【課題】角型性にすぐれ、ノイズの改善が図られ、安定した磁気特性を有する磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】少なくとも１対の強磁性層の間にトンネルバリア層を挟んだ強磁性トンネル接合を用いた磁気抵抗効果素子であって、強磁性層の一方により構成される磁化自由層が、非晶質もしくは微結晶構造を有する材料の単層、あるいは主な部分が非晶質もしくは微結晶構造を有する材料層からなり、磁化自由層がＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの強磁性元素のうち少なくとも１種もしく２種以上の成分と、含有量が１０原子％〜３０原子％のＢ，Ｃ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉのいずれか１種もしくは２種以上とを含む構成とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＴＪ素子の特性を劣化させることなく、良好な絶縁性を有するシリコン窒化膜をＭＴＪ素子の保護膜として形成することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】ＭＴＪ素子部（ＭＴＪ素子ＭＤ１及び上部電極ＥＴ１）を含む全面にシリコン窒化膜３３を形成する。シリコン窒化膜３３の成膜装置として、平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いる。そして、成膜ガスとして、ＮＨ₃を含むことなく、ＳｉＨ₄／Ｎ₂/ヘリウムガス（Ｈｅ）を用いる。成膜温度は２００〜３５０℃に設定される。さらに、理想的には、Ｈｅの流量がＳｉＨ₄の流量に対し、１００〜１２５倍を呈するようにＨｅとＳｉＨ₄の流量比が設定される。 （もっと読む）

磁場又は熱アシストスピン移動による書き込み用の磁性素子が、スタックを備え、該スタックが：・自由磁性層であって、スイッチ可能な磁化層（５１）又は記憶層とも呼ばれ、その磁化方向が、２つの非−書き込み安定状態の間をスイッチ可能であり、いずれも、面外及び前記層の平面に実質的に垂直に向けられ、書き込みの間の温度上昇の影響下において、その磁化が、平面に実施的に垂直な方向から、実質的に面内に、自発的に再配向される自由磁性層；・少なくとも１つの参照磁性層（５０，５５）であって、ピン止め層とも呼ばれ、その磁化が、前記層の平面と実質的に垂直に配向された参照磁性層；・前記２つの層の間に挿入された非磁性スペーサ（５２）；・前記層の平面に垂直に電流を流すための手段；を備える。
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【課題】反強磁性層で（００２）結晶面の配向面を実現することができる積層構造体を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、窒化物で形成される下地層５２上に反強磁性層５３は積層される。反強磁性層５３は（１１１）結晶面に最密面を有する。反強磁性層５３では下地層の表面に平行に（００２）結晶面が結晶配向される。反強磁性層５３上には、反強磁性層５３との交換結合に基づき所定の方向に磁化を固定するリファレンス層５６が積層される。こういった磁気抵抗効果素子ではリファレンス層５６で（００２）面が優先配向されることができる。 （もっと読む）

【課題】低消費電力かつ小占有面積で高速に論理演算および算術演算処理を実行することのできる半導体信号処理装置を提供する。
【解決手段】ユニット演算子セル（ＵＯＥ）を、複数のＳＯＩトランジスタで構成し、この少なくとも２つのＳＯＩトランジスタのボディ領域（ＳＮＡ，ＳＮＢ）に書込データを格納し、これらの記憶用のＳＯＩトランジスタ（ＮＱ１，ＮＱ２）を直列にまたは単独に読出ポート（ＲＰＲＴＢまたはＲＰＲＴＡ）に結合する。これにより、ユニット演算子セルの記憶データのＡＮＤ演算結果またはＮＯＴ演算結果を得ることができ、データの書込／読出だけで演算処理を行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】書き込み特性の安定した磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】磁気記憶装置は記録層３を有する。記録層３の平面形状は、磁化容易軸９１に沿った一の直線６３上で磁化容易軸９１の方向における最大の長さＬを有し、磁化容易軸９１と垂直な方向に最大の長さＬの半分より小さい長さＷに渡って位置し、一の直線６３の一方側および他方側のそれぞれにおいて、磁化容易軸９１と垂直な方向に長さａに渡って位置する第１の部分３ａと、磁化容易軸９１と垂直な方向に長さａより小さい長さｂに渡って位置する第２の部分３ｂとを有している。第１の部分３ａの外縁は、外縁の外側に向かって凸の滑らかな曲線のみからなる。 （もっと読む）

【課題】読み出し動作の速度低下を防ぎ、電源の低電圧化を図り、かつデータ読み出しを正確に行なうことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０１は、第１の差動アンプＡＭＰ０の第１入力端子と第１の定電圧トランジスタＴＲＣ０との間に直列接続された第１の選択トランジスタＴＲＷ０Ａと、第１の差動アンプＡＭＰ０の第１入力端子と第２の定電圧トランジスタＴＲＣ１との間に直列接続された第２の選択トランジスタＴＲＷ０Ｂとを備え、第１の定電圧トランジスタＴＲＣ０は、第１の可変抵抗素子Ｓ０と第１の選択トランジスタＴＲＷ０Ａとの間に接続され、第２の定電圧トランジスタＴＲＣ１は、第２の可変抵抗素子Ｓ２と第２の選択トランジスタＴＲＷ０Ｂとの間に接続されている。 （もっと読む）

