【課題】所望のＳ／Ｎとなる電流センサを提供する。
【解決手段】被測定電線２１が挿通される磁気コア２と、磁気コア２に配置されたホール素子３と、磁気コア２に巻回された負帰還コイル４と、ホール素子３の電流入力端子３ａ，３ａに直流定電流Ｉ２を供給する電源部５と、ホール素子３の電圧出力端子３ｂ，３ｂ間に発生する出力電圧Ｖ１に基づいて負帰還コイル４に負帰還電流Ｉ３を供給する電流生成部６と、負帰還コイル４に接続されて負帰還電流Ｉ３を検出電圧Ｖ２に変換して出力する終端抵抗７とを備え、測定電流Ｉ１の非検出時における検出電圧Ｖ２に含まれる予め規定された周波数でのノイズのパワースペクトル密度を算出しつつ、電源部５に対する制御を実行して直流定電流Ｉ２の電流値を変更することにより、算出しているパワースペクトル密度を予め規定された基準密度ＤＥｒｅｆに一致させる補正処理を実行する処理部９を備えている。 （もっと読む）

【課題】 ＴＭＲ素子の設置環境が高温環境下であってもＴＭＲ素子の絶縁破壊を防ぎ、さらにはノイズの影響を受け難く、高いＳ／Ｎ比を得ることができる磁気センサ装置を提供すること。
【解決手段】 トンネル磁気抵抗素子２と、該トンネル磁気抵抗素子２の両端子に一端が接続された一対のリード線３と、一対のリード線３の他端に接続されトンネル磁気抵抗素子２を電圧駆動または電流駆動して抵抗変化を検出する駆動検出回路４とを備え、該駆動検出回路４が、一対のリード線３の他端に接続された一対の出力端子４ａ間に少なくとも一対のダイオード６ａを互いに逆向きにして並列または直列に接続して構成された保護回路６を有している。 （もっと読む）

【課題】電界を駆動力とする低消費電力な電界駆動型強磁性共鳴励起方法を実現し、この方法を用いたスピン波信号生成素子、スピン流信号生成素子、及びこれらを用いた論理素子、また、この方法を用いた高周波検波素子及び磁気記録装置等の磁気機能素子を提供する。
【解決手段】伝導電子による電界シールド効果が起きない程度に十分薄い超薄膜強磁性層２と、磁気異方性制御層１とを直接積層し、超薄膜強磁性層側に絶縁障壁層３及び電極層４を順に配置した積層構造体に対し、特定の磁界印加角度及び磁界強度を有する磁界を印加する。そして、磁気異方性制御層と電極層との間に、磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を印加することにより、効率的に超薄膜強磁性層に強磁性共鳴を励起する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、磁気減衰自由層を備えたスピントルク発振器（ＳＴＯ）を提供する。
【解決手段】スピントルク発振器（ＳＴＯ）は、発振自由強磁性層の磁気減衰を増加させる。ギルバート磁気減衰パラメータ（α）は、少なくとも０．０５、好ましくは０．０５より大きい。自由層は、任意のタイプの従来の強磁性材料であってもよいが、ドーパントとして１つまたは複数の減衰元素を含む。減衰元素は、Ｐｔ、Ｐｄおよび１５のランタニド元素からなる群から選択される。自由層減衰は、自由層に隣接する減衰層によって増加させてもよい。減衰層の一タイプは、Ｍｎ合金のような反強磁性材料であってもよい。反強磁性減衰層に対する変更例として、二重層減衰層を、反強磁性減衰層と、自由層および反強磁性層間の非磁性金属導電分離層とで形成してもよい。別のタイプの減衰層は、Ｐｔ、Ｐｄおよびランタニドから選択された元素の１つまたは複数で形成された層であってもよい。 （もっと読む）

【課題】タンタル挿入層を使用したＴＭＲセンサ薄膜及びそのシステムを提供する。
【解決手段】 一実施形態においては、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）ヘッドは、基板上部のリード層と、リード層上部のシード層と、シード層上部の反強磁性（ＡＦＭ）層と、ＡＦＭ層上部の第１強磁性層と、第１強磁性層上部の第２強磁性層と、第１及び第２強磁性層の間の結合層であって、第２強磁性層の磁化を第１強磁性層の磁化に結合させる結合層と、第２強磁性層上部の固定層と、固定層に隣接した又は固定層の内部の挿入層と、固定層上部のバリア層と、バリア層上部の自由層と、自由層上部のキャップ層と、を含む。別の実施形態において、挿入層は、厚さが約０．０５ｎｍ〜０．３ｎｍであり、且つ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｈｆ、及び／又はＺｒを含み、且つ、自由層は、ＣｏＦｅＢを含む。 （もっと読む）

