記録媒体、光伝送モジュール、データ保存方法及びメモリ管理装置
【課題】不揮発メモリへ書き込み中に電源等が断たれた場合であっても、より最新のデータ情報を利用可能な記録媒体を提供する。
【解決手段】データ保存方法は、書込み要求されたデータと揮発性ユーザデータ領域のアドレスのデータとを比較し、データの変更があるか否かを判定するデータ変更判定ステップ（Ｓ１１）と、データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合に、揮発性ユーザデータ領域の対応するアドレスに書込みを行う揮発性領域書込みステップ（Ｓ１２）と、パリティビットを生成し、変更の内容を第１不揮発性バッファ領域にデータ毎に保存すると共に、保存先を示すアドレスを逐次変更する第１変更内容保存ステップ（Ｓ１３，Ｓ１４）と、第１不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、揮発性ユーザデータ領域のデータを第２不揮発性ユーザデータ領域にデータ毎に複製保存する第１複製保存ステップ（Ｓ１６）と、を備える。
【解決手段】データ保存方法は、書込み要求されたデータと揮発性ユーザデータ領域のアドレスのデータとを比較し、データの変更があるか否かを判定するデータ変更判定ステップ（Ｓ１１）と、データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合に、揮発性ユーザデータ領域の対応するアドレスに書込みを行う揮発性領域書込みステップ（Ｓ１２）と、パリティビットを生成し、変更の内容を第１不揮発性バッファ領域にデータ毎に保存すると共に、保存先を示すアドレスを逐次変更する第１変更内容保存ステップ（Ｓ１３，Ｓ１４）と、第１不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、揮発性ユーザデータ領域のデータを第２不揮発性ユーザデータ領域にデータ毎に複製保存する第１複製保存ステップ（Ｓ１６）と、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録媒体、光伝送モジュール、データ保存方法及びメモリ管理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
外部からデータ保存処理が可能な機能を有する光伝送モジュール等の不揮発性メモリを使用する装置においては、不揮発性メモリへのデータ保存中に装置又は不揮発性メモリの電源が瞬停電された際、データが消去、または破壊されないように内部に電源電圧保持回路が必要であるが、価格や実装スペースの制約により電源電圧保持回路が搭載できない場合がある。この場合、マイクロプロセッサや不揮発メモリを使用してこれを回避することがある。例えば、下記の特許文献１にはマイクロプロセッサを使用しファームウェアのデータ破壊を防ぐ技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−００４６０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、不揮発メモリの種類によっては決められたセクタ領域が大きく、書き込みに不必要なセクタ領域全てを消去しデータを書き込む必要がある。この場合、データ書き込みに不必要な領域も消去し、データ情報を書き込む必要があり、データ情報の書き込み回数によっては不揮発性メモリの上書きの上限回数に達する可能性が高い。また、セクタ領域が大きいと消去または書き込み処理時間が長くなり、光信号の送受信を行う送受信制御部の動作に影響を及ぼす可能性がある。
【０００５】
本発明は上述の事情に鑑みてされたものであり、不揮発メモリへ書き込み中に電源等が断たれた場合であっても、より最新のデータ情報を利用可能とすると共に、不揮発メモリへの保存回数の制約のリスクを低減させる記録媒体、光伝送モジュール、データ保存方法及びメモリ管理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の記録媒体は、書込み要求されたデータと、前記書込み要求されたアドレスに対応する揮発性メモリの領域である揮発性ユーザデータ領域のアドレスのデータとを比較し、データの変更があるか否かを判定するデータ変更判定ステップと、前記データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合に、前記揮発性ユーザデータ領域の前記対応するアドレスに書込みを行う揮発性領域書込みステップと、前記データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合に、前記変更するデータとアドレスを関連付けたパリティビットを生成し、前記変更の内容を、不揮発性メモリの領域である第１不揮発性ユーザデータ領域及び第１不揮発性バッファ領域のうち、前記第１不揮発性バッファ領域にデータ毎に保存すると共に、前記変更の内容の保存先を示すアドレスを逐次変更する第１変更内容保存ステップと、前記第１不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、前記揮発性ユーザデータ領域のデータを不揮発性メモリの領域である第２不揮発性ユーザデータ領域にパリティビットを使用し、データ毎にチェックし複製保存する第１複製保存ステップと、前記第１複製保存ステップの後の前記データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合に、前記変更するデータとアドレスを関連付けたパリティビットを生成し、前記変更の内容を、不揮発性メモリの領域である第２不揮発性バッファ領域にデータ毎に保存すると共に、前記変更の内容の保存先を示すアドレスを逐次変更する第２変更内容保存ステップと、前記第２不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、前記揮発性ユーザデータ領域のデータを不揮発性メモリである前記第１不揮発性ユーザデータ領域にパリティビットを使用し、データ毎にチェックし複製保存する第２複製保存ステップと、を実行させ、前記第２複製保存ステップの後の前記データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合には、再び前記第１変更内容保存ステップを実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体である。
【０００７】
ここで「有効であるかを示す値」は、単独の値により有効であることを示すものであってもよいし、複数の値により有効であることを示すものであってもよい。
【０００８】
また、本発明の記録媒体においては、前記第１不揮発性ユーザデータ領域及び前記第１不揮発性バッファ領域が有効であるか、前記第２不揮発性ユーザデータ領域及び前記第２不揮発性バッファ領域が有効であるか、を判定する不揮発性領域判定ステップと、前記不揮発性領域判定ステップにおいて、前記第１不揮発性ユーザデータ領域及び前記第１不揮発性バッファ領域が有効と判定された場合に、前記第１不揮発性ユーザデータ領域に複製保存されたデータに、前記第１不揮発性バッファ領域に保存された変更内容をデータ毎にパリティビットにて判定後反映させて、前記揮発性ユーザデータ領域に書込み、前記不揮発性領域判定ステップにおいて、前記第２不揮発性ユーザデータ領域及び前記第２不揮発性バッファ領域が有効と判定された場合に、前記第２不揮発性ユーザデータ領域に複製保存されたデータに、前記第２不揮発性バッファ領域に保存された変更内容をデータ毎にパリティビットにて判定後反映させて、前記揮発性ユーザデータ領域に書込む揮発性領域再現ステップと、を更に実行させるためのプログラムが記録された記録媒体とすることができる。
【０００９】
また、本発明の記録媒体において、前記第２複製保存ステップでは、更に、前記複製保存の前に、不揮発性メモリに消去した回数として保存された第１消去回数を読み出し、前記第１不揮発性ユーザデータ領域及び前記第１不揮発性バッファ領域を消去し、前記第１消去回数に１を加えた数を前記第１消去回数として不揮発性メモリに保存し、前記第１複製保存ステップでは、更に、前記複製保存の前に、不揮発性メモリに消去した回数として保存された第２消去回数を読み出し、前記第２不揮発性ユーザデータ領域及び前記第２不揮発性バッファ領域を消去し、前記第２消去回数に１を加えた数を前記第２消去回数として不揮発性メモリに保存し、前記不揮発性領域判定ステップでは、前記第１消去回数及び前記第２消去回数を比較し、前記第１消去回数の方が少ない場合には、前記第１不揮発性ユーザデータ領域及び前記第１不揮発性バッファ領域が有効であると判定し、前記第２消去回数の方が少ない場合には、前記第２不揮発性ユーザデータ領域及び前記第２不揮発性バッファ領域が有効であると判定する、ことを特徴とするプログラムを記録した記録媒体であってもよい。
【００１０】
