【課題】より小さい磁場で磁性層の磁化方向を所定の方向に設定する。
【解決手段】磁気メモリ１０の磁場印加装置（製造装置）３０は、磁気メモリ１０の磁性層１５に磁場を印加し、磁性層１５の磁化方向を初期化する磁石３２Ａ及び３２Ｂと、磁性層１５に磁場（反転磁場）が印加されている間に、磁性層１５に高周波磁場（マイクロ波磁場）を印加する磁場発生器３３と、制御回路３４とを含む。磁性層１５に磁場を印加すると同時に、高周波磁場を印加することで、小さい反転磁場で磁性層１５の磁化方向を所定の方向に設定することができる。 （もっと読む）

【課題】直流電源配線に電流が流れたか否かを検出可能な回路を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置において、駆動回路ＢＬＤＵ，ＢＬＤＤ，ＢＬＢＤＵ，ＢＬＢＤＤは、電流磁界またはスピン注入によってトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢを第１の磁化状態に初期設定するために、制御信号線ＢＬ，ＢＬＢに直流電流を流す。電源配線ＤＬは、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢに近接して設けられる。ここで、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢは、電源配線ＤＬに直流電流が流れるときに生じる電流磁界によって第２の磁化状態に変化する。センスアンプ１０は、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢが第１の磁化状態から第２の磁化状態に変化したか否かを判定するために、制御信号線ＢＬ，ＢＬＢを介してトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢに流れる電流を検出する。 （もっと読む）

【課題】
２データビットより多いデータビットをＭＲＡＭセルに対して書き込み読み出すための方法であって、当該ＭＲＡＭセルは、読み出し磁化方向を呈する読み出し層と、第１記憶磁化方向を呈する第１記憶強磁性層と第２記憶磁化方向を呈する第２記憶強磁性層と から成る記憶層とから形成された磁気トンネル接合から構成される。
【解決手段】
本発明の方法は、前記磁気トンネル接合を高温閾値より上で加熱するステップと前記第１記憶磁化方向を前記第２磁化方向に対して或る角度で指向させるステップとを有する。その結果、前記磁気トンネル接合が、読み出し磁化方向の方向に対する前記第１記憶磁化方向の方向によって決定される１つの抵抗状態レベルに到達する。書き込み領域を発生させるためのただ１つの電流線を使用することで、当該方法は、異なる少なくとも４つの状態レベルをＭＲＡＭセル内に記憶することを可能にする。 （もっと読む）

【課題】磁気メモリ素子へのデータを書込む方法を改善する。
【解決手段】スピントルクトランスファランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）メモリセルのような磁気メモリ素子に、データを書込むための方法および装置。さまざまな実施形態に従えば、書込電流が磁気メモリセルを通して印加されて、所望の磁化状態への素子の磁気歳差運動を開始する。フィールドアシスト電流の流れは、書込電流の連続した印加の間に磁気メモリ素子に隣接して実質的に印加されて、素子上に磁場を誘起する。フィールドアシスト電流は、書込電流が停止された後も持続され、所望の磁化状態へのフィールドアシストされた歳差を提供する。 （もっと読む）

【課題】 スピン注入磁化反転を用いたメモリにおいて、高速動作時の低電流書き換え動作を実現し、メモリセル毎のばらつきを抑え、読み出しディスターブを抑える。
【解決手段】 書き換え前に弱いパルスを与えてスピンの状態を不安定にし、書き換え電流を低減する。書き換え電流がパルス幅により非線形に大きくなる領域で読み出しを行い
、ディスターブを抑える。更に、ビット線電荷で注入スピン量を一定とした駆動方法によりばらつきを抑える。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高いシフトレジスタ型記憶装置及びデータ記憶方法を提供する。
【解決手段】一態様によれば、一方向に沿って連なり、その特徴方向が前記一方向に延びる回転軸についてそれぞれ回転可能な複数の回転子を備えたシフトレジスタが提供される。前記複数の回転子には一軸異方性が付与され、前記複数の回転子は、隣り合う２つの前記回転子毎に複数の対に組分けされており、同一の前記対に属する２つの前記回転子には、前記特徴方向を反平行とするような第１の力が作用し、隣り合う前記対に属する隣り合う２つの前記回転子には、前記第１の力よりも弱く、前記特徴方向を反平行とするような第２の力が作用する。 （もっと読む）

【課題】磁性体の磁化の方向を反転させるために必要となる電流量を低減することが可能である、磁性体の磁化反転方法を提供する。
【解決手段】磁性体３１と、この磁性体３１に接して配置され、電圧の印加により磁性体３１の磁気特性を直接的に、或いは、間接的に、変化させることが可能な絶縁体３２とを含む素子４０を構成する。そして、磁性体３１の磁化Ｍの歳差運動の周期の２分の１の周期で変調させた電圧を、この素子４０に対して印加して、素子４０の磁性体３１の磁化Ｍの方向を反転させる。 （もっと読む）

