半導体ディスク寿命監視装置
【課題】不揮発性の半導体ディスクの寿命を監視する半導体ディスク寿命監視装置を提供する。
【解決手段】半導体ディスク５−１〜５−Ｋの書込み制御を行うファイルシステム３と、当該ファイルシステム３と前記半導体ディスク５−１〜５−Ｋを接続するインタフェースドライバ４を備え、当該インタフェースドライバ４により書込みが行われる半導体ディスク５−１〜５−Ｋの寿命を予測する半導体ディスク寿命監視装置１であって、前記ファイルシステム３からの書込みを書込情報として測定する測定部７と、前記測定結果を累積し第１の保存データ３２として保存する保存部８と、前記保存した累積書込情報に基づいて、半導体ディスク５−１〜５−Ｋの寿命を予測する。
【解決手段】半導体ディスク５−１〜５−Ｋの書込み制御を行うファイルシステム３と、当該ファイルシステム３と前記半導体ディスク５−１〜５−Ｋを接続するインタフェースドライバ４を備え、当該インタフェースドライバ４により書込みが行われる半導体ディスク５−１〜５−Ｋの寿命を予測する半導体ディスク寿命監視装置１であって、前記ファイルシステム３からの書込みを書込情報として測定する測定部７と、前記測定結果を累積し第１の保存データ３２として保存する保存部８と、前記保存した累積書込情報に基づいて、半導体ディスク５−１〜５−Ｋの寿命を予測する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不揮発性の半導体ディスクの寿命を監視する半導体ディスク寿命監視装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータシステムの記憶装置として、高性能・高信頼性・低消費電力を実現するために、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に替えて半導体ディスク（ＳＳＤ）を使用するようになってきている。
【０００３】
ところが、半導体ディスクは、記憶素子として主にフラッシュメモリを使用しており、このフラッシュメモリの特性上、書換回数制限があり、制限を超えると急速にデータエラーレートが上昇する。
【０００４】
このため、半導体ディスク内部では各ブロックの書換回数を管理して、データを書き込むブロックを選択し各ブロックが書換回数制限を超えないように制御している。或いは、半導体ディスク内部で管理しているこれらの書換回数を半導体ディスク寿命監視装置にて取得し、コンピュータシステムの運用状況に応じて半導体ディスクの寿命を予測し、半導体ディスクの交換時期を把握できるようにしている。
【０００５】
例えば、半導体ディスクの寿命を予測するために、残代替ブロック数が規定値Ｍに減少したときに、半導体ディスクにおける残代替ブロック数と実績寿命情報（残代替ブロック数が規定値Ｍよりも１つ多いＭ＋１の期間における総ブロック書換回数、総装置稼動時間、実績寿命）を半導体ディスクジ寿命監視装置に送信し、実績寿命情報を用いて半導体ディスクの寿命を予測する技術はあった（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
或いは、予備領域の使用済と使用中のセクタ数の合計を予備領域の有効セクタ数で除算した使用率、未使用セクタへの代替を想定した書換可能回数、現時点までの各セクタへの書換回数から今後の各セクタの使用を予測した書換可能回数により半導体ディスクの寿命を予測する技術はあった（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−０７３３７８号公報
【特許文献２】特開２００９−２３０６６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来の半導体ディスク寿命監視装置では、コンピュータシステムにて取得可能な半導体ディスク内部で測定した書換（かきかえ）回数に基づいて寿命を予測しており、この書換回数は、コンピュータシステムからの書込（かきこみ）回数とは異なり一般に精度が低く、コンピュータシステムからの書込回数に基づいて半導体ディスクの寿命を高精度に予測することはできなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、前述の課題を解決するため次の構成を採用する。すなわち、ディスクコントローラにより書込みが行われる半導体ディスクの寿命を予測する半導体ディスク寿命監視装置において、前記ディスクコントローラからの出力を書込情報として測定する測定部と、前記測定結果を累積し第１の保存データとして保存する保存部と、前記保存した累積書込情報に基づいて、半導体ディスクの寿命を予測できるようにした。
【００１０】
或いはさらに別の発明では、運用される半導体ディスクと同種類の加速試験用半導体ディスクと、書込み速度を増加させる加速係数を設定する加速係数設定部を備え、前記書込情報は、前記ディスクコントローラからの運用される半導体ディスクへの書込みアドレスおよびサイズであって、前記測定部は、前記書込情報を測定し、前記保存部は、前記測定した測定結果をコマンド送出時刻とともに第２の保存データとして保存し、前記第２の保存データを用いて前記設定された加速係数に基づき書込み速度を増加させて前記加速試験用半導体ディスクに書き込んで半導体ディスクの寿命を予測できるようにした。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の半導体ディスク寿命監視装置によれば、以上のように構成したので、高精度に半導体ディスクの寿命を予測することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施例１の半導体ディスク寿命監視装置の構成図である。
【図２】実施例１の半導体ディスク寿命監視装置の測定データと保存データの説明図である。
【図３】実施例１の半導体ディスク寿命監視装置の動作フローチャート図である。
【図４】実施例１の想定されるフラッシュメモリの累積書換量の説明図である。
【図５】実施例２の半導体ディスク寿命監視装置の測定データおよび保存データの説明図である。
【図６】実施例２の半導体ディスク寿命監視装置の構成図である。
【図７】実施例２の半導体ディスク寿命監視装置の測定および保存の動作フローチャート図である。
【図８】実施例２の半導体ディスク寿命監視装置の加速試験の動作フローチャート図である。
【図９】実施例２の変形例の半導体ディスク寿命監視装置の加速試験装置の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明に係わる実施の形態例を、図面を用いて説明する。図面に共通する要素には同一の符号を付す。
【実施例１】
【００１４】
（構成）
