磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置、磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置の製造方法
【課題】強磁性層の磁気異方性を制御することにより良好な磁気特性を有する磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子１であって、強磁性層のうち一方が磁化固定層５であり、他方が磁化自由層７であり、強磁性層５，７がアモルファスあるいは微結晶組織を有し、強磁性層５，７が、３００℃以上磁化自由層７の結晶化温度以下で磁場中熱処理されている磁気抵抗効果素子１を構成する。
【解決手段】対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子１であって、強磁性層のうち一方が磁化固定層５であり、他方が磁化自由層７であり、強磁性層５，７がアモルファスあるいは微結晶組織を有し、強磁性層５，７が、３００℃以上磁化自由層７の結晶化温度以下で磁場中熱処理されている磁気抵抗効果素子１を構成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果素子を備えて成る磁気メモリ装置に係わる。また、この磁気抵抗効果素子の製造方法及び磁気メモリ装置の製造方法に係わる。
【背景技術】
【０００２】
情報通信機器、特に携帯端末などの個人用小型機器の飛躍的な普及に伴い、これを構成するメモリやロジック等の素子には、高集積化、高速化、低電力化等、一層の高性能化が要請されている。特に不揮発性メモリの高密度・大容量化は、可動部分の存在により本質的に小型化が不可能なハードディスクや光ディスクを置き換える技術として、ますます重要になってきている。
【０００３】
不揮発性メモリとしては、半導体を用いたフラッシュメモリや、強誘電体を用いたＦＲＡＭ（Ferro electric Random Access Memory ）等が挙げられる。
しかしながら、フラッシュメモリは、書き込み速度がμ秒のオーダーと遅いという欠点がある。一方、ＦＲＡＭにおいては、書き換え可能回数が少ないという問題が指摘されている。
【０００４】
これらの欠点がない不揮発性メモリとして注目されているのが、例えば「Wang et al.,IEEE Trans. Magn. 33(1997),4498 」に記載されているような、ＭＲＡＭ（Magnetic Random Access Memory ）と呼ばれる磁気メモリである。このＭＲＡＭは、構造が単純であるため高集積化が容易であり、また磁気モーメントの回転により記録を行うために書き換え可能回数が大である。またアクセス時間についても非常に高速であることが予想され、既にナノ秒台で動作可能であることが確認されている。
【０００５】
このＭＲＡＭに用いられる、磁気抵抗効果素子、特にトンネル磁気抵抗効果（Tunnel Magnetoresistance：ＴＭＲ）素子は、基本的に強磁性層／トンネルバリア層／強磁性層の積層から成る強磁性トンネル接合で構成される。この素子では、強磁性層間に一定の電流を流した状態で強磁性層間に外部磁場を印加した場合、両磁性層の磁化の相対角度に応じて磁気抵抗効果が現れる。双方の強磁性層の磁化の向きが反平行の場合は抵抗値が最大となり、平行の場合は抵抗値が最小となる。メモリ素子としての機能は外部磁場により反平行と平行の状態を作り出すことによってもたらされる。
【０００６】
特にスピンバルブ型のＴＭＲ素子においては、一方の強磁性層が隣接する反強磁性層と反強磁性的に結合することによって磁化の向きが常に一定とされた磁化固定層とされる。他方の強磁性層は、外部磁場等によって容易に磁化反転する磁化自由層とされる。そして、この磁化自由層が磁気メモリにおける情報記録層となる。
【０００７】
スピンバルブ型のＴＭＲ素子において、その抵抗値の変化率は、それぞれの強磁性層のスピン分極率をＰ１，Ｐ２とすると、下記の式（Ａ）で表される。
２Ｐ１Ｐ２／（１−Ｐ１Ｐ２） （Ａ）
このように、それぞれのスピン分極率が大きい程、抵抗変化率が大きくなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、ＭＲＡＭの基本的な構成は、例えば特開平１０−１１６４９０号公報に開示されているように、複数のビット書き込み線（いわゆるビット線）と、これら複数のビット書き込み線に直交する複数のワード書き込み線（いわゆるワード線）とを設け、これらビット書き込み線とワード書き込み線との交点に磁気メモリ素子としてＴＭＲ素子が配されて成る。そして、このようなＭＲＡＭで記録を行う際には、アステロイド特性を利用してＴＭＲ素子に対して選択書き込みを行う。
【０００９】
ＭＲＡＭにおいてＴＭＲ素子の磁気特性が素子毎にばらつくことや、同一素子を繰り返し使用した場合のばらつきが存在すると、アステロイド特性を使用した選択書き込みが困難になるという問題点がある。
従って、ＴＭＲ素子には、理想的なアステロイド曲線を描かせるための磁気特性も求められる。
理想的なアステロイド曲線を描かせるためには、ＴＭＲ測定を行った際のＲ−Ｈ（抵抗−磁場）ループにおいてバルクハウゼンノイズ等のノイズがないこと、波形の角形性がよいこと、磁化状態が安定しており保磁力Ｈｃのばらつきが少ないことが必要である。
【００１０】
バルクハウゼンノイズや角形性の劣化、保磁力のばらつきは、主にその材料の磁気異方性に起因している。膜面内で磁気異方性の方向や強度が分散していると、これらの問題が発生する原因となるため、磁気異方性の方向制御は非常に重要である。
【００１１】
上述した問題の解決のために、本発明においては、強磁性層の磁気異方性を制御することにより良好な磁気特性を有する磁気抵抗効果素子、及びこの磁気抵抗効果素子を備えて優れた書き込み特性を有する磁気メモリ装置、並びにこれら磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の磁気抵抗効果素子は、対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成であって、強磁性層のうち一方が磁化固定層であり他方が磁化自由層であり、強磁性層がアモルファスあるいは微結晶組織を有し、強磁性層が３００℃以上磁化自由層の結晶化温度以下で磁場中熱処理されているものである。
【００１３】
本発明の磁気メモリ装置は、対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効果素子を厚み方向に挟むワード線及びビット線とを備え、強磁性層のうち一方が磁化固定層であり他方が磁化自由層であり、強磁性層がアモルファスあるいは微結晶組織を有し、強磁性層が３００℃以上磁化自由層の結晶化温度以下で磁場中熱処理されているものである。
【００１４】
本発明の磁気抵抗効果素子の製造方法は、対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成であり、強磁性層のうち一方が磁化固定層であり他方が磁化自由層であり、強磁性層がアモルファスあるいは微結晶組織を有する磁気抵抗効果素子を製造する際に、少なくとも磁化自由層を形成した後に、３００℃以上磁化自由層の結晶化温度以下で磁場中熱処理を施す工程を行うものである。
【００１５】
本発明の磁気メモリ装置の製造方法は、対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成であり、強磁性層のうち一方が磁化固定層であり他方が磁化自由層であり、強磁性層がアモルファスあるいは微結晶組織を有する磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子を厚み方向に挟むワード線及びビット線とを備えた磁気メモリ装置を製造する際に、少なくとも磁化自由層を形成した後に、３００℃以上磁化自由層の結晶化温度以下で磁場中熱処理を施す工程を行うものである。
【００１６】
上述の本発明の磁気抵抗効果素子の構成によれば、強磁性層のうち一方が磁化固定層であり他方が磁化自由層であり、強磁性層がアモルファスあるいは微結晶組織を有し、強磁性層が３００℃以上磁化自由層の結晶化温度以下で磁場中熱処理されていることにより、磁場中熱処理により強磁性層の磁気異方性が制御されるため、磁気抵抗効果素子の抵抗−外部磁場曲線の角形性を改善することや、保磁力のばらつきを改善することが可能になる。
【００１７】
上述の本発明の磁気メモリ装置の構成によれば、磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効果素子を厚み方向に挟むワード線及びビット線とを備え、磁気抵抗効果素子が上記の本発明の磁気抵抗効果素子の構成であることにより、磁場中熱処理により強磁性層の磁気異方性が制御されて、磁気抵抗効果素子の抵抗−外部磁場曲線の角形性を改善し、保磁力のばらつきを改善することが可能になるため、磁気抵抗効果素子のアステロイド曲線の形状が改善され、磁気メモリ装置における情報の選択書き込みが容易に安定して行えるようになる。
【００１８】
上述の本発明の磁気抵抗効果素子の製造方法によれば、少なくとも磁化自由層を形成した後に、３００℃以上磁化自由層の結晶化温度以下で磁場中熱処理を施す工程を行うことにより、少なくとも磁化自由層の磁気異方性を制御して、磁気抵抗効果素子の抵抗−外部磁場曲線の角形性や保磁力のばらつきが改善された磁気抵抗効果素子を製造することが可能になる。
【００１９】
上述の本発明の磁気メモリ装置の製造方法によれば、少なくとも磁化自由層を形成した後に、３００℃以上磁化自由層の結晶化温度以下で磁場中熱処理を施す工程を行うことにより、少なくとも磁化自由層の磁気異方性を制御して、磁気抵抗効果素子の抵抗−外部磁場曲線の角形性や保磁力のばらつきが改善され、情報の選択書き込みが容易に安定して行える磁気メモリ装置を製造することが可能になる。
【発明の効果】
【００２０】
上述の本発明の磁気抵抗効果素子及びその製造方法によれば、Ｒ−Ｈ曲線の角形性の改善、保磁力のばらつきの改善を図ることができる。
これにより、磁気抵抗効果素子を磁気メモリ装置に適用した場合に、書き込みエラーを低減することができ、優れた書き込み特性が得られる。
【００２１】
