【課題】不揮発性メモリのバッファ領域のウェアレベルを緩和するメモリシステムが提供される。
【解決手段】本発明によるメモリシステムは使用者領域とバッファ領域を有する不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリのウェアレベル情報に基づいて、前記使用者領域の一部ブロックを前記バッファ領域に転換する動作を管理するためのウェアレベル制御ロジックと、を含む。前記ウェアレベル情報は前記使用者領域のプログラム−消去サイクル情報、ＥＣＣエラー率情報、又は消去ループ回数情報であり得る。本発明によると、バッファ領域のＰ／Ｅサイクル耐久性（ｅｎｄｕｒａｎｃｅ）を増加するか、或いはＥＣＣエラー率や消去ループ回数の増加率を減らすことによって、メモリシステムの性能を向上させ得る。 （もっと読む）

【課題】不揮発性の半導体ディスクの寿命を監視する半導体ディスク寿命監視装置を提供する。
【解決手段】半導体ディスク５−１〜５−Ｋの書込み制御を行うファイルシステム３と、当該ファイルシステム３と前記半導体ディスク５−１〜５−Ｋを接続するインタフェースドライバ４を備え、当該インタフェースドライバ４により書込みが行われる半導体ディスク５−１〜５−Ｋの寿命を予測する半導体ディスク寿命監視装置１であって、前記ファイルシステム３からの書込みを書込情報として測定する測定部７と、前記測定結果を累積し第１の保存データ３２として保存する保存部８と、前記保存した累積書込情報に基づいて、半導体ディスク５−１〜５−Ｋの寿命を予測する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリ（「ＮＶＭ」）の正常性情報を取得して使用するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】正常性情報は、ＮＶＭの一部で検出されたエラー数、又は不揮発性メモリの一部から読み取りを行うために又はこのメモリの一部をプログラムするために必要な時間量などの、ＮＶＭ装置の一部の性能及び信頼性に関連する様々な情報を含むことができる。動作中、ホスト装置上にアドレス固有の正常性情報を受動的に記憶し、コマンドの一部としてメモリコントローラに提供することができる。メモリコントローラは、このコマンドから正常性情報を抽出し、この情報を使用してアクセス要求を実行することができる。アクセス要求の完了後、メモリコントローラは正常性情報を更新し、この情報をホスト装置へ返送することができる。 （もっと読む）

【課題】車両用電子制御装置において、車両がＩＧ（イグニッション）オフ状態になってからの不揮発性メモリへのデータ書き込み回数を低減する。
【解決手段】車両がＩＧオフ状態になったこと（Ｓ１１０：ＹＥＳ）を条件に、バックアップ対象のデータを書き換え可能な不揮発性メモリに書き込む書込処理（Ｓ１５０）を行い、その書込処理が終了した後、自身への電源電圧の供給が停止されるようにするための電源遮断処理（Ｓ１６０）を行う電子制御装置では、車両がＩＧオフ状態になったことを検出すると（Ｓ１１０：ＹＥＳ）、運転者がシートベルトを装着しているか否かを示すシートベルト信号に基づいて、運転者が降車の意志を有しているか否かを判定する（Ｓ１４０）。そして、シートベルト信号が「非装着」を示す状態となり、運転者が降車の意志を有していると判定したなら（Ｓ１４０：ＹＥＳ）、書込処理（Ｓ１５０）を実施するようになっている。 （もっと読む）

【課題】不揮発性半導体メモリの書き換え時に、適切なパルス電圧および適切なパルス幅を備える信号を印加可能な不揮発性半導体記憶装置を提供することである。
【解決手段】本発明にかかる不揮発性半導体記憶装置は、記録されている情報を所定のパルス電圧および所定のパルス幅を備える信号を印加することで書き換え可能な不揮発性半導体メモリ１１と、不揮発性半導体メモリ１１の書き換えを制御する書き換え制御部１２と、を備える。書き換え制御部１２は、不揮発性半導体メモリの総書き換え回数に基づき仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを決定する。更に、決定された仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを不揮発性半導体メモリ１１の温度に基づいて補正することで、書き換え時に不揮発性半導体メモリ１１に印加する信号のパルス電圧およびパルス幅の少なくとも一つを決定する。 （もっと読む）