図１に実施例１の半導体ディスク寿命監視装置の構成および係るシステム全体の構成図を示す。同図に示したように、実施例１の半導体ディスク寿命監視装置１は、ホスト１２と後述の通信路１１により接続され、また、インタフェースバス１３を介して１つまたは複数の半導体ディスク５と接続されたコンピュータシステム９から半導体ディスク５の寿命を予測するための詳細後述の個体情報１５、書込情報１６を取得できる構成となっている。
【００１５】
そして、コンピュータシステム９は、アプリケーションプログラム２、ディスクコントローラとしてのＯＳの一部であるファイルシステム３およびインタフェースドライバ４を備え、アプリケーションプログラム２は、ファイルシステム３、インタフェースドライバ４を経由して半導体ディスク５にアクセスする。
【００１６】
半導体ディスク寿命監視装置１は、詳細後述の個体情報取得部６、測定部７、保存部８、および通信部１０が備えられている。
【００１７】
測定部７は、ファイルシステム３とインタフェースドライバ４から半導体ディスク５のデータの書込みを書込情報１６として観測して書込回数や書込量の測定を行うとともに、測定した書込回数等のデータを集計して、後述する保存部８に保存データ３２として保存する機能を有する。
【００１８】
通信部１０は、保存部８に保存された保存データ３２をホスト１２に転送する機能を有し、ＬＡＮや専用回線等からなる通信路１１を介してホスト１２と通信する。
【００１９】
個体情報取得部６は、インタフェースドライバ４を経由して半導体ディスク５の個体情報１５を読み出し、通信部１０や保存部８に情報を伝達する。なお、個体情報１５は、半導体ディスク５が保持する半導体ディスク５のシリアルナンバーや書込回数などの情報からなる。
【００２０】
図２に、ファイルシステム３とインタフェースドライバ４間の書込情報１６を測定部７にて測定する測定データ３１と、保存する保存データ３２の構成を示す。なお、Ｋ個の半導体ディスク５が接続されている場合、測定データ３１と保存データ３２はＫセットの測定データ３１と保存データ３２から構成される。
【００２１】
測定データ３１の「書込回数」は、図２（ａ）備考に示したように、アプリケーションプログラム２がファイルシステム３、インタフェースドライバ４を介して半導体ディスク５に送出したライトコマンドの数である。
【００２２】
また、「書込量」は、アプリケーションプログラム２がファイルシステム３、インタフェースドライバ４を介して半導体ディスク５に送出したライトデータの量であり、「経過時間」は前回の測定から今回の測定までの経過時間である。
【００２３】
図２（ｂ）の保存データ３２は、測定した前述の「書込回数」、「書込量」、「経過時間」等のデータを集計し「累積書込回数Ｎａ」、「累積書込量Ｍａ」、「累積時間Ｔａ」として集計ごとに追加して記録される。
【００２４】
「記録日時」は集計して保存データ３２として記録する日時であり、「累積書込回数Ｎａ」は測定データ３１の「書込回数」を累積したライトコマンドの数である。
【００２５】
「累積書込量Ｍａ」は測定データ３１の「書込量」を累積したライトデータの量であり、「累積経過時間Ｔａ」は測定データ３１の「経過時間」を累積した経過時間である。
【００２６】
なお、「累積書込回数Ｎａ」は、後述する１つのライトコマンドあたりのサイズＳａを算出するのに使用する。これは、半導体ディスクへのライトコマンドのサイズＳａは、半導体ディスク内部のフラッシュメモリの書換単位Ｊａとは異なるため、フラッシュメモリの書換回数とは異なる。例えば、ライトコマンドのサイズＳａが２ＫＢ（バイト）でフラッシュメモリの書換単位Ｊａが４ＫＢの場合では、１つのライトコマンドあたりのフラッシュメモリの平均書換量は２倍となり、フラッシュメモリ間を跨って書換える頻度を考慮するとさらに多くなる。
【００２７】
（動作）
以上の構成により、実施例１の半導体ディスク寿命監視装置は以下のように動作する。この動作を図３の動作フローチャート図を用いて以下詳細に説明する。
【００２８】
まず、半導体ディスク５が交換されたかどうか確認するために、個別情報取得部６により半導体ディスク５の個体情報１５であるシリアルナンバーを取得する（ステップＳ１１）。
【００２９】
そして、取得したシリアルナンバーがこれまでのシリアルナンバーと異なる場合は（ステップＳ１２）、半導体ディスク５が交換されたと判断し、保存データ３２の「累積書込回数」、「累積書込量」および「累積時間」をクリアしたデータを追加して記録する（ステップＳ１３）。
【００３０】
次に、「書込回数」、「書込量」および「経過時間」の各測定項目の測定を開始する（ステップＳ１４）。なお、これらの測定項目の測定には、例えば、Ｗｉｎｄｏｗｓ系（「Ｗｉｎｄｏｗｓ」はＭｉｃｒｏｓｏｆｔ社の登録商標）のＯＳの場合、ＣＰＵ時間やメモリ使用量などの項目とともに、物理ドライブへのコマンド数やデータ量等を測定する機能が備わっており、それを使用すればよい。
【００３１】
すなわち、「書込回数」は「秒当たりの平均ライトコマンドの数」、「書込量」は「秒当たりの平均ライトデータ転送量」として測定することができる。これらの測定値は、半導体ディスク５への実際のアクセスを反映したものであり、半導体ディスク５の書込量等の測定に適したものである。この書込量等の測定結果に測定に要した経過時間を乗算すれば目的とする「書込回数」、「書込量」を求めることができる。また、「経過時間」の測定はタイマー等を備え、各測定における測定開始から終了までの経過時間を計測すればよい。
【００３２】
そして、測定を開始した後、所定の時間経過後（例えば、１時間経過後）またはコンピュータシステムの終了時に測定を終了し（ステップＳ１５、Ｓ１６）、「書込回数」、「書込量」および「経過時間」の各測定項目の測定値を取得する（ステップＳ１７）。
【００３３】
そして、保存データ３２のうちこれまでの最新の「累積書込回数」、「累積書込量」および「累積時間」を取得し（ステップＳ１８）、ステップＳ１７にて取得した「書込回数」、「書込量」および「経過時間」を加算して更新し、最新の値として保存データ３２に追加して記録する（ステップＳ１９）。
【００３４】
そして、コンピュータシステムが終了でない場合は、ステップＳ１１に戻り、同様に測定データ３１の測定および保存データ３２の記録を繰り返す（ステップＳ２０）。
【００３５】
以上のように保存された保存データ３２を、ホスト１２からのリクエストに応じて通信路１１を介してホスト１２に転送する。このとき、個体情報取得部６を経由して半導体ディスク５からのシリアルナンバーや書換回数情報を取得し、保存データ３２とともにホスト１２に転送するようにしてもよい。
【００３６】
ホスト１２では以上の保存データ３２の情報に基づいて半導体ディスクの寿命を推定し、予防交換などのメンテナンスのための情報として利用する。
【００３７】
以下に保存データ３２の情報に基づいて半導体ディスクの寿命を推定する一例を説明する。図４は、フラッシュメモリの書換単位Ｊａを例えば４ＫＢとした場合で、保存データ３２の累積書込量Ｍａを保存データ３２の累積書込回数Ｎａで除算して求められる平均のライトコマンドのサイズＳａを横軸とし、縦軸に所定の時間（Ｔａおよび２Ｔａ）経過したときの想定されるフラッシュメモリの累積書換量Ｆａを示した図である。
