【課題】
本発明は、ストレージシステム内の複数の物理記憶デバイスから得られる評価値を、物理的な位置関係で関連づけて、状態の異変を顕在化して検知する。
【解決手段】
入出力ユニット１０１、制御・演算ユニット１０２、一次記憶ユニット１０３、二次記憶ユニット１０４ａ、１０４ｂ、バス１０５を有するストレージシステムにおいて、物理的に近接する複数の物理記憶デバイスの組合せを定義し、組合せ定義に基づいて、グループ内の物理記憶デバイスの評価値の平均の分散と組合せサイズを乗算した指標により、ストレージシステム内の状態の異変を顕在化して通知する。 （もっと読む）

【課題】仮想アドレスを物理アドレスに変換するメモリ管理装置が正常に動作しているか否かを確認可能とする。
【解決手段】情報処理装置１は、メモリ１１と、メモリ１１の物理アドレス又はそれに対応する仮想アドレスを指定することで、メモリ１１の物理アドレスに対してデータの読み出し又は書き込みを行うためのシステムプログラムと、システムプログラムを実行するプロセッサ１０と、プロセッサ１０からのメモリ１１に対する仮想アドレスを指定した読み出し及び書き込みにおいて、仮想アドレスを物理アドレスに変換するメモリ管理装置１４を備える。プロセッサ１０は、システムプログラムによって、物理アドレスを指定してデータの書き込みを実施した後、その物理アドレスに対応する仮想アドレスを指定してデータの読み出しを実施して、書き込んだデータと、読み出したデータが一致するか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリ（「ＮＶＭ」）の正常性情報を取得して使用するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】正常性情報は、ＮＶＭの一部で検出されたエラー数、又は不揮発性メモリの一部から読み取りを行うために又はこのメモリの一部をプログラムするために必要な時間量などの、ＮＶＭ装置の一部の性能及び信頼性に関連する様々な情報を含むことができる。動作中、ホスト装置上にアドレス固有の正常性情報を受動的に記憶し、コマンドの一部としてメモリコントローラに提供することができる。メモリコントローラは、このコマンドから正常性情報を抽出し、この情報を使用してアクセス要求を実行することができる。アクセス要求の完了後、メモリコントローラは正常性情報を更新し、この情報をホスト装置へ返送することができる。 （もっと読む）

【課題】不揮発性の半導体ディスクの寿命を監視する半導体ディスク寿命監視装置を提供する。
【解決手段】半導体ディスク５−１〜５−Ｋの書込み制御を行うファイルシステム３と、当該ファイルシステム３と前記半導体ディスク５−１〜５−Ｋを接続するインタフェースドライバ４を備え、当該インタフェースドライバ４により書込みが行われる半導体ディスク５−１〜５−Ｋの寿命を予測する半導体ディスク寿命監視装置１であって、前記ファイルシステム３からの書込みを書込情報として測定する測定部７と、前記測定結果を累積し第１の保存データ３２として保存する保存部８と、前記保存した累積書込情報に基づいて、半導体ディスク５−１〜５−Ｋの寿命を予測する。 （もっと読む）

【課題】データページの読み込み時間の短縮を可能にするメモリシステムを提供する。
【解決手段】記憶装置は、所定の数のビットからなるデータページ１０２を複数有する不揮発性メモリ１００と、ビットの状態出力を要求するコントローラ１１０とを有し、不揮発性メモリ１００は、ビットの状態出力の要求を受けた際に、ビットの論理値を検査する論理回路１０３を有し、ビットが全て書き込み可または書き込み不可を示す論理値をコントローラに出力する。 （もっと読む）

