【課題】トンネル磁気抵抗素子を利用した生体磁気センサーにおいて、トンネル磁気抵抗素子の高感度を達成し、高精度に生体磁気を計測する。
【解決手段】ゼロ磁界での強磁性金属磁化自由層４の容易磁化軸４ａは、強磁性金属磁化固定層６の容易磁化軸６ａに対してねじれの位置にある。好ましくはねじれの角が４５度から１３５度である。また、当該固定層が自由層より上層に積層され、固定層の面積は自由層の面積に対して小さくされる。当該固定層及び自由層がそれぞれ３層とされ、極薄非磁性体金属層を介して第１の強磁性体の磁化の向きと前記第２の強磁性体の磁化の向きとが反平行になる交換結合力を有する反平行結合膜構造体とされる。絶縁層としてはＭｇＯ、極薄非磁性体金属層としてはＲｕが適用される。 （もっと読む）

【課題】装置、センサおよびセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】さまざまな実施の形態が、概して所定の第１の形態を有する減結合層で構築された磁気センサに向けられる。磁気自由層は、減結合層に接して隣り合うように蒸着可能であり、減結合層は、処置得の第２の形態を有する少なくとも第１のサブ層を有するように構成された磁気自由層を有する。 （もっと読む）

【課題】難エッチング材料を、高速、高精度及び低ダメージでエッチングする。
【解決手段】実施形態に係わるエッチング装置は、上面側に披処理基板１９が搭載されるステージ１１と、ステージ１１の上面側を覆うチャンバー１２と、ステージ１１の下面側に付加され、開口部を有する下部電極１３ａと、チャンバー１２内にエッチングガスを供給するガス供給部１４と、下部電極１３ａに高周波を印加することにより、チャンバー１２内のエッチングガスをプラズマ化する高周波電源部１７と、下部電極１３ａの開口部を介して被処理基板１９にマイクロ波を印加することにより、披処理基板１９の温度を最適範囲内に設定するマイクロ波発生部１５と、ガス供給部１４、高周波電源部１７及びマイクロ波発生部１５を制御する制御部１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】読み出し時の誤書き込みを抑制する磁気素子及び不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１導電層と、第２導電層と、中間配線と、第１積層部と、第２積層部と、を備えた磁気素子が提供される。中間配線は、第１導電層と第２導電層との間に設けられる。第１積層部は、第１導電層と中間配線との間に設けられる。第１積層部は、第１方向に磁化が固定された第１強磁性層と、第１強磁性層と積層され、磁化の方向が可変である第２強磁性層と、第１強磁性層と第２強磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、を含む。第２積層部は、第２導電層と中間配線との間に設けられる。第２積層部は、磁化の方向が可変である第３強磁性層と、第３強磁性層と積層され、第２方向に磁化が固定された第４強磁性層と、第３強磁性層と第４強磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 下部電極表面の非結晶性及び平坦性を確保しつつ、製造工程の効率化を図ることのできる磁気デバイスを提供すること。
【解決手段】 本磁気デバイスは、電極１０と、電極１０上に形成された磁気抵抗素子２０とを備える磁気デバイスであって、電極１０は、タンタルを含む第１金属層１２と、第１金属層１２上に設けられ、磁気抵抗素子２０を構成する材料のうち少なくとも１つの同じ成分を含み、かつ当該同じ成分はＣｕより拡散しにくく、当該同じ成分を含む非結晶の合金を材料とするバッファ層１６と、バッファ層１６上に設けられ、タンタルを含む第２金属層１８と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の高集積化と機能素子の高性能化とを同時に実現する。
【解決手段】実施形態に係わる半導体装置は、半導体基板１の表面領域に配置されるスイッチ素子３，４と、下面がスイッチ素子３，４に接続されるコンタクトプラグ６と、コンタクトプラグ６の上面の直上に配置される機能素子７とを備える。コンタクトプラグ６の上面の最大表面粗さは、０．２ｎｍ以下である。 （もっと読む）

