【課題】 本発明の実施形態によれば、単方向電流で書き込みが可能であり、微細化が可能な磁気メモリ素子、磁気メモリ装置、スピントランジスタ、及び集積回路を提供することができる。
【解決手段】 磁気メモリ素子は、磁化が可変の第１の強磁性層と、第１のバンド及び第２のバンドを有する第２の強磁性層と、前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層との間に設けられた非磁性層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】微小領域で歪を高感度に検知することができる歪検知装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体回路部と、半導体回路部の上に設けられた検知部と、を含む歪検知装置が提供される。半導体回路部は、半導体基板上に設けられたトランジスタを有する。検知部は、トランジスタの上方に設けられた空洞部と、空洞部と並置された非空洞部と、を有する。検知部は、可動梁、歪検知素子部、第１、第２埋め込み配線を含む。可動梁は、固定部分及び可動部分を有し、第１、第２配線層を含む。固定部分は非空洞部に固定される。可動部分は、固定部分から空洞部に延びトランジスタと離間する。歪検知素子部は、可動部分に固定され、第１、第２配線層と電気的に接続され、第１磁性層を含む。第１、第２埋め込み配線は、非空洞部に設けられ、第１、第２配線層と半導体回路部とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】安定した動作が可能な不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、磁気記憶素子と制御部とを備えた不揮発性記憶装置が提供される。磁気記憶素子は積層体を含む。積層体は第１積層部と第２積層部とを含む。第１積層部は、磁化が固定された第１強磁性層と、磁化の方向が可変の第２強磁性層と、第１強磁性層と第２強磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、を含む。第２積層部は、積層方向に沿って第１積層部と積層される。第２積層部は、通電される電流によって磁化が回転して発振が生じる第３強磁性層と、磁化が固定された第４強磁性層と、第３強磁性層と第４強磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、を含む。制御部は、第２強磁性層の磁化の向きに応じた第３強磁性層の発振の周波数の変化を検出することで、第２強磁性層の磁化の向きを読み出す読み出し部を含む。 （もっと読む）

【課題】安定した動作が可能な磁気記憶素子及び不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１、第２積層部を含む磁気記憶素子が提供される。第１積層部は、第１強磁性層／第１非磁性層／第２強磁性層を含む。第１強磁性層の磁化は面直に固定され、第２強磁性層の磁化方向は面直に可変である。第２積層部は、第３強磁性層／第２非磁性層／第４強磁性層を含む。第３強磁性層の磁化方向は面内方向に可変であり、第４強磁性層の磁化は面直に固定されている。第３強磁性層の位置での第１、第２、第４強磁性層からの漏れ磁界Ｈｓ、第３強磁性層の磁気異方性Ｋｕ、ダンピング定数α、磁化Ｍｓ及び反磁界係数Ｎｚは、Ｋｕ≦αＭｓ（８πＮｚＭｓ−Ｈｓ）を満たす。電流によりスピン偏極した電子と、第３強磁性層で発生する回転磁界と、を第２強磁性層に作用させ、第２強磁性層の磁化方向を決定できる。 （もっと読む）