【課題】省エネ復帰時間を短縮しながらハングアップすることなく確実に復帰させることを目的とする。
【解決手段】省エネモード中の電源を監視して（１００）、閾値以上の電圧が検出された場合には、省エネ復帰から通常復帰に切り換えて、メモリに記憶された展開情報を利用せずに、メモリを初期化して新たに情報を展開して復帰する通常復帰が行われるように制御し（１０４〜１１２）、閾値以上の電圧が検出されない場合にはメモリに記憶された展開情報を利用する省エネ復帰が行われるように制御する（１０４）。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリの記憶領域に故障が発生しても、情報の蓄積に支障がないようにする。
【解決手段】イグニッションスイッチがＯＦＦになったことを契機として、不揮発性メモリに故障情報を書き込むときに、故障が発生していない記憶領域を選定し（Ｓ１）、記憶領域の全領域に消去データを書き込み（Ｓ２，Ｓ３）、消去データの確認により消去できたか否かを判定する（Ｓ４，Ｓ５）。記憶領域が消去できなかった場合、故障が発生していない他の記憶領域に素子異常情報を書き込む（Ｓ１６）。また、イグニッションスイッチがＯＮになったことを契機として、不揮発性メモリから故障情報を読み込むときに、チェックサムを利用して異常を検知し、故障が発生していない他の記憶領域に素子異常情報を書き込む。そして、素子異常情報を計数した計数値が所定の閾値以上である記憶領域は、故障が発生していると判定し、その使用を禁止する。 （もっと読む）

【課題】アクセス数の少ないメモリモジュールへのアクセス頻度に拘らず、エラーが発生したメモリモジュールに対してメモリチェックを行い、メモリモジュールの故障を早期に発見する。
【解決手段】コンピュータ１００は、エラー検出部１１０、ログ収集部１２０、診断部１３０、メモリチェック部１４０、障害処理部１５０、及び障害ログ情報格納部１６０を備え、メモリチェック部１４０は、診断機能によって特定されたメモリエラーが発生した位置に対してメモリチェックを行い、メモリアクセスを行い、メモリエラーが発生するかどうかの確認を行う。 （もっと読む）

【課題】障害の確率を利用したフラッシュメモリのデータ管理を提供する。
【解決手段】障害を誘発する動作に対するシステムの感度およびそのシステムによって実行される障害誘発動作の履歴を用いるフラッシュメモリシステムとデータ管理の方法が開示される。本発明のある実施形態において、障害誘発動作に対する感度は障害強度マトリクスに表され、このマトリクスには、選択された動作に、その動作がデータエラーの原因となる電荷の障害を引き起こす相対的な強度の推測である数値が関連付けられている。障害強度マトリクスにはまた、電荷の注入または消失のいずれかを示すエラーの方向も含むべきである。障害強度マトリクスは、デバイスがセルフテストを実行し、その中では、検出可能な変化が発生するまで選択された動作を実行することによって、測定された分散値の変化を起こすようにすることによっても決定できる。 （もっと読む）

【課題】障害の確率を利用したフラッシュメモリのデータ管理を提供する。
【解決手段】障害を誘発する動作に対するシステムの感度およびそのシステムによって実行される障害誘発動作の履歴を用いるフラッシュメモリシステムとデータ管理の方法が開示される。本発明のある実施形態において、障害誘発動作に対する感度は障害強度マトリクスに表され、このマトリクスには、選択された動作に、その動作がデータエラーの原因となる電荷の障害を引き起こす相対的な強度の推測である数値が関連付けられている。障害強度マトリクスにはまた、電荷の注入または消失のいずれかを示すエラーの方向も含むことができる。障害強度マトリクスは、デバイスがセルフテストを実行し、その中では、検出可能なエラーが発生するまで選択された動作を実行することによって、測定された障害誘発エラーを起こすようにすることによっても決定できる。 （もっと読む）

【課題】障害箇所の特定を最適化する可能な障害処理装置を提供する。
【解決手段】情報処理装置は、検出訂正部３と、障害ログ制御部５と、診断制御部４と、診断部６と、管理制御部８とを具備する。検出訂正部３は、メモリ１から読み出されたデータのエラーを検出・訂正し、エラー情報を出力する。障害ログ制御部５は、エラー情報を、複数の障害発生要因の各々毎に、障害ログ情報として管理する。診断制御部４は、障害ログ情報を参照して、複数の障害発生要因のいずれかでのエラーの発生回数が閾値に達したとき、障害通知を出力する。診断部６は、障害通知に応答して、発生回数が前記閾値に達するまでの障害ログ情報を障害ログ制御部５から取得する。 （もっと読む）