また、本発明の磁気メモリ装置及びその製造方法によれば、優れた書き込み特性を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一実施の形態のＴＭＲ素子の概略構成図である。
【図２】磁場中熱処理の温度が３００℃の場合と２５０℃の場合でＴＭＲ素子の抵抗−外部磁場曲線を比較した図である。
【図３】磁場中熱処理に用いる熱処理炉の一形態を示す図である。
【図４】積層フェリ構造を有するＴＭＲ素子の概略構成図である。
【図５】本発明のＴＭＲ素子をメモリセルとして有する、クロスポイント型ＭＲＡＭアレイの要部を示す概略構成図である。
【図６】図５に示すメモリセルの拡大断面図である。
【図７】Ａ、Ｂ 本発明によりＭＲＡＭを製造する場合のプロセスフローの形態を示した図である。
【図８】ＴＭＲ素子の評価用のＴＥＧの平面図である。
【図９】図８のＡ−Ａにおける断面図である。
【図１０】熱処理温度と保磁力Ｈｃのばらつきとの関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明は、対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子であって、強磁性層のうち一方が磁化固定層であり他方が磁化自由層であり、強磁性層がアモルファスあるいは微結晶組織を有し、強磁性層が３００℃以上磁化自由層の結晶化温度以下で磁場中熱処理されている磁気抵抗効果素子である。
【００２４】
また本発明は、上記磁気抵抗効果素子において、磁化自由層がＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＮｉＢ、ＦｅＣｏＳｉＢから選ばれる材料から成る構成とする。
【００２５】
また本発明は、上記磁気抵抗効果素子において、上記中間層として絶縁体もしくは半導体から成るトンネルバリア層を用いたトンネル磁気抵抗効果素子である構成とする。
【００２６】
また本発明は、上記磁気抵抗効果素子において、積層フェリ構造を有する構成とする。
【００２７】
本発明は、対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効果素子を厚み方向に挟むワード線及びビット線とを備え、強磁性層のうち一方が磁化固定層であり他方が磁化自由層であり、強磁性層がアモルファスあるいは微結晶組織を有し、強磁性層が３００℃以上磁化自由層の結晶化温度以下で磁場中熱処理されている磁気メモリ装置である。
【００２８】
また本発明は、上記磁気メモリ装置において、磁化自由層がＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＮｉＢ、ＦｅＣｏＳｉＢから選ばれる材料から成る構成とする。
【００２９】
また本発明は、上記磁気メモリ装置において、磁気抵抗効果素子が中間層として絶縁体もしくは半導体から成るトンネルバリア層を用いたトンネル磁気抵抗効果素子である構成とする。
【００３０】
また本発明は、上記磁気メモリ装置において、磁気抵抗効果素子が積層フェリ構造を有する構成とする。
【００３１】
まず、本発明の磁気抵抗効果素子の一実施の形態の概略構成図を図１に示す。この図１に示す実施の形態は、本発明をトンネル磁気抵抗効果素子（以下、ＴＭＲ素子と称する。）に適用した場合を示している。
【００３２】
このＴＭＲ素子１は、シリコン等からなる基板２上に、下地層３と、反強磁性層４と、強磁性層である磁化固定層５と、トンネルバリア層６と、強磁性層である磁化自由層７と、トップコート層８とがこの順に積層されて構成されている。
即ち、強磁性層の一方が磁化固定層５とされ、他方が磁化自由層７とされた、いわゆるスピンバルブ型のＴＭＲ素子を構成しており、対の強磁性層である磁化固定層５と磁化自由層７とでトンネルバリア層６を挟み込むことにより、強磁性トンネル接合９を形成している。
そして、磁気メモリ装置等にこのＴＭＲ素子１を適用した場合には、磁化自由層７が情報記録層となり、そこに情報が記録される。
【００３３】
反強磁性層４は、強磁性層の一方である磁化固定層５と反強磁性的に結合することにより、書き込みのための電流磁界によっても磁化固定層５の磁化を反転させず、磁化固定層５の磁化の向きを常に一定とするための層である。即ち、図１に示すＴＭＲ素子１においては、他方の強磁性層である磁化自由層７だけを外部磁場等によって磁化反転させる。磁化自由層７は、ＴＭＲ素子１を例えば磁気メモリ装置等に適用した場合に情報が記録される層となるため、情報記録層とも称される。
反強磁性層４を構成する材料としては、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ等を含むＭｎ合金、Ｃｏ酸化物、Ｎｉ酸化物等を使用することができる。
【００３４】
図１に示すスピンバルブ型のＴＭＲ素子１においては、磁化固定層５は、反強磁性層４と反強磁性的に結合することによって磁化の向きを一定とされる。このため、書き込みの際の電流磁界によっても磁化固定層５の磁化は反転しない。
【００３５】
トンネルバリア層６は、磁化固定層５と磁化自由層７とを磁気的に分離するとともに、トンネル電流を流すための層である。
トンネルバリア層６を構成する材料としては、例えばＡｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｌｉ、Ｃａ等の酸化物、窒化物、ハロゲン化物等の絶縁材料を使用することができる。
【００３６】
このようなトンネルバリア層６は、スパッタリング法や蒸着法等によって成膜された金属膜を、酸化又は窒化することにより得ることができる。
また、有機金属と、酸素、オゾン、窒素、ハロゲン、ハロゲン化ガス等とを用いるＣＶＤ法によっても得ることができる。
【００３７】
本実施の形態においては、特に強磁性層である磁化固定層５、磁化自由層７を含む強磁性トンネル接合９が、３００℃以上で磁場中熱処理が施されている構成とする。
このような構成とすることにより、Ｒ−Ｈ曲線の角形性を向上し、保磁力のばらつきを低減することができる。
【００３８】
この磁場中熱処理における磁場の向きは、強磁性層５，７の磁化容易軸と平行にすることが好ましい。
【００３９】
強磁性層、特に磁化自由層７には、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのいずれか、あるいは、これら複数以上を主成分としたアモルファスまたは微結晶の材料が好ましい。
【００４０】
尚、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉを主成分とした合金例えばＦｅＣｏ等は、通常の膜厚では結晶質であるが、例えば膜厚１ｎｍ程度とごく薄くした場合には、アモルファスに近い状態になるため、上述した３００℃以上の熱処理の効果が得られる。しかしながら、この合金には結晶磁気異方性が存在し、この結晶磁気異方性は熱処理による制御が困難であるため、アモルファス材料に比べると効果が小さくなる。
【００４１】
ここで、磁化自由層７が、Ｃｏ７２Ｆｅ８Ｂ２０（原子％）の組成のアモルファス強磁性材料から成る構成のスピンバルブ型ＴＭＲ素子について、３００℃での静磁場中熱処理を施したものと、２５０℃での静磁場中熱処理を施したものをそれぞれ実際に作製し、これらについて抵抗−外部磁場曲線（Ｒ−Ｈ曲線）を測定した結果を図２に示す。
図２から明らかなように、３００℃で熱処理したＴＭＲ素子では、２５０℃で熱処理したＴＭＲ素子に比べ、Ｒ−Ｈ曲線の角形性が向上すると共にバルクハウゼンノイズも低減された。従って、本発明によれば、アステロイド曲線の形状も改善されて書き込み特性が向上し、書き込みエラーの低減を図ることが可能となる。
【００４２】
この３００℃以上の熱処理条件で特性が改善される原因は定かでないが、材料の結晶化温度より低く、キュリー温度に近い温度であることが関係していると考えられる。
【００４３】
磁場中熱処理を行う熱処理炉は、例えば図３に示す構成とする。
この熱処理炉は、真空チャンバー３１の外にヒーター３２を配置し、さらに外側にマグネット３３を配置して成る。
【００４４】
この熱処理炉において、磁場中熱処理は次のようにして行う。
まず、ＴＭＲ素子が形成されるウェハ３０を、真空チャンバー３１内のラック３４に、マグネット３３による磁場３５の方向にウェハ３０の主面３０Ａが平行になるように載置する。
そして、ヒーター３２により加熱すると共に、マグネット３３により磁場を印加することによって、ウェハ３０のＴＭＲ素子に対して磁場中熱処理を行うことができる。
【００４５】
また、磁場中熱処理の温度の上限は、強磁性層に用いるアモルファスまたは微結晶の材料の結晶化温度により決定されるが、さらにＴＭＲ素子の耐熱性との兼ね合いから、高くとも４００℃以下とする。
【００４６】
磁場中熱処理は、強磁性層の磁化反転特性を改善する目的から行っているため、少なくとも磁化自由層７に、より好ましくは磁化自由層７及び磁化固定層５の双方に処理を施すようにする。
これにより、ＴＭＲ素子１の磁気特性の改善を図る効果をより顕著に得られる。
【００４７】
また、例えば上述の熱処理をより効果的なものにするためには、磁化自由層７に用いるアモルファスまたは微結晶の材料の膜厚を１ｎｍ以上、１５ｎｍ以下とすることが望ましい。この範囲内にあることによって良好な磁気特性を確保できる。磁化自由層７の膜厚が１ｎｍ未満である場合には、熱による相互拡散により磁気特性が大幅に損なわれ、逆に磁化自由層７の膜厚が１５ｎｍを上回る場合には、ＴＭＲ素子１の保磁力が過剰に高くなるので実用上不適当となるおそれがある。
【００４８】
また、同様に、磁化固定層５にもアモルファスまたは微結晶の材料を用いる場合に、上述の熱処理をより効果的なものにするためには、磁化固定層５に用いるアモルファスまたは微結晶の材料の膜厚を０．５ｎｍ以上、６ｎｍ以下とすることが望ましい。この範囲内にあることによって良好な磁気特性を確保できる。磁化固定層５の膜厚が０．５ｎｍ未満である場合には、熱による相互拡散により磁気特性が大幅に損なわれ、逆に磁化固定層５の膜厚が６ｎｍを上回る場合には、反強磁性層４との交換結合磁界を充分に得られなくなるおそれがある。
【００４９】
上述の本実施の形態のＴＭＲ素子１によれば、３００℃以上磁化自由層７の結晶化温度以下で磁場中熱処理が施されている構成とすることにより、強磁性層５，７の磁気異方性を制御して、Ｒ−Ｈ曲線の角形性を向上し、バルクハウゼンノイズを低減することができる。また、保磁力Ｈｃのばらつきを抑制して、ＴＭＲ素子１のアステロイド曲線の形状を改善することができる。
