【課題】電気的手段により磁気情報の書込みを行う磁気メモリセル及びそれを装備した大容量多値磁気メモリを提供する。
【解決手段】スピン蓄積層１上に配置した複数の磁気記録ビット３１〜３４と、１つの検出部によって磁気メモリセルを構成し、その磁気メモリセルを多数組み合わせて大容量磁気メモリを構成する。磁気記録ビットは、スピン蓄積層上に中間層、磁気記録層、障壁層、固定層、電極保護層を積層した構造を有し、検出部はスピン蓄積層上に中間層、固定層、電極保護層を積層した構造を有する。検出部は、各記録ビットを構成する磁気記録層の磁化方向の組合せを多値情報として電気的に検出する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子全体の電力消費を低減させる。
【解決手段】磁気抵抗素子は、磁気異方性を示し、その磁化が少なくとも第一及び第二の方向の間で反転できるように構成された強磁性層と、強磁性領域に容量性結合されたゲートとを含んでいる。磁気抵抗素子を動作させる方法は、第一及び第二の方向の間で磁化を反転させるために、強磁性領域の磁気異方性の方向を変化させるように、強磁性領域に電場パルスを印加するステップを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】磁気トラック、磁気トラックを備える情報保存装置及び該情報保存装置の動作方法を提供する。
【解決手段】開示された磁気トラックは相異なる長さの第１及び第２磁区領域を備える。該第１及び第２磁区領域で磁壁移動速度は相異なりうる。該第１及び第２磁区領域のうち長さの長い領域は、情報の記録／再生領域でありうる。第１磁区領域での磁壁移動速度は、第２磁区領域での磁壁移動速度より速い。第１磁区領域の長さｌ１、前記第２磁区領域の長さｌ２、第１磁区領域での磁壁移動速度Ｖ１及び第２磁区領域での磁壁移動速度Ｖ２は、Ｖ１＝（ｌ１／ｌ２）×Ｖ２を満たす。 （もっと読む）