【課題】ノイズを抑制した磁気抵抗効果型の磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、再生部を備えた磁気ヘッドが提供される。再生部は、磁気記録媒体に記録された媒体磁界を検出する。再生部は、積層膜と、磁界印加部と、を含む。積層膜は、第１磁化固着層と、磁化自由層と、を含む。第１磁化固着層は、垂直磁気異方性を有し磁化が固着されている。磁化自由層は、第１磁化固着層と第１軸に沿って積層されスピントルク発振する。磁界印加部は、積層膜と第１軸に沿って積層され、第１軸に沿う成分を有するバイアス磁界を積層膜に加える。第１磁化固着層から磁化自由層へ、磁化自由層がスピントルク発振する値以上の電流が流されたときに、媒体磁界に応じて積層膜の抵抗が変化する。 （もっと読む）

【課題】磁気層構造を開示する。
【解決手段】磁気層構造は、ピン止め層と、ピン止め層の磁気配向を規定する第１の反強磁性層と、自由層と、自由層に対して、ピン止め層の磁気配向にほぼ垂直な磁気配向へとバイアスをかける第２の反強磁性層と、第２の反強磁性層と自由層との間に位置決めされ、第２の反強磁性層および自由層に接触し、自由層のバイアスを所望のレベルに調整する調整層とを含む。 （もっと読む）

【課題】発振器及び該発振器の動作方法を提供する。
【解決手段】印加電流、印加電圧及び印加磁場のうち少なくとも一つによって可変的な磁化方向を有する少なくとも１層の磁性層を含み、所定の周波数を有した発振信号を生成する発振部、及び発振部と同じ基板上に集積され、発振信号を差動増幅し、出力信号を提供する出力端子を含む発振器である。 （もっと読む）

【課題】高出力で低抵抗の磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、磁気記録媒体に対向する媒体対向面を有し、前記磁気記録媒体に記録された磁化の方向を検出する再生部を備える磁気ヘッドが提供される。前記再生部は、磁化の方向が固着された第１磁化固着層と、前記媒体対向面に対して平行な第１方向に沿って前記第１磁化固着層と積層され、磁化の方向が固着された第２磁化固着層と、前記第１磁化固着層と前記第２磁化固着層との間に設けられ、磁化の方向が可変の磁化自由層と、を含む。前記磁化自由層の前記媒体対向面に対して垂直な第２方向に沿った長さは、前記第１磁化固着層の前記第２方向に沿った長さよりも短く、前記第２磁化固着層の前記第２方向に沿った長さよりも短い。 （もっと読む）

【課題】従来のセンサとは別の動作原理に基づくMEMS技術を応用した新たな高感度センサを提供する。
【解決手段】磁性膜センサは、磁気歪を発生する矩形状の磁性膜を有し、磁性膜に磁気歪を発生させる磁気歪構造を有している。磁気歪構造は、例えば磁性膜を湾曲させて磁気歪を発生させるように構成されている。また、磁気歪構造は、例えば表面に凹部が形成された凹部付絶縁層を設け、その凹部を跨ぐようにして磁性膜を形成することによって得られる。磁性膜は、ＧＭＲ膜等に永久磁石バイアス層が積層され、その永久磁石バイアス層によって磁性膜の短手辺に沿った方向の磁界がＧＭＲ膜に加えられている。 （もっと読む）

【課題】外部磁場がチャンネルに侵入することに起因するノイズやエラーを抑制することが可能なスピン伝導素子を提供すること。
【解決手段】スピン伝導素子１は、第一強磁性体１２Ａと、第二強磁性体１２Ｂと、第一強磁性体１２Ａから第二強磁性体１２Ｂまで延びるチャンネル７と、チャンネル７を覆う磁気シールドＳ１と、チャンネル７と磁気シールドＳ１との間に設けられた絶縁膜と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ比の低下や再生分解能の劣化を発生させることなく、スピントランスファトルクに起因する磁気ノイズを抑制する。
【解決手段】本発明は、第１磁気シールド７２ａと、第２磁気シールド７２ｂと、第１磁気シールド７２ａと、第２磁気シールド７２ｂと、の間に設けられ、外部磁界に応じて磁化方向が変化する第１磁化自由層１０３を含む磁気抵抗効果膜７１と、磁気抵抗効果膜７１と、第１磁気シールド７２ａと、の間に設けられ、第１磁気シールド７２ａよりも飽和磁束密度が高い第３磁気シールド７２ｃと、を有する再生ヘッド部７０を備えた磁気ヘッド１１０である。 （もっと読む）

【課題】ホール素子によるホール起電力信号の検出に適用するΔΣ変調器に生起するパターンノイズを効果的に抑制可能なホール起電力信号検出装置を実現する。
【解決手段】バイアス電流が経時的に向きを切替えて供給され同時にホール起電力の検出を可能にする複数対の接続端を有するホール素子１０１にバイアス電流を供給しホール起電力を検出するに際し、スイッチ回路１０４で、バイアス電流の向きの切替えとこれに同期したホール起電力の極性の切替えを行って当該ホール素子のホール起電力が変調された変調ホール起電力信号を得、この信号を復調器１０４で復調して復調ホール起電力信号を得る。この復調ホール起電力信号に対しΔΣ変調器１１０でΔΣ変調をかける。タイミング制御回路１５０で、スイッチ回路１０４における切替え動作のタイミングおよび復調器１０４における復調動作のタイミングを経時的にランダム化されたタイミングとする。 （もっと読む）