磁気トンネル接合（ＭＴＪ）記憶素子およびＭＴＪを形成する方法が開示される。磁気トンネル接合（ＭＴＪ）記憶素子は、固定層、バリア層、自由層、および複合ハードマスクまたは上部電極を含む。複合ハードマスク／上部電極構造体はＭＴＪ記憶素子を通る不均一電流経路を提供するよう構成され、平行にカップリングされた様々な抵抗特性を有する電極から形成される。自由層と上部電極との間に組み込まれた任意の調整層が自由層の減衰定数を低減する助けとなる。
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【課題】磁気素子を備えた半導体装置の製造で、磁気素子のダメージを抑止し、下部電極膜の加工に灰化処理を用いないことで下層に存する導電部材の酸化を防止する。
【解決手段】半導体基板１０上で、上部電極膜４３上に形成したレジストマスク４４で上部電極膜４３をエッチングして上部電極４３ａとし、上部電極４３ａをマスクとしてＭＴＪ膜４２をエッチングしてＭＴＪ４２ａとし、上部電極４３ａ及びＭＴＪ４２ａを覆う保護膜４５ａを形成し、上部電極４３ａ及びＭＴＪ４２ａを保護膜４５ａを介して覆うように、保護膜４５ａ上にレジスト４６を形成し、レジストマスク４６で保護膜４５ａをエッチングし、保護膜４５ａをマスクとして下部電極膜４１エッチングして下部電極４１ａとし、上部電極４３ａ、ＭＴＪ４２ａ及び下部電極４１ａを覆うように保護膜４５ｂを形成して、保護膜４５ｂ上に層間絶縁膜４７を形成する。 （もっと読む）

【課題】厚膜の磁性多層膜に隣接する埋め込み膜にボイド・シームを発生させない磁気ヘッドの製造方法及びこれを用いた差動型再生ヘッドもしくはＭＡＭＲ素子を提供する。
【解決手段】磁性多層膜１４のパターン加工後の隣接する埋め戻し膜４２，４３の堆積を，第１段階の堆積工程と，続けて堆積した膜をエッチバックする工程と，第２段階の堆積工程からなる一連の製造プロセスによって形成する。ハードバイアスを加える硬磁性膜を埋め戻す場合には，第２段階の堆積工程の前に配向下地膜を堆積する工程を追加することで保磁力を増加できる。 （もっと読む）