本発明の光伝送モジュールは、上述のいずれかに記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体と、前記揮発性ユーザデータ領域の内容により動作を制御され、電気信号と光信号の相互変換を行う送受信制御部と、を備えることを特徴とする光伝送モジュールである。
【００１１】
本発明のデータ保存方法は、書込み要求されたデータと、前記書込み要求されたアドレスに対応する揮発性メモリの領域である揮発性ユーザデータ領域のアドレスのデータとを比較し、データの変更があるか否かを判定するデータ変更判定ステップと、前記データ変更判定ステップにおいて、肯定的な判定の場合に、前記揮発性ユーザデータ領域の前記対応するアドレスに書込みを行う揮発性領域書込みステップと、前記データ変更判定ステップにおいて、肯定的な判定の場合に、前記変更するデータとアドレスを関連付けたパリティビットを生成し、前記変更の内容を、不揮発性メモリの領域である第１不揮発性ユーザデータ領域及び第１不揮発性バッファ領域のうち、前記第１不揮発性バッファ領域にデータ毎に保存すると共に、前記変更の内容の保存先を示すアドレスを逐次変更する第１変更内容保存ステップと、前記第１不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、前記揮発性ユーザデータ領域のデータを不揮発性メモリの領域である第２不揮発性ユーザデータ領域にパリティビットを使用し、データ毎にチェックし複製保存する第１複製保存ステップと、前記第１複製保存ステップの後の前記データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合に、前記変更するデータとアドレスを関連付けたパリティビットを生成し、前記変更の内容を、不揮発性メモリの領域である第２不揮発性バッファ領域にデータ毎に保存すると共に、前記変更の内容の保存先を示すアドレスを逐次変更する第２変更内容保存ステップと、前記第２不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、前記揮発性ユーザデータ領域のデータを不揮発性メモリである前記第１不揮発性ユーザデータ領域にパリティビットを使用し、データ毎にチェックし複製保存する第２複製保存ステップと、を備え、前記第２複製保存ステップの後の前記データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合には、再び前記第１変更内容保存ステップが行われることを特徴とするデータ保存方法である。
【００１２】
本発明のメモリ管理装置は、書込み要求されたデータと、前記書込み要求されたアドレスに保存されたデータとを比較し、変更があると判定された場合に、前記書込み要求されたデータが対応するアドレスに保存される揮発性メモリの領域である揮発性ユーザデータ領域と、不揮発性メモリの領域であり、第１不揮発性バッファ領域と、第１不揮発性ユーザデータ領域と、第１管理領域とを有する第１領域と、不揮発性メモリの領域であり、第２不揮発性バッファ領域と、第２不揮発性ユーザデータ領域と、第２管理領域とを有する第２領域と、を備え、前記第１管理領域と前記第２管理領域とには、前記第１領域及び前記第２領域のいずれが有効であるかを示す値が保存され、前記第１不揮発性バッファ領域には、第１領域が有効である場合で、前記変更があると判定されたときに、変更するデータとアドレスを関連付けたパリティビットと共に、変更の内容が逐次保存先アドレスを変更して保存され、前記第２不揮発性バッファ領域には、第２領域が有効である場合で、前記変更があると判定されたときに、変更するデータとアドレスを関連付けたパリティビットと共に、変更の内容が逐次保存先アドレスを変更して保存され、前記第１不揮発性ユーザデータ領域には、第２領域が有効である場合で、前記第２不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、前記揮発性ユーザデータ領域のデータが、パリティビットを使用してデータ毎にチェックされた後、複製保存され、前記第２不揮発性ユーザデータ領域には、第１領域が有効である場合で、前記第１不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、前記揮発性ユーザデータ領域のデータが、パリティビットを使用してデータ毎にチェックされた後、複製保存され、前記第１管理領域と前記第２管理領域とに保存された前記第１領域及び前記第２領域のいずれか一方が有効である旨を示す値は、前記複製保存時にいずれか他方が有効である旨を示す値に書換えられる、ことを特徴とするメモリ管理装置である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係る光伝送モジュールについて概略的に示す図である。