【課題】高密度化が可能な磁気記憶素子及び不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、積層体を備えた磁気記憶素子が提供される。積層体は第１積層部と第２積層部とを含む。第１積層部は、膜面に対して垂直成分を有する第１の方向に磁化が固定された第１強磁性層と、磁化の方向が膜面垂直な方向に可変である第２強磁性層と、第１強磁性層と第２強磁性層との間の第１非磁性層と、を含む。第２積層部は、積層方向に沿って第１積層部と積層される。第２積層部は、磁化の方向が膜面平行な方向に可変である第３強磁性層と、膜面に対して垂直成分を有する第２の方向に磁化が固定された第４強磁性層と、第３強磁性層と第４強磁性層との間の２非磁性層と、を含む。積層方向を法線とする平面で切断したとき、第３強磁性層の断面積は前記第１積層部よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】
乗算信号の出力低下を回避しつつ、低いローカルパワーで作動可能とする。
【解決手段】
磁化固定層、磁化自由層、および前記磁化固定層と前記磁化自由層との間に配設された非磁性スペーサー層を備え、高周波信号Ｓ１およびローカル信号Ｓ２を入力したときに磁気抵抗効果によって両信号Ｓ１，Ｓ２を乗算して電圧信号（乗算信号）Ｓ３を生成する磁気抵抗効果素子２の磁化自由層に対し、磁場印加部３より発生する磁場を膜面法線方向、または膜面方向から膜面法線方向に傾けて掛けることで、Ｑ値の高い共振特性を得ることができ、大きな乗算信号を得ることができ、さらに狭帯域周波数選択性の機能を有する周波数変換装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】
大きな乗算信号を取り出すことが可能で、さらに受信用バンドパスフィルタ機能を有した混合器を提供することを主目的とする。
【解決手段】
磁化固定層、磁化自由層、および前記磁化固定層と前記磁化自由層との間に配設された非磁性スペーサー層を備え、高周波信号Ｓ１およびローカル信号Ｓ２を入力したときに磁気抵抗効果によって当該両信号Ｓ１，Ｓ２を乗算して電圧信号（乗算信号）Ｓ４を生成する磁気抵抗効果素子２から得た乗算信号は、共振特性の強度に応じて増減し、共振周波数ｆ０と両信号Ｓ１，Ｓ２のそれぞれ周波数ｆ１、ｆ２が一致するときに最大強度を示し、共振周波数ｆ０から周波数ｆ１、ｆ２の両方またはいずれか一つが離れると減衰する。あたかもバンドパスフィルタを挿入したときと同じ効果があり、磁場印加部３による磁場を制御することで、所望のバンドパスフィルタを有する周波数変換装置を提供できる。 （もっと読む）

【課題】磁気記録素子のＭＲ比の向上を図る。
【解決手段】実施形態に係わる磁気記録素子は、磁化が可変で磁化容易軸方向が膜面に垂直となる方向の磁気記録層１１と、磁化が膜面に垂直となる方向に固定される磁気固着層１２と、磁気記録層１１と磁気固着層１２との間の非磁性バリア層１３と、磁気記録層１１と非磁性バリア層１３との間の挿入層１４とを備える。挿入層１４は、軟磁性材料、ホイスラー合金、ハーフメタル酸化物、及び、ハーフメタル窒化物のうちの１つを含む。 （もっと読む）

【課題】所与の厚さの反強磁性層に対する交換バイアスが増加した磁気デバイスを提案することによって従来技術の欠点を克服すること。
【解決手段】本発明は、自由層として知られている、可変磁化方向を有する磁気層と、前記自由層と接触している、前記自由層の磁化方向をトラップすることができる第１の反強磁性層とを備えた磁気デバイスに関する。磁気デバイスは、さらに、安定化層として知られている、自由層とは反対側の面を介して第１の反強磁性層と接触している、強磁性体から作製される層を備えており、前記自由層および安定化層の磁化方向は実質的に垂直である。前記自由層および安定化層のうちの第１の層は磁化を有しており、その方向は、前記第１の層の平面内に配向されており、一方、前記自由層および安定化層のうちの２つの層の第２の層も磁化を有しており、その方向は、前記第２の層の平面外に配向されている。 （もっと読む）

【課題】磁性体中の磁壁を安定して移動させる磁気記憶素子、および磁壁移動方法を提供する。
【解決手段】実施形態による磁気記憶素子は、第１電極１１と、第２電極１２と、前記第１電極１１と前記第２電極１２との間に設けられ、複数の第１磁性層１４１および、この第１磁性層１４１の間に設けられ、第１磁性層１４１とは構成元素の組成が異なる第２磁性層１４２を含む積層構造と、前記第１電極１１の前記積層構造側の面の反対の面に設けられる圧電体１５と、前記圧電体１５の前記第１電極１１が設けられる位置と異なる位置に設けられ、前記圧電体１５に電圧を印加する第３電極１３を有する。 （もっと読む）

