【課題】スピントルク磁化反転を応用した磁気ランダムアクセスメモリの、セル間での書き込み電流のばらつきを補正する方法を提供する。
【解決手段】ビット線６とワード線との間に設けられた磁気抵抗効果素子と、ビット線６の一端に接続された第一の可変抵抗素子５と、ビット線６の他端に接続された第二の可変抵抗素子１０と、第一の可変抵抗素子５に電圧を印加する第一の電圧印加手段Ｖ１と、第二の可変抵抗素子１０に電圧を印加する第二の電圧印加手段Ｖ２を備え、書込み動作時に、予め定められた抵抗値に基づいて前記第一の電圧印加手段Ｖ１と前記第二の電圧印加手段Ｖ２との間に可変な電流を流し、磁気抵抗効果素子の自由層にオフセット磁界を印加する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗変化率が高く、絶縁破壊電圧が高い強磁性トンネル接合構造を有する強磁性トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が固定可能であり、ホウ素原子を含有する強磁性材料を備える第１固定磁化部と、前記第１固定磁化部の上に配置され、磁化方向が固定可能であり、強磁性材料からなり、該強磁性材料のホウ素原子の含有比が第１固定磁化部よりも小さい第２固定磁化部と、前記第２固定磁化部の上に配置され、トンネル現象により電子が透過可能なエネルギー障壁を有する絶縁層と、前記絶縁層の上に配置され、磁化方向が変化可能であり、強磁性材料からなる第１自由磁化部と、前記第１自由磁化部の上に配置され、磁化方向が変化可能であり、ホウ素原子を含有する強磁性材料を備え、該ホウ素原子の含有比が前記第１自由磁化部よりも大きい、第２自由磁化部とを有することを特徴とする強磁性トンネル接合素子。 （もっと読む）

【課題】コストの増加を抑制しつつ、磁化反転をアシストする。
【解決手段】スピン注入型の磁気ランダムアクセスメモリは、固定層１１と記録層１３と非磁性層１２とを有し、固定層及び記録層の磁化は膜面に対して垂直方向を向く磁気抵抗効果素子１０ａと、磁気抵抗効果素子の一端に接続されたソース線ＳＬａと、磁気抵抗効果素子の他端に電流経路の一端が接続されたトランジスタＴｒａと、トランジスタの電流経路の他端に接続され、ソース線と平行に延在されたビット線ＢＬと、磁気抵抗効果素子及びトランジスタを介してビット線及びソース線間に書き込み電流Ｉを流し、ビット線を通過した書き込み電流によって発生された磁場の磁気抵抗効果素子に対する印加方向が磁気抵抗効果素子を通過する書き込み電流の方向と反対であるソース／シンカとを具備する。 （もっと読む）

【課題】磁気トンネル接合を用いる熱アシスト書き込みを用いるランダムアクセル磁気メモリまたは論理素子を提案する。
【解決手段】磁場またはスピン移動を用いる熱アシスト書込みを用いる磁気素子であって、各々が、“トラップ層”と称される磁気参照層であって、その磁化が固定方向にある磁気参照層と、可変的な磁化方向を有し、その層の平面に磁化を有する強磁性材料から作られ、反強磁性材料から作られる磁化トラップ層４１に磁気的に結合される層からなる“自由層”と呼ばれる磁気記憶層４０と、前記参照層と前記記憶層４０との間に挟まれた半導体または制限電流路の絶縁層４２と、を有する。それぞれ非晶質または準非晶質の材料４５と、反強磁性層と同一の構造または同一の結晶格子を有する材料と、からなる１つ又はそれ以上の二重層が、前記半導体または制限電流路の絶縁層４２と接触する強磁性層と反強磁性層との間の前記記憶層４０に配置される。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い書込動作を行なうことができる磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】ライト線ＷＴは平面形状がライト線中心軸ＣＷＴを中心軸としてライト線中心軸ＣＷＴに沿って延びる部分を有している。ビット線ＢＬは、平面形状がライト線中心軸ＣＷＴと交差するビット線中心軸ＣＢＬを中心軸としてビット線中心軸ＣＢＬに沿って延びる部分を有している。記録層３は平面形状が磁化容易軸に対して非対称である。記録層３の平面形状に外接する矩形の重心ＤＰとライト線中心軸ＣＷＴおよびビット線中心軸ＣＢＬの交点ＡＰとの距離に比して、記録層３の平面形状の重心ＧＰと交点ＡＰとの距離が小さい。 （もっと読む）