【００５０】
これにより、例えば多数のＴＭＲ素子を有して成る磁気メモリ装置にＴＭＲ素子１を適用した場合に、ＴＭＲ素子１のアステロイド曲線の形状を改善して、書き込み特性を向上することにより、書き込みエラーを低減することができる。
また、ＴＭＲ素子を有して成る磁気ヘッドや磁気センサに適用した場合には、反転磁界の設計値からのずれを抑制して、製造歩留まりを向上することや動作不良を防止することが可能になる。
【００５１】
尚、本発明においては、図１に示すような磁化固定層５及び磁化自由層７のそれぞれが単層から構成されたＴＭＲ素子１に限定されない。
例えば図４に示すように、磁化固定層５が、第１の磁化固定層５ａと第２の磁化固定層５ｂとで非磁性導電体層５ｃを挟み込んでなる積層フェリ構造とされる場合であっても、本発明の効果を得ることができる。
【００５２】
図４に示すＴＭＲ素子１０では、第１の磁化固定層５ａが反強磁性層４と接しており、これらの層間に働く交換相互作用によって、第１の磁化固定層５ａは強い一方向の磁気異方性を持つ。また、第２の磁化固定層５ｂは、トンネルバリア層６を介して磁化自由層７と対向し、スピンの向きが磁化自由層７と比較され直接ＭＲ比に関わる強磁性層となるため、参照層とも称される。
【００５３】
積層フェリ構造の非磁性導電体層５ｃに用いられる材料としては、例えばＲｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ等が挙げられる。図４のＴＭＲ素子１０において、その他の層は図１に示したＴＭＲ素子１とほぼ同様の構成であるため、図１と同じ符号を付して詳細な説明を省略する。
【００５４】
この積層フェリ構造を有するＴＭＲ素子１０においても、３００℃以上磁化自由層７の結晶化温度以下で磁場中熱処理が施された構成とすることにより、図１に示したＴＭＲ素子１と同様に、Ｒ−Ｈ曲線の角形性を向上し、バルクハウゼンノイズを低減することができる。また、保磁力Ｈｃのばらつきを抑制して、ＴＭＲ素子１０のアステロイド曲線の形状を改善することができる。
【００５５】
尚、上述の実施の形態では、磁気抵抗効果素子としてＴＭＲ素子（トンネル磁気抵抗効果素子）１，１０を用いたが、本発明は、対の強磁性層が中間層を介して対向され、膜面に対して垂直に電流を流して磁気抵抗変化を得る構成を有するその他の磁気抵抗効果素子にも適用することができる。
例えば中間層としてＣｕ等の非磁性導電層を用いた巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）で、膜面に対して垂直に電流を流して磁気抵抗効果を得る構成、即ちいわゆるＣＰＰ型のＧＭＲ素子にも本発明を適用することができる。
【００５６】
さらに、磁化固定層や反強磁性体の材料、磁化固定層側における積層フェリ構造の有無等は、本発明の本質を損なわない限り種々の変形が可能である。
【００５７】
尚、磁場中熱処理における磁場の強度の範囲は、上述の実施の形態のＴＭＲ素子１のように磁化自由層７が磁化固定層５より上層側にある構成（いわゆるボトムスピン型）では、３００℃以上の磁場中熱処理が反強磁性層４から磁化固定層５にかかるバイアスを決定する熱処理を兼ねるため、磁化固定層５の構造、膜厚、特性により異なる。
例えば、磁化固定層５が膜厚２ｎｍのＣｏＦｅ膜のみ（単層）から成り、反強磁性層４の材料がＦｅＭｎやＲｈＭｎ、ＩｒＭｎ等である場合には、１ｋＯｅ程度の磁場で充分である。
この磁化固定層５が膜厚２ｎｍのＣｏＦｅ膜のみ（単層）である構成でも、反強磁性層４の材料がＰｔＭｎ等である場合には、３ｋＯｅ程度必要となる。
さらに、図４に示したＴＭＲ素子１０等、磁化固定層５が積層フェリ構造を有することにより、強固な反強磁性結合が形成される場合には、この反強磁性結合を形成している複数の磁性層すべてが同じ方向の磁化を有するようにする必要がある。例えばＣｏＦｅ（２ｎｍ）／Ｒｕ（０．８ｎｍ）／ＣｏＦｅ（２ｎｍ）のような構造の磁化固定層５である場合には、１０ｋＯｅ程度の磁場が必要となる。
一方、磁場の大きさの上限は特にないが、磁場を大きくするためには磁界印加手段を大型化する必要があるため、適度な大きさに設定される。
【００５８】
上述のようなＴＭＲ素子１，１０等の磁気抵抗効果素子は、例えばＭＲＡＭ等の磁気メモリ装置に用いられて好適である。以下、本発明のＴＭＲ素子を用いたＭＲＡＭについて、図を参照しながら説明する。
【００５９】
本発明のＴＭＲ素子を有するクロスポイント型のＭＲＡＭアレイを、図５に示す。このＭＲＡＭアレイは、複数のワード線ＷＬと、これらワード線ＷＬと直交する複数のビット線ＢＬとを有し、ワード線ＷＬとビット線ＢＬとの交点に本発明のＴＭＲ素子が配置されて成るメモリセル１１とを有する。即ち、このＭＲＡＭアレイでは、３×３のメモリセル１１がマトリクス状に配置される。
【００６０】
尚、ＭＲＡＭアレイに用いられるＴＭＲ素子としては、図１に示したＴＭＲ素子１に限定されず、積層フェリ構造を有する図４に示すＴＭＲ素子１０等、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子において磁場中３００℃以上で熱処理されており、少なくとも磁化自由層７を含む強磁性層がアモルファス材料から成る構成であればいかなる構成であっても構わない。
【００６１】
また、メモリ素子に多数あるメモリセルから１つのメモリセルを取り出して、断面構造を図６に示す。
各メモリセル１１は、図６に示すように、例えばシリコン基板１２上に、ゲート電極１３、ソース領域１４及びドレイン領域１５からなるトランジスタ１６を有する。ゲート電極１３は、読み出し用のワード線ＷＬ１を構成している。ゲート電極１３上には、絶縁層を介して書き込み用のワード線（前述したワード書き込み線に相当する）ＷＬ２が形成されている。トランジスタ１６のドレイン領域１５にはコンタクトメタル１７が接続され、さらにコンタクトメタル１７には下地層１８が接続されている。この下地層１８上の書き込み用のワード線ＷＬ２の上方に対応する位置に、本発明のＴＭＲ素子１が形成されている。このＴＭＲ素子１上に、ワード線ＷＬ１及びＷＬ２と直交するビット線（前述したビット書き込み線に相当する）ＢＬが形成されている。尚、下地層１８は、平面位置の異なるＴＭＲ素子１とドレイン領域１５との電気的接続をする役割から、バイパスとも称される。
また、各ワード線ＷＬ１，ＷＬ２とＴＭＲ素子１とを絶縁するための層間絶縁膜１９及び絶縁膜２０と、全体を保護するパッシベーション膜（図示せず）等を有して成る。
【００６２】
このＭＲＡＭは、３００℃以上結晶化温度以下の磁場中熱処理により磁化自由層７の磁気異方性が制御されたＴＭＲ素子１を用いているので、Ｒ−Ｈ曲線においてノイズが低減し、アステロイド特性が向上するので、書き込みエラーの低減を図ることできる。
【００６３】
ここで、本発明の製造方法によりＭＲＡＭを製造する場合のプロセスフローの形態を、図７Ａ及び図７Ｂにそれぞれ示す。
基板にＣＭＯＳ回路（例えば図６のトランジスタ１６）を形成した後、ワード線（例えば図６のＷ２）を形成し、ワード線の埋め込みを行い、表面を平坦化した後、ＴＭＲ膜を成膜する工程までは、図７Ａ及び図７Ｂで共通になっている。
【００６４】
図７Ａに示すプロセスフローでは、ＴＭＲ膜を成膜した後、すぐ磁場中熱処理を行い、その後バイパス形成工程即ち図６の下地層１８のパターニング、素子部形成工程即ちＴＭＲ素子１のパターニング、素子の埋め込み工程即ちＴＭＲ素子１を絶縁膜で埋め込む工程、ビット線形成工程、ビット線の埋め込み工程の各工程を行うようにしている。
また、図７Ｂに示すプロセスフローでは、ＴＭＲ膜を成膜し、その後バイパス形成工程、素子部形成工程、素子の埋め込み工程、ビット線形成工程、ビット線の埋め込み工程の各工程を行った後、磁場中熱処理を行うようにしている。
【００６５】
いずれにしても、ＴＭＲ膜を成膜した後に磁場中熱処理を施すのが望ましいが、少なくともＴＭＲ膜のうち磁化自由層７を成膜した後にする必要がある。
【００６６】
尚、例えば磁化固定層及び磁化自由層の配置が上述した実施の形態の構成（いわゆるボトムスピン型）とは逆である構成、即ち磁化自由層を基板側に、磁化固定層及び反強磁性層を磁化自由層よりも上層に形成する構成（いわゆるトップスピン型）では、磁化自由層の強磁性膜を成膜してから３００℃以上で磁場中熱処理を行った後、磁化固定層及び反強磁性層を成膜し、その後反強磁性層を規則化する（上述したバイアスを決定する）ための磁場中熱処理を３００℃未満で行うことが考えられる。
この場合、磁場中熱処理を２回行うことになるが、磁化固定層及び反強磁性層を成膜した後に３００℃以上の磁場中熱処理を行う場合と比較すると、ＴＭＲ膜の表面に近い磁化固定層及び反強磁性層に３００℃以上の温度の影響が及ばないという利点を有する。
【００６７】
（実施例）
以下、本発明を適用した具体的な実施例について、実験結果に基づいて説明する。
尚、図６に示したように、ＭＲＡＭにはＴＭＲ素子１以外にスイッチング用のトランジスタ１６が存在するが、本実施例ではＴＭＲ特性を調べるために、図８及び図９に示すような強磁性トンネル接合のみを形成したウェハにより特性の測定・評価を行った。
まず、強磁性トンネル接合の磁化自由層に種々の材料を用いた場合の、熱処理温度依存性について調べた。
【００６８】
＜サンプル１＞
図８に平面図、図９に図８のＡ−Ａにおける断面図をそれぞれ示すように、特性評価用素子ＴＥＧ（Test Element Group）として、基板２１上にワード線ＷＬとビット線ＢＬとが直交して配置され、これらワード線ＷＬとビット線ＢＬとの交差する部分にＴＭＲ素子２２が形成された構造を作製した。このＴＥＧは、ＴＭＲ素子２２が短軸０．５μｍ×長軸１．０μｍの楕円形状であり、ワード線ＷＬ及びビット線ＢＬの両端にそれぞれ端子パッド２３，２４が形成され、ワード線ＷＬとビット線ＢＬとをＡｌ２Ｏ３から成る絶縁膜２５，２６によって互いに電気的に絶縁した構成となっている。
【００６９】
具体的には、次のようにして図８及び図９に示すＴＥＧを作製した。
まず、表面に熱酸化膜（厚さ２μｍ）が形成された厚さ０．６ｍｍのシリコンから成る基板２１を用意した。
