【課題】ＭＲＡＭデバイスを含む半導体装置において、外部磁界に対する耐性を向上させることにより、ＭＲＡＭデバイスのデータ保持特性の向上を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】ダイパッドＤＰ上にダイアタッチフィルムＤＡＦ１を介して磁気シールド材ＰＭ１を配置する。そして、この磁気シールド材ＰＭ１上にダイアタッチフィルムＤＡＦ２を介して半導体チップＣＨＰを搭載する。さらに、半導体チップＣＨＰ上にダイアタッチフィルムＤＡＦ３を介して磁気シールド材ＰＭ２を配置する。つまり、半導体チップＣＨＰは、磁気シールド材ＰＭ１と磁気シールド材ＰＭ２で挟まれるように配置する。このとき、磁気シールド材ＰＭ２の平面的な面積は、磁気シールド材ＰＭ１の平面的な面積よりも小さくなっているが、磁気シールド材ＰＭ２の厚さは、磁気シールド材ＰＭ１の厚さよりも厚くなっている。 （もっと読む）

【課題】複数の磁性層を含む磁性メモリセルに対するデータの書き込み／読み出しを行う磁性メモリデバイス、およびそのデータ読み出し方法に関し、磁性メモリデバイス全体の消費電力の節減を図ることを目的とする。
【解決手段】複数の磁性層を積層して形成される磁性メモリセルＭijが、複数の磁性層の磁気モーメントの方向によって異なる抵抗値を有し、複数の磁性メモリセルを複数の第１のラインと、第１のラインと交差する複数の第２のラインとの交点に沿って配置し、各々の磁性メモリセルの容量値とほぼ同一の容量値を有する電圧読み出し手段８を、各々の磁性メモリセルに直列に接続し、第１および第２のラインにより選択される磁性メモリセルの一端と電圧読み出し手段との接点の過渡状態の電位を、予め定められたタイミングで計測して得られる電圧のレベルを判定し、磁性メモリセルのデータを読み出すように構成される。 （もっと読む）

【課題】高密度記憶の磁気記憶装置に適用可能で、信頼性の向上が図られた磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する金属層を含むスペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、前記スペーサ層は、第１の金属層を成膜し、前記第１の金属層上に、前記絶縁層に変換される第２の金属層を成膜し、前記第２の金属層を前記絶縁層に変換するとともに前記絶縁層を貫通する前記金属層を形成する第１の変換処理を行い、前記第１の変換処理を通じて形成された前記絶縁層及び前記金属層上に、前記絶縁層に変換される第３の金属層を成膜し、前記第３の金属層を前記絶縁層に変換するとともに前記絶縁層を貫通する前記金属層を形成する第２の変換処理を行って形成する。 （もっと読む）

【課題】準安定状態への遷移確率を減らし、注入電流の広い範囲にわたって安定な磁化反転を実現する、スピントランスファ効果を利用してデータの書き込みを行う抵抗変化型メモリデバイスを提供する。
【解決手段】抵抗変化型のメモリセルＭＣ内に、記憶層磁化５３の向きが反転可能な記憶層１６を含み接続プラグ３１上に形成された磁性層１２,１４,１６を含むトンネル磁気抵抗効果素子１の積層体を有し、積層体の各層の中心を結ぶ線が、当該積層体が形成された接続プラグ３１の上面と垂直な方向から斜めに傾いている。 （もっと読む）

【課題】準安定状態への遷移確率を減らし、注入電流の広い範囲にわたって安定な磁化反転を実現する。
【解決手段】抵抗変化型のメモリセルＭＣと、複数のパルスからなる書き込みパルス（電流値：Ｉ_z）と、書き込みパルスのパルス間レベルを規定するオフセットパルス（電流値Ｉ_z0）との合成パルスを発生し、発生した合成パルスをメモリセルＭＣに書き込み時に与える駆動回路と、を有する。 （もっと読む）