【課題】これまで以上に磁気情報を正確に読み出すことができるＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性の自由磁性層５８および導電性の固定磁性層５６の間には導電性の非磁性中間層５７が挟み込まれる。自由磁性層５８および固定磁性層５６の少なくともいずれかは、窒化された磁性金属合金から構成される。本発明者らの検証によれば、自由磁性層５８および固定磁性層５６の少なくともいずれかで単位面積あたりの磁気抵抗変化量（ΔＲＡ）が増大することが確認された。その結果、ＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子の出力は向上する。しかも、窒化された磁性金属合金では飽和磁束密度（Ｂｓ）が減少する。その結果、磁性層では磁化は容易に反転する。ＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子の読み出し感度はこれまで以上に向上する。こうしたＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子はこれまで以上に正確に磁気情報を読み出すことができる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ内に含まれる強磁性体に磁化状態によって情報を記憶し、キャリアのスピンの向きに依存するトランジスタの出力特性を用いて情報を読み出す不揮発性メモリを提供すること。
【解決手段】絶縁性の非磁性体からなるトンネル障壁３６５と該トンネル障壁３６５を挟み込む強磁性体からなるソース３６１及び強磁性体からなるドレイン３６３とにより形成されるトンネル接合構造と、前記トンネル障壁３６５に対して形成されるゲート電極３７１と、を有するトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】磁気記憶素子に対するデータの書き換え時間を低減することが可能な技術を提供する。
【解決手段】“０”を記憶する磁気記憶素子１の自由層に対して、第１磁場印加シーケンスに従って、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に沿った磁場が組み合わされて印加されると、自由層の下層側の磁化ＬＭと上層側の磁化ＵＭが反転する。“１”を記憶する磁気記憶素子の自由層に対して、第２磁場印加シーケンスに従って、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に沿った磁場が組み合わされて印加されると、磁化ＬＭ，ＵＭが反転する。“０”を記憶する磁気記憶素子１の自由層に対して第２磁場印加シーケンスに従って磁場が印加されても磁化ＬＭ，ＵＭは反転せず、“１”を記憶する磁気記憶素子１の自由層に対して第１磁場印加シーケンスに従って磁場が印加されても磁化ＬＭ，ＵＭは反転しない。 （もっと読む）

【課題】動作信頼性に優れたＳＴＴ−ＲＡＭに好適なＭＴＪ素子を提供する。
【解決手段】ＭＴＪ素子８は、ＡＦＭ層１１と、ＳｙＡＦピンド層１２と、マグネシウム層を自然酸化処理してなる結晶質のＭｇＯを有するトンネルバリア層１３と、フリー層１４とを含む。フリー層１４は、鉄もしくはＦｅ _(100-X)Ｂ_x（０＜ｘ≦５）からなる単層構造、または、Ｆｅ＼ＣｏＦｅＢ＼Ｆｅの積層構造を有する。これにより、ギルバート減衰定数が減少し、伝導電子に対してスピン偏極がより強く促される。その結果、臨界電流密度が低減され、動作上の信頼性が向上する。抵抗のばらつきが小さくなるので、リードマージンを大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗変化率が高く、且つ外部磁場に対して自由磁化層の磁化が変化しやすい強磁性トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】少なくとも一部の磁化方向が固定された固定磁化層と、前記固定磁化層の上に配置され、トンネル現象により電子が透過可能なエネルギー障壁を有する絶縁層と、前記絶縁層の上に配置され、外部磁場の影響を受けて磁化方向が変化し、ホウ素原子を含有する第１の強磁性材料からなる第１の自由磁化層と、前記第１の自由磁化層の上に配置され、外部磁場の影響を受けて磁化方向が変化するとともに前記第１の自由磁化層と交換結合をし、ホウ素原子を含有する第２の強磁性材料からなる第２の自由磁化層とを有することを特徴とする強磁性トンネル接合素子。 （もっと読む）