【課題】磁化反転しきい値が従来よりも低減された磁気デバイス、及びそのような磁気デバイスを用いた磁気メモリを提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気デバイス３０は、磁化固定層３、磁化自由層５、及び磁化固定層３と磁化自由層５とを接続する非磁性層４を有する磁気抵抗効果素子１４と、磁化固定層３と磁化自由層５間に交流電流が重畳された直流電流を供給する重畳電流供給手段５０とを備えることを特徴とし、従来よりも磁化反転しきい値が低減されている。 （もっと読む）

【課題】メモリ点又はメモリセル（５０）からなる熱アシスト磁気書き込みメモリを提供する。
【解決手段】各々が、反強磁性体により形成された層（７０）によって相互に分離された２重磁気トンネル接合（５１，５２）からなり、それらを構成する層の積層順序が相互に反転し、各磁気トンネル接合（５１，５２）は、基準層（５３，５６）と、記憶層（５５，５８）と、当該磁気トンネル接合のトンネルバリアを構成する基準層及び記憶層の間に挿入された絶縁層（５４，５７）とを具備している。層（７０）のブロッキング温度は、対応する磁気トンネル接合の基準層のブロッキング温度よりも低い。２つのトンネルバリア（５４，５７）の抵抗と面積との積ＲＡは異なっている。各メモリ点（５０）は、前記層のブロッキング温度以上の温度に、記憶層を加熱するための手段（１３２〜１３５）を具備している。 （もっと読む）

【課題】少ない電流量で記憶層の磁化の向きを反転させて、情報の記録を行うことができる記憶素子を提供する。
【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層と、記憶層に対して非磁性層を介して、磁化の向きが固定された磁化固定層とを有し、積層方向に電流を流すことにより、記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる記憶素子であって、磁化固定層の両端部の近傍に、２本の金属配線が設けられている記憶素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】情報の記録を安定して行うことができ、高い信頼性を有する記憶装置を提供する。
【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層３と、非磁性層１５と、磁化の向きが固定された磁化固定層２とを有し、積層方向に電流を流すことにより記憶層３の磁化Ｍ１の向きが変化して、記憶層３に対して情報の記録が行われる記憶素子１と、記憶素子１の積層方向に流す電流Ｉｚを供給する第１の配線３３と、記憶素子１に電流磁界Ｈｘを印加するための電流Ｉｂを供給する第２の配線３４とを備え、情報の記録が行われる際に、第１の配線３３に第１のパルス電流が供給されると共に第２の配線３４に第２のパルス電流が供給され、第１のパルス電流の立ち下りから少なくとも１０ピコ秒が経過した後に、第２のパルス電流が立ち下がる記憶装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】磁気メモリセルのトンネル磁気抵抗素子を安定的に磁化するためのデータ書込電流の供給方式を提供する。
【解決手段】データ書込動作時において、磁化困難軸方向に沿ったデータ書込磁界を発生するためのデータ書込電流Ｉｐは選択行ＷＷＬに供給され、磁化容易軸方向に沿ったデータ書込磁界を発生するためのデータ書込電流±Ｉｗは選択列ＢＬ，／ＢＬに供給される。データ書込開始時において、データ書込電流±Ｉｗの立上がりは、データ書込電流Ｉｐよりも緩やか（時定数大）にされる。また、データ書込終了時には、データ書込電流±Ｉｗよりも先に、データ書込電流Ｉｐの供給が停止される。 （もっと読む）

【課題】小さな電流を簡易な制御で流すことで感磁層の磁化の向きの変更を行うことが可能な磁気メモリ及びスピン注入方法を提供する。
【解決手段】 このスピン注入方法によれば、外部磁界Ｅ_Ｘにアシストされたスピントランスファートルクが働くため、小さな電流で磁化の向きを変更することができ、初期アシストを行う感磁層Ｆ１内の外部磁界Ｅ_Ｘの強度を低下させるだけで感磁層Ｆ１の磁化の向きを制御できるため、精密な電流制御を要せず、したがって、小さな電流を簡易な制御で流すことで感磁層の磁化の向きの変更を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】複数の磁性層を含む磁性メモリセルに対するデータの書き込み／読み出しを行う磁性メモリデバイス、およびそのデータ読み出し方法に関し、磁性メモリデバイス全体の消費電力の節減を図ることを目的とする。
【解決手段】複数の磁性層を積層して形成される磁性メモリセルＭijが、複数の磁性層の磁気モーメントの方向によって異なる抵抗値を有し、複数の磁性メモリセルを複数の第１のラインと、第１のラインと交差する複数の第２のラインとの交点に沿って配置し、各々の磁性メモリセルの容量値とほぼ同一の容量値を有する電圧読み出し手段８を、各々の磁性メモリセルに直列に接続し、第１および第２のラインにより選択される磁性メモリセルの一端と電圧読み出し手段との接点の電位を、予め定められたタイミングで計測して得られる電圧のレベルを判定し、磁性メモリセルのデータを読み出すように構成される。 （もっと読む）