【課題】 メモリの動作に影響する環境の変化より設定されているパラメータが適合しなくなり、再設定が必要となるタイミングでメモリパラメータの自動設定を実施可能として、継続的に最適な動作状態を保証すること。
【解決手段】 省エネ期間でもジョブの有無を確認する手順（Ｓ２０３）に合わせて、メモリの動作に影響する環境の変化（メモリの周囲温度、メモリの作動回路への供給電圧、省エネ遷移からの経過時間など）を捉えるために画像処理装置の動作状態を監視し、監視結果をもとに、設定されたメモリパラメータの妥当性の有無を判定し（Ｓ２０６）、この判定により妥当性が否定される場合に、再設定を実行する（Ｓ２０７）。本発明によると、予め定められた一定期間毎に再設定を行う従来法のように必要な状況で再設定を行わない場合が生じることがなく、常時最適な動作状態を保証することができる。 （もっと読む）

【課題】 ソフトエラー検出の信頼性を確保しつつ、メモリオーバヘッドを抑制するとともに実行時間増を抑制し、さらにプログラムに対するハードウェアの互換性を有するソフトエラー検出回路およびソフトエラー検出方法を提供する。
【解決手段】 プログラム実行中のプログラムカウンタ値および命令から所定のパスを検出するパス検出手段３と、パスの開始から終了までに対応する制御信号系列の圧縮値を生成するシグネチャ生成手段５と、シグネチャ生成手段により生成された圧縮値を登録するシグネチャ登録手段４と、同一パスについて生成された最新の圧縮値を先行して登録された圧縮値と比較する比較手段３とを備える。 （もっと読む）

【課題】ストレージに寿命等によるエラーが生じても、運用上最小限必要な機能で動作できるPOSシステムを提供する。
【解決手段】起動後に通常プログラムに基づく処理または非常プログラムに基づく処理を選択的に実行する制御部と、前記通常プログラムを格納し、読み書き可能な第１格納部と、前記非常プログラムを予め格納する第２格納部と、前記第１格納部に対する読み書きの異常を検出する異常検出部とを備え、前記制御部は、前記第１格納部から通常プログラムを逐次読み出して第１格納部へのアクセスを伴う処理を実行し、前記第１格納部に対する読み書きの異常が前記異常検出部により検出された場合、再起動により非常プログラムに基づく処理の実行に切換え、前記非常プログラムは、前記制御部が通常プログラムの機能の一部のみを処理しかつ第１格納部へのアクセスを伴わずにその処理を実行するPOS端末装置。 （もっと読む）

【課題】不揮発性半導体メモリの寿命の長期化を図る。
【解決手段】本発明の一態様に係る情報処理装置３３は、第１の半導体メモリと、第１の半導体メモリよりもアクセス可能上限回数の小さい不揮発性の第２の半導体メモリとのうちの少なくとも一方に記憶されるデータの特性に基づいて生成され、当該データの配置領域を決定するヒントとなる配置ヒント情報３６ｂと、データ識別情報３６ａとを関連付けたプロファイル情報３６を記憶する記憶部３３ｃと、装置１００Ａから、データ識別情報３６ａを含むダウンロード要求を受信する受信部３３ａと、ダウンロード要求が受信された場合に、ダウンロード要求に含まれているデータ識別情報に基づいて、記憶部３３ｃからプロファイル情報３６を読み出す管理部３３ｂと、読みされたプロファイル情報３６を、ダウンロード要求の発信元の装置１００Ａに送信する送信部３３ａとを具備する。 （もっと読む）

【課題】セルフリフレッシュ機能を有するメモリを制御するメモリ制御装置において、電源電圧が低下した場合でも、メモリの記憶内容を正確に保持すること。
【解決手段】＋２４Ｖの電源電圧が低下すると、検出信号ｓｄｂｋｕｐｎがＨＩＧＨとなり（１）、それに応じてリブート信号ｒｅｑ＿ｒｅｂｏｏｔがＨＩＧＨとなる（２）。すると、信号ｓｅｌｆ＿ｒｅｆｌｅｓｈがＨＩＧＨとなり（３）、ＳＤＲＡＭコントローラ３３を介してＳＤＲＡＭ９にセルフリフレッシュ動作が指示される。また、リブート信号ｒｅｑ＿ｒｅｂｏｏｔに応じて信号ｒｅｂｏｏｔ＿ｏｕｔｐｕｔ＿ｎもＬＯＷとなる（４）。すると、信号ｂ＿ｗａｔｃｈ＿ｉｎ＿ｎ，信号ｒｓｔ＿ｒｓｔｃｔｌ＿ｎ，信号ｒｓｔ＿ｃｐｕ＿ｎが順次ＬＯＷとなって、監視ブロック３５，リセットコントローラ３７，ＣＰＵ３１が順次リセットされる。 （もっと読む）

