【課題】書込み電流の増大や書込みの信用性の向上が図られた磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】磁気記憶装置は、基板１１と、基板１１上に設けられたライト線ＷＴと、ライト線ＷＴに対して基板１１の厚み方向に間隔をあけて配置され、ライト線ＷＴの延在方向と交差する方向に延びるビット線ＢＬと、ライト線ＷＴおよびビット線ＢＬの間に位置する磁気記憶素子ＭＭとを備え、磁気記憶素子ＭＭは、磁化方向が固定された固定層１と、外部磁界によって磁化方向が変化する記録層３とを含み、記録層３は合金膜を含み、合金膜はコバルトと鉄とホウ素とを含み、ホウ素は２１ａｔ％より高い。 （もっと読む）

【課題】低電流書き込みと外部磁場耐性を両立した磁性体記憶装置を提供することにあり、特にフリー層の磁気特性のシフトを抑制する手段を提供する。
【解決手段】書き込み配線を挟んで２つの磁性体フリー層２，３が配置され、一方の磁性体フリー層にトンネル絶縁体層４と磁性体ピン層５とが積層された磁性体記憶素子において、もう一方の磁性体フリー層近傍に第２の磁性体ピン層６を設ける。これら２つの磁性体ピン層の漏れ磁場やネールカップリング磁界を用いて、２つの磁性体フリー層の磁気特性シフトをそれぞれゼロに調整する。 （もっと読む）

【課題】 ＭＴＪ素子が配置される凹部の平面寸法は微細であるため、下層構造との位置合わせが困難である。
【解決手段】 基板の上に下部導電膜を形成する。下部導電膜の上に第１の絶縁膜を形成する。第１の絶縁膜に、下部導電膜まで達する開口を形成する。開口内の下部導電膜の上、及び第１の絶縁膜の上に、磁化自由層とトンネル絶縁膜と磁化固定層とを有するＭＴＪ積層膜を堆積させる。ＭＴＪ積層膜の上に上部電極を形成する。第１の絶縁膜の上に堆積しているＭＴＪ積層膜を除去することにより、開口内に残ったＭＴＪ積層膜からなるＭＴＪ素子を形成する。第１の絶縁膜の少なくとも一部、及び下部導電膜の一部を除去することにより、ＭＴＪ素子の下に下部導電膜からなる下部電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】上面にストラップ配線が形成された絶縁膜と、この絶縁膜の下面に形成された配線と間で剥離が生じることが抑制された半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体基板ＳＳと、半導体基板ＳＳ上に形成され、周辺配線Ｐ１および配線Ｌ２が形成された配線層ＬＬ１，ＬＬ２と、配線層ＬＬ２に形成され、配線Ｌ３を含む配線層ＬＬ３と、配線層ＬＬ３上に形成され、磁気記憶素子ＭＲを含む配線層ＬＬ４とを備え、配線Ｌ１，Ｌ２上に形成された拡散防止膜ＮＦ１，ＮＦ２は、ＳｉＣＮ膜またはＳｉＣ膜から形成され、配線Ｌ３上に形成された拡散防止膜ＮＦ３は、ＳｉＮから形成される。 （もっと読む）

【課題】外部からの磁場を遮蔽する磁気シールド効果が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板ＳＵＢの主表面上に形成されたスイッチング素子ＴＲを覆うように形成された層間絶縁膜ＩＩＩ１と、平板状の引出配線ＬＥＬと、引出配線ＬＥＬとスイッチング素子ＴＲとを接続する接続配線ＩＣＬと、磁化の向きが可変とされた磁化自由層ＭＦＬを含み、引出配線ＬＥＬ上に形成された磁気抵抗素子ＴＭＲとを備える。磁化自由層ＭＦＬの磁化状態を変化させることが可能な配線ＤＬと配線ＢＬとを備えている。磁気抵抗素子ＴＭＲが複数並んだメモリセル領域において、磁気抵抗素子ＴＭＲの上部に配置された第１の高透磁率膜ＣＬＡＤ２が、上記メモリセル領域から、メモリセル領域以外の領域である周辺領域にまで延在している。 （もっと読む）