【課題】非常に高いデータ密度での読み取りのために、スピントルク発振子センサを小さくすることを可能とする。
【解決手段】非常に狭いギャップ厚を有するスピントルク磁気抵抗センサ。センサは、センサの磁性層でのスピントルク誘導磁気発振の周波数の変化を測定することにより、磁界の存在を検出するように動作する。センサは、一対の自由磁性層を有し、これらの自由磁性層の間に挟まれた薄い非磁性の結合層によってこれらの自由磁性層は反平行結合される。このセンサは、ピンニング層構造も関連するＡＦＭピンニング層も含んでいない。そのため、このセンサは、従来技術のセンサよりもかなり薄く構築することが可能である。 （もっと読む）

【課題】
積層された反強磁性層と固定層からなる交換結合膜、それを有する磁気抵抗効果ヘッド、磁気センサおよび磁気メモリにおいて、反強磁性層と固定層間の交換結合エネルギーを増大し、固定層の磁化の安定性を高める。
【解決手段】
反強磁性層１２と固定層１３とが積層され、前記反強磁性層１２により前記固定層１３の磁化方向が一方向に磁気的に固定されている交換結合膜１０、それを有する磁気抵抗効果ヘッド、磁気センサおよび磁気メモリにおいて、前記反強磁性層１２をMn-X（X＝Ir,Rh,Ru）で構成するとともに、前記固定層１３の主成分をCo-Fe-Mnで構成する。 （もっと読む）

【課題】ＴＭＲ素子などのスピントロニクス素子を用いた磁気センサに関し、ノイズを低減し、かつ、高感度化を図ることができる磁気センサを提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子群を用いた磁気センサ２０は、検知素子１０を直列に接続して磁気抵抗素子群８ａ、８ｂ、８ｃとし、これらを並列に配置してセル９として磁気抵抗素子群を連動する。基準抵抗１１を直列に配置することにより、磁気抵抗値の変化につれて出力変化を実現する。 （もっと読む）

【課題】大きな出力信号強度を得られるEMRデバイスに、既存のスライダ形成技術を利用して磁気ヘッドスライダが形成できるような、デバイス構造とデバイス製造方法を提供すること
【解決手段】磁気抵抗デバイスは、基板（４；６４）と、第一方向（１４）に伸びた細長半導体チャネル（１１）素子と、チャネルへの接点の組（２７）を提供する少なくとも２つの導電性リード（２６）とを含んでいる。デバイスは、チャネルと接続したオプションの半導体シャント（８）を含んでいる。オプションのシャント、チャネル及び接点の組は、第一方向及び基板の表面に対して垂直な第二方向（１５）に向かって、基板に対して積重ねられる。デバイスは、チャネルに沿って伸びる側面（３０）を有している。デバイスは、側面に対して一般的に垂直な方向の磁場（３１）に対して反応する。 （もっと読む）

【課題】少ない製造工程数でＳ／Ｎ比が良く、資源に無駄を生じない低コストの電流センサを提供する。
【解決手段】ＩｎＳｂ等の単結晶基板１とフェライト基板２とを接着し、単結晶基板１の非接着面を厚みが５〜１０［μｍ］になるまで研磨する。この研磨面に、ホール素子パターンとしての複数の感磁性部１ａを形成した後、フェライト基板２ごと切断して複数のホール素子チップ５を分割形成する。次に、接着剤７を介しホール素子チップ５をフェライトコア６の段差部６ａに接着し、感磁性部１ａに電極８及び保護膜９を形成する。フェライトコア６及び感磁性部１ａを含む磁気回路を他のＬコア、Ｉコアを組み付けて構成し、電流センサを製造する。 （もっと読む）

【課題】ノイズを抑制可能なスピン伝導素子を提供する。
【解決手段】チャンネル７、第１絶縁層８１、磁化固定層１２Ｂ、第２絶縁層８２、磁化自由層１２Ｃ、第１配線１８、及び、第２配線１９を備え、以下の要件Ａ及び要件Ｂの少なくとも１つを満たすスピン伝導素子１００である。
要件Ａ：第１配線１８が、磁化固定層１２Ｂ上に磁化固定層１２Ｂの厚み方向に延びる縦部１８ｂと、縦部１８ｂにおける磁化固定層１２Ｂ側から離れた部分から、磁化固定層１２Ｂの厚み方向と交差する方向に延びる横部１８ａと、を有する。
要件Ｂ：第２配線１９が、磁化自由層１２Ｃ上に磁化自由層１２Ｃの厚み方向に延びる縦部１９ｂと、縦部１９ｂにおける磁化自由層１２Ｃ側から離れた部分から、磁化自由層１２Ｃの厚み方向と交差する方向に延びる横部１９ａと、を有する。 （もっと読む）

磁気抵抗リーダは、第１の磁気シールド素子と、第２の磁気シールド素子と、第１の磁気シールド素子を第２の磁気シールド素子から分離する磁気抵抗センサ積層体とを含む。第１の磁気シールド素子は、グレイン成長抑制層によって分離される２つの強磁性異方性層を含む。
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