【課題】この発明のさまざまな実施例は、第１の強磁性自由層１３８と第２の強磁性自由層１４０との間に配置されたスペーサ層１４２とともに構築されてもよい、磁気応答積層１３２に一般的に向けられる。
【解決手段】少なくとも１つの強磁性自由層は、磁気応答積層の磁気抵抗比（ＭＲ）を向上させる結合サブ層１８６，１９６を有することができる。 （もっと読む）

【課題】所与の厚さの反強磁性層に対する交換バイアスが増加した磁気デバイスを提案することによって従来技術の欠点を克服すること。
【解決手段】本発明は、自由層として知られている、可変磁化方向を有する磁気層と、前記自由層と接触している、前記自由層の磁化方向をトラップすることができる第１の反強磁性層とを備えた磁気デバイスに関する。磁気デバイスは、さらに、安定化層として知られている、自由層とは反対側の面を介して第１の反強磁性層と接触している、強磁性体から作製される層を備えており、前記自由層および安定化層の磁化方向は実質的に垂直である。前記自由層および安定化層のうちの第１の層は磁化を有しており、その方向は、前記第１の層の平面内に配向されており、一方、前記自由層および安定化層のうちの２つの層の第２の層も磁化を有しており、その方向は、前記第２の層の平面外に配向されている。 （もっと読む）

【課題】 磁気抵抗読取センサを提供する。
【解決手段】 センサは、浮上面に沿って上部電極と下部電極との間に配置された磁気反応性スタックである。センサ内の電流がスタックと少なくとも１つの電極との間の第１の多層絶縁構造によって浮上面近くの領域に制限されることで、読取機の感度が向上する。 （もっと読む）

【課題】高密度化対応の磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアッセンブリ、磁気記録再生装置、歪みセンサ、圧力センサ、血圧センサ及び構造物ヘルスモニタセンサを提供する。
【解決手段】基板上に積層された、第１の磁性層１２と、第１の磁性層１２に積層され、第１の磁性層の組成とは異なる第２の磁性層１１と、第１の磁性層１２と第２の磁性層１１との間に配置されたスペーサ層１３と、を有する積層体１０と、積層体１０に電流を流す１対の第１の電極と、積層体１０の近傍に設けられ、積層体に歪みが印加されることで、第１の磁性層１２及び第２の磁性層１１の磁化方向がそれぞれ異なる方向にバイアスされるよう積層体１０に歪みを印加する歪み導入部材と、歪み導入部材に電圧を印加するための第２の電極と、を備える。外部磁界が印加されることで、第１の磁性層１２及び第２の磁性層１１の磁化方向がともに変化し、磁化方向の変化により、外部磁界を検出する。 （もっと読む）

【課題】 感度および安定性が向上した磁気抵抗読取センサを提供する。
【解決手段】 磁気抵抗読取センサは、２つの電極の間に配置された３層スタックである。３層スタックは、非磁性層によって隔てられた２つの自由層と、スタックの後部に配置され、ストライプ高さに相当する距離だけ浮上面から隔てられたバイアス磁石とを有する。センサ内の電流が絶縁層によって浮上面近くの領域に制限されることで、読取機の感度が向上する。 （もっと読む）

【課題】グラフェン層を備えた電子デバイスの高性能化を図る。
【解決手段】電子デバイス１００は、結晶性材料からなる下層１０８と、結晶性材料からなる上層１１０と、下層１０８と上層１１０との間に位置するｎ−グラフェン層１０２とを含み、下層１０８及び／又は上層１１０が４以上の比誘電率を有する高比誘電率材料からなる電子デバイスである。ｎ−グラフェン層１０２は、グラフェンの単層構造、又は複数のグラフェン単層の積層構造である。 （もっと読む）

磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスおよび製造方法を開示する。ある特定の実施形態では、ＭＴＪデバイスを含む装置が開示される。このＭＴＪデバイスは、自由層およびスピントルク強化層を含む。スピントルク強化層は、ナノ酸化物層を含む。
（もっと読む）

【課題】記憶層にかかる漏れ磁場をキャンセルするために用いる磁性層の膜厚を低減することを可能にする。
【解決手段】膜面に略垂直方向の磁気異方性を有しスピン偏極した電子の作用により磁化の方向が可変の記憶層２と、記憶層上に設けられた第１の非磁性層４と、第１の非磁性層上に設けられ、かつ膜面に略垂直方向の磁気異方性を有する参照層６と、参照層上に設けられた反強磁性層８と、反強磁性層の上に設けられ、かつ膜面に略垂直方向の磁気異方性を有するとともに参照層の磁化の向きと反平行の磁化を有する強磁性層１０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ピン層，スペーサ層，フリー層の積層構造を用いない磁気抵抗効果素子を提供す
る。
【解決手段】磁気抵抗効果素子が，磁化方向が実質的に固着された第１の磁性層と，前記
第１の磁性層上に配置され，かつ酸化物，窒化物，酸窒化物，金属のいずれか１つからな
る薄膜層と，前記薄膜層上に配置され，かつ磁化方向が実質的に固着された第２の磁性層
と，を具備する。薄膜層が外部磁場を検知することで，磁気抵抗効果素子の磁気抵抗が変
化する。 （もっと読む）