【課題】半導体メモリを効率的に利用可能なメモリコントローラを提供すること。
【解決手段】実施形態のメモリコントローラ２０は、第１インターフェイス２１と、第２インターフェイス２３と、制御部２４とを備える。第１インターフェイス２１は、ホスト１０との間で信号を送受信する。第２インターフェイス２３は、不揮発性の半導体メモリ３０との間で信号を送受信する。制御部２４は、第１インターフェイス２１で受信した第１コマンドに応答して半導体メモリ３０に予備領域を確保し、半導体メモリ３０に保持されるデータの更新時には予備領域に更新データを書き込む。予備領域のサイズは、第１コマンドに応じて可変である。 （もっと読む）

【課題】高品質なメモリデバイスを提供する。
【解決手段】メモリデバイスは、不揮発性のメモリ１１と、コマンド格納部と、記憶部４６と、管理部と、を備えている。コマンド格納部は、コマンドを格納する。記憶部４６は、バックグランド処理の種類とその優先順位とが設定され、必要とされているバックグランド処理の情報が設定され、ホストデバイス２によって、バックグランド処理の許可または不許可が設定される。管理部は、コマンド格納部にコマンドが格納されていないと判定すると、記憶部４６を参照してホストデバイス２がバックグランド処理を行うことを許可しているか否かを判定し、許可されていない場合、記憶部４６に設定されたバックグランド処理の情報と優先順位とを参照して、メモリ１１の未使用のブロックの数と、必要とされているバックグランド処理の優先順位及び数とに基づいてバックグランド処理の重要度を記憶部４６に設定する。 （もっと読む）

【課題】データの消失を効率よく予防すること。
【解決手段】本発明の一つの実施形態によれば、コントローラは、読み出し検査実行部と、検査ブロック設定部と、タイミング決定部とを備えている。読み出し検査実行部は、不揮発性メモリが備える複数のブロックのうちの有効データが格納されているブロックの読み出し検査を実行する。検査ブロック設定部は、不揮発性メモリが備える複数のブロックのうちから少なくとも１つに出来るだけ高い閾値を有する検査パターンデータを書き込んで検査ブロックを設定する。ここで、タイミング決定部は、検査ブロックに書き込まれた検査パターンデータに発生するビット反転数に基づいて読み出し検査実行部による読み出し検査のタイミングを決定する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリへの書込み対象データに対する書込み抑制をより効率よく行うことが可能な電子制御装置を提供する。
【解決手段】データを特定するデータＩＤと、そのデータの、演算部の演算によって得られる値であるデータ値とを記憶するフラッシュメモリと、データＩＤ毎に対応した代表値ＩＤが定められ、その代表値ＩＤ毎に予め定められた代表値を記憶する代表値記憶部と、データＩＤ毎に、対応するデータ値と代表値うちのいずれを該データＩＤに対応する値として使用するかを表すデータ管理情報を記憶するデータ管理情報記憶部と、データ書込部がデータを書き込む際に、書き込むデータ値と代表値とが同一のときには、データ管理情報を、データＩＤに対応する値として代表値を使用する代表値使用状態を表すものとするとともに、データ書込部によるフラッシュメモリへの該データＩＤに対応するデータ値の書き込みを抑止する書込制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】データの記録方式などが用途に応じて最適になるようにする。
【解決手段】記録媒体に記録されるデータの特性であって、当該データの保持期間を表す寿命値および当該データを読み出したときに発生すると想定されるエラーの割合を表すエラーレートを含む特性に基づいて、前記記録媒体により構成される論理デバイスの記録領域を複数生成するとともに、前記記録領域のそれぞれに適用される記録方式を決定する記録方式決定部と、前記決定された記録方式に基づいて、前記論理デバイスの記録領域のそれぞれを初期化する論理デバイス初期化部とを備える。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリの寿命を延ばすことができる、フラッシュメモリの制御装置を提供する。
【解決手段】フラッシュメモリの複数のブロックを、低頻度データブロックと高頻度データブロックに分ける。低頻度データブロックには、更新頻度の低いデータとして予め設定された低頻度データを記憶する。一方、高頻度データブロックには、更新頻度の高いデータとして予め設定された高頻度データを記憶する。そして、フラッシュメモリに新たに記憶させるデータの種類が低頻度データであれば低頻度データブロックに記憶させ、高頻度データであれば高頻度データブロックに記憶させる。 （もっと読む）