【図２】図１のデータ制御部の詳細について示す図である。
【図３】揮発性メモリの第１管理領域及び第１バッファ領域のメモリマップについて示す図である。
【図４】データ制御部における書込み処理について示すフローチャートである。
【図５】第１管理領域及び第２管理領域の各フラグの値の遷移の様子を示す図である。
【図６】光伝送モジュール起動時に有効とする領域を判定するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面において、同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態に係る光伝送モジュール１００について概略的に示す図である。この図に示されるように、光伝送モジュール１００は、外部装置２００から入力した電気信号１０３を光信号１０４に変換して出力すると共に、入力した光信号１０５を電気信号１０６に変換して外部装置２００に出力する送受信制御部１０２と、制御線２０２を介して外部装置２００からの指令により、送受信制御部１０２の状態値の読み出しや制御パラメータの読み出し及び書込みを行うデータ制御部１１０とを備えている。
【００１６】
図２には、図１のデータ制御部１１０の詳細が示されている。データ制御部１１０は、外部装置２００との信号の送受信を行う外部通信部１１３と、送受信制御部１０２への制御信号を送信する送受信制御部通信部１１４と、電源をＯＦＦした際にも記憶された内容を保持する不揮発性メモリ１３０と、電源をＯＦＦした際に記憶された内容は消去される揮発性メモリ１２０と、外部通信部１１３、送受信制御部通信部１１４、不揮発性メモリ１３０及び揮発性メモリ１２０をデータバス１１２を介して統括的に制御する中央処理装置（ＣＰＵ）１１１と、を備えている。なお、中央処理装置１１１は、不図示のプログラムを実行することにより動作する。
【００１７】
不揮発性メモリ１３０は、第１領域１４０及び第２領域１５０を有しており、第１領域１４０は、送受信制御部１０２を制御するためのパラメータである制御パラメータ等が保存された第１不揮発性ユーザデータ領域１４１と、外部装置２００からの書換え命令によりユーザデータの変更内容について、アドレスと共に一時保存する第１バッファ領域１４２と、第１バッファ領域１４２の使用の状態を保持する第１管理領域１４３とを備えている。また、第２領域１５０も第１領域と同様に、第２不揮発性ユーザデータ領域１５１、第２バッファ領域１５２及び第２管理領域１５３を備えている。
【００１８】
なお、本実施形態において使用される不揮発性メモリ１３０は、第１領域１４０及び第２領域をそれぞれ１つのセクタとしており、一度書込まれたデータの消去は各セクタ毎に行うことができる。消去後のデータは各ビットが１となる。つまり１６ビットでは消去により０ｘＦＦＦＦとなり、消去された領域には２バイト（１６ビット）毎にデータの書込みを行うことができることとしている。なお、不揮発性メモリ１３０はこのような仕様に限られず、電源ＯＦＦ時においても記憶内容を失わないメモリであれば、利用することができる。
【００１９】
揮発性メモリ１２０は、外部装置２００からの書換え命令の内容が反映された最新の制御パラメータが保存された揮発性ユーザデータ領域１２２を有している。
【００２０】
図３は、第１領域１４０のメモリマップの具体例について示す図である。なお、第２領域１５０も同様のメモリマップを有している。この図に示されるように、第１領域１４０の第１管理領域１４３には、それぞれ１６ビットのデータからなる有効フラグ、書込み中フラグ、非選択フラグ及び消去回数の領域が確保されている。また、第１領域１４０の第１バッファ領域１４２は、変更すべきユーザデータ領域のアドレス、そのアドレスに記録されるデータ及びパリティビットにより構成されており、外部装置２００からの書込み要求により、変更が必要となった分のみが記録され、指定されたアドレスのデータが同じであり変更を要しない場合には記録されない。ここで、第１バッファ領域１４２のデータ更新エラーの判定に用いられるものはパリティビットとしたが、アドレスとデータを関連付けたチェックサム等を判定に用いても良い。