【課題】データを暗号化して記録することによりセキュリティを改善した磁気記録装置および磁気記録方法を提供する。
【解決手段】本発明の磁気記録装置は、磁性材料を含み、磁区の内部の磁化方向によりデータを記録し、磁区はデータの最小単位に対応する磁性細線１２ａ〜１２ｐと、磁性細線１２ａ〜１２ｐに対して電流を印加することにより磁区の移動を行う磁区駆動部１４と、入力されたデータを暗号化する暗号化部８６と、暗号化部８６で暗号化されたデータである暗号化データを磁性細線１２ａ〜１２ｐの磁区に書き込む書き込み部１８ａ〜１８ｐと、書き込み部１８ａ〜１８ｐにより書き込まれた暗号化データを磁性細線１２ａ〜１２ｐの磁区から読み出す読み出し部１６ａ〜１６ｐと、読み出し部１６ａ〜１６ｐにより磁性細線１２ａ〜１２ｐの磁区から読み出された暗号化データを復号化して出力する復号化部８４と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】強磁性層の磁気異方性を制御することにより良好な磁気特性を有する磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子１であって、強磁性層のうち一方が磁化固定層５であり、他方が磁化自由層７であり、強磁性層５，７がアモルファスあるいは微結晶組織を有し、強磁性層５，７が、３００℃以上磁化自由層７の結晶化温度以下で磁場中熱処理されている磁気抵抗効果素子１を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＭＲＡＭにおけるリファレンスセルの初期設定が不要となる技術を提供すること。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリ１０は、メモリセルＭＣと、データ読み出し時にリファレンスレベルを生成するために参照されるリファレンスセルＲＣとを備える。メモリセルＭＣは、抵抗値が第１値と第２値の間で切り換わる第１磁気抵抗素子１００を含む。一方、リファレンスセルＲＣは、抵抗値が第１値と第２値の間の第３値に固定された第２磁気抵抗素子１５０を含む。 （もっと読む）

【課題】磁化反転のための外部磁場の強度を低減させることが可能な磁気デバイス、及びそのような磁気デバイスを用いた磁気メモリを提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気デバイスは、磁化固定層３、磁化自由層５、及び磁化固定層３と磁化自由層５とを接続する非磁性層４を有する磁気抵抗効果素子１４と、磁化固定層３と磁化自由層５との間に交流電流を供給する交流電流供給手段５０と、電流が供給されることにより磁界を発生し、その磁界２１Ｍが磁化自由層５に印加されるように設けられた電流経路部２１とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スピン注入による磁化反転の際に、磁化反転のバラツキを小さくしかつ反転電流を低減することを可能にする。
【解決手段】磁化の向きが固着された第１磁化固着層２、スピン偏極された電流が流れることによって磁化の向きが可変の磁気記録層６、および第１磁化固着層と磁気記録層との間に設けられた第１非磁性層４を有する磁気記録素子１と、磁気記録素子上に設けられ、高周波電流が流れることによって発生する高周波磁界を磁気記録層の磁化容易軸と略直交する方向に作用させる高周波電流磁界用配線３０と、高周波電流磁界用配線に対して、磁気記録素子と反対側に設けられたグランド線３５と、を含むメモリセルを備えている。 （もっと読む）

【課題】トンネルバリアの絶縁破壊寿命と磁気抵抗比を向上させる。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、基板の上方に形成された第１の強磁性層１０２と、前記第１の強磁性層の上方に形成された第２の強磁性層１０４と、前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層との間に設けられ、金属酸化物で形成された絶縁層２０７と、前記絶縁層と前記第２の強磁性層との間に設けられ、前記絶縁層の前記第２の強磁性層側の面に接し、前記金属酸化物を構成する金属元素と同じ金属元素を含有する非磁性金属層２０８とを具備する。 （もっと読む）