【課題】書込まれる記憶データのレベルに依存せず磁気特性が対称な磁性体メモリセルを有する薄膜磁性体記憶装置を提供する。
【解決手段】トンネル磁気抵抗素子中の自由磁化層においては、静磁性結合に起因する固定磁化層との間の結合磁界ΔＨｐが、磁界容易軸（ＥＡ）に沿った方向に作用している。データ書込磁界Ｈ（ＷＷＬ）は、自由磁化層の磁化困難軸（ＨＡ）と完全に平行に印加されるのではではなく、磁化困難軸ＨＡとの間に所定角度αを成すように印加される。これにより、Ｈ（ＷＷＬ）の磁化容易軸（ＥＡ）方向に沿った成分によって、一様な結合磁界ΔＨｐが相殺される。 （もっと読む）

【課題】半選択状態になったデータの誤反転を抑制して信頼性の高い書き込み動作を行うことができる磁気記憶素子およびこれを用いた磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】磁化容易軸９１とそれに交差する磁化困難軸９２とを有する記録層３と、磁化容易軸９１の方向と交差する方向に磁界を形成するライト線ＷＴと、記録層３の配置位置において磁化困難軸９２の方向と交差する方向に磁界を形成するビット線ＢＬとを備え、記録層３は、ライト線ＷＴとビット線ＢＬとの間に挟まれるように配置されており、ライト線ＷＴおよびビット線ＢＬと記録層３とが積層された積層方向からみた記録層３の平面形状は、積層方向からみてライト線ＷＴが延びる方向に沿うライト線ＷＴの仮想の第１の中心線ＡＷに対して一方側に位置する一方の部分と他方側に位置する他方の部分とを有し、積層方向からみた一方の部分の面積Ｓ２が他方の部分の面積Ｓ１の１／３以下である。 （もっと読む）