次に、この基板２１上にワード線の材料を成膜し、フォトリソグラフィによってマスクした後にワード線以外の部分をＡｒプラズマにより選択的にエッチングし、ワード線ＷＬを形成した。このとき、ワード線ＷＬ以外の領域は、基板２１の深さ５ｎｍまでエッチングした。
その後、ワード線ＷＬを覆って絶縁膜２６を形成し、表面を平坦化した。
【００７０】
続いて、下記の層構成（１）からなるＴＭＲ素子２２を、公知のリソグラフィ法及びエッチングにより作製した。層構成（１）は、／の左側が基板側となっており、（）内は膜厚を示す。
Ｔａ（３ｎｍ）／Ｃｕ（１００ｎｍ）／ＰｔＭｎ膜（２０ｎｍ）／ＣｏＦｅ（３ｎｍ）／Ｒｕ（０．８ｎｍ）／ＣｏＦｅ（２．５ｎｍ）／Ａｌ（１ｎｍ）−Ｏｘ／磁化自由層（ｔｎｍ）／Ｔａ（５ｎｍ） −（１）
【００７１】
尚、上記の層構成（１）のうち、磁化自由層の組成をＣｏ７２Ｆｅ８Ｂ２０（原子％）とし、磁化自由層の膜厚ｔを４ｎｍとした。
また、各ＣｏＦｅ膜の組成を、Ｃｏ７５Ｆｅ２５（原子％）とした。
【００７２】
トンネルバリア層６のＡｌ−Ｏｘ膜は、まず金属Ａｌ膜をＤＣスパッタ法により１ｎｍ堆積させ、その後酸素／アルゴンの流量比を１：１とし、チャンバーガス圧を０．１ｍＴｏｒｒとし、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）からのプラズマにより金属Ａｌ膜をプラズマ酸化させることにより形成した。酸化時間はＩＣＰプラズマ出力に依存するが、本実施例では３０秒とした。
【００７３】
また、トンネルバリア層６のＡｌ−Ｏｘ膜以外の膜は、ＤＣマグネトロンスパッタ法で成膜した。
【００７４】
次に、磁場中熱処理炉にて、１０ｋＯｅの磁界中、２００〜３６０℃で、５時間の熱処理を行い、反強磁性層であるＰｔＭｎ層の規則化熱処理を行い、強磁性トンネル接合９を形成した。
続いて、ＴＭＲ素子２２及びその下の絶縁膜２６をパターニングして、図８に示す平面パターンを有するＴＭＲ素子２２を形成する。
さらに、Ａｌ２Ｏ３をスパッタすることにより、厚さ１００ｎｍ程度の絶縁層２５を成膜し、さらにフォトリソグラフィによりビット線ＢＬ及び端子パッド２４を形成し、図８及び図９に示したＴＥＧを得た。
【００７５】
＜サンプル２＞
磁化自由層７の組成をＣｏ７０．５Ｆｅ４．５Ｓｉ１５Ｂ１０（原子％）とし、磁化自由層７の膜厚を４ｎｍとした以外はサンプル１と同様にしてＴＥＧを得た。
【００７６】
＜サンプル３＞
磁化自由層７の組成をＣｏ３５Ｎｉ３５Ｆｅ１０Ｂ２０（原子％）とし、磁化自由層７の膜厚を４ｎｍとした以外はサンプル１と同様にしてＴＥＧを得た。
【００７７】
＜サンプル４＞
磁化自由層７の組成をＣｏ７５Ｆｅ２５（原子％）とし、磁化自由層７の膜厚を２ｎｍとした以外はサンプル１と同様にしてＴＥＧを得た。
【００７８】
＜サンプル５＞
磁化自由層７の組成をＣｏ９０Ｆｅ１０（原子％）とし、磁化自由層７の膜厚を２ｎｍとした以外はサンプル１と同様にしてＴＥＧを得た。
【００７９】
そして、得られた各サンプル１〜サンプル５のＴＥＧに対して、下記のようにしてＲ−Ｈ曲線の測定を行って、さらにＲ−Ｈ曲線から保磁力のばらつきを求めた。
【００８０】
（Ｒ−Ｈ曲線の測定）
通常のＭＲＡＭ等の磁気メモリ装置では、電流磁界によって磁気抵抗効果素子を磁化反転させて情報を書き込むが、本実施例では、外部磁界によって磁気抵抗効果素子を磁化させることにより、抵抗値の測定を行った。即ち、まずＴＭＲ素子２２の磁化自由層を磁化反転させるための外部磁界を磁化自由層の磁化容易軸に対して平行となるように印加した。測定のための外部磁界の大きさは、５００Ｏｅとした。
【００８１】
次に、磁化自由層の磁化容易軸の一方側から見て−５００Ｏｅから＋５００Ｏｅまで掃引すると同時に、ワード線ＷＬの端子パッド２３とビット線ＢＬの端子パッド２４とにかかるバイアス電圧が１００ｍＶとなるように調節して、強磁性トンネル接合にトンネル電流を流した。このときの各外部磁界に対する抵抗値を測定してＲ−Ｈ曲線を得た。
【００８２】
（保磁力Ｈｃのばらつき）
上記の測定方法によりＲ−Ｈ曲線を測定し、Ｒ−Ｈ曲線から、磁化固定層と磁化自由層の磁化が反平行の状態であって抵抗が高い状態での抵抗値と、磁化固定層と磁化自由層の磁化が平行の状態であって抵抗が低い状態での抵抗値との平均値を求め、この平均値の抵抗値が得られるときの外部磁界の値を保磁力Ｈｃとした。この保磁力Ｈｃを、同様に作製された素子（ＴＥＧ）５００個に対して行い、これらの標準偏差ΔＨｃを求めた。そして、ΔＨｃ／（Ｈｃの平均値）を保磁力Ｈｃのばらつきの値とした。
尚、書き込み特性の向上を図るといった観点から、保磁力Ｈｃのばらつきは、６％以下であることが好ましい。
【００８３】
サンプル１〜サンプル５のそれぞれについて、磁化自由層７の組成及び膜厚を表１に示し、また横軸に熱処理温度をとり、縦軸に保磁力Ｈｃのばらつきをとり、プロットして図１０に示す。
【００８４】
【表１】
【００８５】
図１０から明らかなように、サンプル１〜サンプル３のように、アモルファス材料を磁化自由層７に用いて、かつ磁場中熱処理の温度を３００℃以上とすることにより、保磁力Ｈｃのばらつきを抑えることができることがわかる。
【００８６】
このことから、アモルファス材料を磁化自由層７に用い、かつ３００℃以上の磁場中熱処理を施すことにより、ＴＭＲ素子の保磁力Ｈｃのばらつきを抑えて、ＭＲＡＭの書き込み特性を改善する効果が得られることがわかる。
【００８７】
尚、サンプル１及びサンプル３と、サンプル２とを比較すると、サンプル２の方がキュリー温度や結晶化温度が高くなるが、図１０の保磁力Ｈｃのばらつきについても、同等のばらつき抑制効果を得るのにサンプル２の方がやや高い温度を要することがわかる。
【００８８】
尚、本発明の磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子等）は、前述した磁気メモリ装置のみならず、磁気ヘッド及びこの磁気ヘッドを搭載したハードディスクドライブや磁気センサ、集積回路チップ、さらにはパソコン、携帯端末、携帯電話を始めとする各種電子機器、電子機器等に適用することができる。
【００８９】
本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
【符号の説明】
【００９０】
１，１０，２２ トンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）、２，２１ 基板、３ 下地層、４ 反強磁性層、５ 磁化固定層、５ａ 第１の磁化固定層、５ｂ 第２の磁化固定層（参照層）、５ｃ 非磁性導電体層、６ トンネルバリア層、７ 磁化自由層、９ 強磁性トンネル接合、１１ メモリセル、２３，２４ パッド、３０ ウェハ、３２ ヒーター、３３ マグネット、ＷＬ，ＷＬ１，ＷＬ２ ワード線、ＢＬ ビット線
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果素子を備えて成る磁気メモリ装置に係わる。また、この磁気抵抗効果素子の製造方法及び磁気メモリ装置の製造方法に係わる。
【背景技術】
【０００２】
情報通信機器、特に携帯端末などの個人用小型機器の飛躍的な普及に伴い、これを構成するメモリやロジック等の素子には、高集積化、高速化、低電力化等、一層の高性能化が要請されている。特に不揮発性メモリの高密度・大容量化は、可動部分の存在により本質的に小型化が不可能なハードディスクや光ディスクを置き換える技術として、ますます重要になってきている。
【０００３】
不揮発性メモリとしては、半導体を用いたフラッシュメモリや、強誘電体を用いたＦＲＡＭ（Ferro electric Random Access Memory ）等が挙げられる。
しかしながら、フラッシュメモリは、書き込み速度がμ秒のオーダーと遅いという欠点がある。一方、ＦＲＡＭにおいては、書き換え可能回数が少ないという問題が指摘されている。
【０００４】
これらの欠点がない不揮発性メモリとして注目されているのが、例えば「Wang et al.,IEEE Trans. Magn. 33(1997),4498 」に記載されているような、ＭＲＡＭ（Magnetic Random Access Memory ）と呼ばれる磁気メモリである。このＭＲＡＭは、構造が単純であるため高集積化が容易であり、また磁気モーメントの回転により記録を行うために書き換え可能回数が大である。またアクセス時間についても非常に高速であることが予想され、既にナノ秒台で動作可能であることが確認されている。
【０００５】
このＭＲＡＭに用いられる、磁気抵抗効果素子、特にトンネル磁気抵抗効果（Tunnel Magnetoresistance：ＴＭＲ）素子は、基本的に強磁性層／トンネルバリア層／強磁性層の積層から成る強磁性トンネル接合で構成される。この素子では、強磁性層間に一定の電流を流した状態で強磁性層間に外部磁場を印加した場合、両磁性層の磁化の相対角度に応じて磁気抵抗効果が現れる。双方の強磁性層の磁化の向きが反平行の場合は抵抗値が最大となり、平行の場合は抵抗値が最小となる。メモリ素子としての機能は外部磁場により反平行と平行の状態を作り出すことによってもたらされる。
【０００６】
特にスピンバルブ型のＴＭＲ素子においては、一方の強磁性層が隣接する反強磁性層と反強磁性的に結合することによって磁化の向きが常に一定とされた磁化固定層とされる。他方の強磁性層は、外部磁場等によって容易に磁化反転する磁化自由層とされる。そして、この磁化自由層が磁気メモリにおける情報記録層となる。
【０００７】
スピンバルブ型のＴＭＲ素子において、その抵抗値の変化率は、それぞれの強磁性層のスピン分極率をＰ１，Ｐ２とすると、下記の式（Ａ）で表される。
２Ｐ１Ｐ２／（１−Ｐ１Ｐ２） （Ａ）
このように、それぞれのスピン分極率が大きい程、抵抗変化率が大きくなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、ＭＲＡＭの基本的な構成は、例えば特開平１０−１１６４９０号公報に開示されているように、複数のビット書き込み線（いわゆるビット線）と、これら複数のビット書き込み線に直交する複数のワード書き込み線（いわゆるワード線）とを設け、これらビット書き込み線とワード書き込み線との交点に磁気メモリ素子としてＴＭＲ素子が配されて成る。そして、このようなＭＲＡＭで記録を行う際には、アステロイド特性を利用してＴＭＲ素子に対して選択書き込みを行う。
