部が第１ターゲット３８下に位置する。
（ｂ）第１シャッタ板６１の第２孔６１ｂが第２ターゲット３５下に位置し、第２シャッタ板６２が第２ターゲット３５を覆う。
（ｃ）第１シャッタ板６１と第２シャッタ板６２とが第３ターゲット（３６，３７）を覆う。 （もっと読む）

【課題】 より偏光度の高い円偏光の光を発する素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子は、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とが活性層を介して接合されており、順方向のバイアスを印加することで発光する半導体発光素子であって、ｐ型半導体層およびｎ型半導体層がそれぞれ強磁性体である構成である。再結合する正孔および電子の両方がスピン偏極しているため、正孔のみがスピン偏極している場合と比較して発生する光の偏光度が高くなる。したがって、より偏光度の高い円偏光の光を発生する発光素子を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】書き込み電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができるメモリを提供する。
【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１７を有し、この記憶層１７に対して、中間層１６を介して磁化固定層３１が設けられ、中間層１６が絶縁体から成り、積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層１７の磁化Ｍ１の向きが変化して、記憶層１７に対して情報の記録が行われ、記憶層１７の周囲にある、記憶層１７よりも熱膨張係数が小さい絶縁層から、記憶層１７に歪が印加されている記憶素子３と、記憶素子３の積層方向に流す電流を供給する配線とを備えたメモリを構成する。 （もっと読む）

【課題】ＴＭＲ素子から成る磁気ヘッドやＭＲＡＭ等の生産において、通常な構成であって特に半導体デバイスメーカによる磁性多層膜の製作に適した構成を有し、さらに膜性能を高めることができかつ生産性を向上できる磁性多層膜作製装置を用いて実施することができる磁気抵抗デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に、第１磁性金属からなる第１膜及び該第１磁性金属以外の金属からなる第２膜を同一の第１チャンバ１７Ａで成膜する工程を用いて、第１多層金属膜を設ける第１工程、該第１工程後の基板の上に、金属酸化物からなる第３膜を、第２チャンバ１７Ｂで設ける第２工程、並びに、該第２工程後の基板の上に、第２磁性金属からなる第４膜及び該第２磁性金属以外の金属からなる第５膜を同一の第３チャンバ１７Ｃで成膜する工程を用いて、第２多層金属膜を設ける第３工程を有する磁気抵抗デバイスの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】 特に、下地層を改良して、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）に代表される再生特性を低下させることなく、従来に比べて、ＰＷ５０（波形半値幅）やＳＮ比等を向上でき高記録密度化に適した磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 下地層１は、アモルファスの磁性材料であるＣｏ−Ｆｅ−Ｂで形成される。よって、上下シールド間のギャップ長（ＧＬ）の下部シールド層２１側の基準位置を、前記下地層１上とみなすことができ、従来に比べて狭ギャップ化を図ることができる。さらに前記下地層１はアモルファス構造であるため、前記下地層１がその上に形成される各層に対する結晶配向性に悪影響を及ぼすことなく、しかも前記下地層の表面は平坦化性にも優れる。以上により抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）等を低下させることなく、従来に比べて、ＰＷ５０（波形半値幅）やＳＮ比等を向上でき高記録密度化に適した構造とすることができる。 （もっと読む）

【課題】
抵抗変化率が高く、かつフリー磁性層の磁歪が小さいトンネル型磁気検出素子を得る。
【解決手段】
下から、磁化方向が一方向に固定される固定磁性層、絶縁障壁層、及び外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層の順で積層されるトンネル型磁気検出素子において、前記フリー磁性層上に白金族元素からなる第１保護層およびＴｉからなる第２保護層が形成される。これにより、保護層をＴａで形成した従来のトンネル型磁気検出素子に比べて、高い抵抗変化率が得られ、かつフリー磁性層の磁歪が低減できる。 （もっと読む）

【課題】トンネルバリアの絶縁破壊寿命と磁気抵抗比を向上させる。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、基板の上方に形成された第１の強磁性層１０２と、前記第１の強磁性層の上方に形成された第２の強磁性層１０４と、前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層との間に設けられ、金属酸化物で形成された絶縁層２０７と、前記絶縁層と前記第２の強磁性層との間に設けられ、前記絶縁層の前記第２の強磁性層側の面に接し、前記金属酸化物を構成する金属元素と同じ金属元素を含有する非磁性金属層２０８とを具備する。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比を発現すると共に製造に伴う欠陥の少ないＭＴＪ素子を提供する。
【解決手段】このＭＴＪ素子３１は、反強磁性層２６と、ＡＰ２層、結合層およびＡＰ１層からなるＳｙＡＦピンド層２７と、ＡｌＯｘからなるトンネルバリア層２８と、フリー層２９と、ＮｉＦｅＭ（Ｍは、ニッケル原子および鉄原子よりも高い酸化電位の金属原子）を含むキャップ層３０とを順に備える。ＳｙＡＦピンド層２７におけるＡＰ１層は、反強磁性層２６の側から順に積層された非晶質ＣｏＦｅＢ層と結晶質ＣｏＦｅ層との２層構造を含む。キャップ層３０は酸素原子に対する高い吸着能力を有するので、隣接するフリー層２９における酸素原子の含有率が低減される。また、キャップ層３０の構成原子がフリー層２９へ拡散する現象は抑制される。さらに、結晶質ＣｏＦｅ層の存在により、ピンホールなどの欠陥の少ない、均質化されたトンネルバリア層が得られる。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗効果が得られるポイントコンタクトを有する磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気メモリ、磁気ヘッド並びに磁気記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁体層と、前記絶縁体層を挟んで積層された第１及び第２の強磁性体層と、前記第２の強磁性体層と積層された磁性バイアス層と、前記絶縁体層の側面に不連続に形成され、前記第２の強磁性体層と前記磁性バイアス層との間に介在せず、強磁性体からなり、前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層とを電気的に接続する接続部と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子が提供される。絶縁体層を挟んで積層された第１及び第２の強磁性体層と前記第２の強磁性体層と積層された磁性バイアス層とを形成する工程と、前記絶縁体層の側面に強磁性体を不連続に形成して前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層とを電気的に接続する接続部を形成する工程と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】書き込み電流の低減と読み出し時のＭＲ比の向上を同時に実現する。
【解決手段】本発明の例に関わる磁気抵抗効果素子は、磁化方向が互いに逆向きに固定される第１及び第２強磁性層11A, 11Bと、第１及び第２強磁性層11A, 11Bの間に配置され、磁化方向が変化する第３強磁性層12と、第１強磁性層11A及び第３強磁性層12の間に配置される第１非磁性層13Aと、第２強磁性層11B及び前記第３強磁性層12の間に配置される第２非磁性層13Bとを備える。読み出し電圧Irをバイアスしたときに、第１ユニットU1のＭＲ比は、インバース状態にあり、第２ユニットU2のＭＲ比は、ノーマル状態にある。書き込み電圧Iw”0”, Iw”1”をバイアスしたときに、第１及び第２ユニットU1, U2のＭＲ比は、共に、ノーマル状態にある。 （もっと読む）