修正されたＳＴＲＡＭセルのような不揮発性メモリにおいて、一方向書込電流を用いて異なる論理状態を記憶するための方法および装置。いくつかの実施形態においては、メモリセルは、クラッド導体に隣接する固定されていない強磁性基準層と、強磁性記憶層と、基準層と記憶層との間のトンネリングバリア層とを有する。クラッド導体に沿った電流経路は、基準層内に選択された磁化方向を誘導し、それは記憶層による記憶のためにトンネリングバリア層を通って転送される。さらに、印加するステップの方向は、電流がそれに沿って通過する導体に隣接するクラッド層によって提供され、その電流は選択された磁化方向のクラッド層内に磁場を誘導する。
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【課題】可変論理機能を実現するための記憶回路を論理回路と等価な回路として扱うことができ、可変論理に対する機能設定の負担を部分的に軽減する。
【解決手段】可変論理機能を実現するために記憶回路と制御回路を有する機能再構成セルを複数個備え、真理値データを格納する記憶回路の読み出しアドレスを機能再構成セルそれ自体で自律的に制御する。前記制御回路は記憶回路のデータフィールド及び制御フィールドから同期的に読み出された情報を帰還入力し、制御フィールドからの帰還入力情報に基づいて、データフィールドからの帰還入力情報又は別の情報をデータフィールド及び制御フィールドを次に同期的に読み出し制御するためのアドレス情報とする。更に演算回路を備え、演算回路は、記憶回路の前記データフィールドから出力される演算制御データをデコードして演算を行う。 （もっと読む）

【課題】磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）に基づいた三値連想メモリ（ＴＣＡＭ）に書き込んで検索する方法を提供する。
【解決手段】三値連想メモリセル１は、ストレージ層２３から形成されている第１磁気トンネル接合２、ストレージ層の磁化に対して調整可能な磁化方向を有するセンス層２１、及び、ストレージ層とセンス層との間の絶縁層２２を有し、ストレージ層に接続されているセンス線３を有し、第１フィールド線４及び第２フィールド線５を有する。第１フィールド線は、第２フィールド線に対して直交し、第２フィールド線を介してストレージ層に対して第１書込みデータを提供して、高い論理状態又は低い論理状態を有する第１記憶データを記憶する。第１フィールド線を介してストレージ層に対して第１書込みデータを提供して、マスクされた論理状態を有する第１記憶データを記憶する。 （もっと読む）

【課題】更なる高記録密度化が実現可能な磁気抵抗効果素子を得る。
【解決手段】ＣｏＦｅＡｌＳｉに第５元素としてＧｅ及び／又はＣｕを添加した膜でで形成され、内部の磁化の向きが固定されているリファレンス層１４３ｃと、リファレンス層１４３ｃ上に非磁性材料で形成された非磁性層１４４と、この非磁性層１４４上に、ＣｏＦｅＡｌＳｉに第５元素としてＧｅ及び／又はＣｕを添加した膜で形成され、磁化の向きが、外部の磁界の向きに応じた向きに変化する自由磁化層１４５とを備えた。 （もっと読む）

【課題】複数のＭＴＪメモリセルアレイを同一チップ内に含む半導体集積回路装置の製造工程を効率化する。
【解決手段】システムＬＳＩ１００は、複数のＭＲＡＭ回路ブロック１１０ａ〜１１０ｆを備える。ＭＲＡＭ回路ブロック１１０ａ〜１１０ｆは、ＭＴＪメモリセルが行列状に配置されるＭＴＪメモリセルアレイ１０ａ〜１０ｆをそれぞれ含む。ＭＴＪメモリセルアレイ１０ａ〜１０ｆの各々には、書込データに応じて双方向のデータ書込電流を流すためのビット線ＢＬが配置される。ＭＴＪメモリセルアレイ１０ａ〜１０ｆのそれぞれにおけるビット線ＢＬの延在方向は、システムＬＳＩ１００上で同一方向である。 （もっと読む）

