【課題】少ない電流で高速に動作させることが可能な記憶素子・記憶装置を提供する。
【解決手段】記憶層１４と磁化固定層１２とこれらの間に配された非磁性体による中間層１３とキャップ層１５とを少なくとも含み、上記記憶層として、第１の強磁性層１４ｉと第２の強磁性層１４ｐとが結合層１４ｃを介して磁気的に結合され、上記第１の強磁性層が上記中間層に接し、上記第２の強磁性層が上記キャップ層に接しており、上記第１の強磁性層と上記第２の強磁性層のうち一方が膜面内磁化が優位な面内磁化層とされ、他方が垂直磁化が優位な垂直磁化層とされ、上記第１の強磁性層及び上記第２の強磁性層の磁化の向きが膜面に垂直な方向から傾斜しているものを用いる。記憶層の磁化の向きが傾斜しているので、記憶素子に対し膜面に垂直な方向の電流を流すと速やかに強磁性層の磁化の歳差運動の振幅増加が始り、短い時間の反転動作が可能になる。 （もっと読む）

【課題】環境温度によらず、熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。そして上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。この場合に、記憶層は正の磁歪定数を持つ磁性層を有するようにし、上記層構造に加えてさらに、負熱膨張材料層が設けられるようにする。 （もっと読む）

【課題】熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。その上で、上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。そして記憶層は、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層と、少なくとも１つの非磁性層を有し、酸化物層、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層、非磁性層が順に積層された積層構造が形成されているようにする。 （もっと読む）

【課題】書き込みエラーを生じることなく、短い時間で書き込み動作を行うことができる記憶素子を提供することを目的とする。
【解決手段】記憶素子は、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、非磁性体による中間層と、上記記憶層に対して、上記中間層を介して設けられ、磁化の向きが固定された磁化固定層とを有する層構造を備える。
そして、上記記憶層は、少なくとも２つの強磁性層が結合層を介して積層され、上記２つの強磁性層が上記結合層を介して磁気的に結合し、上記２つの強磁性層の磁化の向きが膜面に垂直な方向から傾斜しており、上記層構造の積層方向に電流を流すことにより、上記記憶層の磁化状態が変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われる。 （もっと読む）

【課題】書き込みエラーを生じることなく、短い時間で書き込み動作を行うことができる記憶素子及び記憶装置を提供する。
【解決手段】情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１４と、磁化の向きが固定された磁化固定層１２と、上記記憶層１４と上記磁化固定層１２との間に配された非磁性体による中間層１３と、垂直磁気異方性誘起層１５とを含む層構造を有する記憶素子３を構成する。そして、上記記憶層１４が、第１の強磁性層１４ａと第１の結合層１４ｂと第２の強磁性層１４ｃと第２の結合層１４ｄと第３の強磁性層１４ｅとが同順に積層されて、上記第１の強磁性層１４ａが上記中間層１３に接し、上記第３の強磁性層１４ｅが上記垂直磁気異方性誘起層１５に接し、上記結合層１４ｂ，１４ｄを介して隣接する上記強磁性層１４ａ，１４ｃ，１４ｅの磁化の向きが膜面に垂直な方向から傾斜している。 （もっと読む）

【課題】熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。その上で、上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。記憶層は、少なくともＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層を有する。また記憶層に接する中間層と、該中間層とは反対側で記憶層が接する他方の層は、少なくとも記憶層と接する界面が酸化物層とされており、さらに上記他方の層は、酸化物層が、Ｌｉを含むＬｉ系酸化物層とされている。 （もっと読む）

【課題】熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。
そして、上記記憶層は非磁性体と酸化物が積層された積層構造層を含み、上記層構造の積層方向に電流を流すことにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われる。 （もっと読む）

