【課題】メモリセルに含まれる選択トランジスタのゲート配線のピッチに対する上層の杭打用金属配線ピッチの影響を低減する。
【解決手段】メモリセルアレイ（１）の両側にワード線ドライブ回路（２Ｒ，２Ｌ）を対向して配置し、各ワード線ドライブ回路には、ワード線ドライバをメモリセル行に対して交互に配置する。メモリセルの選択トランジスタのゲート配線（ＰＧｏ，ＰＧｅ）は、各メモリセル行に対応して配置される。杭打用の上層の金属配線（ＭＬｏ，ＭＬｅ）は、対向配置されるワード線ドライブ回路からメモリセルアレイの中央部の接続領域（１０）まで延在させ、接続領域においてゲート配線に交互に電気的に接続する。金属配線は、ゲート配線の２倍のピッチで対向して配置する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のプロセスマージンを向上できる。
【解決手段】本発明の例の半導体メモリは、同一の配線層内に設けられる２つのビット線ＢＬ１，ＢＬ２と、メモリセルアレイ内に設けられるアクティブ領域ＡＡ２と、アクティブ領域ＡＡ２と交差する２つのワード線ＷＬ１，ＷＬ２と、ゲートがワード線ＷＬ１，ＷＬ２にそれぞれ接続されアクティブ領域ＡＡ２上に設けられる第１及び第２のトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２と、ビット線ＢＬ２とトランジスタＴｒ１のソース／ドレインとに接続される第１の抵抗性記憶素子ＭＴＪ１と、ビット線ＢＬ２とトランジスタＴｒ２のソース／ドレインとに接続される第２の抵抗性記憶素子ＭＴＪ２と、ビット線ＢＬ１と２つのトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の共有ノードに接続され、ワード線ＷＬ１，ＷＬ２間に配置される配線層Ｍ２とを具備し、アクティブ領域ＡＡ２はメモリセルアレイの一端から他端まで延在する。 （もっと読む）

【課題】記憶容量を高めたメモリ（１００）を有する記憶装置を提供する。
【解決手段】データ・ビットはスタック（５０）に沿う複数のメモリ位置に垂直に記憶する。各メモリ位置（５６，５８）は非磁気層（６０，６４）と切替え可能な磁気層（６２，６６）とを含む。電流源（１０２）からスタック内に電流を流して、スピン運動量移動により、各位置の隣の磁気層の間にトルクを発生させて磁化の方向を決めることによりデータ・ビットを記憶する。複数のスタック・メモリ位置は複数のデータ・ビットを記憶することができる。 （もっと読む）

スピン・トランスファ・トルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＳＴＴ−ＭＲＡＭ）ビットセルが開示される。前記ビットセルは、第１の面内に形成されたソース線と、第２の面内に形成されたビット線とを含む。ビット線は、前記ソース線の長手方向軸に対して平行である長手方向軸を有し、かつ、前記ソース線は少なくとも前記ビット線の一部にオーバーラップする。
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熱支援磁場書き込みまたは熱支援スピン移動書き込みを用いる磁気素子であって、固定方向の磁化を有する基準磁性層４３と、反強磁性層４１と交換トラップされた記憶磁性層４０であって、記憶層４０の磁化方向が、前記部材が反強磁性層４１のブロッキング温度より少なくとも高い温度に加熱され得る場合には、変化できる記憶磁性層４０と、基準層と記憶層との間に設けられた、絶縁もしくは半導電性層４２、または電流狭窄路を有する層と、を各々が含む磁気素子において、磁気素子３１がまた、磁性部材を加熱するための少なくとも１つの電気抵抗薄層４８を含むことを特徴とする磁気素子。
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不揮発性メモリデバイスは、実質的に六角形のパターンに配置された複数の不揮発性メモリセルを含む。不揮発性メモリセルはピラー形の不揮発性メモリセルであってよく、これは三重または四重露光リソグラフィか自己集合層によりパターニングできる。セルは平行四辺形のサブアレイに配置される。ビット線は６０度の角度でワード線と交差する。このメモリデバイスは三次元アレイにできる。
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【課題】コストの増加を抑制しつつ、磁化反転をアシストする。
【解決手段】スピン注入型の磁気ランダムアクセスメモリは、固定層１１と記録層１３と非磁性層１２とを有し、固定層及び記録層の磁化は膜面に対して垂直方向を向く磁気抵抗効果素子１０ａと、磁気抵抗効果素子の一端に接続されたソース線ＳＬａと、磁気抵抗効果素子の他端に電流経路の一端が接続されたトランジスタＴｒａと、トランジスタの電流経路の他端に接続され、ソース線と平行に延在されたビット線ＢＬと、磁気抵抗効果素子及びトランジスタを介してビット線及びソース線間に書き込み電流Ｉを流し、ビット線を通過した書き込み電流によって発生された磁場の磁気抵抗効果素子に対する印加方向が磁気抵抗効果素子を通過する書き込み電流の方向と反対であるソース／シンカとを具備する。 （もっと読む）

