本発明は、少なくとも１つのデータ保持インジケータデバイス（５０）が設けられた磁気抵抗メモリ素子（１０）のアレイ（２０）を提供する。少なくとも１つのデータ保持インジケータデバイス（５０）は、それぞれプリセットされた磁化方向を有する第１の磁気素子（５１）と、第２の磁気素子（５２）とを備え、第１および第２の磁気素子（５１，５２）のプリセットされた磁化方向は、互いに異なっている。第１および第２の磁気素子（５１，５２）は、これらの磁化方向を、検出しきい値を超える外部から印加された磁界の磁界線と向きを揃えるのに適している。本発明によれば、少なくとも１つのデータ保持インジケータデバイス（５０）のパラメータが、検出されるべき外部から印加された磁界の検出しきい値を設定するように選択される。少なくとも１つのデータ保持インジケータデバイス（５０）は、アレイ（２０）の磁気抵抗メモリ素子（１０）の前記外部から印加された磁界への暴露を示す状態または出力を有する。
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磁気メモリデバイスは、基板上に形成された複数のトランジスタ３１６、３１７と、トランジスタ上に形成された、多数の有効磁気抵抗素子３１８、３１９、強磁性記録層３２１、非磁性空間層３２３及び自由磁気読出し層３２２を含む共通磁気メモリブロック３１２とを備える。延長共通デジタル線３１５は共通磁気メモリブロック上に配置される。共通磁気メモリブロックは、それぞれの活性領域の各コンタクトを通してトランジスタの対応のソース／ドレイン電極と電気的に接続される。活性領域の強磁性記録層の特定の磁化状態は、加熱プロセスを実行し、かつ共通デジタル線及びビット線３０９、３１１又はワード線３０７から誘導される外部磁界を印加することにより変化させ得る。有効磁気抵抗素子の抵抗変化は、読出し中に磁気反応層の磁化状態を変化させることにより検出でき、小さいスイッチング磁界が必要である。 （もっと読む）

磁気メモリデバイス（３００）のメモリセル（３１０）は、自由層（３１１）と、キャップ層と、反強磁性層と、非磁気空間層を介して反強磁性結合された２つ以上の強磁性層を備える合成反強磁性層とを含む。該合成反強磁性層は反強磁性層によってピン止めされる。該反強磁性層および該合成反強磁性層は合成反強磁性ピン（ＳＡＦＰ）記録層を形成する。該ＳＡＦＰ記録層の磁化は、加熱プロセスと、ビットライン（３２０）およびワードライン（３３０）に沿って流れる電流から誘導された外部電界とを組み合わせることによって変更可能である。従って、該ＳＡＦＰ記録層の高い容積および異方性エネルギーゆえに、該ＳＡＦＰ記録層を導入した後に、高密度で、熱的安定性が高く、電力損失が少なく、かつ熱耐性が高いＭＲＡＭが達成可能である。 （もっと読む）

本発明は、電流が電気導体を流れるときに回路構成の少なくともさらにもう１つの部分に作用する磁界を生成する少なくとも１つの電気導体（４０）を有する集積回路構成を提供している。電気導体（４０）は、この回路構成のこの少なくともさらにもう１つの部分に向かって方向付けられた第１の側を有し、導電材料の主要線（４１）と、その第１の側に接続され、磁性材料から成る少なくとも１つの磁界形成ストリップ（４２）を備える。磁界形成ストリップ（４２）により、電気導体（４０）上の磁界プロファイルの不均一性が、低下される。
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磁気エレクトロニクス情報デバイス（１２）は、２つの多層構造（２４，２６）及び該２つの多層構造の間に配置されたスペーサ層（２８）を備えている。各多層構造は、２つの磁気副層（３８，４０及び４４，４６）と、該２つの磁気副層の間に配置されたスペーサ層（４２，４８）とを有している。２つの磁気副層の間に配置されたスペーサ層は、飽和領域によって定量化される反強磁性交換結合を提供する。２つの多層構造の間に配置されたスペーサ層は、前記第１飽和領域よりも小さい他の飽和領域によって定量化される第２反強磁性交換結合を提供する。
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表面を有する基板を提供するステップと、前記基板上に合成磁気モーメントベクトルを有する第１磁気領域（１７）を堆積するステップと、前記第１磁気領域上に電気絶縁材料（１６）を堆積するステップと、前記電気絶縁材料上に第２磁気領域（１１５）を堆積するステップを備えた磁気抵抗トンネル接合セルを製造する方法であって、前記第１磁気領域および第２磁気領域の一方の少なくとも一部分が、前記基板の表面に直交する方向に対して非ゼロの堆積角で該領域を堆積することによって形成されて誘導異方性を作る方法。
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本発明は、クロスポイントと１Ｔ‐１セルとの双方の設計に基づくある種の利点を導入するためのメモリ技術及びメモリアレイに関する新規な変更に関する。これらの設計のある特徴を組み合わせることにより、１Ｔ‐１セル設計における読出し時間の高速化及び信号対雑音比の増大と、クロスポイント設計における高記録密度化との双方が達成される。そのために、単一のアクセストランジスタ１６を用いて、“Ｚ”軸方向に配置された複数のメモリアレイ層で垂直方向に互いに上下に積み重ねうる多重メモリセルを読出すようにする。
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