【課題】磁化反転に高い電流密度を必要とせず、磁化の熱安定性の低下を抑制して、高い記録密度が可能な磁気メモリを提供する。
【解決手段】磁性素子の可動層が強磁性体層と電気磁気効果を有する酸化物反強磁性体層の２層構造であり、情報入力方式として電圧誘起磁化反転を用いた磁気メモリ。酸化物反強磁性体層を形成する方法として、Ａｕ（１１１）層の上に３回対称のＣｒ（１１０）層をエピタキシャル成長させて形成するＣｒ層形成ステップと、形成されたＣｒ（１１０）層を酸化させて３回対称のＣｒ_２Ｏ_３（０００１）層を形成するＣｒ層形成ステップとを有している情報入力方式として電圧誘起磁化反転を用いた磁気メモリの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高出力及び長寿命で、発振周波数が安定な磁性発振素子を提案する。
【解決手段】本発明の磁性発振素子は、磁化方向が可変の磁気フリー層１と、磁化方向が不変の磁気ピンド層３と、両者間に配置されるスペーサー層２と、磁気フリー層１に外部磁場を与える磁場発生部７とを備える。磁気フリー層１は、一軸磁気異方性を有し、それに発振閾値電流よりも大きな電流が流れることにより磁化振動を行う。磁場発生部７は、磁化振動による反磁場に起因する発振周波数のシフト量と磁気フリー層１の一軸磁気異方性による磁場に起因する発振周波数のシフト量とを相殺する方向に外部磁場の大きさ及び方向を制御する。磁気フリー層１の磁化振動の中心となる方向と磁気ピンド層３の磁化方向とのなす角度θは、０°≦θ≦７０°及び１１０°≦θ≦１８０°の範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】 製造コストの上昇を抑制し、かつコア幅を微細化することが可能な磁気ヘッドの製造方法が望まれている。
【解決手段】 基板上に、磁気抵抗効果を示す磁気抵抗効果膜(12)を形成する。磁気抵抗効果膜の上に、第１のマスク膜(14)及び第２のマスク膜(15)を形成する。第２のマスク膜の上に、読取素子領域が被覆され、該読取素子領域の両側に開口が設けられたレジストパターン(16)を形成する。レジストパターンをエッチングマスクとして、第２のマスク膜をエッチングすることにより、第２のマスクパターン(15)を残す。第２のマスクパターンの表層部をエッチング除去することにより、第２のマスクパターンの寸法を縮小させる。縮小された第２のマスクパターンをエッチングマスクとして、第１のマスク膜をエッチングすることにより、第１のマスクパターン(14)を残す。第１のマスクパターンをエッチングマスクとして、磁気抵抗効果膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】熱圧着及び超音波ボンディングいずれの接合手法を採用した場合であっても、磁気抵抗素子の外部電極と外部端子の接合端部との間における充分な接合強度を確保することができる接合構造とされた磁気センサを提供する。
【解決手段】本発明にかかる磁気センサは、磁気抵抗素子１と、該磁気抵抗素子１の外部電極６に接合される接合端部７を有する外部端子２とからなるものであり、前記接合端部７は、スリット１１を介して複数の接合片１２に分岐させられたうえで前記外部電極６と接合されている。また、この際、スリット１１を介して複数の接合片１２に分岐させられた構造に代え、外部端子２の接合端部７を、複数の開口部１３が形成されたものとしてもよい。 （もっと読む）

【課題】特性に優れたＣＰＰリード・ヘッドを得る。
【解決手段】本発明の一実施形態において、ＣＰＰリード・ヘッド１１は、磁気抵抗センサ１１２の両側にハードバイアス膜１１５を有する。ハードバイアス膜１１５は、積層された下層硬磁性層１５１と上層硬磁性層１５２とを有する。上層硬磁性層１５２の飽和磁束密度及び残留磁束密度は、下層硬磁性層１５１よりも大きい。下層硬磁性層１５１の保磁力は上層硬磁性層１５２の保磁力よりも大きい。上部シールド１１３、自由層２１５と重なる平坦部を有し、その平坦部の幅は自由層２１５よりも大きい。磁気特性の異なる硬磁性層でハードバイアス膜を形成することで、シールド間隔を小さくすると共に、シールドを平坦化することができる。 （もっと読む）

【課題】低ＲＡでも高ＭＲ比を有する磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 酸化性ガスに対するゲッタ効果がＭｇＯより大きい物質（但し、Ｔａ、ＣｕＮ、ＣｏＦｅ、Ｒｕ、ＣｏＦｅＢ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｒ、及びＺｒの１以上からなる、金属又は半導体を除く）を含有するターゲットをスパッタリングして、成膜室の内壁に被着する第一工程と、前記第一工程後に、前記成膜室においてＭｇＯターゲットに高周波電力を印加してスパッタリング法によりＭｇＯ層を形成する第二工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ比を低減することなく、ＡＦＭ層とＡＰ２ピンド層との間のＨｅｘ／Ｈｃ比を増加させることができ、ＡＰ２層の磁化を一定方向に安定して保持することのできる交換結合膜およびこれを用いた磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】ＡＦＭ層１２とピンド層１７を構成するＡＰ２層１４との間に交換結合膜１３を設ける。この交換結合膜１３は、Ｃｏ，ＦｅおよびＮｉからなる群から選択された少なくとも１種の元素と、Ｂ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，ＳｉおよびＰからなる群から選択された少なくとも１種のアモルファス性の元素とを含むアモルファス磁性層、またはＣｕ，Ｒｕ，Ｍｎ，ＨｆおよびＣｒからなる群から選択された元素を含む非磁性層である。具体的には、ＣｏＦｅＢ，ＣｏＦｅＺｒ，ＣｏＦｅＮｂ，ＣｏＦｅＨｆ，ＣｏＦｅＮｉＺｒ，ＣｏＦｅＮｉＨｆ，またはＣｏＦｅＮｉＮｂＺｒにより構成される。 （もっと読む）