【課題】外部影響（特に電気的パルス）により電気的抵抗が変化する特性を有する材料を用いた不揮発性メモリの大容量化を可能としたクロスポイントメモリデバイスを提供すること。
【解決手段】下部電極と上部電極とのクロスポイントに対応するビット領域は、互いに交差するように配列された下部電極と上部電極との間に配置されたアクティブ層の一部である。アクティブ層は、電気信号に応答して変化する抵抗性を有し得る材料である。下部電極と上部電極との間を通る電気信号は、ビット領域を通過する。ビット領域では、電気信号に応答して抵抗率を変化させる。 （もっと読む）

【課題】再生および記録の効率性を高めるスピンＲＡＭ構造を提供する。
【解決手段】スピン注入ＭＲＡＭ５０は、上部ＣＰＰセル８０と下部ＭＴＪセル６０との間に導電性スペーサ７０をそれぞれ有する２つのサブセル５０を備える。各ビットセルの２つの導電性スペーサ７０は、トランジスタにより結合される。トランジスタは、書込ワード線により制御される。各ビットセルの２つのＣＰＰセル８０は異なる抵抗状態を有し、各サブセル８０のＭＴＪセル６０とＣＰＰセル８０とは異なる抵抗状態を有する。ＭＴＪフリー層６７は、ＣＰＰフリー層が発揮する大きな反磁場に起因して、ＣＰＰフリー層の反転に応じて回転する。同一のビットセルの内部の第２のＭＴＪをリファレンスとすることにより、高速で信頼性の高い再生動作を可能とする改善された回路構造が開示される。 （もっと読む）

【課題】比較的簡素な構成により、データの読み取り時間、好ましくは更にデータの書き込み時間を大幅に短縮させてデータ転送速度を向上させ、しかもデータの蓄積領域を十分に確保し、記録装置としての使用効率を向上させる磁気記録装置を提供する。
【解決手段】読取素子２及び書込素子３をそれぞれ２つずつ磁性細線１のデータ蓄積領域１ａ上に配設し（読取素子２ａ，２ｂ及び書込素子３ａ，３ｂと図示する。）、データ蓄積領域１ａを各分割領域１ａ₁，１ａ₂に分割する。このように各２つの読取素子２及び書込素子３を配設した場合、素子群数ｎ＝２であることから、読取素子２及び書込素子３を各１つずつ配設する場合に比べて、データ読み取り時間及び書き込み時間はそれぞれ半分に短縮される。同様に、磁性細線１で必要とされるバッファ領域１ｂの占める割合は１／３（≒３３％）（データ蓄積領域１ａの占める割合は２／３（≒６７％））となる。 （もっと読む）