【課題】磁壁が静止した状態から移動状態に遷移させるために必要な電流密度を低減化することができるとともに、磁壁の移動を安定に行うことができる磁気記憶素子、磁気記憶装置、および磁気メモリを提供する。
【解決手段】本実施形態の磁気記憶素子は、第１方向に延在し、磁壁により隔てられた複数の磁区を有する磁性細線と、前記磁性細線に前記第１方向の電流および前記第１方向と逆方向の電流を流すことが可能な電極と、電気的な入力を受け、前記磁性細線の全体または一部の領域の磁壁の移動をアシストするアシスト部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】高周波数の発振が得られる磁気発振素子及びスピン波装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１電極と第２電極と第１磁性層と第２磁性層と第１スペーサ層とを備えた磁気発振素子が提供される。第１磁性層は第１電極と第２電極との間に設けられ磁化方向が可変である。第２磁性層は第１電極と第１磁性層との間に設けられ磁化方向が固定されている。第１スペーサ層は、第１磁性層と第２磁性層との間に設けられ非磁性である。第１電極と第２電極とを結ぶ第１方向における第１磁性層の厚さは、第１磁性層のスピン侵入長の２倍よりも厚い。第１磁性層の厚さは、第２電極の第１磁性層の側の第１面の最大幅よりも薄い。第１磁性層は、第１方向に沿ってみたときに第１面の外側に設けられた第１縁部を有する。第１面の縁の接線に対して垂直な方向における第１縁部の幅は、第１磁性層の交換長以上である。 （もっと読む）

【課題】読み出し時の誤書き込みを抑制する磁気素子及び不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１導電層と、第２導電層と、中間配線と、第１積層部と、第２積層部と、を備えた磁気素子が提供される。中間配線は、第１導電層と第２導電層との間に設けられる。第１積層部は、第１導電層と中間配線との間に設けられる。第１積層部は、第１方向に磁化が固定された第１強磁性層と、第１強磁性層と積層され、磁化の方向が可変である第２強磁性層と、第１強磁性層と第２強磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、を含む。第２積層部は、第２導電層と中間配線との間に設けられる。第２積層部は、磁化の方向が可変である第３強磁性層と、第３強磁性層と積層され、第２方向に磁化が固定された第４強磁性層と、第３強磁性層と第４強磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】書き込み時における磁化反転がより高速に起こる磁気記録素子及び不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、積層体を備えた磁気記録素子が提供される。積層体は第１積層部と第２積層部とを含む。第１積層部は、膜面に対して垂直成分を有する第１の方向に磁化が固定された第１の強磁性層と、磁化の方向が膜面垂直な方向に可変である第２の強磁性層と、第１の強磁性層と第２の強磁性層との間の第１の非磁性層と、を含む。第２積層部は、積層軸に沿って第１積層部と積層される。第２積層部は、磁化の方向が膜面平行な方向に可変である第３の強磁性層と、膜面に対して垂直成分を有する第２の方向に磁化が固定された第４の強磁性層と、第３の強磁性層と第４の強磁性層との間の２の非磁性層と、を含む。積層軸を法線とする平面において、第４の強磁性層の外縁は第１積層部の外縁よりも外側の部分を有する。 （もっと読む）

【課題】 十分なＭＲ変化率を有する磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の磁気抵抗効果素子は、第１の磁性層１４と、第２の磁性層１８と、第１の磁性層１４と第２の磁性層１８との間に設けられたスペーサ層１６とを備えた積層体と、積層体の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極１１、２０とを有し、スペーサ層１６が、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｄから選択される少なくとも１つの元素及びＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選択される少なくとも１つの元素を含む酸化物層２１を含む。 （もっと読む）

【課題】 低電力磁気ランダムアクセスメモリセルを提供する。
【解決手段】 本発明は、熱アシスト書き込み操作又はスピントルクトランスファー（ＳＴＴ）に基づいた書き込み操作を実施するのに適した磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セルに関する。このＭＲＡＭは、磁気トンネル接合を備える。磁気トンネル接合が、上部電極と、第１磁化方向を有する第１強磁性層と第１磁化方向に対して調節可能な第２磁化方向を有する第２強磁性層との間に形成されたトンネル障壁層と、前端層と、第２強磁性層が上に堆積された磁性層又は金属層とから構成される。第２強磁性層が、前端層とトンネル障壁層との間に形成されていて、約０．５ｎｍ〜約２ｎｍの厚さを有する。その結果、当該磁気トンネル接合は、約１００％より大きい磁気抵抗を有する。本明細書で開示するＭＲＡＭセルは、従来のＭＲＡＭセルに比べて電力消費が低い。 （もっと読む）