【課題】アシスト用のマイクロ波磁場を適切な条件で印加することにより、記録磁場を低減できる磁気記録ヘッドを提供する。
【解決手段】磁気記録媒体に記録磁場を印加する記録磁極と、磁気記録媒体にマイクロ波磁場を印加して磁気記録をアシストするマイクロ波磁場発生源とを有し、前記マイクロ波磁場発生源から磁気記録媒体に印加されるマイクロ波磁場の周波数が、前記記録磁場が印加された磁気記録媒体の磁化の共鳴周波数に対応することを特徴とする磁気記録ヘッド。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率の高いＣＣＰ−ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】強磁性体を含む第１磁性層と、強磁性体を含む第２磁性層と、第１磁性層と第２磁性層との間に設けられ、絶縁層と前記絶縁層を貫通する導電部とを含むスペーサ層と、を有する磁気抵抗効果素子の製造方法であって、スペーサ層の母材となる膜を形成する第１工程と、前記膜に、酸素分子、酸素イオン、酸素プラズマ及び酸素ラジカルを含むガスを用いた第１処理を施す第２工程と、第１処理が施された膜に、水素分子、水素原子、水素イオン、水素プラズマ、水素ラジカル、重水素分子、重水素原子、重水素イオン、重水素プラズマ及び重水素ラジカルの少なくともいずれかを含むガスを用いた第２処理を施す第３工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多値記録ができかつ熱的安定性の良い磁気メモリを提供することを可能にする。
【解決手段】第１強磁性層２と、第１強磁性層上に形成される第１非磁性層４と、第１非磁性層上に形成される第２強磁性層６と、第２強磁性層上に形成される第２非磁性層８と、第２非磁性層上に形成される第３強磁性層１０と、を有するメモリセル１を備え、第１および第３強磁性層はそれぞれ膜面に略垂直な磁化容易軸を有し、第２強磁性層は第１および第３強磁性層に比べて保磁力が小さくかつ磁化容易軸が膜面に垂直な方向に対して０度より大きく９０度以下の角度をなして傾いている。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の絶縁性を保ちつつ導電部の導電性を向上し、ＭＲ変化率の高いＣＣＰ−ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】強磁性体を含む第１磁性層と、強磁性体を含む第２磁性層と、前記第１、第２磁性層の間に設けられ、絶縁層と前記絶縁層を貫通する導電部とを含むスペーサ層と、を有する磁気抵抗効果素子の製造方法であって、スペーサ層の母材となる膜を形成する第１工程と、前記膜に、酸素分子、酸素イオン、酸素プラズマ及び酸素ラジカルの少なくともいずれかを含むガスを用いた第１処理を施す第２工程と、前記第１処理が施された前記膜に、窒素分子、窒素原子、窒素イオン、窒素プラズマ及び窒素ラジカルの少なくともいずれかを含むガスを用いた第２処理を施す第３工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レイアウト面積が小さな半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】このＭＲＡＭでは、メモリブロックＭＢ１用のＤＬドライバ１０をトランジスタ２０，２１で構成し、メモリブロックＭＢ２内のアクセストランジスタ１９のサイズを適正化し、空いた領域にドライバトランジスタ２１を配置する。また、メモリブロックＭＢ２用のＤＬドライバ１４をトランジスタ２２，２３で構成し、メモリブロックＭＢ１内のアクセストランジスタ１９のサイズを適正化し、空いた領域にドライバトランジスタ２３を配置する。したがって、レイアウト面積が小さくなる。 （もっと読む）