【課題】磁気メモリ素子及びその情報の書き込み及び読み取り方法を提供する。
【解決手段】反強磁性層上に形成された固定層、情報保存層及び自由層を備え、情報保存層は、ＳＡＦ構造で形成される磁気メモリ素子である。 （もっと読む）

【課題】高記録密度磁気記録再生に好適な高分解能・高出力の蓄積素子を提供する。
【解決手段】スピン注入部１０，１１を複数備えることで、トータルのスピン電子の量を増加させる。スピン蓄積素子は、非磁性導電体１、第一の磁性導電体３、第二の磁性導電体８、及び第三の磁性導電体６で構成されており、それぞれが、トンネル接合によって、非磁性導電体に接している。スピン蓄積効果による出力電圧は、非磁性導電体１と第三の磁性導電体６の電位差として検出される。第一のスピン注入部１０の第一の磁性導電体３は第一の反強磁性導電体４によって、第二のスピン注入部１１の第二の磁性導電体８は第二の反強磁性導電体４によって、互いの磁化の方向が反平行になるように固定する。 （もっと読む）

【課題】磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）及びＭＲＡＭを正確に読み出す方法を提供する。
【解決手段】ＭＲＡＭ１００は、磁気抵抗ビット１０２と、磁気抵抗ビットに結合され、磁気抵抗ビットと共に磁気抵抗ビット上で読み出しオペレーションを実施するための読出し経路を形成する読出しアーキテクチャ１０４と、読出し経路内にあり、読出しオペレーション中に磁気抵抗ビットの抵抗特性を調整する抵抗要素１０６とを含む。好ましくは、抵抗要素は、磁気抵抗ビットと直列で作用する。抵抗要素は、磁気抵抗ビットと読み出しアーキテクチャとの間に結合された要素とする。或いは、抵抗要素は、磁気抵抗ビットの層とする。或いはまた、抵抗要素は、読み出しアーキテクチャの要素とする。 （もっと読む）

【課題】 耐久性に優れたスピンメモリの実現。
【解決手段】 強磁性ワード線と、強磁性ワード線と交差する非磁性ビット線と、強磁性ワード線と対向する配線と、強磁性ワード線及び非磁性ビット線の交差部分と配線との間に設けられた磁気抵抗効果素子２０１とを備える。書き込み動作時には、強磁性ワード線と前記非磁性ビット線との間に電流を流し、強磁性ワード線から非磁性ビット線にスピンを蓄積させることで磁気抵抗効果素子の自由層の磁化方向を反転させる。読み出し動作時には、非磁性ビット線と配線との間に電流を流し、磁気抵抗効果素子の膜厚方向に電流を流す。 （もっと読む）

【課題】チップ面積を縮小することができる、メモリ素子を３次元に配置した不揮発性半導体記憶装置を提供すること。
【解決手段】本発明の不揮発性半導体記憶装置は、抵抗変化素子及びダイオードが直列に接続されたメモリ素子を複数有する複数のメモリ素子群と、メモリ素子群の複数のメモリ素子それぞれの一端にそれぞれ接続された複数のソース線と、を有する。複数のメモリ素子群の前記複数のソース線は、それぞれ、２次元的に広がる板状の導電体層である。 （もっと読む）

【課題】ピン層，スペーサ層，フリー層の積層構造を用いない磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子が，磁化方向が実質的に固着された第１の磁性層と，前記第１の磁性層上に配置され，かつ酸化物，窒化物，酸窒化物，金属のいずれか１つからなる薄膜層と，前記薄膜層上に配置され，かつ磁化方向が実質的に固着された第２の磁性層と，を具備する。薄膜層が外部磁場を検知することで，磁気抵抗効果素子の磁気抵抗が変化する。 （もっと読む）

【課題】スピン注入磁化反転機構を用いた磁気抵抗効果素子を有する磁気メモリ装置に関し、磁気抵抗効果素子の近傍に設けられた配線からの漏洩磁界による誤動作を防止しうる磁気メモリ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】磁気シールド膜４８と、磁気シールド膜４８上に形成され、磁性層５２と、非磁性層５４と、磁性層５６とを有し、スピンの注入により磁性層５２又は磁性層５６を磁化反転する磁気抵抗効果素子６２と、磁気抵抗効果素子６２の側壁部分に形成された第２の磁気シールド膜６８とを有する。これにより、磁気抵抗効果素子６２の近傍に設けられた配線からの漏洩磁界が磁気抵抗効果素子６２に達するのを効果的に防止することができる。 （もっと読む）

本発明は、一般に、不揮発性メモリとして機能し得るようなメモリセルのための磁気的な分野に関するものである。より詳細には、本発明は、スピン分極電流を使用することによってメモリデバイス内の磁気領域の磁化方向を制御してスイッチングし得るような、高速でありかつ低消費電力の方法を開示している。磁気デバイスは、固定磁化方向を有したピン止めされた磁化層と；自由な磁化方向を有した自由磁化層と；固定磁化方向を有した読出磁化層と；を具備している。ピン止めされた磁化層と自由磁化層とは、非磁性層によって分離されており、自由磁化層と読出磁化層とは、他の磁性層によって分離されている。ピン止めされた磁化層の磁化方向と自由磁化層の磁化方向とは、一般に、同じ向きとはされない。非磁性層は、磁化層どうしの間の磁気的相互作用を最小化する。
（もっと読む）