【００３８】
同図に示したように、領域Ｓ３のように、平均のライトコマンドのサイズＳａがフラッシュメモリの書換単位Ｊａよりも十分大きい場合は、想定されるフラッシュメモリの累積書換量Ｆａ（フラッシュメモリの書換単位Ｊａ×累積書込回数Ｎａ）は、フラッシュメモリ間を跨って書換えが行われる頻度が低いため、保存データ３２の累積書込量Ｍａとほぼ同じになる。
【００３９】
一方、領域Ｓ１のように、平均のライトコマンドのサイズＳａがフラッシュメモリの書換単位Ｊａよりも十分小さい場合は、想定されるフラッシュメモリの累積書換量Ｆａは、フラッシュメモリ間を跨って書換えが行われる頻度が高くなり累積書込回数Ｎａが増加するため、保存データ３２の累積書込量Ｍａよりも大きくなる。
【００４０】
また、領域Ｓ２のように、平均のライトコマンドのサイズＳａがフラッシュメモリの書換単位Ｊａ近傍の場合は、想定されるフラッシュメモリの累積書込量Ｆａは、ファイルシステムの構成等に依存するが、フラッシュメモリ間を跨って書換えが行われる頻度が１．５倍程度となるので、保存データ３２の累積書込量Ｍａの約１．５倍となる。
【００４１】
以上のように、平均のライトコマンドのサイズＳａを保存データ３２の累積書込量Ｍａおよび累積書込回数Ｎａから算出し、図４の特性に基づいてフラッシュメモリの累積書込量Ｆａを想定すれば、フラッシュディスクの寿命となるフラッシュディスクの最大書換量Ｆｍａｘおよび累積経過時間Ｔａからフラッシュディスクの寿命となる経過時間ＴｍａｘがＴｍａｘ＝Ｔａ×（Ｆｍａｘ／Ｆａ）として求められ、寿命までの残り時間ＴｅをＴｅ＝Ｔｍａｘ−Ｔａとして求めることができる。
【００４２】
以上の動作は半導体ディスク５が１個の場合について述べたが、複数の半導体ディスク５を搭載する場合は、半導体ディスク５の交換時の処理（ステップＳ１１〜Ｓ１３）、測定の開始（ステップＳ１４）、測定値の読出しや保存データ３２の追記（ステップＳ１７〜Ｓ１９）を各半導体ディスク５に対して実施する。
【００４３】
なお、以上の説明では、保存データ９をホスト１２に送出し、ホスト１２にて半導体ディスクの寿命を推定するように説明したが、半導体ディスク寿命監視装置１にて寿命を予測するようにしてもよい。
【００４４】
（実施例１の効果）
以上詳細に説明したように、実施例１の半導体ディスク寿命監視装置によれば、コンピュータシステムのファイルシステムからの出力を書込情報として測定する測定部と、前記測定結果を累積し第１の保存データとして保存する保存部を備え、前記保存した累積書込情報に基づいて半導体ディスクの寿命を予測できるようにしたので、高精度に半導体ディスクの寿命を予測できる。
【実施例２】
【００４５】
（構成）
ところで、実際の半導体ディスクの寿命は、半導体ディスク内部のキャッシュや書換アルゴリズムの影響を受け、同じ書込回数、書込量でもそのアドレス、保存データサイズの分布、ライトのタイミングにより変わる場合がある。
【００４６】
そこで、実施例２の半導体ディスク寿命監視装置では、運用される半導体ディスクと同種類の加速試験用半導体ディスクを設け、当該加速試験用半導体ディスクを用い、任意に設定される加速係数に応じて加速試験を行い、半導体ディスク内部のキャッシュ構成や書き換えアルゴリズムに沿った書込の様子を測定し、より先行した寿命推定を行い、さらに精度よく寿命予測できるようにしている。
【００４７】
実施例２の半導体ディスク寿命監視装置の測定データ４１および第２の保存データとしての保存データ４２の構成は、より詳細に書込の様子を取得するため、図５に示した構成となっており、各ライトコマンドの送出された「時刻」、「アドレス」、「サイズ」を全て測定して取得し、順次追加して保存する構成となっている。
【００４８】
なお、測定データ４１および保存データ４２は、実施例１と同様、半導体ディスク５がＫ個ある場合は、測定データ、保存データはＫセット必要となる。
【００４９】
すなわち、実施例２の半導体ディスク寿命監視装置は、加速試験に係る構成として、運用される半導体ディスク５−Ｋと同種類の加速試験用半導体ディスク（５−Ｋ＋１）と、加速係数αを設定する加速係数設定部２３と、上記のように測定され保存された保存データ４２を用いて半導体ディスク５に対して同様のコマンドを生成し加速係数αに応じて加速して書込みを行う加速試験部２１を設けている。
【００５０】
なお、加速試験用半導体ディスクは、新たに追加して設けるのはなく、通常備える半導体ディスクの一部を用いるようにしてもよい。その他の構成は、実施例１と同様であるので、簡略化のためにその詳細な説明は省略する。
【００５１】
（動作）
以上の構成により実施例２の半導体ディスク寿命監視装置は、以下のように動作する。この動作を、図７の実施例２の半導体ディスク寿命監視装置の測定および保存時の動作フローチャート図および図８の加速試験部２１の動作フローチャート図を用いて以下詳細に説明する。
【００５２】
最初に、図７を用いて実施例２の半導体ディスク寿命監視装置の測定および保存動作を以下説明する。まず、ライトコマンドの各値の測定を開始すると、この測定値を、順次、図５に示したように測定データ４１として取得する（ステップＳ３１）。この測定は、例えば、Ｗｉｎｄｏｗｓ系のＯＳの場合では、半導体ディスク５のインタフェースの物理動作を実行するポートドライバへのリクエストを専用のモニタツールを用いて測定すればよい。
【００５３】
そして、測定を開始した後、所定の時間経過後またはコンピュータシステムの終了時に測定を終了し（ステップＳ３２、Ｓ３３）、それまでに蓄えられた測定データ４１を保存データ４２に追記する（ステップＳ３４）。
【００５４】
そして、コンピュータシステムが終了でない場合（ステップＳ３５）は、ステップＳ３１に戻り、以下同様に測定を繰り返す。
【００５５】
なお、以上の動作は、半導体ディスク１個の場合の動作であり、複数の半導体ディスクがある場合は、ライトコマンドの測定（ステップＳ３１）や保存データ４２への追記（ステップＳ３４）は半導体ディスクの個数分実施する。
【００５６】
次に、図８の動作フローチャート図を用いて、加速試験部２１の動作を説明する。まず、保存データ４２のそれぞれの行の「時刻」より、前後の差分である「時間間隔」を計算して、「時刻」に替えて「時間間隔」を保存する（ステップＳ４１）。 そして、保存データ４２の行を表す変数「Ｘ」を「１」にセットし（ステップＳ４２）、「Ｘ」行の「アドレス」、「サイズ」よりライトコマンドを生成して、任意のライトデータを用いて半導体ディスク５に送出する（ステップＳ４３）。
【００５７】
ここで、「時間間隔」を加速係数αで割った時間のウェイトを行い（ステップＳ４４）、試験を終了する場合ではなく（ステップＳ４５）、変数「Ｘ」が保存データ４２の最終行でないときは（ステップＳ４６）、変数「Ｘ」を「＋１」し（ステップＳ４８）、ステップＳ４３に戻り、以降の動作を同様に行い、ライトコマンドの送出を繰り返す。