【課題】第１の磁性部分と、第２の磁性部分と、第１の磁性部分と第２の磁性部分の間の
バリア層とを有するセンサスタックを含む磁気センサを提供する。
【解決手段】第１の磁性部分及び第２の磁性部分のうち少なくとも一方が、バリア層に隣接する正の磁気ひずみを有する第１の磁性層と、第２の磁性層と、第１の磁性層と第２の磁性層の間の中間層とを有する多層構造を含む。この磁気センサは、その抵抗−面積（ＲＡ）積が約１．０Ω・μｍ^２であるとき、少なくとも約８０％のＭＲ比を有する。 （もっと読む）

【課題】低駆動電流値で電流誘起磁化反転を行うことのできる強磁性トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】磁化固定層１００と非磁性絶縁層１１０と磁化自由層１２０を有する強磁性トンネル接合素子１０において、磁化自由層１２０は非磁性金属層２２１を挟んで強磁性層２２０、２２２を有し、２つの強磁性層２２０、２２２の磁化の方向が互いに平行である。２つの強磁性層の磁化の方向を互いに平行にすることにより、スピントランスファートルクが有効に働き、駆動電流を低減できる。 （もっと読む）

【課題】高出力、高Ｑ値で且つ、膜厚が薄いＳＴＯを備えた磁気ヘッド、磁気センサ、および磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】一実施形態の磁気ヘッドは、スピントルク発振素子を備え、スピントルク発振素子は、第１強磁性層と、第２強磁性層と、第２強磁性層に対して前記第１強磁性層と反対側に設けられた第３強磁性層と、第１強磁性層と第２強磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、第２強磁性層と第３強磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、第１強磁性層に対して第１非磁性層と反対側の面に設けられた第１電極と、第３強磁性層に対して第２非磁性層と反対側の面に設けられた第２電極と、を備え、第２強磁性層と第３強磁性層は、第２非磁性層を介して反強磁性結合をし、前記第１および第２電極間に電流を流さない場合に第１強磁性層と第２強磁性層の磁化の向きが反平行配置であり、第１および第２電極間に電流を流すと、第１乃至第３強磁性層においてそれぞれ、磁化の歳差運動が誘起される。 （もっと読む）

【課題】向上した磁気性能および堅牢性を有する磁気読み出しセンサを提供する。
【解決手段】磁気センサは、磁化自由層構造３１０と磁化固定層構造とを含む。磁化固定層構造は、非磁性結合層３１８によって互いに分離させた第１の磁性層３１４および第２の磁性層３１６を含む。磁化固定層構造の第２の磁性層はＣｏＦｅＢＴａの層を含んでおり、この層が原子の拡散を防止し、さらには所望のＢＣＣ結晶粒成長を促進する。磁化自由層構造は、原子拡散をさらに防止し、所望のＢＣＣ粒成長をさらに促進するためのかかるＣｏＦｅＢＴａ層を含むこともできる。 （もっと読む）