【課題】２つの磁性層間に挟まれたトンネルバリア層の劣化を低減する。
【解決手段】磁気抵抗素子１０は、第１の電極層１２と、第１の電極層１２上に設けられ、かつ磁化方向が固定された固定層１４と、固定層１４上に設けられ、かつ金属酸化物からなるトンネルバリア層１５と、トンネルバリア層１５上に設けられ、かつ磁化方向が変化可能である自由層１６と、自由層１６上に設けられた第２の電極層１７とを含む。そして、第１の電極層１２及び第２の電極層１７のうち少なくとも一方は、導電性金属酸化物を含む。 （もっと読む）

【課題】選択されたメモリセルと同一の行又は列にある他のメモリセルについては高い雑音余裕を確保しつつ、選択されたメモリセルに書き込むことができるメモリセルを提供することにある。
【解決手段】メモリセルは、自由層を有する層を含む磁気抵抗センサを含んでいる。磁気抵抗センサは、読出し間隔の間に、メモリセルに格納されたデータを表す読出し電流を導通する。第一書込み導線は、自由層内にデータを書き込む書込み電流を流す。少なくとも一つの層は、マルチフェロイック材料から形成されたマルチフェロイック層を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】読出動作の高速化を図ることが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】このＭＲＡＭの切換回路１０ａ，１０ｂは、対応の列選択線ＣＳＬ０が「Ｈ」レベルにされ、かつメモリアレイ１が選択されると、比較回路３１，３２の入力ノードＮ１〜Ｎ４にそれぞれビット線ＢＬＡ０，ＢＬＡ０；ＢＬＢ０，ＢＬＢ１６；ＢＬＡ１６，ＢＬＡ１６；ＢＬＢ０，ＢＬＢ１６を接続し、対応の列選択線ＣＳＬ０が「Ｈ」レベルにされ、かつメモリアレイ２が選択されると、ノードＮ１〜Ｎ４にそれぞれビット線ＢＬＡ０，ＢＬＡ１６；ＢＬＢ０，ＢＬＢ０；ＢＬＡ０，ＢＬＡ１６；ＢＬＢ１６，ＢＬＢ１６を接続する。したがって、比較回路３１，３２の入力ノードＮ１〜Ｎ４の寄生容量を等しくすることができる。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリに格納された内部回路の動作特性を設定するチューン情報を、メモリセル微細化時においても、電源投入後、正確かつ安定に読出す。
【解決手段】２つのメモリアレイ（１ａ、１ｂ）各々のメモリセルに互いに相補なデータをチューン情報としてツインセルモードで格納する。ツインセル（ＴＷ１、ＴＷ２）は、互いに相補なチューンデータを格納するメモリセル（ＭＣＡ１，ＭＣＡ２，ＭＣＢ１，ＭＣＢ２）で構成され、２つのツインセルが同一チューン情報を格納する。チューン情報読出モード時、ダブルツインセルモードでメモリセルの選択およびデータ読出を行い、２つのツインセルの記憶情報を読出す。読出回路（５）により読出されたデータ（Ｑ）に従って、対象回路の動作特性を設定する。 （もっと読む）

【課題】反強磁性層のラフネスの影響を低減し、層間結合磁界Ｈｉｎの小さく、特性のバラツキの少ない磁気抵抗効果膜、磁気ヘッド、磁気ディスク装置、磁気メモリ装置、及び磁気抵抗効果膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１９の上方に、下地層１１、反強磁性層１２、固定強磁性層１３、非磁性中間層１４、リファレンス層１５、バリア層１６、フリー強磁性層１７が形成された磁気抵抗効果膜１０において、固定強磁性層１３を基板１９側から順に第１強磁性層１３ａ、酸化物層１３ｂ、及び第２強磁性層１３ｃを形成した積層構造とする。この酸化物層１３ｂは、第１強磁性層１３ａ表面の凹凸を埋め、その結果酸化物層１３ｂの表面はほぼ平坦となる。これによりその上方に形成されたバリア層１６のラフネスが改善され、層間結合磁界Ｈｉｎが小さく特性のバラツキが少ない磁気抵抗効果膜１０が得られる。 （もっと読む）