【課題】複数の磁気記憶セルについて、それぞれ確実に書き込みを行うことができる磁気メモリ装置を提供することにある。
【解決手段】 合成磁場発生用電流通電回路８から供給する高周波電流Ｉａの周波数を、第１の書き込み導体線６に直流電流Ｉｗが流れているときに、複数の磁気記憶セル１ごとに定まる複数の最大強磁性共鳴周波数の中で最も高い最大強磁性共鳴周波数よりも高く設定する。そして第１の書き込み導体線６に直流電流Ｉｗが流れておらず且つ第２の書き込み導体線７に高周波電流Ｉａが流れている１以上の交差点に対応して配置された１以上の磁気記憶セル１の磁化状態を反転させることがないように、第２の書き込み導体線７に流される高周波電流の周波数とその電流値に相関関係を持たせる。 （もっと読む）

【課題】高速読み出しが可能なＭＲＡＭを得る。
【解決手段】本発明の半導体記憶装置は、行列に並べられたメモリセル（１０、１０Ａ〜１０Ｈ）を備えるメモリセルアレイと、センスアンプ回路（２６）とを具備する。メモリセル（１０、１０Ａ〜１０Ｈ）のそれぞれは、データを記憶する少なくとも一の磁気抵抗素子（Ｊ０、Ｊ１）と、磁気抵抗素子（Ｊ０、Ｊ１）に電流が流されることによって生成される電位を増幅する増幅手段（ＭＰ１、ＭＮ１、ＭＰ７、ＭＰ７）とを備えている。センスアンプ回路（２６）は、前記増幅手段（ＭＰ１、ＭＮ１、ＭＰ７、ＭＰ７）の出力に応答して、磁気抵抗素子（Ｊ０、Ｊ１）に記憶された前記データを識別する。 （もっと読む）

【課題】ＭＲＡＭに書き込みを行ってもＴＭＲ素子の記録層が中間状態となるのを可及的に防止することを可能にする。
【解決手段】本発明の一態様による書き込み制御方法は、少なくとも１個のメモリセルを備え、メモリセルは、磁化容易軸および磁化困難軸を有し磁化の向きが可変の記録層６と、磁化の向きが固着された参照層２と、記録層と参照層との間に設けられた絶縁層４とを有する磁気抵抗効果素子１を記憶素子として有している磁気抵抗ランダムアクセスメモリに用いられる。記録層の磁化容易軸に実質的に平行なパルス状の第１磁界と磁化困難軸に実質的に平行なパルス状の第２磁界との作用期間が重なるように第１および第２磁界を記録層に作用させるステップと、第１磁界を作用させた後、第１磁界の方向と実質的に同じ方向のパルス状の第３磁界を少なくとも１回記録層に作用させるステップとを備えている。 （もっと読む）

【課題】抵抗型メモリ素子をアクセスする方法を提供する。
【解決手段】この方法は第１抵抗型メモリセルブロックに接続された第１ワードラインに所定の電圧レベルを印加する段階を備える。前記第１ワードラインに所定の電圧レベルを印加することは、第２ワードラインに接続された第２抵抗型メモリセルブロックの判読動作の間に行われる。第１抵抗型メモリセルブロックの第１及び第２側部にそれぞれ位置して互いに対向する一対の電流源トランジスタを介してプログラム電流が供給される。前記プログラム電流は前記第１抵抗型メモリセルブロック内の抵抗型メモリセルに接続されたビットラインを横切るように前記第１側部から前記第２側部に向けて流れる。また、前記プログラム電流は前記第２抵抗型メモリセルブロックに平行な方向に向けて流れる。 （もっと読む）

本発明は、熱アシスト方式で書き込まれる磁気メモリに関し、本磁気メモリにおいてはメモリ点（４０）の各々が磁気トンネル接合から構成されており、メモリの、トンネル接合を形成する層の平面に平行な断面が円形又はほぼ円形である。前記トンネル接合は、少なくとも、磁化方向が固定のトラップ層（４４）、磁化方向が可変の自由層（４２）、及び自由層（４２）とトラップ層（４４）の間に配置された絶縁層（４３）を備える。本発明によれば、自由層（４２）は、接触により磁気的に結合された少なくとも１つの軟質磁性層と１つのトラップ層とから形成され、読み込みメモリ又は休止メモリの動作温度は自由層及びトラップ層それぞれのブロック温度より低く選択される。
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磁気記憶素子と磁界発生部とを具備する半導体記憶装置を用いる。磁気記憶素子は、自発磁化の磁化方向に対応させてデータを記憶する。磁界発生部は、磁気記憶素子へのデータ書き込み動作において、磁気記憶素子の近傍に、第１方向の第１磁界を発生した後、記憶されるデータに対応する磁化方向にその自発磁化を向かせるようにその第１方向とは異なる第２方向の第２磁界を発生する。 （もっと読む）