【課題】 特に、絶縁層とハードバイアス層間の下地構成を改良して、再生特性の安定化を図るとともに、高記録密度化に適した磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 気抵抗効果を発揮する素子部Ｔ１と、前記素子部Ｔ１のトラック幅方向の両側に位置し、下から絶縁層２３、Ｔａ下地層２４、配向制御層２６、、ハードバイアス層２７及び保護層２８の順に積層された両側部２２とを有する。前記配向制御層２６は、Ｃｒ_{１００−Ｘ}Ｔｉ_Ｘ（ただしＴｉ組成比Ｘは０ａｔ％以上で１３ａｔ％以下）で形成される。これにより、従来に比べて、ポップコーンノイズ発生率を低減でき、再生特性の安定化を図ることができるともに、ＳＮ比を向上でき高記録密度化に適した磁気検出素子の構造とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 フリー磁性層の両側に位置するハードバイアス層のＰｔ量を組成変調させて、フリー磁性層に対してバイアス磁界を効率良く印加できるようにした磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 ハードバイアス層２６はＣｏＰｔ、あるいは、ＣｏＰｔＣｒの単層構造で形成されている。前記ハードバイアス層２６には、素子部３０のトラック幅方向の側面近傍にＰｔ量が少ない低Ｐｔ領域２６ａ１と、低Ｐｔ領域２６ａ１の外側に前記低Ｐｔ領域２６ａ１に比べてＰｔ量が多い高Ｐｔ領域２６ｂ１が形成されている。したがって、フリー磁性層５の側面近傍でのＭｒ×ｔ（ｔは膜厚）を大きくできる。その結果、フリー磁性層５へのバイアス磁界の印加効率を高めることができる。また保磁力Ｈｃが大きい高Ｐｔ領域２６ｂ１を備えることで、ハードバイアス層２６自体の磁化安定性を向上させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】 特に、両側積層部の構造を改良して、前記両側積層部の膜厚を従来より薄くするためにハードバイアス層の膜厚を薄くしても、高保磁力を維持しつつＭｒ×ｔを従来と同等以上に出来る磁気検出素子を提供する。
【解決手段】 ハードバイアス層２６下にはバイアス下地層２９が形成され、前記ハードバイアス層２６上には前記ハードバイアス層２６よりも飽和磁化Ｍｓが大きい高Ｍｓ磁性層２７が形成され、前記高Ｍｓ磁性層２７上には非磁性の保護層２８を介して上部シールド層３１が形成されている。これにより両側積層部２２のトータル厚ｔ１を薄くするために、ハードバイアス層２６の膜厚ｔ２を薄くしても、従来と同等以上のＭｒ×ｔを確保できる。また前記ハードバイアス層２６の配向性を維持させることができ、保磁力Ｈｃもハードバイアス層２６として十分使用可能な高い値を確保できる。 （もっと読む）

【課題】 特に、フリー磁性層の磁化の安定性を向上させて、アシンメトリーを小さくでき、ノイズを低減できる等、再生特性の安定性を向上させることが可能な磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 素子部Ａの両側に下から残留磁化Ｍｒが大きい第１ハードバイアス層２６及び保磁力Ｈｃが大きい第２ハードバイアス層２７の順に積層され、第１ハードバイアス層２６の先端部２６ａはフリー磁性層５の両側に近接配置されている。また第１ハードバイアス層２６のハードバイアス層３２中に占める膜厚比は３５％〜７５％である。これによってフリー磁性層５の磁化の安定化を図ることができ、よってアシンメトリーを小さくでき、ノイズを低減できる等、再生特性の安定性を向上させることが可能である。 （もっと読む）