【課題】積層されたＮＡＮＤ型抵抗性メモリセルストリングを含む不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＮＡＮＤ型抵抗性メモリセルストリングＳＴＲ１，ＳＴＲ２は、ビットラインＢＬ及びビットラインＢＬに直列接続された複数個の抵抗性メモリセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３を含み、複数個の抵抗性メモリセルＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３のそれぞれは、第１ノードＮ１、第２ノードＮ２及び第３ノードＮ３、第１ノードＮ１と第２ノードＮ２との間に接続されたヒータＨ１、Ｈ２、Ｈ３、第２ノードＮ２と第３ノードＮ３との間に接続された可変抵抗体Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、第１ノードＮ１に接続された第１端子及び第３ノードＮ３に接続された第２端子を有するスイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３とを含む。 （もっと読む）

【課題】 磁化状態がより安定している参照セルを有する磁気ランダムアクセスメモリを提供する。
【解決手段】 磁気ランダムアクセスメモリは、半導体からなる基板を含む。第１磁気抵抗素子ＭＲａは、基板表面の上方に設けられ、磁気抵抗効果によって抵抗値の異なる２つの定常状態を取り、基板表面に投影された形状が第１方向に沿った第１長さと第２方向に沿った前記第１長さ以上の長さの第２長さとを有する。第２長さの第１長さに対する比は第１値である。第２磁気抵抗効果素子ＭＲｂは、基板表面の上方に設けられ、第１磁気抵抗効果素子の抵抗状態を判定するために用いられ、磁気抵抗効果によって抵抗値の異なる２つの定常状態を取り、基板表面に投影された形状が第３方向に沿った第３長さと第４方向に沿った第３長さ以上の長さの第４長さとを有する。第４長さの第３長さに対する比は第１値より大きい。 （もっと読む）

【課題】高速動作が可能で、データ保持の信頼性が高い磁気半導体メモリを提供する。
【解決手段】本発明の磁気半導体メモリは、ＭＴＪ素子２を含むメモリセル１と、Ｙ軸方向に延設された配線１１、１２とを具備する。配線１１の中心線１１ａは、ＭＴＪ素子２から＋Ｘ方向にずれており、且つ、配線１２の中心線１２ａは、ＭＴＪ素子２から前記−Ｘ方向にずれている。 （もっと読む）

【課題】ワードラインとＰ−Ｎダイオードとの間にＭＴＪ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｔｕｎｎｅｌ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を結合して２つ以上のデータを記憶させ、構造が簡単でセルサイズが小さい磁気抵抗ラム（ＭＲＡＭ）用セルを具現する。
【解決手段】半導体基板にドーピングされたＮ＋領域と、前記Ｎ＋領域のライン上にドーピングされたＰ型の不純物領域でなるＰ−Ｎダイオード、前記Ｐ型の不純物領域の上に積層されたバリヤー導電層、前記バリヤー導電層の上部に積層されたＭＴＪ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｔｕｎｎｅｌ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）、及び前記ＭＴＪの上部に積層されたワードライン、を備えるＭＲＡＭセルを含み、前記ワードラインに印加される電圧の大きさに従って前記ＭＴＪに流れる電流を制御し、前記ＭＲＡＭセルにデータを書き込み、読み出すことを特徴とする。
【選択図】図３
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各データ担持ナノワイヤが、そのナノワイヤの全長に沿って複数の交差するナノワイヤを有して、磁壁ピン留めサイトを構成する交差接合部を形成する。データは、交差するナノワイヤとの整列と反整列の間で交番する磁界の作用の下で磁区を動かすことによって、各データ担持ナノワイヤを通って送られる。データは、上向きキラリティ横磁壁および下向きキラリティ横磁壁が、０および１を符号化するのに使用されて、磁壁のキラリティに符号化される。データは、事前定義されたキラリティの磁壁を有する磁区を核形成することができる適切な核形成磁界発生器を使用して、各ナノワイヤの中にクロック制御されて入れられる。データは、このキラリティを検知する適切な磁界センサを使用して、各ナノワイヤからクロック制御されて出される。
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【課題】磁気ランダムアクセスメモリの大容量化と製法の提供。
【解決手段】第１の固定層Ｐｓ１と第１の記録層Ｆｓと前記第１の固定層及び前記第１の記録層の間に設けられた第１の非磁性層Ｔｓ１とを有し、前記第１の固定層及び前記第１の記録層の電流の向きに応じて磁化方向が平行状態又は反平行状態となる１重トンネル接合素子ＭＴＪｓと、第２及び第３の固定層Ｐｗ１，Ｐｗ２と第２の記録層Ｆｗと前記第２の固定層及び前記第２の記録層の間に設けられた第２の非磁性層Ｔｗ１と前記第３の固定層及び前記第２の記録層の間に設けられた第３の非磁性層Ｔｗ２とを有し、前記第２の固定層及び前記第２の記録層の間に流す電流の向きに応じて前記第２の固定層及び前記第２の記録層の前記磁化方向が平行状態又は反平行状態となる２重トンネル接合素子ＭＴＪｗと、互いに並列接続された前記１重トンネル接合素子及び前記２重トンネル接合素子を有するメモリセルＭＣ。 （もっと読む）