【００５８】
一方、ステップＳ４５にて試験を終了する場合は本処理を終了し（ステップＳ４５）、後述の寿命予測データ５１を通信部１０を介してホスト１２に送信する。ステップＳ４５にて試験を終了しない場合で、ステップＳ４６にて変数「Ｘ」が保存データ４２の最終行のときは、変数「Ｘ」を初期値「１」に設定し（ステップＳ４７）、ステップＳ４３に戻り、以降の動作を同様に行い、ライトコマンドの送出を繰り返す。
【００５９】
以上のように動作させることにより、例えば、コンピュータシステム９にて一連の運用動作を行い、その間の半導体ディスク５への詳細な書込情報を測定部７にて測定して保存部８に保存し、加速試験部２１により、保存した保存データ４２を用いて、設定された加速係数に基づいて加速試験を実施し寿命予測データ５１を得ることにより、先行した半導体ディスクの寿命予測を行うことができる。
【００６０】
寿命予測データ５１としては、例えば、上記加速試験の後、加速試験用半導体ディスク（５−Ｋ＋１）の書換回数を個体情報取得部６にて取得し、運用される半導体ディスク（５−１〜５−Ｋ）内部の書換回数が所定の書換回数になる時刻を加速して予測したり、上記加速試験の後の加速試験用半導体ディスク（５−Ｋ＋１）の予備領域のセクタ数を取得し取得した予備領域のセクタ数により、運用される半導体ディスク（５−１〜５−Ｋ）が寿命となる時刻を加速して予測したり、上記加速試験の後の加速試験用半導体ディスク（５−Ｋ＋１）のエラー率を取得し、取得したエラー率により運用される半導体ディスク（５−１〜５−Ｋ）が所定のエラー率以上となる時刻を加速して予測したりする。
【００６１】
（実施例２の変形例）
なお、以上の実施例の説明では、図６に示したように、加速試験に係る構成を半導体ディスク寿命監視装置１内に設ける構成として説明したが、図９の変形例として示したように、加速試験に係る構成を半導体ディスク寿命監視装置１とは別に設けるようにしてもよい。
【００６２】
すなわち、実施例２の加速試験部２１を加速試験装置１０１とし、これに加速試験用半導体ディスク１０５と加速係数設定部２３を接続し、半導体ディスク寿命監視装置１の保存部８に保存された保存データ４２を入力とする構成とする。
【００６３】
なお、測定時の構成は実施例１の構成と同様にし、測定データ４１と保存データ４２は実施例２と同様とする。
【００６４】
そして、加速試験装置１０１は、コンピュータシステム９にて一連の運用動作を行ったときの保存部８に保存された保存データを取得し、加速度設定部２３により設定された加速係数に基づいて加速して加速試験用半導体ディスク１０５に任意のデータとして書込み、寿命予測データ５１を得ることにより、半導体ディスク内部のキャッシュや書換アルゴリズムの影響も加味した寿命を高速に測定し、運用されるコンピュータシステムに対する最適なキャッシュや書換アルゴリズムを有する半導体ディスクを選定することができる。
【００６５】
（実施例２の効果）
以上詳細に説明したように、実施例２の半導体ディスク寿命監視装置によれば、運用される半導体ディスクと同種類の加速試験用半導体ディスクを設け、当該加速試験用半導体ディスクを用い、任意に設定可能な加速係数に応じて加速試験を行い、運用される半導体ディスク内部のキャッシュ構成や書き換えアルゴリズムに沿った書込の様子を加速して加速試験用半導体ディスクにて測定できるようにしたので、より先行した寿命推定を行うことができ、さらに精度よく寿命予測できる。
【００６６】
《その他の変形例》
以上の実施例の説明では、半導体ディスクの寿命を監視する装置として説明したが、書換回数制限のある記憶装置であればＵＳＢメモリやＳＤカードのような記憶装置にも適用することができる。また、それぞれの半導体ディスクを別々のデータ用ディスクとして使用する場合やＲＡＩＤとして半導体ディスクを組み合わせて使用している場合にも本発明を適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
以上述べたように、本発明は寿命の監視を要する不揮発性の半導体ディスクを記憶装置として用いる自動取引装置や情報処理装置などに広く用いることができる。
【符号の説明】
【００６８】
１ 半導体ディスク寿命監視装置
２ アプリケーションプログラム
３ ファイルシステム
４ インタフェースドライバ
５ 半導体ディスク
６ 個体情報取得部
７ 測定部
８ 保存部
１０ 通信部
１１ 通信路
１５ 個体情報
１６ 書込情報
２１ 加速試験部
２３ 加速係数設定部
３１、４１ 測定データ
３２、４２ 保存データ
５１ 寿命予測データ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不揮発性の半導体ディスクの寿命を監視する半導体ディスク寿命監視装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータシステムの記憶装置として、高性能・高信頼性・低消費電力を実現するために、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に替えて半導体ディスク（ＳＳＤ）を使用するようになってきている。
【０００３】
ところが、半導体ディスクは、記憶素子として主にフラッシュメモリを使用しており、このフラッシュメモリの特性上、書換回数制限があり、制限を超えると急速にデータエラーレートが上昇する。
【０００４】
このため、半導体ディスク内部では各ブロックの書換回数を管理して、データを書き込むブロックを選択し各ブロックが書換回数制限を超えないように制御している。或いは、半導体ディスク内部で管理しているこれらの書換回数を半導体ディスク寿命監視装置にて取得し、コンピュータシステムの運用状況に応じて半導体ディスクの寿命を予測し、半導体ディスクの交換時期を把握できるようにしている。
【０００５】
例えば、半導体ディスクの寿命を予測するために、残代替ブロック数が規定値Ｍに減少したときに、半導体ディスクにおける残代替ブロック数と実績寿命情報（残代替ブロック数が規定値Ｍよりも１つ多いＭ＋１の期間における総ブロック書換回数、総装置稼動時間、実績寿命）を半導体ディスクジ寿命監視装置に送信し、実績寿命情報を用いて半導体ディスクの寿命を予測する技術はあった（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
或いは、予備領域の使用済と使用中のセクタ数の合計を予備領域の有効セクタ数で除算した使用率、未使用セクタへの代替を想定した書換可能回数、現時点までの各セクタへの書換回数から今後の各セクタの使用を予測した書換可能回数により半導体ディスクの寿命を予測する技術はあった（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−０７３３７８号公報