【０００９】
ＭＲＡＭにおいてＴＭＲ素子の磁気特性が素子毎にばらつくことや、同一素子を繰り返し使用した場合のばらつきが存在すると、アステロイド特性を使用した選択書き込みが困難になるという問題点がある。
従って、ＴＭＲ素子には、理想的なアステロイド曲線を描かせるための磁気特性も求められる。
理想的なアステロイド曲線を描かせるためには、ＴＭＲ測定を行った際のＲ−Ｈ（抵抗−磁場）ループにおいてバルクハウゼンノイズ等のノイズがないこと、波形の角形性がよいこと、磁化状態が安定しており保磁力Ｈｃのばらつきが少ないことが必要である。
【００１０】
バルクハウゼンノイズや角形性の劣化、保磁力のばらつきは、主にその材料の磁気異方性に起因している。膜面内で磁気異方性の方向や強度が分散していると、これらの問題が発生する原因となるため、磁気異方性の方向制御は非常に重要である。
【００１１】
上述した問題の解決のために、本発明においては、強磁性層の磁気異方性を制御することにより良好な磁気特性を有する磁気抵抗効果素子、及びこの磁気抵抗効果素子を備えて優れた書き込み特性を有する磁気メモリ装置、並びにこれら磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の磁気抵抗効果素子は、対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成であって、強磁性層のうち一方が磁化固定層であり他方が磁化自由層であり、強磁性層がアモルファスあるいは微結晶組織を有し、強磁性層が３００℃以上磁化自由層の結晶化温度以下で磁場中熱処理されているものである。
【００１３】
本発明の磁気メモリ装置は、対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効果素子を厚み方向に挟むワード線及びビット線とを備え、強磁性層のうち一方が磁化固定層であり他方が磁化自由層であり、強磁性層がアモルファスあるいは微結晶組織を有し、強磁性層が３００℃以上磁化自由層の結晶化温度以下で磁場中熱処理されているものである。
【００１４】
本発明の磁気抵抗効果素子の製造方法は、対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成であり、強磁性層のうち一方が磁化固定層であり他方が磁化自由層であり、強磁性層がアモルファスあるいは微結晶組織を有する磁気抵抗効果素子を製造する際に、少なくとも磁化自由層を形成した後に、３００℃以上磁化自由層の結晶化温度以下で磁場中熱処理を施す工程を行うものである。
【００１５】
本発明の磁気メモリ装置の製造方法は、対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成であり、強磁性層のうち一方が磁化固定層であり他方が磁化自由層であり、強磁性層がアモルファスあるいは微結晶組織を有する磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子を厚み方向に挟むワード線及びビット線とを備えた磁気メモリ装置を製造する際に、少なくとも磁化自由層を形成した後に、３００℃以上磁化自由層の結晶化温度以下で磁場中熱処理を施す工程を行うものである。
【００１６】
上述の本発明の磁気抵抗効果素子の構成によれば、強磁性層のうち一方が磁化固定層であり他方が磁化自由層であり、強磁性層がアモルファスあるいは微結晶組織を有し、強磁性層が３００℃以上磁化自由層の結晶化温度以下で磁場中熱処理されていることにより、磁場中熱処理により強磁性層の磁気異方性が制御されるため、磁気抵抗効果素子の抵抗−外部磁場曲線の角形性を改善することや、保磁力のばらつきを改善することが可能になる。
【００１７】
上述の本発明の磁気メモリ装置の構成によれば、磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効果素子を厚み方向に挟むワード線及びビット線とを備え、磁気抵抗効果素子が上記の本発明の磁気抵抗効果素子の構成であることにより、磁場中熱処理により強磁性層の磁気異方性が制御されて、磁気抵抗効果素子の抵抗−外部磁場曲線の角形性を改善し、保磁力のばらつきを改善することが可能になるため、磁気抵抗効果素子のアステロイド曲線の形状が改善され、磁気メモリ装置における情報の選択書き込みが容易に安定して行えるようになる。
【００１８】
上述の本発明の磁気抵抗効果素子の製造方法によれば、少なくとも磁化自由層を形成した後に、３００℃以上磁化自由層の結晶化温度以下で磁場中熱処理を施す工程を行うことにより、少なくとも磁化自由層の磁気異方性を制御して、磁気抵抗効果素子の抵抗−外部磁場曲線の角形性や保磁力のばらつきが改善された磁気抵抗効果素子を製造することが可能になる。
【００１９】
上述の本発明の磁気メモリ装置の製造方法によれば、少なくとも磁化自由層を形成した後に、３００℃以上磁化自由層の結晶化温度以下で磁場中熱処理を施す工程を行うことにより、少なくとも磁化自由層の磁気異方性を制御して、磁気抵抗効果素子の抵抗−外部磁場曲線の角形性や保磁力のばらつきが改善され、情報の選択書き込みが容易に安定して行える磁気メモリ装置を製造することが可能になる。
【発明の効果】
【００２０】
上述の本発明の磁気抵抗効果素子及びその製造方法によれば、Ｒ−Ｈ曲線の角形性の改善、保磁力のばらつきの改善を図ることができる。
これにより、磁気抵抗効果素子を磁気メモリ装置に適用した場合に、書き込みエラーを低減することができ、優れた書き込み特性が得られる。
【００２１】
また、本発明の磁気メモリ装置及びその製造方法によれば、優れた書き込み特性を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一実施の形態のＴＭＲ素子の概略構成図である。
【図２】磁場中熱処理の温度が３００℃の場合と２５０℃の場合でＴＭＲ素子の抵抗−外部磁場曲線を比較した図である。
【図３】磁場中熱処理に用いる熱処理炉の一形態を示す図である。
【図４】積層フェリ構造を有するＴＭＲ素子の概略構成図である。
【図５】本発明のＴＭＲ素子をメモリセルとして有する、クロスポイント型ＭＲＡＭアレイの要部を示す概略構成図である。
【図６】図５に示すメモリセルの拡大断面図である。
【図７】Ａ、Ｂ 本発明によりＭＲＡＭを製造する場合のプロセスフローの形態を示した図である。
【図８】ＴＭＲ素子の評価用のＴＥＧの平面図である。
【図９】図８のＡ−Ａにおける断面図である。
【図１０】熱処理温度と保磁力Ｈｃのばらつきとの関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明は、対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子であって、強磁性層のうち一方が磁化固定層であり他方が磁化自由層であり、強磁性層がアモルファスあるいは微結晶組織を有し、強磁性層が３００℃以上磁化自由層の結晶化温度以下で磁場中熱処理されている磁気抵抗効果素子である。
【００２４】
また本発明は、上記磁気抵抗効果素子において、磁化自由層がＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＮｉＢ、ＦｅＣｏＳｉＢから選ばれる材料から成る構成とする。
【００２５】
また本発明は、上記磁気抵抗効果素子において、上記中間層として絶縁体もしくは半導体から成るトンネルバリア層を用いたトンネル磁気抵抗効果素子である構成とする。
【００２６】
また本発明は、上記磁気抵抗効果素子において、積層フェリ構造を有する構成とする。
【００２７】
本発明は、対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効果素子を厚み方向に挟むワード線及びビット線とを備え、強磁性層のうち一方が磁化固定層であり他方が磁化自由層であり、強磁性層がアモルファスあるいは微結晶組織を有し、強磁性層が３００℃以上磁化自由層の結晶化温度以下で磁場中熱処理されている磁気メモリ装置である。
【００２８】
また本発明は、上記磁気メモリ装置において、磁化自由層がＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＮｉＢ、ＦｅＣｏＳｉＢから選ばれる材料から成る構成とする。
【００２９】
また本発明は、上記磁気メモリ装置において、磁気抵抗効果素子が中間層として絶縁体もしくは半導体から成るトンネルバリア層を用いたトンネル磁気抵抗効果素子である構成とする。
【００３０】
また本発明は、上記磁気メモリ装置において、磁気抵抗効果素子が積層フェリ構造を有する構成とする。
【００３１】
まず、本発明の磁気抵抗効果素子の一実施の形態の概略構成図を図１に示す。この図１に示す実施の形態は、本発明をトンネル磁気抵抗効果素子（以下、ＴＭＲ素子と称する。）に適用した場合を示している。
【００３２】
このＴＭＲ素子１は、シリコン等からなる基板２上に、下地層３と、反強磁性層４と、強磁性層である磁化固定層５と、トンネルバリア層６と、強磁性層である磁化自由層７と、トップコート層８とがこの順に積層されて構成されている。
即ち、強磁性層の一方が磁化固定層５とされ、他方が磁化自由層７とされた、いわゆるスピンバルブ型のＴＭＲ素子を構成しており、対の強磁性層である磁化固定層５と磁化自由層７とでトンネルバリア層６を挟み込むことにより、強磁性トンネル接合９を形成している。
そして、磁気メモリ装置等にこのＴＭＲ素子１を適用した場合には、磁化自由層７が情報記録層となり、そこに情報が記録される。
【００３３】
反強磁性層４は、強磁性層の一方である磁化固定層５と反強磁性的に結合することにより、書き込みのための電流磁界によっても磁化固定層５の磁化を反転させず、磁化固定層５の磁化の向きを常に一定とするための層である。即ち、図１に示すＴＭＲ素子１においては、他方の強磁性層である磁化自由層７だけを外部磁場等によって磁化反転させる。磁化自由層７は、ＴＭＲ素子１を例えば磁気メモリ装置等に適用した場合に情報が記録される層となるため、情報記録層とも称される。
反強磁性層４を構成する材料としては、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ等を含むＭｎ合金、Ｃｏ酸化物、Ｎｉ酸化物等を使用することができる。
【００３４】
