【課題】信頼性の高い低消費電力不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】磁気メモリセルを構成する巨大磁気抵抗効果素子やトンネル磁気抵抗効果素子４０２の強磁性固定層２０２の磁化方向と反平行又は平行に磁化された強磁性配線１０１を記録層である強磁性自由層２００に非磁性層４０１を介して接続させ、スピントランスファートルクにより記録層の磁化反転を行う。 （もっと読む）

【課題】ＭＲＡＭを構成する上部の導電要素と下部の導電要素との短絡を抑制することが可能な半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】主表面を有する半導体基板ＳＵＢと、半導体基板ＳＵＢの主表面上に位置する、ピン層ＭＰＬと、トンネル絶縁層ＭＴＬと、フリー層ＭＦＬとを含む磁気トンネル接合構造ＭＲＤと、磁気トンネル接合構造ＭＲＤの下側側面に接する下側絶縁層ＩＩＩ１と、下側絶縁層ＩＩＩ１上に位置して磁気トンネル接合構造ＭＲＤの上側側面に接し、かつ磁気トンネル接合構造ＭＲＤの上面を露出する側壁絶縁層ＩＩＩ２と、側壁絶縁層ＩＩＩ２から露出する磁気トンネル接合構造ＭＲＤの上面に接する導電層ＢＬとを備えている。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動素子の微細化を促進すること。
【解決手段】磁壁移動素子は、磁気記録層を備える。磁気記録層は、第１磁化固定領域と、第２磁化固定領域と、第１磁化固定領域と第２磁化固定領域との間に挟まれた磁化自由領域と、を含む。磁壁移動素子は更に、第１構造体、第２構造体、及び磁気トンネル接合を備える。第１構造体は、第１磁化固定領域と磁気的に結合し第１磁化固定領域の磁化方向を固定する第１磁性体を備える。第２構造体は、第２磁化固定領域と磁気的に結合し第２磁化固定領域の磁化方向を固定する第２磁性体を備える。磁気トンネル接合は、第１構造体と第２構造体とによって挟まれ、第１構造体及び第２構造体に接触し、磁化自由領域の少なくとも一部を備える。 （もっと読む）

１本のフィールド線５と、少なくとも２つの熱支援型スイッチング磁気トンネル接合ベースの磁気ランダムアクセスメモリセル１００とを備えるメモリユニットであって、各セル１００が、磁気記憶層と磁気基準層の間に配設された絶縁層を備える磁気トンネル接合部２を有し、選択トランジスタ３が、磁気トンネル接合部２に接続され、１本のフィールド線５が、セル１００の磁気トンネル接合部２の記憶層の磁化を切り替えるためのフィールド電流を通すために使用されるメモリユニット。メモリユニットのアレイを組み立てることによって磁気メモリデバイスを形成することができ、フィールド線５によって、セル１００の少なくとも２つの隣接する磁気トンネル接合部２に同時にアドレスすることができる。このメモリユニットおよび磁気メモリデバイスは表面積がより小さい。より高密度のメモリユニットを備える磁気メモリデバイスを製造することができ、したがってダイ製造コストが低減され、電力消費も低減される。
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【課題】磁壁移動方式に基づく磁気抵抗効果素子の面積を縮小すること。
【解決手段】本発明に係る磁気抵抗効果素子は、磁化の向きが固定された少なくとも２つの第１磁化固定層１ａ，１ｂと、ＸＹ面上に形成され磁化の向きが可変な磁化自由層２と、非磁性層３を介して磁化自由層２に接続された第２磁化固定層４とを備える。２つの第１磁化固定層１ａ，１ｂは、磁化自由層２を挟んで第２磁化固定層４と対向するように配置され、また、磁化自由層２と磁気的に結合している。２つの第１磁化固定層１ａ，１ｂの磁化は共に、ＸＹ面に直角なＺ方向の成分を有する。データ書き込み時、書き込み電流が、ＸＹ面内において、磁化自由層２の一端から他端に流される。 （もっと読む）

【課題】書込み時等における磁化特性を均質化して、効率的に書込み作業を実行できるようにする。
【解決手段】磁気記憶装置１において、配線１５の一部又は全部を覆うように軟磁性体４１を形成し、この軟磁性体４１の外面に反強磁性層２７を形成する。又、配線１５の近傍には磁気抵抗効果素子４を配置する。軟磁性体４１と反強磁性層２７の境界面の交換結合エネルギーをＪ（ｅｒｇ／ｃｍ^２）、軟磁性体４１の飽和磁化をＭｓ（ｅｍｕ／ｃｃ）、軟磁性体４１の保磁力をＨｃ（Ｏｅ）とした場合に、軟磁性体４１の厚さｔ（ｃｍ）がｔ＜Ｊ／（Ｈｃ・Ｍｓ）となるように設定する。 （もっと読む）