【特許文献２】特開２００９−２３０６６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来の半導体ディスク寿命監視装置では、コンピュータシステムにて取得可能な半導体ディスク内部で測定した書換（かきかえ）回数に基づいて寿命を予測しており、この書換回数は、コンピュータシステムからの書込（かきこみ）回数とは異なり一般に精度が低く、コンピュータシステムからの書込回数に基づいて半導体ディスクの寿命を高精度に予測することはできなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、前述の課題を解決するため次の構成を採用する。すなわち、ディスクコントローラにより書込みが行われる半導体ディスクの寿命を予測する半導体ディスク寿命監視装置において、前記ディスクコントローラからの出力を書込情報として測定する測定部と、前記測定結果を累積し第１の保存データとして保存する保存部と、前記保存した累積書込情報に基づいて、半導体ディスクの寿命を予測できるようにした。
【００１０】
或いはさらに別の発明では、運用される半導体ディスクと同種類の加速試験用半導体ディスクと、書込み速度を増加させる加速係数を設定する加速係数設定部を備え、前記書込情報は、前記ディスクコントローラからの運用される半導体ディスクへの書込みアドレスおよびサイズであって、前記測定部は、前記書込情報を測定し、前記保存部は、前記測定した測定結果をコマンド送出時刻とともに第２の保存データとして保存し、前記第２の保存データを用いて前記設定された加速係数に基づき書込み速度を増加させて前記加速試験用半導体ディスクに書き込んで半導体ディスクの寿命を予測できるようにした。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の半導体ディスク寿命監視装置によれば、以上のように構成したので、高精度に半導体ディスクの寿命を予測することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施例１の半導体ディスク寿命監視装置の構成図である。
【図２】実施例１の半導体ディスク寿命監視装置の測定データと保存データの説明図である。
【図３】実施例１の半導体ディスク寿命監視装置の動作フローチャート図である。
【図４】実施例１の想定されるフラッシュメモリの累積書換量の説明図である。
【図５】実施例２の半導体ディスク寿命監視装置の測定データおよび保存データの説明図である。
【図６】実施例２の半導体ディスク寿命監視装置の構成図である。
【図７】実施例２の半導体ディスク寿命監視装置の測定および保存の動作フローチャート図である。
【図８】実施例２の半導体ディスク寿命監視装置の加速試験の動作フローチャート図である。
【図９】実施例２の変形例の半導体ディスク寿命監視装置の加速試験装置の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明に係わる実施の形態例を、図面を用いて説明する。図面に共通する要素には同一の符号を付す。
【実施例１】
【００１４】
（構成）
図１に実施例１の半導体ディスク寿命監視装置の構成および係るシステム全体の構成図を示す。同図に示したように、実施例１の半導体ディスク寿命監視装置１は、ホスト１２と後述の通信路１１により接続され、また、インタフェースバス１３を介して１つまたは複数の半導体ディスク５と接続されたコンピュータシステム９から半導体ディスク５の寿命を予測するための詳細後述の個体情報１５、書込情報１６を取得できる構成となっている。
【００１５】
そして、コンピュータシステム９は、アプリケーションプログラム２、ディスクコントローラとしてのＯＳの一部であるファイルシステム３およびインタフェースドライバ４を備え、アプリケーションプログラム２は、ファイルシステム３、インタフェースドライバ４を経由して半導体ディスク５にアクセスする。
【００１６】
半導体ディスク寿命監視装置１は、詳細後述の個体情報取得部６、測定部７、保存部８、および通信部１０が備えられている。
【００１７】
測定部７は、ファイルシステム３とインタフェースドライバ４から半導体ディスク５のデータの書込みを書込情報１６として観測して書込回数や書込量の測定を行うとともに、測定した書込回数等のデータを集計して、後述する保存部８に保存データ３２として保存する機能を有する。
【００１８】
通信部１０は、保存部８に保存された保存データ３２をホスト１２に転送する機能を有し、ＬＡＮや専用回線等からなる通信路１１を介してホスト１２と通信する。
【００１９】
個体情報取得部６は、インタフェースドライバ４を経由して半導体ディスク５の個体情報１５を読み出し、通信部１０や保存部８に情報を伝達する。なお、個体情報１５は、半導体ディスク５が保持する半導体ディスク５のシリアルナンバーや書込回数などの情報からなる。
【００２０】
図２に、ファイルシステム３とインタフェースドライバ４間の書込情報１６を測定部７にて測定する測定データ３１と、保存する保存データ３２の構成を示す。なお、Ｋ個の半導体ディスク５が接続されている場合、測定データ３１と保存データ３２はＫセットの測定データ３１と保存データ３２から構成される。
【００２１】
測定データ３１の「書込回数」は、図２（ａ）備考に示したように、アプリケーションプログラム２がファイルシステム３、インタフェースドライバ４を介して半導体ディスク５に送出したライトコマンドの数である。
【００２２】
また、「書込量」は、アプリケーションプログラム２がファイルシステム３、インタフェースドライバ４を介して半導体ディスク５に送出したライトデータの量であり、「経過時間」は前回の測定から今回の測定までの経過時間である。
【００２３】
図２（ｂ）の保存データ３２は、測定した前述の「書込回数」、「書込量」、「経過時間」等のデータを集計し「累積書込回数Ｎａ」、「累積書込量Ｍａ」、「累積時間Ｔａ」として集計ごとに追加して記録される。
【００２４】
「記録日時」は集計して保存データ３２として記録する日時であり、「累積書込回数Ｎａ」は測定データ３１の「書込回数」を累積したライトコマンドの数である。
【００２５】
「累積書込量Ｍａ」は測定データ３１の「書込量」を累積したライトデータの量であり、「累積経過時間Ｔａ」は測定データ３１の「経過時間」を累積した経過時間である。
【００２６】
なお、「累積書込回数Ｎａ」は、後述する１つのライトコマンドあたりのサイズＳａを算出するのに使用する。これは、半導体ディスクへのライトコマンドのサイズＳａは、半導体ディスク内部のフラッシュメモリの書換単位Ｊａとは異なるため、フラッシュメモリの書換回数とは異なる。例えば、ライトコマンドのサイズＳａが２ＫＢ（バイト）でフラッシュメモリの書換単位Ｊａが４ＫＢの場合では、１つのライトコマンドあたりのフラッシュメモリの平均書換量は２倍となり、フラッシュメモリ間を跨って書換える頻度を考慮するとさらに多くなる。