図１に示すスピンバルブ型のＴＭＲ素子１においては、磁化固定層５は、反強磁性層４と反強磁性的に結合することによって磁化の向きを一定とされる。このため、書き込みの際の電流磁界によっても磁化固定層５の磁化は反転しない。
【００３５】
トンネルバリア層６は、磁化固定層５と磁化自由層７とを磁気的に分離するとともに、トンネル電流を流すための層である。
トンネルバリア層６を構成する材料としては、例えばＡｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｌｉ、Ｃａ等の酸化物、窒化物、ハロゲン化物等の絶縁材料を使用することができる。
【００３６】
このようなトンネルバリア層６は、スパッタリング法や蒸着法等によって成膜された金属膜を、酸化又は窒化することにより得ることができる。
また、有機金属と、酸素、オゾン、窒素、ハロゲン、ハロゲン化ガス等とを用いるＣＶＤ法によっても得ることができる。
【００３７】
本実施の形態においては、特に強磁性層である磁化固定層５、磁化自由層７を含む強磁性トンネル接合９が、３００℃以上で磁場中熱処理が施されている構成とする。
このような構成とすることにより、Ｒ−Ｈ曲線の角形性を向上し、保磁力のばらつきを低減することができる。
【００３８】
この磁場中熱処理における磁場の向きは、強磁性層５，７の磁化容易軸と平行にすることが好ましい。
【００３９】
強磁性層、特に磁化自由層７には、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのいずれか、あるいは、これら複数以上を主成分としたアモルファスまたは微結晶の材料が好ましい。
【００４０】
尚、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉを主成分とした合金例えばＦｅＣｏ等は、通常の膜厚では結晶質であるが、例えば膜厚１ｎｍ程度とごく薄くした場合には、アモルファスに近い状態になるため、上述した３００℃以上の熱処理の効果が得られる。しかしながら、この合金には結晶磁気異方性が存在し、この結晶磁気異方性は熱処理による制御が困難であるため、アモルファス材料に比べると効果が小さくなる。
【００４１】
ここで、磁化自由層７が、Ｃｏ７２Ｆｅ８Ｂ２０（原子％）の組成のアモルファス強磁性材料から成る構成のスピンバルブ型ＴＭＲ素子について、３００℃での静磁場中熱処理を施したものと、２５０℃での静磁場中熱処理を施したものをそれぞれ実際に作製し、これらについて抵抗−外部磁場曲線（Ｒ−Ｈ曲線）を測定した結果を図２に示す。
図２から明らかなように、３００℃で熱処理したＴＭＲ素子では、２５０℃で熱処理したＴＭＲ素子に比べ、Ｒ−Ｈ曲線の角形性が向上すると共にバルクハウゼンノイズも低減された。従って、本発明によれば、アステロイド曲線の形状も改善されて書き込み特性が向上し、書き込みエラーの低減を図ることが可能となる。
【００４２】
この３００℃以上の熱処理条件で特性が改善される原因は定かでないが、材料の結晶化温度より低く、キュリー温度に近い温度であることが関係していると考えられる。
【００４３】
磁場中熱処理を行う熱処理炉は、例えば図３に示す構成とする。
この熱処理炉は、真空チャンバー３１の外にヒーター３２を配置し、さらに外側にマグネット３３を配置して成る。
【００４４】
この熱処理炉において、磁場中熱処理は次のようにして行う。
まず、ＴＭＲ素子が形成されるウェハ３０を、真空チャンバー３１内のラック３４に、マグネット３３による磁場３５の方向にウェハ３０の主面３０Ａが平行になるように載置する。
そして、ヒーター３２により加熱すると共に、マグネット３３により磁場を印加することによって、ウェハ３０のＴＭＲ素子に対して磁場中熱処理を行うことができる。
【００４５】
また、磁場中熱処理の温度の上限は、強磁性層に用いるアモルファスまたは微結晶の材料の結晶化温度により決定されるが、さらにＴＭＲ素子の耐熱性との兼ね合いから、高くとも４００℃以下とする。
【００４６】
磁場中熱処理は、強磁性層の磁化反転特性を改善する目的から行っているため、少なくとも磁化自由層７に、より好ましくは磁化自由層７及び磁化固定層５の双方に処理を施すようにする。
これにより、ＴＭＲ素子１の磁気特性の改善を図る効果をより顕著に得られる。
【００４７】
また、例えば上述の熱処理をより効果的なものにするためには、磁化自由層７に用いるアモルファスまたは微結晶の材料の膜厚を１ｎｍ以上、１５ｎｍ以下とすることが望ましい。この範囲内にあることによって良好な磁気特性を確保できる。磁化自由層７の膜厚が１ｎｍ未満である場合には、熱による相互拡散により磁気特性が大幅に損なわれ、逆に磁化自由層７の膜厚が１５ｎｍを上回る場合には、ＴＭＲ素子１の保磁力が過剰に高くなるので実用上不適当となるおそれがある。
【００４８】
また、同様に、磁化固定層５にもアモルファスまたは微結晶の材料を用いる場合に、上述の熱処理をより効果的なものにするためには、磁化固定層５に用いるアモルファスまたは微結晶の材料の膜厚を０．５ｎｍ以上、６ｎｍ以下とすることが望ましい。この範囲内にあることによって良好な磁気特性を確保できる。磁化固定層５の膜厚が０．５ｎｍ未満である場合には、熱による相互拡散により磁気特性が大幅に損なわれ、逆に磁化固定層５の膜厚が６ｎｍを上回る場合には、反強磁性層４との交換結合磁界を充分に得られなくなるおそれがある。
【００４９】
上述の本実施の形態のＴＭＲ素子１によれば、３００℃以上磁化自由層７の結晶化温度以下で磁場中熱処理が施されている構成とすることにより、強磁性層５，７の磁気異方性を制御して、Ｒ−Ｈ曲線の角形性を向上し、バルクハウゼンノイズを低減することができる。また、保磁力Ｈｃのばらつきを抑制して、ＴＭＲ素子１のアステロイド曲線の形状を改善することができる。
【００５０】
これにより、例えば多数のＴＭＲ素子を有して成る磁気メモリ装置にＴＭＲ素子１を適用した場合に、ＴＭＲ素子１のアステロイド曲線の形状を改善して、書き込み特性を向上することにより、書き込みエラーを低減することができる。
また、ＴＭＲ素子を有して成る磁気ヘッドや磁気センサに適用した場合には、反転磁界の設計値からのずれを抑制して、製造歩留まりを向上することや動作不良を防止することが可能になる。
【００５１】
尚、本発明においては、図１に示すような磁化固定層５及び磁化自由層７のそれぞれが単層から構成されたＴＭＲ素子１に限定されない。
例えば図４に示すように、磁化固定層５が、第１の磁化固定層５ａと第２の磁化固定層５ｂとで非磁性導電体層５ｃを挟み込んでなる積層フェリ構造とされる場合であっても、本発明の効果を得ることができる。
【００５２】
図４に示すＴＭＲ素子１０では、第１の磁化固定層５ａが反強磁性層４と接しており、これらの層間に働く交換相互作用によって、第１の磁化固定層５ａは強い一方向の磁気異方性を持つ。また、第２の磁化固定層５ｂは、トンネルバリア層６を介して磁化自由層７と対向し、スピンの向きが磁化自由層７と比較され直接ＭＲ比に関わる強磁性層となるため、参照層とも称される。
【００５３】
積層フェリ構造の非磁性導電体層５ｃに用いられる材料としては、例えばＲｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ等が挙げられる。図４のＴＭＲ素子１０において、その他の層は図１に示したＴＭＲ素子１とほぼ同様の構成であるため、図１と同じ符号を付して詳細な説明を省略する。
【００５４】
この積層フェリ構造を有するＴＭＲ素子１０においても、３００℃以上磁化自由層７の結晶化温度以下で磁場中熱処理が施された構成とすることにより、図１に示したＴＭＲ素子１と同様に、Ｒ−Ｈ曲線の角形性を向上し、バルクハウゼンノイズを低減することができる。また、保磁力Ｈｃのばらつきを抑制して、ＴＭＲ素子１０のアステロイド曲線の形状を改善することができる。
【００５５】
尚、上述の実施の形態では、磁気抵抗効果素子としてＴＭＲ素子（トンネル磁気抵抗効果素子）１，１０を用いたが、本発明は、対の強磁性層が中間層を介して対向され、膜面に対して垂直に電流を流して磁気抵抗変化を得る構成を有するその他の磁気抵抗効果素子にも適用することができる。
例えば中間層としてＣｕ等の非磁性導電層を用いた巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）で、膜面に対して垂直に電流を流して磁気抵抗効果を得る構成、即ちいわゆるＣＰＰ型のＧＭＲ素子にも本発明を適用することができる。
【００５６】
さらに、磁化固定層や反強磁性体の材料、磁化固定層側における積層フェリ構造の有無等は、本発明の本質を損なわない限り種々の変形が可能である。
【００５７】
尚、磁場中熱処理における磁場の強度の範囲は、上述の実施の形態のＴＭＲ素子１のように磁化自由層７が磁化固定層５より上層側にある構成（いわゆるボトムスピン型）では、３００℃以上の磁場中熱処理が反強磁性層４から磁化固定層５にかかるバイアスを決定する熱処理を兼ねるため、磁化固定層５の構造、膜厚、特性により異なる。
例えば、磁化固定層５が膜厚２ｎｍのＣｏＦｅ膜のみ（単層）から成り、反強磁性層４の材料がＦｅＭｎやＲｈＭｎ、ＩｒＭｎ等である場合には、１ｋＯｅ程度の磁場で充分である。
この磁化固定層５が膜厚２ｎｍのＣｏＦｅ膜のみ（単層）である構成でも、反強磁性層４の材料がＰｔＭｎ等である場合には、３ｋＯｅ程度必要となる。
さらに、図４に示したＴＭＲ素子１０等、磁化固定層５が積層フェリ構造を有することにより、強固な反強磁性結合が形成される場合には、この反強磁性結合を形成している複数の磁性層すべてが同じ方向の磁化を有するようにする必要がある。例えばＣｏＦｅ（２ｎｍ）／Ｒｕ（０．８ｎｍ）／ＣｏＦｅ（２ｎｍ）のような構造の磁化固定層５である場合には、１０ｋＯｅ程度の磁場が必要となる。
一方、磁場の大きさの上限は特にないが、磁場を大きくするためには磁界印加手段を大型化する必要があるため、適度な大きさに設定される。
【００５８】
上述のようなＴＭＲ素子１，１０等の磁気抵抗効果素子は、例えばＭＲＡＭ等の磁気メモリ装置に用いられて好適である。以下、本発明のＴＭＲ素子を用いたＭＲＡＭについて、図を参照しながら説明する。
【００５９】
本発明のＴＭＲ素子を有するクロスポイント型のＭＲＡＭアレイを、図５に示す。このＭＲＡＭアレイは、複数のワード線ＷＬと、これらワード線ＷＬと直交する複数のビット線ＢＬとを有し、ワード線ＷＬとビット線ＢＬとの交点に本発明のＴＭＲ素子が配置されて成るメモリセル１１とを有する。即ち、このＭＲＡＭアレイでは、３×３のメモリセル１１がマトリクス状に配置される。