【課題】微小領域で歪を高感度に検知することができる歪検知装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体回路部と、半導体回路部の上に設けられた検知部と、を含む歪検知装置が提供される。半導体回路部は、半導体基板上に設けられたトランジスタを有する。検知部は、トランジスタの上方に設けられた空洞部と、空洞部と並置された非空洞部と、を有する。検知部は、可動梁、歪検知素子部、第１、第２埋め込み配線を含む。可動梁は、固定部分及び可動部分を有し、第１、第２配線層を含む。固定部分は非空洞部に固定される。可動部分は、固定部分から空洞部に延びトランジスタと離間する。歪検知素子部は、可動部分に固定され、第１、第２配線層と電気的に接続され、第１磁性層を含む。第１、第２埋め込み配線は、非空洞部に設けられ、第１、第２配線層と半導体回路部とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】電流で書き込み動作を行うことができる大容量の磁気メモリ及び磁気メモリ装置を提供する。
【解決手段】磁化が固定された第１の磁性層１０と、磁化が可変の第２の磁性層３０と、第１の磁性層１０と第２の磁性層３０との間に設けられた第１の中間層２０と、第１の磁性層１０と第２の磁性層３０とを結ぶ第１の方向に直交する第２の方向に延在し、第２の磁性層３０に隣接し、スピン波を伝搬する第１の磁性細線４０と、第１の磁性細線４０の一端に設けられた第１のスピン波入力部と、第１の磁性細線４０の他端に設けられた第１のスピン波検出部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高密度化が可能な磁気記憶素子及び不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、積層体を備えた磁気記憶素子が提供される。積層体は第１積層部と第２積層部とを含む。第１積層部は、膜面に対して垂直成分を有する第１の方向に磁化が固定された第１強磁性層と、磁化の方向が膜面垂直な方向に可変である第２強磁性層と、第１強磁性層と第２強磁性層との間の第１非磁性層と、を含む。第２積層部は、積層方向に沿って第１積層部と積層される。第２積層部は、磁化の方向が膜面平行な方向に可変である第３強磁性層と、膜面に対して垂直成分を有する第２の方向に磁化が固定された第４強磁性層と、第３強磁性層と第４強磁性層との間の２非磁性層と、を含む。積層方向を法線とする平面で切断したとき、第３強磁性層の断面積は前記第１積層部よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子の特性劣化を抑制する。
【解決手段】本実施形態の磁気抵抗効果素子は、膜面に対して垂直方向に磁気異方性と不変な磁化方向とを有する第１の磁性体３０と、膜面に対して垂直方向に磁気異方性と可変な磁化方向とを有する第２の磁性体１０と、磁性層１０，３０の間の非磁性体２０とを、含む。第１及び第２の磁性体のうち少なくとも一方は、ボロン（Ｂ）及び希土類金属及び遷移金属を含む磁性層３０１を備え、磁性層３０１において、希土類金属の含有量は、２０ａｔ．％以上であり、遷移金属の含有量は、３０ａｔ．％以上であり、ボロンの含有量が、１ａｔ．％以上、５０ａｔ．％以下である。 （もっと読む）

【課題】この発明のさまざまな実施例は、第１の強磁性自由層１３８と第２の強磁性自由層１４０との間に配置されたスペーサ層１４２とともに構築されてもよい、磁気応答積層１３２に一般的に向けられる。
【解決手段】少なくとも１つの強磁性自由層は、磁気応答積層の磁気抵抗比（ＭＲ）を向上させる結合サブ層１８６，１９６を有することができる。 （もっと読む）

【課題】磁気メモリの動作不良を抑制する。
【解決手段】本実施形態の磁気メモリは、第１領域内の第１の磁気抵抗効果素子１Ａと、第２の領域の磁気抵抗効果素子１Ｘとを含む。第１の磁気抵抗効果素子１Ａは、磁化の向きが可変な第１の記憶層１０と、磁化の向きが不変な第１の参照層１２と、非磁性層１１と、第１のシフト調整層１３と、を含む。第２の磁気抵抗効果素子１Ｘは、磁化の向きが可変な第２の記憶層１０と、磁化の向きが不変な第２の参照層１２と、第２の非磁性層１１と、第２のシフト調整層１３Ｘと、を含む。第２のシフト調整層１３Ｘの膜厚ｔ２は、第１のシフト調整層１３の膜厚ｔ１以下である。 （もっと読む）

【課題】安定した動作が可能な不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、磁気記憶素子と制御部とを備えた不揮発性記憶装置が提供される。磁気記憶素子は積層体を含む。積層体は第１積層部と第２積層部とを含む。第１積層部は、磁化が固定された第１強磁性層と、磁化の方向が可変の第２強磁性層と、第１強磁性層と第２強磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、を含む。第２積層部は、積層方向に沿って第１積層部と積層される。第２積層部は、通電される電流によって磁化が回転して発振が生じる第３強磁性層と、磁化が固定された第４強磁性層と、第３強磁性層と第４強磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、を含む。制御部は、第２強磁性層の磁化の向きに応じた第３強磁性層の発振の周波数の変化を検出することで、第２強磁性層の磁化の向きを読み出す読み出し部を含む。 （もっと読む）