基板上の磁性薄膜内に磁区を形成するための方法が、レジストで磁性薄膜を被覆するステップと、磁性薄膜の領域が実質的にむき出しになるようにレジストをパターン形成するステップと、磁性薄膜をプラズマに暴露して、プラズマイオンが磁性薄膜の実質的にむき出しの領域に浸透して、その実質的にむき出しの領域を非磁性にするステップとを含んでいる。このプロセスのためのツールが、接地電位に保持された真空容器と、制御された量のガスを真空容器の中へリークするように構成されたガス入口弁と、（１）真空容器内に収まり、（２）多数のディスクを間隔をあけて保持して、多数のディスクのそれぞれの両面が露出するようにして、（３）多数のディスクに電気的に接触するように構成されたディスク取り付け装置と、ディスク取り付け装置と真空容器とに電気的に接続され、これにより、真空容器内にプラズマを点火でき、ディスクの両面をプラズマイオンに均一に暴露する高周波信号発生器とを含んでいる。このプロセスは、磁気抵抗メモリデバイスを含むメモリデバイスを製造するために使用してもよい。
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【課題】より大きなＭＲ変化率を実現できる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた中間層と、前記磁化固着層または磁化自由層の上に設けられたキャップ層と、前記磁化固着層中、前記磁化自由層中、前記磁化固着層と前記中間層との界面、前記中間層と前記磁化自由層との界面、および前記磁化固着層または磁化自由層と前記キャップ層との界面のいずれかに設けられ、酸素または窒素を含有する材料で形成された機能層とを含む磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極とを有し、前記機能層の結晶配向面が、その上または下の隣接する層の結晶配向面と異なることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

【課題】より大きなＭＲ変化率を実現できる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた中間層と、前記磁化固着層または磁化自由層の上に設けられたキャップ層と、前記磁化固着層中、前記磁化自由層中、前記磁化固着層と前記中間層との界面、前記中間層と前記磁化自由層との界面、および前記磁化固着層または磁化自由層と前記キャップ層との界面のいずれかに設けられた機能層とを含む磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極とを有し、前記機能層は、Ｆｅ含有量が５原子％以上である金属材料と窒素とを含有する層からなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

【課題】リードディスターブを防止する事が可能な磁気型不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】スピン注入型ＭＲＡＭにおいて、データを保持するメモリセルを第１方向及び第２方向に複数配列してなるメモリセルアレイと、ワード線電圧を印加される複数のワード線と、読み出し／書き込み電圧を印加される複数のビット線と、読み出し／書き込み電圧を印加される複数のソース線と、前記ワード線電圧を印加するワード線選択回路と、前記メモリセルに電流を流すドライブ回路と、前記メモリセル内のデータの判定を行う読み出し回路とを備え、前記ドライブ回路は、前記ビット線のうち読み取り時に第１の電流が流れた第１ビット線に近接する第２ビット線に第２の電流を供給し、データが読み出される前記メモリセルに誤書き込みを抑制する向きの磁界を発生させる。 （もっと読む）

【課題】熱処理を受けてもＭｎ系合金を含む反強磁性層からのＭｎ拡散を有効に抑制することができ、特性および耐熱性に優れた強磁性トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】Ｍｎを含有する反強磁性層と、前記反強磁性層上に形成された、下部強磁性層、非磁性層、および上部強磁性層を含み下部および上部強磁性層が反強磁性結合している積層型の磁化固着層であって、さらに下部および上部強磁性層のうち前記反強磁性層に近い下部強磁性層は第１および第２の２つの強磁性層の間にＭｎ拡散防止層として機能する、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｖ、ＥｕおよびＳｃからなる群より選択される少なくとも１種の元素の酸化物、窒化物または炭化物を含む絶縁層を挟んだ構造を有する磁化固着層と、前記磁化固着層上に形成されたトンネルバリア層と、前記トンネルバリア層上に形成された磁化自由層とを具備したことを特徴とする強磁性トンネル接合素子。 （もっと読む）

【課題】本発明は、非対称形状を有する記録層とローカルビアとを、両者の間隔を十分に取ってストラップ配線上に形成したとしても、磁気記録装置のサイズ増加を抑制することができる、磁気記録装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気記録装置（ＭＲＡＭ）は、ストラップ配線ＬＳ、ローカルビアＬＶ、磁気記録素子（ＴＭＲ素子）１０１とを備えている。ＴＭＲ素子１０１は、固定層１１と記録層１３とを有する。記録層１３の平面視形状は、記録層１３の磁化容易軸方向Ｓに対し非対称で、磁化容易軸と垂直な対称軸Ｌに対して対称である。記録層１３における面積中心に近い側の、記録層１３の輪郭部ｓ１は、ローカルビアＬＶ形成側に対面している。 （もっと読む）

【課題】配線層の数が少ない不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】この不揮発性半導体記憶装置では、複数行複数列に配置された複数のメモリセルＭＣと、各行に対応して設けられたワード線ＷＬおよびディジット線ＤＬと、各列に対応して設けられたビット線ＢＬとを含むメモリブロックＭＢをワード線ＷＬの延在方向に複数配列し、各ワード線ＷＬに対応して複数のメモリブロックＭＢに共通にメタル杭打ちワード線ＭＷＬを設け、選択されたメモリブロックＭＢのうちの選択レベルにされたメタル杭打ちワード線ＭＷＬに対応するディジット線ＤＬに磁場印加電流Ｉ_ＤＬを流す。したがって、メタル杭打ちワード線ＭＷＬを介してディジット線駆動回路ＤＤを制御するので、メインディジットＭＤＬ線が不要となり、配線層数が少なくて済む。 （もっと読む）