【課題】メタルラインを利用し、情報の書き込みと読み取りとの機能を具現した磁気メモリ素子を提供する。
【解決手段】プラスチック基板上で磁化方向がスイッチングされる連続したマグネチックドメインＤ１〜Ｄ８が形成され、並んで配置された複数の第１メタルライン１００と、第１メタルライン１００と直交して配置され、第１メタルライン１００を覆うトンネルを形成する複数の第２メタルライン２００と、第１メタルライン１００に連結され、マグネチックドメインＤ１〜Ｄ８をドラッギングする電流を供給する第１入力部５００と、第２メタルライン２００に連結され、トンネル内のマグネチックドメインＤ１〜Ｄ８の磁化方向をスイッチングする電流を印加する第２入力部６００と、第２メタルライン２００に連結され、トンネルを通過するマグネチックドメインウォールによる起電力をセンシングするセンシング部７００とを具備する磁気メモリ素子である。 （もっと読む）

【課題】磁気メモリ装置及びデータ記録方法を提供する。
【解決手段】トランジスタと組をなすものであって、ＭＴＪセルとその両側で磁場を形成する第１パッド層及び第２パッド層とを備えたＭＴＪ素子を備え、各トランジスタのドレインは、該当セル領域の第１パッド層に連結され、そのソースは、隣接した単位セル領域の第２パッド層に連結され、各トランジスタのゲートは、当単位セル領域の該当ワードラインに接続され、そのドレインは、該当単位セル領域のビットラインに接続される構造を有する磁気メモリ装置である。 （もっと読む）

【課題】集積度を高めたＭＲＡＭを提供する。
【解決手段】メモリセルＭＣ（ｍ，ｎ）およびＭＣ（ｍ＋１，ｎ）は、ワード線ＷＬｎにそれぞれの一方端が接続された磁気トンネル接合素子ＭＲ１およびＭＲ１１を有し、磁気トンネル接合素子ＭＲ１およびＭＲ１１のそれぞれの他方端は、ビット線ＢＬｍおよびＢＬｍ＋１に接続されている。また、メモリセルＭＣ（ｍ，ｎ＋１）およびＭＣ（ｍ＋１，ｎ＋１）は、ワード線ＷＬｎ＋１にそれぞれの一方端が接続された磁気トンネル接合素子ＭＲ３およびＭＲ３１を有し、磁気トンネル接合素子ＭＲ３およびＭＲ３１のそれぞれの他方端は、ビット線ＢＬｍおよびＢＬｍ＋１に接続されている。 （もっと読む）

【課題】抵抗型メモリ素子をアクセスする方法を提供する。
【解決手段】この方法は第１抵抗型メモリセルブロックに接続された第１ワードラインに所定の電圧レベルを印加する段階を備える。前記第１ワードラインに所定の電圧レベルを印加することは、第２ワードラインに接続された第２抵抗型メモリセルブロックの判読動作の間に行われる。第１抵抗型メモリセルブロックの第１及び第２側部にそれぞれ位置して互いに対向する一対の電流源トランジスタを介してプログラム電流が供給される。前記プログラム電流は前記第１抵抗型メモリセルブロック内の抵抗型メモリセルに接続されたビットラインを横切るように前記第１側部から前記第２側部に向けて流れる。また、前記プログラム電流は前記第２抵抗型メモリセルブロックに平行な方向に向けて流れる。 （もっと読む）

磁気メモリを提供するための方法及びシステム。本方法及びシステムは、複数の磁気記憶セル、複数のワードライン及び複数のビットラインを設けることを含む。複数の磁気記憶セルの各々は、複数の磁気素子及び少なくとも１つの選択トランジスタを含む。各磁気素子は、該磁気素子を通じて駆動される書込み電流によって、スピン転移誘起スイッチングを用いてプログラム可能である。各磁気素子は、第１端及び第２端を有する。各磁気素子の第１端には、少なくとも１つの選択トランジスタが接続される。複数のワードラインは、複数の選択トランジスタに結合され、複数の選択トランジスタの一部を選択的にイネーブル状態にする。
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