【課題】 大きなＭＲ変化率を有する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ、及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 磁化固着層５と、磁化自由層７と、磁化固着層５と磁化自由層７との間に設けられた非磁性層６と、磁化自由層７の非磁性層６が設けられた側とは反対の側に設けられたＡｕを含む第１の金属層４と、第１の金属層４の磁化自由層７が設けられた側とは反対の側に設けられたＣｕＮｉ合金を含む第２の金属層３と第２の金属層３の第１の金属層４が設けられた側とは反対の側に設けられた第１の電極２と、磁化固着層５の非磁性層６が設けられた側とは反対の側に設けられた第２の電極８とを備え、磁化固着層５及び磁化自由層７の一方がハーフメタルを含み、第１の電極２から第２の電極８に向かって電流が流れることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁気トンネル接合磁気装置、メモリ、及び前記装置を用いた書き込み及び読み出し方法。
【解決手段】前記装置（１６）は、半導体又は絶縁体の層（２０ｂ）によって分離された基準層（２０ｃ）と記憶層（２０ａ）とを備える。記憶層の磁化のブロッキング温度は、基準層の磁化のブロッキング温度よりも小さい。装置はさらに、磁化のブロッキング温度よりも上に記憶層を加熱する手段（２２，２４）と、前記基準層の向きを変えることなく基準層の磁化に対して記憶層の磁化の向きを調整する磁場（３４）を記憶層に印加する手段（２６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】デバイスの温度が上昇しても、安定的に動作する不揮発磁気薄膜メモリ装置の記録方法を提供する。
【解決手段】不揮発磁気薄膜メモリ装置は、基板と、その基板上に磁気抵抗効果素子を有するメモリセルが二次元状に配されたメモリセルアレイとを有している。不揮発磁気薄膜メモリ装置への情報の記録を行なう前に、メモリセルに情報の試し書きを行ない、試し書きの記録を確認した後、正規のデータを記録する。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率を向上した磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】強磁性体を含む第１磁性層と、強磁性体を含む第２磁性層と、第１磁性層と第２磁性層との間に設けられ、絶縁層１６１と、絶縁層を貫通する導電部１６２と、を含む中間層１６と、を有する磁気抵抗効果素子の製造方法が提供される。本製造方法は、絶縁層と、絶縁層を貫通する導電部１６ｐと、を含む構造体を形成する工程（ステップＳ１１０）と、構造体に、希ガスを含むイオン及びプラズマの少なくともいずれかの照射を行う第１処理工程（ステップＳ１２０）と、第１処理工程が施された構造体に対して、酸素及び窒素の少なくともいずれかのガスへの曝露、イオンビーム照射及びプラズマ照射の少なくともいずれかを行う第２処理工程（ステップＳ１３０）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 既に市場で大量に生産されているＭ（マグネトプラムバイト）型フェライト磁石により、外部磁場で電流を誘起でき、外部磁場で電気分極の強度や方向を制御でき、また、外部電場で誘起した磁化の強度や方向を制御でき、且つ、室温の動作環境温度において動作可能なマルチフェロイックス素子を提供する。
【解決手段】 Ｍ（マグネトプラムバイト）型フェライトからなる強誘電性と強磁性を合わせもつマルチフェロイックス固体材料で、室温の動作環境温度において外部磁場を作用させることにより電流を誘起する。例えば、マルチフェロイックス素子は、ＢａＦｅ_12-x-δＳｃ_x Ｍｇ_δＯ₁₉（δ＝０．０５）結晶材料のＳｃ濃度ｘが１．６から２であるマルチフェロイックス固体材料１とそれを挟むように形成される金属電極２とからなる構造を有し、金属電極２に平行に交流磁界５を印加するように配置され、金属電極２間に誘起される電流を利用する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子における磁場の漏洩をより抑制し、性能をより向上することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板は主表面を有する。磁気抵抗素子３２は半導体基板の上記主表面上に位置する。配線４３は上記磁気抵抗素子３２上に位置する。バリア層４１ａ、４１０は上記配線４３の側面および上面を連続するように覆うように配置される。クラッド層４１ｃ、４１ｄは上記バリア層４１ａ、４１０の、配線４３に対向する表面と反対側の表面を連続して覆うように配置される。上記磁気抵抗素子３２と上記配線４３と上記バリア層４１ａ、４１０と上記クラッド層４１ｃ、４１ｄとを含むメモリユニットが複数形成される。複数の上記メモリユニットが配線４３の延在する方向に交差する方向に並列しており、複数のメモリユニット間でクラッド層４１ｃ、４１ｄが分離されている。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子における磁場の漏洩をより抑制し、性能をより向上することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】下部電極３１は、半導体基板１００の主表面上に形成される。磁気抵抗素子３２は、固定層３５と、トンネル絶縁膜３８と、自由層３７とを含む。上部電極４４は、自由層３７のトンネル絶縁膜３８と対向する一方の主表面と反対側に位置する他方の主表面上に配置される。磁気抵抗素子３２を構成する固定層３５は、下部電極３１の一方の主表面上に配置された、磁化の方向が一定である層である。自由層３７は、トンネル絶縁膜３８の、固定層３５と対向する一方の主表面と反対側に位置する他方の主表面上に配置された、磁化の方向が可変である層である。上記下部電極３１、固定層３５、トンネル絶縁膜３８、自由層３７、上部電極４４の積層方向に交差する方向において、上部電極４４の幅は、下部電極３１および固定層３５の幅よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】
積層された反強磁性層と固定層からなる交換結合膜、それを有する磁気抵抗効果ヘッド、磁気センサおよび磁気メモリにおいて、反強磁性層と固定層間の交換結合エネルギーを増大し、固定層の磁化の安定性を高める。
【解決手段】
反強磁性層１２と固定層１３とが積層され、前記反強磁性層１２により前記固定層１３の磁化方向が一方向に磁気的に固定されている交換結合膜１０、それを有する磁気抵抗効果ヘッド、磁気センサおよび磁気メモリにおいて、前記反強磁性層１２をMn-X（X＝Ir,Rh,Ru）で構成するとともに、前記固定層１３の主成分をCo-Fe-Mnで構成する。 （もっと読む）