【００２７】
（動作）
以上の構成により、実施例１の半導体ディスク寿命監視装置は以下のように動作する。この動作を図３の動作フローチャート図を用いて以下詳細に説明する。
【００２８】
まず、半導体ディスク５が交換されたかどうか確認するために、個別情報取得部６により半導体ディスク５の個体情報１５であるシリアルナンバーを取得する（ステップＳ１１）。
【００２９】
そして、取得したシリアルナンバーがこれまでのシリアルナンバーと異なる場合は（ステップＳ１２）、半導体ディスク５が交換されたと判断し、保存データ３２の「累積書込回数」、「累積書込量」および「累積時間」をクリアしたデータを追加して記録する（ステップＳ１３）。
【００３０】
次に、「書込回数」、「書込量」および「経過時間」の各測定項目の測定を開始する（ステップＳ１４）。なお、これらの測定項目の測定には、例えば、Ｗｉｎｄｏｗｓ系（「Ｗｉｎｄｏｗｓ」はＭｉｃｒｏｓｏｆｔ社の登録商標）のＯＳの場合、ＣＰＵ時間やメモリ使用量などの項目とともに、物理ドライブへのコマンド数やデータ量等を測定する機能が備わっており、それを使用すればよい。
【００３１】
すなわち、「書込回数」は「秒当たりの平均ライトコマンドの数」、「書込量」は「秒当たりの平均ライトデータ転送量」として測定することができる。これらの測定値は、半導体ディスク５への実際のアクセスを反映したものであり、半導体ディスク５の書込量等の測定に適したものである。この書込量等の測定結果に測定に要した経過時間を乗算すれば目的とする「書込回数」、「書込量」を求めることができる。また、「経過時間」の測定はタイマー等を備え、各測定における測定開始から終了までの経過時間を計測すればよい。
【００３２】
そして、測定を開始した後、所定の時間経過後（例えば、１時間経過後）またはコンピュータシステムの終了時に測定を終了し（ステップＳ１５、Ｓ１６）、「書込回数」、「書込量」および「経過時間」の各測定項目の測定値を取得する（ステップＳ１７）。
【００３３】
そして、保存データ３２のうちこれまでの最新の「累積書込回数」、「累積書込量」および「累積時間」を取得し（ステップＳ１８）、ステップＳ１７にて取得した「書込回数」、「書込量」および「経過時間」を加算して更新し、最新の値として保存データ３２に追加して記録する（ステップＳ１９）。
【００３４】
そして、コンピュータシステムが終了でない場合は、ステップＳ１１に戻り、同様に測定データ３１の測定および保存データ３２の記録を繰り返す（ステップＳ２０）。
【００３５】
以上のように保存された保存データ３２を、ホスト１２からのリクエストに応じて通信路１１を介してホスト１２に転送する。このとき、個体情報取得部６を経由して半導体ディスク５からのシリアルナンバーや書換回数情報を取得し、保存データ３２とともにホスト１２に転送するようにしてもよい。
【００３６】
ホスト１２では以上の保存データ３２の情報に基づいて半導体ディスクの寿命を推定し、予防交換などのメンテナンスのための情報として利用する。
【００３７】
以下に保存データ３２の情報に基づいて半導体ディスクの寿命を推定する一例を説明する。図４は、フラッシュメモリの書換単位Ｊａを例えば４ＫＢとした場合で、保存データ３２の累積書込量Ｍａを保存データ３２の累積書込回数Ｎａで除算して求められる平均のライトコマンドのサイズＳａを横軸とし、縦軸に所定の時間（Ｔａおよび２Ｔａ）経過したときの想定されるフラッシュメモリの累積書換量Ｆａを示した図である。
【００３８】
同図に示したように、領域Ｓ３のように、平均のライトコマンドのサイズＳａがフラッシュメモリの書換単位Ｊａよりも十分大きい場合は、想定されるフラッシュメモリの累積書換量Ｆａ（フラッシュメモリの書換単位Ｊａ×累積書込回数Ｎａ）は、フラッシュメモリ間を跨って書換えが行われる頻度が低いため、保存データ３２の累積書込量Ｍａとほぼ同じになる。
【００３９】
一方、領域Ｓ１のように、平均のライトコマンドのサイズＳａがフラッシュメモリの書換単位Ｊａよりも十分小さい場合は、想定されるフラッシュメモリの累積書換量Ｆａは、フラッシュメモリ間を跨って書換えが行われる頻度が高くなり累積書込回数Ｎａが増加するため、保存データ３２の累積書込量Ｍａよりも大きくなる。
【００４０】
また、領域Ｓ２のように、平均のライトコマンドのサイズＳａがフラッシュメモリの書換単位Ｊａ近傍の場合は、想定されるフラッシュメモリの累積書込量Ｆａは、ファイルシステムの構成等に依存するが、フラッシュメモリ間を跨って書換えが行われる頻度が１．５倍程度となるので、保存データ３２の累積書込量Ｍａの約１．５倍となる。
【００４１】
以上のように、平均のライトコマンドのサイズＳａを保存データ３２の累積書込量Ｍａおよび累積書込回数Ｎａから算出し、図４の特性に基づいてフラッシュメモリの累積書込量Ｆａを想定すれば、フラッシュディスクの寿命となるフラッシュディスクの最大書換量Ｆｍａｘおよび累積経過時間Ｔａからフラッシュディスクの寿命となる経過時間ＴｍａｘがＴｍａｘ＝Ｔａ×（Ｆｍａｘ／Ｆａ）として求められ、寿命までの残り時間ＴｅをＴｅ＝Ｔｍａｘ−Ｔａとして求めることができる。
【００４２】
以上の動作は半導体ディスク５が１個の場合について述べたが、複数の半導体ディスク５を搭載する場合は、半導体ディスク５の交換時の処理（ステップＳ１１〜Ｓ１３）、測定の開始（ステップＳ１４）、測定値の読出しや保存データ３２の追記（ステップＳ１７〜Ｓ１９）を各半導体ディスク５に対して実施する。
【００４３】
なお、以上の説明では、保存データ９をホスト１２に送出し、ホスト１２にて半導体ディスクの寿命を推定するように説明したが、半導体ディスク寿命監視装置１にて寿命を予測するようにしてもよい。
【００４４】
（実施例１の効果）
以上詳細に説明したように、実施例１の半導体ディスク寿命監視装置によれば、コンピュータシステムのファイルシステムからの出力を書込情報として測定する測定部と、前記測定結果を累積し第１の保存データとして保存する保存部を備え、前記保存した累積書込情報に基づいて半導体ディスクの寿命を予測できるようにしたので、高精度に半導体ディスクの寿命を予測できる。
【実施例２】
【００４５】
（構成）
ところで、実際の半導体ディスクの寿命は、半導体ディスク内部のキャッシュや書換アルゴリズムの影響を受け、同じ書込回数、書込量でもそのアドレス、保存データサイズの分布、ライトのタイミングにより変わる場合がある。
【００４６】
そこで、実施例２の半導体ディスク寿命監視装置では、運用される半導体ディスクと同種類の加速試験用半導体ディスクを設け、当該加速試験用半導体ディスクを用い、任意に設定される加速係数に応じて加速試験を行い、半導体ディスク内部のキャッシュ構成や書き換えアルゴリズムに沿った書込の様子を測定し、より先行した寿命推定を行い、さらに精度よく寿命予測できるようにしている。