【課題】磁場安定性及び熱安定性を保持しつつ、微細化かつ省電力化ができる光アシスト型磁気記録装置を提供する。
【解決手段】半導体から構成され発光する発光素子層を有する発光素子基板と前記発光素子基板上にモノリシックに形成され、光照射で磁化が誘起される強磁性体からなる光誘起磁性体層とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スピン平行／反平行状態の２値に加えて、リセット／セット状態の書き込みを可能とするＭＴＪ素子を提供する。
【解決手段】磁気トンネル素子は、一対の強磁性層と、前記強磁性層の間に挟まれるトンネルバリア層とを含み、第１の抵抗状態と、前記第１の抵抗状態よりも高抵抗の第２の抵抗状態の間を遷移する第１機能と、前記第１の抵抗状態より低抵抗の第３の抵抗状態と、前記第２の抵抗状態よりも高抵抗の第４の抵抗状態の間を遷移する第２機能と、を有する。 （もっと読む）

【課題】メモリセルのサイズをより小さくして、小型化に寄与する磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】１つのメモリセル１は、アクセストランジスタ２と磁気抵抗効果素子３とから構成される。一方向に沿って位置するメモリセル１では、各磁気抵抗効果素子３の一端側はビット線４ａに接続され、他端側はアクセストランジスタ２のドレインに接続されている。そのアクセストランジスタ２のソース側はソース線５に接続されている。磁気抵抗効果素子３のフリー層のスピンの向きを磁場のアシストによって反転させるためのデータアシスト線７が形成されている。データアシスト線７は、２つの磁気抵抗効果素子３で一本のデータアシスト線を共有する態様で、一方向に互いに隣接する２つの磁気抵抗効果素子３，３ａ，３ｂの間に平面的に位置するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】簡易な回路構成で書込データレベルに応じたデータ書込電流を供給可能な薄膜磁性体記憶装置の構成を提供する。
【解決手段】各メモリセル列において、ビット線ＢＬは、一端側に相当するノードＮａおよび他端側に相当するノードＮｂにおいて、駆動スイッチをそれぞれ介してデータバスＤＢａおよびＤＢｂと接続され、中間ノードＮｍにおいて、駆動スイッチを介して逆相データバス／ＷＤＢと接続される。選択列のビット線において、選択メモリセルと中間ノードとの位置関係に応じて、中間ノードの駆動スイッチと、一端側および他端側の一方の駆動スイッチとがオンすることによって、データ書込電流が流される。 （もっと読む）

【課題】比較的簡素な構成により、データの読み取り時間、好ましくは更にデータの書き込み時間を大幅に短縮させてデータ転送速度を向上させ、しかもデータの蓄積領域を十分に確保し、記録装置としての使用効率を向上させる磁気記録装置を提供する。
【解決手段】読取素子２及び書込素子３をそれぞれ２つずつ磁性細線１のデータ蓄積領域１ａ上に配設し（読取素子２ａ，２ｂ及び書込素子３ａ，３ｂと図示する。）、データ蓄積領域１ａを各分割領域１ａ₁，１ａ₂に分割する。このように各２つの読取素子２及び書込素子３を配設した場合、素子群数ｎ＝２であることから、読取素子２及び書込素子３を各１つずつ配設する場合に比べて、データ読み取り時間及び書き込み時間はそれぞれ半分に短縮される。同様に、磁性細線１で必要とされるバッファ領域１ｂの占める割合は１／３（≒３３％）（データ蓄積領域１ａの占める割合は２／３（≒６７％））となる。 （もっと読む）