【００６０】
尚、ＭＲＡＭアレイに用いられるＴＭＲ素子としては、図１に示したＴＭＲ素子１に限定されず、積層フェリ構造を有する図４に示すＴＭＲ素子１０等、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子において磁場中３００℃以上で熱処理されており、少なくとも磁化自由層７を含む強磁性層がアモルファス材料から成る構成であればいかなる構成であっても構わない。
【００６１】
また、メモリ素子に多数あるメモリセルから１つのメモリセルを取り出して、断面構造を図６に示す。
各メモリセル１１は、図６に示すように、例えばシリコン基板１２上に、ゲート電極１３、ソース領域１４及びドレイン領域１５からなるトランジスタ１６を有する。ゲート電極１３は、読み出し用のワード線ＷＬ１を構成している。ゲート電極１３上には、絶縁層を介して書き込み用のワード線（前述したワード書き込み線に相当する）ＷＬ２が形成されている。トランジスタ１６のドレイン領域１５にはコンタクトメタル１７が接続され、さらにコンタクトメタル１７には下地層１８が接続されている。この下地層１８上の書き込み用のワード線ＷＬ２の上方に対応する位置に、本発明のＴＭＲ素子１が形成されている。このＴＭＲ素子１上に、ワード線ＷＬ１及びＷＬ２と直交するビット線（前述したビット書き込み線に相当する）ＢＬが形成されている。尚、下地層１８は、平面位置の異なるＴＭＲ素子１とドレイン領域１５との電気的接続をする役割から、バイパスとも称される。
また、各ワード線ＷＬ１，ＷＬ２とＴＭＲ素子１とを絶縁するための層間絶縁膜１９及び絶縁膜２０と、全体を保護するパッシベーション膜（図示せず）等を有して成る。
【００６２】
このＭＲＡＭは、３００℃以上結晶化温度以下の磁場中熱処理により磁化自由層７の磁気異方性が制御されたＴＭＲ素子１を用いているので、Ｒ−Ｈ曲線においてノイズが低減し、アステロイド特性が向上するので、書き込みエラーの低減を図ることできる。
【００６３】
ここで、本発明の製造方法によりＭＲＡＭを製造する場合のプロセスフローの形態を、図７Ａ及び図７Ｂにそれぞれ示す。
基板にＣＭＯＳ回路（例えば図６のトランジスタ１６）を形成した後、ワード線（例えば図６のＷ２）を形成し、ワード線の埋め込みを行い、表面を平坦化した後、ＴＭＲ膜を成膜する工程までは、図７Ａ及び図７Ｂで共通になっている。
【００６４】
図７Ａに示すプロセスフローでは、ＴＭＲ膜を成膜した後、すぐ磁場中熱処理を行い、その後バイパス形成工程即ち図６の下地層１８のパターニング、素子部形成工程即ちＴＭＲ素子１のパターニング、素子の埋め込み工程即ちＴＭＲ素子１を絶縁膜で埋め込む工程、ビット線形成工程、ビット線の埋め込み工程の各工程を行うようにしている。
また、図７Ｂに示すプロセスフローでは、ＴＭＲ膜を成膜し、その後バイパス形成工程、素子部形成工程、素子の埋め込み工程、ビット線形成工程、ビット線の埋め込み工程の各工程を行った後、磁場中熱処理を行うようにしている。
【００６５】
いずれにしても、ＴＭＲ膜を成膜した後に磁場中熱処理を施すのが望ましいが、少なくともＴＭＲ膜のうち磁化自由層７を成膜した後にする必要がある。
【００６６】
尚、例えば磁化固定層及び磁化自由層の配置が上述した実施の形態の構成（いわゆるボトムスピン型）とは逆である構成、即ち磁化自由層を基板側に、磁化固定層及び反強磁性層を磁化自由層よりも上層に形成する構成（いわゆるトップスピン型）では、磁化自由層の強磁性膜を成膜してから３００℃以上で磁場中熱処理を行った後、磁化固定層及び反強磁性層を成膜し、その後反強磁性層を規則化する（上述したバイアスを決定する）ための磁場中熱処理を３００℃未満で行うことが考えられる。
この場合、磁場中熱処理を２回行うことになるが、磁化固定層及び反強磁性層を成膜した後に３００℃以上の磁場中熱処理を行う場合と比較すると、ＴＭＲ膜の表面に近い磁化固定層及び反強磁性層に３００℃以上の温度の影響が及ばないという利点を有する。
【００６７】
（実施例）
以下、本発明を適用した具体的な実施例について、実験結果に基づいて説明する。
尚、図６に示したように、ＭＲＡＭにはＴＭＲ素子１以外にスイッチング用のトランジスタ１６が存在するが、本実施例ではＴＭＲ特性を調べるために、図８及び図９に示すような強磁性トンネル接合のみを形成したウェハにより特性の測定・評価を行った。
まず、強磁性トンネル接合の磁化自由層に種々の材料を用いた場合の、熱処理温度依存性について調べた。
【００６８】
＜サンプル１＞
図８に平面図、図９に図８のＡ−Ａにおける断面図をそれぞれ示すように、特性評価用素子ＴＥＧ（Test Element Group）として、基板２１上にワード線ＷＬとビット線ＢＬとが直交して配置され、これらワード線ＷＬとビット線ＢＬとの交差する部分にＴＭＲ素子２２が形成された構造を作製した。このＴＥＧは、ＴＭＲ素子２２が短軸０．５μｍ×長軸１．０μｍの楕円形状であり、ワード線ＷＬ及びビット線ＢＬの両端にそれぞれ端子パッド２３，２４が形成され、ワード線ＷＬとビット線ＢＬとをＡｌ２Ｏ３から成る絶縁膜２５，２６によって互いに電気的に絶縁した構成となっている。
【００６９】
具体的には、次のようにして図８及び図９に示すＴＥＧを作製した。
まず、表面に熱酸化膜（厚さ２μｍ）が形成された厚さ０．６ｍｍのシリコンから成る基板２１を用意した。
次に、この基板２１上にワード線の材料を成膜し、フォトリソグラフィによってマスクした後にワード線以外の部分をＡｒプラズマにより選択的にエッチングし、ワード線ＷＬを形成した。このとき、ワード線ＷＬ以外の領域は、基板２１の深さ５ｎｍまでエッチングした。
その後、ワード線ＷＬを覆って絶縁膜２６を形成し、表面を平坦化した。
【００７０】
続いて、下記の層構成（１）からなるＴＭＲ素子２２を、公知のリソグラフィ法及びエッチングにより作製した。層構成（１）は、／の左側が基板側となっており、（）内は膜厚を示す。
Ｔａ（３ｎｍ）／Ｃｕ（１００ｎｍ）／ＰｔＭｎ膜（２０ｎｍ）／ＣｏＦｅ（３ｎｍ）／Ｒｕ（０．８ｎｍ）／ＣｏＦｅ（２．５ｎｍ）／Ａｌ（１ｎｍ）−Ｏｘ／磁化自由層（ｔｎｍ）／Ｔａ（５ｎｍ） −（１）
【００７１】
尚、上記の層構成（１）のうち、磁化自由層の組成をＣｏ７２Ｆｅ８Ｂ２０（原子％）とし、磁化自由層の膜厚ｔを４ｎｍとした。
また、各ＣｏＦｅ膜の組成を、Ｃｏ７５Ｆｅ２５（原子％）とした。
【００７２】
トンネルバリア層６のＡｌ−Ｏｘ膜は、まず金属Ａｌ膜をＤＣスパッタ法により１ｎｍ堆積させ、その後酸素／アルゴンの流量比を１：１とし、チャンバーガス圧を０．１ｍＴｏｒｒとし、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）からのプラズマにより金属Ａｌ膜をプラズマ酸化させることにより形成した。酸化時間はＩＣＰプラズマ出力に依存するが、本実施例では３０秒とした。
【００７３】
また、トンネルバリア層６のＡｌ−Ｏｘ膜以外の膜は、ＤＣマグネトロンスパッタ法で成膜した。
【００７４】
次に、磁場中熱処理炉にて、１０ｋＯｅの磁界中、２００〜３６０℃で、５時間の熱処理を行い、反強磁性層であるＰｔＭｎ層の規則化熱処理を行い、強磁性トンネル接合９を形成した。
続いて、ＴＭＲ素子２２及びその下の絶縁膜２６をパターニングして、図８に示す平面パターンを有するＴＭＲ素子２２を形成する。
さらに、Ａｌ２Ｏ３をスパッタすることにより、厚さ１００ｎｍ程度の絶縁層２５を成膜し、さらにフォトリソグラフィによりビット線ＢＬ及び端子パッド２４を形成し、図８及び図９に示したＴＥＧを得た。
【００７５】
＜サンプル２＞
磁化自由層７の組成をＣｏ７０．５Ｆｅ４．５Ｓｉ１５Ｂ１０（原子％）とし、磁化自由層７の膜厚を４ｎｍとした以外はサンプル１と同様にしてＴＥＧを得た。
【００７６】
＜サンプル３＞
磁化自由層７の組成をＣｏ３５Ｎｉ３５Ｆｅ１０Ｂ２０（原子％）とし、磁化自由層７の膜厚を４ｎｍとした以外はサンプル１と同様にしてＴＥＧを得た。
【００７７】
＜サンプル４＞
磁化自由層７の組成をＣｏ７５Ｆｅ２５（原子％）とし、磁化自由層７の膜厚を２ｎｍとした以外はサンプル１と同様にしてＴＥＧを得た。
【００７８】
＜サンプル５＞
磁化自由層７の組成をＣｏ９０Ｆｅ１０（原子％）とし、磁化自由層７の膜厚を２ｎｍとした以外はサンプル１と同様にしてＴＥＧを得た。
【００７９】
そして、得られた各サンプル１〜サンプル５のＴＥＧに対して、下記のようにしてＲ−Ｈ曲線の測定を行って、さらにＲ−Ｈ曲線から保磁力のばらつきを求めた。
【００８０】
（Ｒ−Ｈ曲線の測定）
通常のＭＲＡＭ等の磁気メモリ装置では、電流磁界によって磁気抵抗効果素子を磁化反転させて情報を書き込むが、本実施例では、外部磁界によって磁気抵抗効果素子を磁化させることにより、抵抗値の測定を行った。即ち、まずＴＭＲ素子２２の磁化自由層を磁化反転させるための外部磁界を磁化自由層の磁化容易軸に対して平行となるように印加した。測定のための外部磁界の大きさは、５００Ｏｅとした。
【００８１】
次に、磁化自由層の磁化容易軸の一方側から見て−５００Ｏｅから＋５００Ｏｅまで掃引すると同時に、ワード線ＷＬの端子パッド２３とビット線ＢＬの端子パッド２４とにかかるバイアス電圧が１００ｍＶとなるように調節して、強磁性トンネル接合にトンネル電流を流した。このときの各外部磁界に対する抵抗値を測定してＲ−Ｈ曲線を得た。
【００８２】
（保磁力Ｈｃのばらつき）
上記の測定方法によりＲ−Ｈ曲線を測定し、Ｒ−Ｈ曲線から、磁化固定層と磁化自由層の磁化が反平行の状態であって抵抗が高い状態での抵抗値と、磁化固定層と磁化自由層の磁化が平行の状態であって抵抗が低い状態での抵抗値との平均値を求め、この平均値の抵抗値が得られるときの外部磁界の値を保磁力Ｈｃとした。この保磁力Ｈｃを、同様に作製された素子（ＴＥＧ）５００個に対して行い、これらの標準偏差ΔＨｃを求めた。そして、ΔＨｃ／（Ｈｃの平均値）を保磁力Ｈｃのばらつきの値とした。
尚、書き込み特性の向上を図るといった観点から、保磁力Ｈｃのばらつきは、６％以下であることが好ましい。
【００８３】
サンプル１〜サンプル５のそれぞれについて、磁化自由層７の組成及び膜厚を表１に示し、また横軸に熱処理温度をとり、縦軸に保磁力Ｈｃのばらつきをとり、プロットして図１０に示す。