【００４７】
実施例２の半導体ディスク寿命監視装置の測定データ４１および第２の保存データとしての保存データ４２の構成は、より詳細に書込の様子を取得するため、図５に示した構成となっており、各ライトコマンドの送出された「時刻」、「アドレス」、「サイズ」を全て測定して取得し、順次追加して保存する構成となっている。
【００４８】
なお、測定データ４１および保存データ４２は、実施例１と同様、半導体ディスク５がＫ個ある場合は、測定データ、保存データはＫセット必要となる。
【００４９】
すなわち、実施例２の半導体ディスク寿命監視装置は、加速試験に係る構成として、運用される半導体ディスク５−Ｋと同種類の加速試験用半導体ディスク（５−Ｋ＋１）と、加速係数αを設定する加速係数設定部２３と、上記のように測定され保存された保存データ４２を用いて半導体ディスク５に対して同様のコマンドを生成し加速係数αに応じて加速して書込みを行う加速試験部２１を設けている。
【００５０】
なお、加速試験用半導体ディスクは、新たに追加して設けるのはなく、通常備える半導体ディスクの一部を用いるようにしてもよい。その他の構成は、実施例１と同様であるので、簡略化のためにその詳細な説明は省略する。
【００５１】
（動作）
以上の構成により実施例２の半導体ディスク寿命監視装置は、以下のように動作する。この動作を、図７の実施例２の半導体ディスク寿命監視装置の測定および保存時の動作フローチャート図および図８の加速試験部２１の動作フローチャート図を用いて以下詳細に説明する。
【００５２】
最初に、図７を用いて実施例２の半導体ディスク寿命監視装置の測定および保存動作を以下説明する。まず、ライトコマンドの各値の測定を開始すると、この測定値を、順次、図５に示したように測定データ４１として取得する（ステップＳ３１）。この測定は、例えば、Ｗｉｎｄｏｗｓ系のＯＳの場合では、半導体ディスク５のインタフェースの物理動作を実行するポートドライバへのリクエストを専用のモニタツールを用いて測定すればよい。
【００５３】
そして、測定を開始した後、所定の時間経過後またはコンピュータシステムの終了時に測定を終了し（ステップＳ３２、Ｓ３３）、それまでに蓄えられた測定データ４１を保存データ４２に追記する（ステップＳ３４）。
【００５４】
そして、コンピュータシステムが終了でない場合（ステップＳ３５）は、ステップＳ３１に戻り、以下同様に測定を繰り返す。
【００５５】
なお、以上の動作は、半導体ディスク１個の場合の動作であり、複数の半導体ディスクがある場合は、ライトコマンドの測定（ステップＳ３１）や保存データ４２への追記（ステップＳ３４）は半導体ディスクの個数分実施する。
【００５６】
次に、図８の動作フローチャート図を用いて、加速試験部２１の動作を説明する。まず、保存データ４２のそれぞれの行の「時刻」より、前後の差分である「時間間隔」を計算して、「時刻」に替えて「時間間隔」を保存する（ステップＳ４１）。 そして、保存データ４２の行を表す変数「Ｘ」を「１」にセットし（ステップＳ４２）、「Ｘ」行の「アドレス」、「サイズ」よりライトコマンドを生成して、任意のライトデータを用いて半導体ディスク５に送出する（ステップＳ４３）。
【００５７】
ここで、「時間間隔」を加速係数αで割った時間のウェイトを行い（ステップＳ４４）、試験を終了する場合ではなく（ステップＳ４５）、変数「Ｘ」が保存データ４２の最終行でないときは（ステップＳ４６）、変数「Ｘ」を「＋１」し（ステップＳ４８）、ステップＳ４３に戻り、以降の動作を同様に行い、ライトコマンドの送出を繰り返す。
【００５８】
一方、ステップＳ４５にて試験を終了する場合は本処理を終了し（ステップＳ４５）、後述の寿命予測データ５１を通信部１０を介してホスト１２に送信する。ステップＳ４５にて試験を終了しない場合で、ステップＳ４６にて変数「Ｘ」が保存データ４２の最終行のときは、変数「Ｘ」を初期値「１」に設定し（ステップＳ４７）、ステップＳ４３に戻り、以降の動作を同様に行い、ライトコマンドの送出を繰り返す。
【００５９】
以上のように動作させることにより、例えば、コンピュータシステム９にて一連の運用動作を行い、その間の半導体ディスク５への詳細な書込情報を測定部７にて測定して保存部８に保存し、加速試験部２１により、保存した保存データ４２を用いて、設定された加速係数に基づいて加速試験を実施し寿命予測データ５１を得ることにより、先行した半導体ディスクの寿命予測を行うことができる。
【００６０】
寿命予測データ５１としては、例えば、上記加速試験の後、加速試験用半導体ディスク（５−Ｋ＋１）の書換回数を個体情報取得部６にて取得し、運用される半導体ディスク（５−１〜５−Ｋ）内部の書換回数が所定の書換回数になる時刻を加速して予測したり、上記加速試験の後の加速試験用半導体ディスク（５−Ｋ＋１）の予備領域のセクタ数を取得し取得した予備領域のセクタ数により、運用される半導体ディスク（５−１〜５−Ｋ）が寿命となる時刻を加速して予測したり、上記加速試験の後の加速試験用半導体ディスク（５−Ｋ＋１）のエラー率を取得し、取得したエラー率により運用される半導体ディスク（５−１〜５−Ｋ）が所定のエラー率以上となる時刻を加速して予測したりする。
【００６１】
（実施例２の変形例）
なお、以上の実施例の説明では、図６に示したように、加速試験に係る構成を半導体ディスク寿命監視装置１内に設ける構成として説明したが、図９の変形例として示したように、加速試験に係る構成を半導体ディスク寿命監視装置１とは別に設けるようにしてもよい。
【００６２】
すなわち、実施例２の加速試験部２１を加速試験装置１０１とし、これに加速試験用半導体ディスク１０５と加速係数設定部２３を接続し、半導体ディスク寿命監視装置１の保存部８に保存された保存データ４２を入力とする構成とする。
【００６３】
なお、測定時の構成は実施例１の構成と同様にし、測定データ４１と保存データ４２は実施例２と同様とする。
【００６４】
そして、加速試験装置１０１は、コンピュータシステム９にて一連の運用動作を行ったときの保存部８に保存された保存データを取得し、加速度設定部２３により設定された加速係数に基づいて加速して加速試験用半導体ディスク１０５に任意のデータとして書込み、寿命予測データ５１を得ることにより、半導体ディスク内部のキャッシュや書換アルゴリズムの影響も加味した寿命を高速に測定し、運用されるコンピュータシステムに対する最適なキャッシュや書換アルゴリズムを有する半導体ディスクを選定することができる。
【００６５】
（実施例２の効果）
以上詳細に説明したように、実施例２の半導体ディスク寿命監視装置によれば、運用される半導体ディスクと同種類の加速試験用半導体ディスクを設け、当該加速試験用半導体ディスクを用い、任意に設定可能な加速係数に応じて加速試験を行い、運用される半導体ディスク内部のキャッシュ構成や書き換えアルゴリズムに沿った書込の様子を加速して加速試験用半導体ディスクにて測定できるようにしたので、より先行した寿命推定を行うことができ、さらに精度よく寿命予測できる。