【課題】より費用対効果の高い製造環境で、実用的な磁壁メモリ構造を製造すること。
【解決手段】書き込み／読み取り機能を備えた磁壁メモリ装置は、内部に複数の磁区を有する強磁性材料から形成された伸長トラックをそれぞれが備える、複数の共面シフト・レジスタ構造であって、さらにこのシフト・レジスタ構造が磁壁の配置を容易にするために内部に複数の不連続部を有する、複数の共面シフト・レジスタ構造と、それぞれのシフト・レジスタ構造に関連付けられた磁気読み取り要素と、それぞれのシフト・レジスタ構造に関連付けられた磁気書き込み要素であって、さらにこの磁気書き込み要素がそれぞれの共面シフト・レジスタ構造の縦軸とほぼ直交する縦軸を有する単一の書き込みワイヤを備える、磁気書き込み要素と、を含む。 （もっと読む）

【課題】製造が容易でありマルチレベルの記録状態を実現できる磁気ランダムアクセスメモリを提供する。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリ２は、セル１０の磁気抵抗素子領域２０の同一平面内に、磁気抵抗素子３０ａ，３０ｂを備え、磁気抵抗素子３０ａ，３０ｂは、形状磁気異方性が異なるために、外部磁界によって磁化が反転するときに外部磁界の大きさがそれぞれ異なり、磁気抵抗素子３０ａ，３０ｂの一方の磁化が反転することによって、セル１０中において生成される磁化状態に対して、セルの高抵抗状態と低抵抗状態の中間状態を割り当てたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】セル面積を縮小する。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、側面と上面とを有する段差部が形成された半導体基板１１と、段差部の側面上にゲート絶縁膜２０を介して形成されたゲート電極Ｇと、段差部の上面内に形成されたドレイン拡散層２４と、ドレイン拡散層より下方の半導体基板内にドレイン拡散層と離間して形成されたソース拡散層１８と、ドレイン拡散層に接続され、磁化方向が固定された固定層３１と磁化方向が反転可能な記録層３３と固定層及び記録層の間に設けられた非磁性層３２とを有し、固定層及び記録層の間に流す電流の向きに応じて固定層及び記録層の磁化方向が平行状態又は反平行状態となる磁気抵抗効果素子ＭＴＪと、磁気抵抗効果素子に接続されたビット線ＢＬを具備する。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動現象を利用した磁気抵抗効果素子に関し、熱揺らぎに対する安定性を低下することなく、磁壁の移動速度を向上しうる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】 磁化方向が固定された固定磁化層３６と、固定磁化層３６上に形成された非磁性層４０と、強磁性層４２と、強磁性層４２上に形成された非磁性金属層４４と、非磁性金属層４４上に形成された強磁性層４６との積層体よりなる自由磁化層４８であって、複数の磁化記録領域６４を有し、磁化記録領域６４のそれぞれにおいて、強磁性層４２の磁化と強磁性層４６の磁化とが互いに反平行に結合しており、一の磁化記録領域６４が、非磁性層４０を介して固定磁化層３６と対向している自由磁化層４８とを有する。 （もっと読む）