【課題】画像データをバックアップとして保存する際に不揮発性記憶手段に対する書き換え回数を低減し、不揮発性記憶手段の長寿命化を図る。
【解決手段】データ記憶制御装置２は、所定容量の記憶領域を有する１次メモリ１１と、１次メモリ１１よりも大容量であり、その記憶領域が複数のブロックに分割されると共に、ブロック単位でデータが消去され、データの消去されたブロックに対してデータの書き込みが可能な２次メモリ１２とを備える。制御部２３は、画像データ取得部２１によって取得される画像データのうち、２次メモリ１２における１ブロックの整数倍となるデータ部分を２次メモリに記憶すると共に、残余のデータ部分を１次メモリ１１に記憶し、バックアップデータ取得部２２によって取得されるバックアップデータを１次メモリ１１に記憶させた残余のデータ部分と組み合わせて２次メモリ１２の１つのブロックに記憶する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリにおける記憶ブロック間のデータ消去回数のばらつきを抑える。
【解決手段】電子制御装置は、フラッシュＲＯＭを備える。フラッシュＲＯＭは、複数の記憶ブロックを備え、記憶ブロック単位でのデータ消去が可能な周知のメモリである。電子制御装置のＭＰＵは、フラッシュＲＯＭの記憶ブロック群を、書込頻度が低いデータ記憶用の低頻度ブロック群と、書込頻度が高いデータ記憶用の高頻度ブロック群とにグループ化する。そして、高頻度ブロックのデータ消去回数に基づき、データ消去回数が１００の倍数となる度、低頻度ブロックを、記憶ブロック一つ分ずらすようにして、高頻度ブロックと入れ替える。この動作によって、フラッシュＲＯＭ内の記憶ブロック群を再グループ化する。一般的に高頻度ブロックのデータ消去回数のほうが低頻度ブロックよりも多くなるが、再グループ化により記憶ブロック間のデータ消去回数のばらつきは抑えられる。 （もっと読む）

【課題】フラッシュＲＯＭに対し、効率的にデータを書込可能な技術を提供する。
【解決手段】電子制御装置のＭＰＵは、フラッシュＲＯＭ１３への書込対象データを、１バイト単位のデータ（バイトデータ）に分割し（Ｓ１３０）、この書込対象データを構成するバイトデータの夫々を、順に処理対象データに選択する（Ｓ１４０）。そして、処理対象データと、フラッシュＲＯＭが記憶する当該処理対象データに対応するバイトデータとを比較し（Ｓ１５０）、処理対象データが、フラッシュＲＯＭが記憶するものから内容変更されたものである場合には（Ｓ１５０でＹｅｓ）、これをフラッシュＲＯＭに追記する形式で書き込む（Ｓ１６０）。一方、処理対象データがフラッシュＲＯＭが記憶するものから内容変更されたものでなければ（Ｓ１５０でＮｏ）、この処理対象データのフラッシュＲＯＭへの書込については行わないようにする。 （もっと読む）

【課題】リフレッシュ処理中に発生した不測の電源断により、フラッシュメモリに保持されているデータが破損することを防止できるＩＣカードを提供する。
【解決手段】ＩＣカード１には、ＩＣカード１に実装されたフラッシュメモリをリフレッシュ処理できるように、フラッシュメモリに保持されているデータをページ単位で取得し、フラッシュメモリにページ単位で該データを再書き込みするリフレッシュ処理を実行するリフレッシュモジュール１２が実装され、コマンド実行中にリフレッシュ処理を行えるように、外部装置からコマンドを受信すると、該コマンドを処理した後、リフレッシュモジュール１２を作動させるトリガー条件が成立していると、リフレッシュモジュール１２を呼び出し、リフレッシュモジュール１２の処理が終了すると、該コマンドのレスポンスを外部装置へ送信するコマンド管理モジュール１０が実装される。 （もっと読む）