【００６６】
《その他の変形例》
以上の実施例の説明では、半導体ディスクの寿命を監視する装置として説明したが、書換回数制限のある記憶装置であればＵＳＢメモリやＳＤカードのような記憶装置にも適用することができる。また、それぞれの半導体ディスクを別々のデータ用ディスクとして使用する場合やＲＡＩＤとして半導体ディスクを組み合わせて使用している場合にも本発明を適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
以上述べたように、本発明は寿命の監視を要する不揮発性の半導体ディスクを記憶装置として用いる自動取引装置や情報処理装置などに広く用いることができる。
【符号の説明】
【００６８】
１ 半導体ディスク寿命監視装置
２ アプリケーションプログラム
３ ファイルシステム
４ インタフェースドライバ
５ 半導体ディスク
６ 個体情報取得部
７ 測定部
８ 保存部
１０ 通信部
１１ 通信路
１５ 個体情報
１６ 書込情報
２１ 加速試験部
２３ 加速係数設定部
３１、４１ 測定データ
３２、４２ 保存データ
５１ 寿命予測データ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスクコントローラにより書込みが行われる半導体ディスクの寿命を予測する半導体ディスク寿命監視装置において、
前記ディスクコントローラからの出力を書込情報として測定する測定部と、
前記測定結果を累積し第１の保存データとして保存する保存部と、
前記保存した累積書込情報に基づいて、半導体ディスクの寿命を予測できるようにしたことを特徴とする半導体ディスク寿命監視装置。
【請求項２】
前記ディスクコントローラは、半導体ディスクの書込み制御を行うファイルシステムと、当該ファイルシステムと前記半導体ディスクを接続するインタフェースドライバと、を備え、当該インタフェースドライバにより半導体ディスクに書込みを行う制御部であって、
前記書込情報は、前記ファイルシステムからの出力としたことを特徴とする請求項１記載の半導体ディスク寿命監視装置。
【請求項３】
前記累積書込情報をホストへ送信する通信部を備え、
ホストにて半導体ディスクの寿命を予測できるようにしたことを特徴とする請求項１記載の半導体ディスク寿命監視装置。
【請求項４】
前記書込情報は、書込回数、書込量および経過時間であって、
前記累積書込情報は、累積書込回数、累積書込量および累積経過時間としたことを特徴とする請求項１記載の半導体ディスク寿命監視装置。
【請求項５】
前記半導体ディスクは複数で成し、各半導体ディスクの個体情報を取得する個体情報取得手段を設け、
前記個体情報に基づいて半導体ディスクが変更されたことを検出したときは、当該半導体ディスクの前記累積書込情報をクリアするようにしたことを特徴とする請求項１記載の半導体ディスク寿命監視装置。
【請求項６】
運用される半導体ディスクと同種類の加速試験用半導体ディスクと、
書込み速度を増加させる加速係数を設定する加速係数設定部を備え、
前記書込情報は、前記ファイルシステムから運用される半導体ディスクへの書込みアドレスおよびサイズであって、
前記測定部は、前記書込情報を測定し、
前記保存部は、前記測定した測定結果をコマンド送出時刻とともに第２の保存データとして保存し、
前記第２の保存データを用いて前記設定された加速係数に基づき書込み速度を増加させて前記加速試験用半導体ディスクに書き込むようにしたことを特徴とする請求項１記載の半導体ディスク寿命監視装置。
【請求項１】
ディスクコントローラにより書込みが行われる半導体ディスクの寿命を予測する半導体ディスク寿命監視装置において、
前記ディスクコントローラからの出力を書込情報として測定する測定部と、
前記測定結果を累積し第１の保存データとして保存する保存部と、
前記保存した累積書込情報に基づいて、半導体ディスクの寿命を予測できるようにしたことを特徴とする半導体ディスク寿命監視装置。
【請求項２】
前記ディスクコントローラは、半導体ディスクの書込み制御を行うファイルシステムと、当該ファイルシステムと前記半導体ディスクを接続するインタフェースドライバと、を備え、当該インタフェースドライバにより半導体ディスクに書込みを行う制御部であって、
前記書込情報は、前記ファイルシステムからの出力としたことを特徴とする請求項１記載の半導体ディスク寿命監視装置。
【請求項３】
前記累積書込情報をホストへ送信する通信部を備え、
ホストにて半導体ディスクの寿命を予測できるようにしたことを特徴とする請求項１記載の半導体ディスク寿命監視装置。
【請求項４】
前記書込情報は、書込回数、書込量および経過時間であって、
前記累積書込情報は、累積書込回数、累積書込量および累積経過時間としたことを特徴とする請求項１記載の半導体ディスク寿命監視装置。
【請求項５】
前記半導体ディスクは複数で成し、各半導体ディスクの個体情報を取得する個体情報取得手段を設け、
前記個体情報に基づいて半導体ディスクが変更されたことを検出したときは、当該半導体ディスクの前記累積書込情報をクリアするようにしたことを特徴とする請求項１記載の半導体ディスク寿命監視装置。
【請求項６】
運用される半導体ディスクと同種類の加速試験用半導体ディスクと、
書込み速度を増加させる加速係数を設定する加速係数設定部を備え、
前記書込情報は、前記ファイルシステムから運用される半導体ディスクへの書込みアドレスおよびサイズであって、
前記測定部は、前記書込情報を測定し、
前記保存部は、前記測定した測定結果をコマンド送出時刻とともに第２の保存データとして保存し、
前記第２の保存データを用いて前記設定された加速係数に基づき書込み速度を増加させて前記加速試験用半導体ディスクに書き込むようにしたことを特徴とする請求項１記載の半導体ディスク寿命監視装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１３−９７５７５（Ｐ２０１３−９７５７５Ａ）
【公開日】平成２５年５月２０日（２０１３．５．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２３９７６０（Ｐ２０１１−２３９７６０）
【出願日】平成２３年１０月３１日（２０１１．１０．３１）
【出願人】（００００００２９５）沖電気工業株式会社 (6,645)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月２０日（２０１３．５．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月３１日（２０１１．１０．３１）
【出願人】（００００００２９５）沖電気工業株式会社 (6,645)
【Ｆターム（参考）】
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