Fターム[5B018GA03]の内容
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Fターム[5B018GA03]に分類される特許
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不揮発性半導体メモリ
【課題】 製造後のテスト時間を短縮し、また、安価なテストシステムを用いることにより、コストを低減できる不揮発性半導体メモリを提供すること。
【解決手段】 通常のアドレス入力では書き込みや消去が行えない、特殊な冗長ブロックであるROMブロックを設けている。そして、このROMブロック内に、不良ブロックアドレス情報を記憶させることを特徴としている。そのため、複数の不揮発性半導体メモリを同時にテストする際、書き込み/消去動作と同じく、読み出し動作も全チップ同時に行うことが出来る。この結果、テスト時間が短縮でき、また、フェイルメモリを持たない安価なテストシステムでテストを行うことが可能となるため、不揮発性半導体メモリのテストコストを削減できる。
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半導体記憶装置
【課題】バーンインなどでメモリセルに加速したストレスを印加し、スクリーニングを行う際に、ワード線の一括選択、非選択制御及びビット線の書き込みレベル設定、リカバリの一括制御によって生じるピーク電流の発生を抑えることを最も主要な特徴とする。
【解決手段】ワード線WLとビット線対BL,/BLに接続されたセル11と、通常動作状態に導通してビット線対を充電するトランジスタ13と、テストモードを設定するテストモード設定手段と、テストモード時に上記トランジスタ13が非導通状態となるように制御する手段と、テストモード時に選択状態にされるダミーワード線DWLと、ダミーワード線とビット線対とに接続され、セル11と等価な構成のダミーセル16とを具備している。
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