【課題】低電流密度下においてマイクロ波を生成可能なスピントルク発振器を提供する。
【解決手段】スピントルク発振器は、第１および第２の外表面を有する非磁性スペーサ層１６と、上記第１の外表面と接触する磁界生成層３３と、非磁性スペーサ層１６の表面に対して垂直な永久磁化を有し上記第２の外表面と完全接触するスピン注入層１２とを備える。磁界生成層３３は、垂直磁気異方性を示すと共に第１の外表面と完全接触する第１のＦＧＬサブ層３３１と、面内異方性を示すと共に第１のＦＧＬサブ層３３１と完全接触する第２のＦＧＬサブ層３３２とからなる二層構造を有する。従来の磁界生成層に代えて、一方の層が垂直磁気異方性を示し他方の層が面内異方性を示す二重層を設け、垂直異方性を示す層を非磁性スペーサ層１６に最も近接させるようにしたので、１×１０⁸ Ａ／ｃｍ² という低電流密度下においてマイクロ波が生成可能となる。 （もっと読む）

【課題】透明電極を適用する必要がなく、また、開口率を増大、効率的な偏光変調を行なうことができ、さらに、磁化反転動作を正確に検知できる光変調素子およびこれを用いた空間光変調器を提供する。
【解決手段】基板７上に、磁化自由層３、上部中間層２１、２２、上部磁化固定層１１、１２とがこの順序で積層された上部素子１Ａと、基板７と磁化自由層３との間に形成される下部素子１Ｂとを備える光変調素子１であって、上部磁化固定層は分離した２つの上部磁化固定層からなり、上部磁化固定層は、互いに反平行な磁化に固定され、かつ磁化自由層よりも保磁力の大きい磁性体であり、下部素子１Ｂは、補助電極５３、下部磁化固定層１３、下部中間層２３とがこの順序で基板側から積層され、透過した光を磁化自由層３に入射させるための窓部５４が形成され、駆動電極の一方と補助電極５３との間の電気抵抗は、駆動電極間の電気抵抗に比べて大きい。 （もっと読む）

【課題】配線に透明電極材料を適用する必要がなく、また、開口率を増大させることができると共に、効率的な偏光変調を行なうことができる光変調素子およびこの光変調素子を用いた空間光変調器を提供する。
【解決手段】光を透過させる基板７上に形成され、磁化自由層３と、中間層２１，２２と、磁化固定層１１，１２と、がこの順序で積層されたスピン注入磁化反転素子構造を有する光変調素子１であって、磁化固定層１１，１２は、同一平面上に分離した２つの磁化固定層１１，１２からなり、２つの磁化固定層１１，１２は、互いに反平行な磁化に固定され、かつ磁化自由層３よりも保磁力の大きい磁性体であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】駆動電極に透明電極を適用する必要がなく、また、開口率を増大させることができると共に、効率的な偏光変調を行なうことができ、さらに、磁化反転動作を正確に知ることができる光変調素子およびこの光変調素子を用いた空間光変調器を提供する。
【解決手段】光を透過させる基板７上に形成され、磁化自由層３と、中間層２１，２２と、磁化固定層１１，１２と、がこの順序で積層されたスピン注入磁化反転素子構造を有する光変調素子１であって、光変調素子１は、さらに、基板７と磁化自由層３との間に透明電極層８を備え、磁化固定層１１，１２は、同一平面上に分離した２つの磁化固定層１１，１２からなり、２つの磁化固定層１１，１２は、互いに反平行な磁化に固定され、かつ磁化自由層３よりも保磁力の大きい磁性体であることを特徴とする。 （もっと読む）