【００８４】
【表１】
【００８５】
図１０から明らかなように、サンプル１〜サンプル３のように、アモルファス材料を磁化自由層７に用いて、かつ磁場中熱処理の温度を３００℃以上とすることにより、保磁力Ｈｃのばらつきを抑えることができることがわかる。
【００８６】
このことから、アモルファス材料を磁化自由層７に用い、かつ３００℃以上の磁場中熱処理を施すことにより、ＴＭＲ素子の保磁力Ｈｃのばらつきを抑えて、ＭＲＡＭの書き込み特性を改善する効果が得られることがわかる。
【００８７】
尚、サンプル１及びサンプル３と、サンプル２とを比較すると、サンプル２の方がキュリー温度や結晶化温度が高くなるが、図１０の保磁力Ｈｃのばらつきについても、同等のばらつき抑制効果を得るのにサンプル２の方がやや高い温度を要することがわかる。
【００８８】
尚、本発明の磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子等）は、前述した磁気メモリ装置のみならず、磁気ヘッド及びこの磁気ヘッドを搭載したハードディスクドライブや磁気センサ、集積回路チップ、さらにはパソコン、携帯端末、携帯電話を始めとする各種電子機器、電子機器等に適用することができる。
【００８９】
本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
【符号の説明】
【００９０】
１，１０，２２ トンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）、２，２１ 基板、３ 下地層、４ 反強磁性層、５ 磁化固定層、５ａ 第１の磁化固定層、５ｂ 第２の磁化固定層（参照層）、５ｃ 非磁性導電体層、６ トンネルバリア層、７ 磁化自由層、９ 強磁性トンネル接合、１１ メモリセル、２３，２４ パッド、３０ ウェハ、３２ ヒーター、３３ マグネット、ＷＬ，ＷＬ１，ＷＬ２ ワード線、ＢＬ ビット線
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子であって、
上記強磁性層のうち一方が磁化固定層であり、他方が磁化自由層であり、
上記強磁性層がアモルファスあるいは微結晶組織を有し、
上記強磁性層が、３００℃以上、上記磁化自由層の結晶化温度以下で、磁場中熱処理されている
磁気抵抗効果素子。
【請求項２】
上記磁化自由層が、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＮｉＢ、ＦｅＣｏＳｉＢから選ばれる材料から成る請求項１に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項３】
上記中間層として絶縁体もしくは半導体から成るトンネルバリア層を用いたトンネル磁気抵抗効果素子である請求項１に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項４】
積層フェリ構造を有する請求項１に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項５】
対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子と、
上記磁気抵抗効果素子を厚み方向に挟むワード線及びビット線とを備え、
上記強磁性層のうち一方が磁化固定層であり、他方が磁化自由層であり、
上記強磁性層がアモルファスあるいは微結晶組織を有し、
上記強磁性層が、３００℃以上、上記磁化自由層の結晶化温度以下で、磁場中熱処理されている
磁気メモリ装置。
【請求項６】
上記磁化自由層が、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＮｉＢ、ＦｅＣｏＳｉＢから選ばれる材料から成る請求項５に記載の磁気メモリ装置。
【請求項７】
上記磁気抵抗効果素子が上記中間層として絶縁体もしくは半導体から成るトンネルバリア層を用いたトンネル磁気抵抗効果素子である請求項５に記載の磁気メモリ装置。
【請求項８】
上記磁気抵抗効果素子が積層フェリ構造を有する請求項５に記載の磁気メモリ装置。
【請求項９】
対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子を製造する方法であって、
上記磁気抵抗効果素子は、上記強磁性層のうち一方が磁化固定層であり、他方が磁化自由層であり、上記強磁性層がアモルファスあるいは微結晶組織を有する構成であり、
少なくとも上記磁化自由層を形成した後に、３００℃以上、上記磁化自由層の結晶化温度以下で、磁場中熱処理を施す工程を行う
磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項１０】
対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子と、上記磁気抵抗効果素子を厚み方向に挟むワード線及びビット線とを備えた磁気メモリ装置を製造する方法であって、
上記磁気抵抗効果素子は、上記強磁性層のうち一方が磁化固定層であり、他方が磁化自由層であり、上記強磁性層がアモルファスあるいは微結晶組織を有する構成であり、
少なくとも上記磁化自由層を形成した後に、３００℃以上、上記磁化自由層の結晶化温度以下で、磁場中熱処理を施す工程を行う
磁気メモリ装置の製造方法。
【請求項１】
対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子であって、
上記強磁性層のうち一方が磁化固定層であり、他方が磁化自由層であり、
上記強磁性層がアモルファスあるいは微結晶組織を有し、
上記強磁性層が、３００℃以上、上記磁化自由層の結晶化温度以下で、磁場中熱処理されている
磁気抵抗効果素子。
【請求項２】
上記磁化自由層が、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＮｉＢ、ＦｅＣｏＳｉＢから選ばれる材料から成る請求項１に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項３】
上記中間層として絶縁体もしくは半導体から成るトンネルバリア層を用いたトンネル磁気抵抗効果素子である請求項１に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項４】
積層フェリ構造を有する請求項１に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項５】
対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子と、
上記磁気抵抗効果素子を厚み方向に挟むワード線及びビット線とを備え、
上記強磁性層のうち一方が磁化固定層であり、他方が磁化自由層であり、
上記強磁性層がアモルファスあるいは微結晶組織を有し、
上記強磁性層が、３００℃以上、上記磁化自由層の結晶化温度以下で、磁場中熱処理されている
磁気メモリ装置。
【請求項６】
上記磁化自由層が、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＮｉＢ、ＦｅＣｏＳｉＢから選ばれる材料から成る請求項５に記載の磁気メモリ装置。
【請求項７】
上記磁気抵抗効果素子が上記中間層として絶縁体もしくは半導体から成るトンネルバリア層を用いたトンネル磁気抵抗効果素子である請求項５に記載の磁気メモリ装置。
【請求項８】
上記磁気抵抗効果素子が積層フェリ構造を有する請求項５に記載の磁気メモリ装置。
【請求項９】
対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子を製造する方法であって、
上記磁気抵抗効果素子は、上記強磁性層のうち一方が磁化固定層であり、他方が磁化自由層であり、上記強磁性層がアモルファスあるいは微結晶組織を有する構成であり、
少なくとも上記磁化自由層を形成した後に、３００℃以上、上記磁化自由層の結晶化温度以下で、磁場中熱処理を施す工程を行う
磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項１０】
対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子と、上記磁気抵抗効果素子を厚み方向に挟むワード線及びビット線とを備えた磁気メモリ装置を製造する方法であって、
上記磁気抵抗効果素子は、上記強磁性層のうち一方が磁化固定層であり、他方が磁化自由層であり、上記強磁性層がアモルファスあるいは微結晶組織を有する構成であり、
少なくとも上記磁化自由層を形成した後に、３００℃以上、上記磁化自由層の結晶化温度以下で、磁場中熱処理を施す工程を行う
磁気メモリ装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００９−２１８６１１（Ｐ２００９−２１８６１１Ａ）
【公開日】平成２１年９月２４日（２００９．９．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１１９４３３（Ｐ２００９−１１９４３３）
【出願日】平成２１年５月１８日（２００９．５．１８）
【分割の表示】特願２００２−１７１８０６（Ｐ２００２−１７１８０６）の分割
【原出願日】平成１４年６月１２日（２００２．６．１２）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ＦＲＡＭ
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年９月２４日（２００９．９．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年５月１８日（２００９．５．１８）
【分割の表示】特願２００２−１７１８０６（Ｐ２００２−１７１８０６）の分割
【原出願日】平成１４年６月１２日（２００２．６．１２）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ＦＲＡＭ
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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