【課題】ＭＲＡＭに効果の高い磁気シールド手段を提供する。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、基板と、その基板の上方に形成された下部配線層と、その下部配線層の上方に形成された上部配線層と、下部配線層と上部配線層との間の第１高さに配置され、複数の孔が形成された磁気シールド層と、前記下部配線層と上部配線層との間に配置された磁気ランダムアクセスメモリ素子部とを備える。磁気ランダムアクセスメモリ素子部は、磁化が固定された磁化固定層と磁化が反転可能な磁化自由層とを備える複数の磁気ランダムアクセスメモリ素子と、複数の磁気ランダムアクセスメモリ素子の各々と下部配線層とを接続する下部接続部と、複数のランダムアクセスメモリ素子の各々と上部配線層とを接続する上部接続部とを備える。第１高さにおいて、複数の磁気ランダムアクセスメモリ素子はそれぞれ複数の孔の内部に配置される。磁気シールド層がメモリ素子の近くに配置されるため、高い磁気シールド効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】更なる高記録密度化が実現可能な磁気抵抗効果素子を得る。
【解決手段】ＣｏＦｅＡｌにＳｉ又はＧｅが添加された磁性材料で形成され、内部の磁化の向きが固定されているリファレンス層１４３ｃと、リファレンス層１４３ｃ上に非磁性材料で形成された非磁性層１４４と、この非磁性層１４４上に、ＣｏＦｅＡｌにＳｉ又はＧｅが添加された磁性材料で形成され、磁化の向きが、外部の磁界の向きに応じた向きに変化する自由磁化層１４５とを備えた。 （もっと読む）

【課題】トップ型の積層構造で外部磁場耐性を向上させることができる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子４２ではフリー層５３上に絶縁層５７が積層される。絶縁層５７上にはリファレンス層６１、結晶層６２、非磁性層６３およびピンド層６４の積層体が積層される。こうした磁気抵抗効果素子４２ではいわゆるトップ型の積層構造が確立される。この積層構造では、絶縁層５７はフリー層５３に受け止められることから、絶縁層５７で凹凸の発生は回避される。しかも、リファレンス層６１および非磁性層６３の間には結晶層６２が挟み込まれる。非磁性層６３の結晶粒は結晶層６２の結晶粒から成長する。非磁性層６３では十分な結晶成長が確立される。その結果、リファレンス層６１およびピンド層６４の間で十分な磁気的結合力が確保される。この磁気的結合力の働きで、トップ型の積層構造にも拘わらず外部磁場耐性の低下は回避される。 （もっと読む）

【課題】レイアウト面積が小さな半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】このＭＲＡＭでは、選択された１本のディジット線ＤＬに磁化電流を流して８個（または２４８個）のメモリセルＭＣの磁気抵抗素子５を半選択状態にし、８個（または２４８個）のメモリセルＭＣの磁気抵抗素子５の全てにデータ信号ＤＩを並列に書込む。したがって、磁気抵抗素子５の記憶データが誤反転することがないので、ディジット線ＤＬに大きな磁化電流を流すことができ、磁気抵抗素子５およびトランジスタ６に流す電流を小さくすることができる。よって、トランジスタ６のチャネル幅を小さくしてメモリセルＭＣのレイアウト面積を縮小化できる。 （もっと読む）

【課題】スピン注入書き込み時の電流値が低い磁気抵抗効果素子を提案する。
【解決手段】本発明の例に関わるスピンメモリは、磁化方向が不変の第１強磁性層、磁化方向が可変の第２強磁性層、及び、これらの間の第１非磁性層を有する磁気抵抗効果素子17と、第２強磁性層の磁化困難軸に対して、θ（45°≦θ≦90°）の方向に延び、長手方向の一端で磁気抵抗効果素子17を挟み込む下部電極16及び上部電極18と、下部電極16の長手方向の他端に接続されるスイッチ素子14と、上部電極18の長手方向の他端に接続されるビット線20とを備える。第２強磁性層の磁化反転は、第２強磁性層にスピン偏極した電子を与える書き込み電流を下部電極16と上部電極18との間に流すと共に、下部電極16及び上部電極18に流れるその書き込み電流により発生する磁界を用いて実行する。 （もっと読む）