【課題】不揮発メモリへ書き込み中に電源等が断たれた場合であっても、より最新のデータ情報を利用可能な記録媒体を提供する。
【解決手段】データ保存方法は、書込み要求されたデータと揮発性ユーザデータ領域のアドレスのデータとを比較し、データの変更があるか否かを判定するデータ変更判定ステップ（Ｓ１１）と、データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合に、揮発性ユーザデータ領域の対応するアドレスに書込みを行う揮発性領域書込みステップ（Ｓ１２）と、パリティビットを生成し、変更の内容を第１不揮発性バッファ領域にデータ毎に保存すると共に、保存先を示すアドレスを逐次変更する第１変更内容保存ステップ（Ｓ１３，Ｓ１４）と、第１不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、揮発性ユーザデータ領域のデータを第２不揮発性ユーザデータ領域にデータ毎に複製保存する第１複製保存ステップ（Ｓ１６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】印刷データのリード速度が低下することを抑制すると共に、リードエラーを回復可能な半導体不揮発性記憶素子を搭載した印刷装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】装置全般の制御を司る制御部２１０は、高い処理スピードが要求される処理動作を実行することを検知する。制御部２１０は、データを記憶すると共にデータのリード時にリフレッシュする機能を持つ記憶部制御部２２１を備えた記憶部２２０からデータをリードする時にリフレッシュ動作を停止させるためのリフレッシュ停止手段を備える。制御部２１０は、高い処理スピードが要求される処理動作の際にリフレッシュ動作を停止させた場合に、高い処理スピードが要求される処理動作の終了後にリフレッシュ動作を許可するためのリフレッシュ許可手段を備える。 （もっと読む）

【課題】画像処理装置に設けられた不揮発性メモリに対して、比較的に簡素な構成で適切にリフレッシュを行うことができるようにする。
【解決手段】画像処理装置は、自装置で用いられるデータを保存する不揮発性メモリと、自装置の動作状況を認識する認識手段１０１と、認識手段１０１が認識した動作状況をと、記憶部に予め記憶された自装置の動作状況ごとの温度変化を示す動作温度情報とを用いて、不揮発性メモリのリフレッシュの要否を判定する判定手段１０２と、リフレッシュが必要であると判定手段１０２が判定した場合、不揮発性メモリをリフレッシュするリフレッシュ手段１０３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリのデータ信頼性向上と読出アクセス時間の高速化及び安定化
【解決手段】不揮発性メモリに記憶されたデータについて、近い将来リフレッシュが必要となるか否か、つまりリフレッシュ機会が近接しているか否かを推測する。この推測にはアクセス時のビットエラー数などを記憶した評価用情報を用いる。そしてリフレッシュ機会が近接していると判定されるデータについて、そのデータをオリジナルデータとして、オリジナルデータと同一のクローンデータを、不揮発性メモリ内に生成する。その場合、アクセス実行の際にオリジナルデータとクローンデータのいずれか一方がアクセス対象となるように、管理情報を更新する。 （もっと読む）

【課題】アドレス管理用領域を確保しなくても、不揮発性メモリの書き換え回数を均一化して利用効率を高めることができる計測装置を提供することを目的とする。
【解決手段】単調増加または単調減少するカウンタデータを、上位桁データと中位桁データと下位桁データとに分割するデータ分割部１２１と、分割された中位桁データを、不揮発性メモリ１０３の第１の記憶領域に書き込むための第１アドレスを算出し、中位桁データと第２の記憶領域の数である配置数との剰余計算を行うことにより上位桁データ及び下位桁データを、不揮発性メモリ１０３の複数の第２の記憶領域のいずれかに書き込むための第２アドレスを算出するアドレス算出部１２２と、算出された第１アドレスに対応する第１の記憶領域に中位桁データを書き込み、算出された第２アドレスに対応する第２の記憶領域に、上位桁データ及び下位桁データを書き込むデータ書き込み部１２３とを備える。 （もっと読む）