【課題】アプリケーションプログラムで扱われるデータを効率的に保護することができ、且つアプリケーションプログラムの動作性、応答性を効果的に向上し得る携帯端末を提供する。
【解決手段】携帯端末１は、不揮発性メモリと、規定条件成立時に不揮発メモリに保護すべきデータを保存するデータ保護手段と、アプリケーションプログラムを記憶するプログラム記憶手段と、アプリケーションプログラムを実行する実行手段とを備えている。更に、アプリケーションプログラムの内容及び状態の少なくともいずれかを、決められた項目毎に評価し、項目毎に安定度算出に反映させるべき評価値を決定する評価値決定手段と、その決定された項目毎の評価値に基づいて、アプリケーションプログラムの安定度を算出する安定度算出手段と、その算出された安定度に基づいて、データ保護手段を有効状態及び無効状態のいずれかに設定する設定手段とを備えている。 （もっと読む）

【課題】プログラマブルロジックデバイスにおけるコンフィギュレーションデータのエラーを確実に検出すること。
【解決手段】 論理モジュールを構築する複数のコンフィギュレーションデータのＣＲＣエラーを検出するＣＲＣチェッカを備えたプログラマブルロジックデバイスを有し、プロセス制御における制御対象を制御するコントローラにおいて、定期的に前記複数のコンフィギュレーションデータの擬似エラーを生成してエラー検出状態を作り出し、前記ＣＲＣチェッカが前記擬似エラー以外のエラーを検出すると前記論理モジュールのリセット要求信号を出力するとともに前記プログラマブルロジックデバイスへのアクセスを停止する演算制御手段と、前記演算制御手段と前記プログラマブルロジックデバイスとのアクセスが停止すると前記論理モジュールのリセット要求信号を出力する第１のウォッチドッグタイマを、備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】使用領域を低減させつつ、リードディスターブを抑制させるメモリシステムを提供すること。
【解決手段】メモリセルが直列接続されたストリングを備え、異なる前記ストリングに属する前記メモリセルの集合であるページＰＧ単位でデータの書き込み及び読み出しを行い、前記ストリングの集合であるブロックＢＬＫ単位でデータを消去するメモリ６と、前記メモリ６を制御するコントローラ７を具備し、前記コントローラ７は、前記ブロックの集合であるゾーンＺｏｎｅ毎に検査対象ページＰＧに関するテーブル２５を保持可能な保持部１４と、読み出し対象ページを含む前記ゾーンについての前記検査対象ページにつき誤読み出しの発生率を計算し、予め定められた閾値を該発生率が超える場合、該検査対象ページのデータを、いずれか別の前記ブロックに書込むよう、前記メモリ６に命令する制御部１２とを備える （もっと読む）

【課題】基板の比較的高温になる領域の温度を測定することができる情報処理装置を提供する。
【解決手段】情報処理装置１は、筐体４と、筐体４に収容され、第１の辺部と、この第１の辺部とは反対側に位置する第２の辺部とを有した基板１００と、基板１００に設けられ、第１の辺部の中央部分に位置するコネクタ１０２と、基板１００上に設けられた複数のメモリ１０４と、コネクタ１０２と第２の辺部との間であって複数のメモリ１０４のうち１つのメモリ１０４の近傍に設けられた温度センサ１０１と、基板１００の温度センサ１０１の近傍に設けられ、温度センサ１０１により検出された温度に基づいて、複数のメモリ１０４に格納されたデータのアクセスを制御する制御部（メモリコントローラ）１０３とを備える。 （もっと読む）