【課題】磁性体の磁化の方向を反転させるために必要となる電流量を低減することが可能である、磁性体の磁化反転方法を提供する。
【解決手段】磁性体３１と、この磁性体３１に接して配置され、電圧の印加により磁性体３１の磁気特性を直接的に、或いは、間接的に、変化させることが可能な絶縁体３２とを含む素子４０を構成する。そして、磁性体３１の磁化Ｍの歳差運動の周期の２分の１の周期で変調させた電圧を、この素子４０に対して印加して、素子４０の磁性体３１の磁化Ｍの方向を反転させる。 （もっと読む）

【課題】磁性物質又は相変化物質を含む半導体素子のパターン構造物の形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に、磁性物質又は少なくとも３つの元素を含む合金からなった相変化物質のいずれか一つの物質を含むエッチング対象膜を形成する段階と、少なくともアンモニア（ＮＨ_３）ガスを含むエッチングガスを使って前記エッチング対象膜をプラズマ反応性エッチングすることによってパターン構造物を形成する段階とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＭＲＡＭを含む半導体装置において、ＭＲＡＭの特性を向上することができる技術を提供する。
【解決手段】配線Ｌ３およびデジット配線ＤＬを形成した層間絶縁膜ＩＬ３の表面に対してプラズマ処理を実施する。まず、半導体基板１Ｓをチャンバ内に搬入し、窒素を含有する分子（アンモニアガス）と窒素を含有しない不活性分子（水素ガス、ヘリウム、アルゴン）とからなる混合ガスをチャンバ内に導入する。このとき、窒素を含有する分子の流量よりも窒素を含有しない不活性分子の流量が多い条件で、混合ガスを導入し、混合ガスをプラズマ化してプラズマ処理を実施する。 （もっと読む）

【課題】リードワード線およびライトワード線のドライブ回路を分割配置してレイアウト面線を減少させる。
【解決手段】
磁性体メモリセルＭＣは、メモリアレイに行列状に配置される。リードワード線ＲＷＬ１〜ＲＷＬｎおよびライトビット線ＷＢＬ１〜ＷＢＬｎは、磁性体メモリセルの行に対応して配置される。ライトワード線ＷＷＬ１〜ＷＷＬｍおよびリードビット線ＲＢＬ１〜ＲＢＬｍは、磁性体メモリセルの列に対応して配置される。この結果、リードワード線ドライバ３０ｒおよびリードワード線ドライバ３０ｗは、メモリアレイに対して異なる方向に隣接するように分割配置することができる。 （もっと読む）

【課題】選択された磁気抵抗素子に書き込み動作等を行う際に、非選択の磁気抵抗素子の誤動作の抑制が図られた半導体装置およびこの半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、磁化の向きが可変とされた磁化自由層を含み、引出配線上に形成された磁気記憶素子と、磁気記憶素子の下方に位置し、第１方向に向けて延び、発生する磁界により磁化自由層の磁化状態を変化させることが可能なディジット線５０とを備え、ディジット線５０は、配線本体部５１と、配線本体部５１の底面および側面を覆うように設けられ、上方に向けて開口するクラッド層５２とを含み、クラッド層５２は、配線本体部５１の側面を覆うように形成された側壁部５２ｂと、配線本体部５１の底面を覆うように形成された底壁部５２ａとを含み、側壁部５２ｂの厚さＷ１は、底壁部５２ａの厚さＷ２よりも厚く形成される。 （もっと読む）