【００２１】
図４には、データ制御部１１０において、外部装置２００から書込み命令を受信した際に実行される書込み処理について示すフローチャートである。このフローチャートに示されるように、書込み処理では、まず、ステップＳ１１において、書込みが要求されたアドレスに対応する揮発性ユーザデータ領域１２２のデータと、書込みが要求されたデータとを比較し、変更があるかどうかを判定する。ここで、変更がないという否定的な判定の場合には、そのまま処理を終了する。変更があるとする肯定的な判定の場合には、ステップＳ１２に進み、揮発性ユーザデータ領域１２２の対応するアドレスにそのデータを上書きする。引き続き、ステップＳ１３において、第１領域１４０及び第２領域１５０のいずれが有効な領域であるかを判定し、有効な領域のバッファ領域にアドレス及びデータを書込む。有効な領域の判定方法については後述する。次に、ステップＳ１４において、バッファ領域のアドレスポインタを１つ増加させ、ステップＳ１５において増加されたアドレスポインタ値が最大ポインタ値に達しているかどうかを判定する。ここで、否定的な判定の場合には、そのまま処理を終了する。一方、肯定的な判定の場合には、ステップＳ１６において、有効な領域が第１領域１４０である場合には、第２領域１５０のセクタを消去すると共に、揮発性ユーザデータ領域１２２のデータを第２不揮発性ユーザデータ領域１５１に書込む。この際に、第２管理領域１５３の消去回数の値を１増加させて書込む。有効な領域が第２領域１５０である場合には、第１領域１４０のセクタを消去すると共に、揮発性ユーザデータ領域１２２のデータを第１不揮発性ユーザデータ領域１４１に書込む。この際に、第１管理領域１４３の消去回数の値を１増加させて書込む。
【００２２】
引き続き、ステップＳ１７において、有効な領域をステップＳ１６で書込みを行った領域に変更し、処理を終了する。各バッファ領域の有効／無効に係る第１管理領域１４３又は第２管理領域１５３の各フラグの値の変化については図５を用いて説明する。
【００２３】
図５は、図４のフローチャートにおいて、第１バッファ領域１４２が最大ポインタ値となり、有効な領域が第１領域１４０から第２領域１５０に変化する場合の、データ第１管理領域１４３及び第２管理領域１５３の各フラグの値の遷移の様子を示す図である。ここで各フラグの値は、前述したようにセクタ消去時に１６進数の値０ｘＦＦＦＦにリセットされ、値０ｘ００００の書込みが１度のみ行われる。有効な領域の判定方法については後述するが、ステップＳ２１〜Ｓ２３では、第１領域１４０が有効であり、ステップＳ２４及びＳ２５では、第２領域が有効となっている。
【００２４】
ステップＳ２１では、第１管理領域１４３の有効フラグ、書込み中フラグ及び非選択フラグは、１６進数でそれぞれ０ｘ００００、０ｘＦＦＦＦ、０ｘＦＦＦＦであり、第１バッファ領域１４２に揮発性ユーザデータ領域１２２の変更箇所が逐次書込まれている状態となっている。一方、第２管理領域１５３の非選択フラグは０ｘ００００であり、第２領域１５０は有効になっていない。
【００２５】
ステップＳ２２には、第１バッファ領域１４２のアドレスポインタ値が最大ポインタ値に達した場合について示されている。ここで、第１管理領域１４３の書込中フラグには１６進数で０ｘ００００が書込まれ、第１バッファ領域１４２の変更データが第２不揮発性ユーザデータ領域１５１に書込まれている又は書込まれる準備をしていることを意味している。ステップＳ２３には、第２領域１５０のセクタが消去されたときの様子が示されている。上述したように、第２領域１５０は、消去されたことにより、すべて１６進数で０ｘＦＦＦＦになっている。
【００２６】
ステップＳ２４では、揮発性ユーザデータ領域１２２のデータが第２不揮発性ユーザデータ領域１５１へ複製され、第２管理領域１５３の有効フラグに０ｘ００００が書込まれ、た様子が示されている。この状態では、第２領域１５０が有効になっている。ステップＳ２５では、第１領域１４０が既に有効でないことを示すため、第１管理領域１４３の非選択フラグに０ｘ００００が書込まれる。
【００２７】
図６には、光伝送モジュール起動時に有効とする領域を判定するためのフローチャートが示されている。このフローチャートに示されるように、まず、ステップＳ３１において、第１領域１４０及び第２領域１５０の非選択フラグを比較する。ここで、非選択フラグが互いに異なる場合には、ステップＳ３３に進み、非選択フラグが０ｘＦＦＦＦの領域を有効とする。また、非選択フラグの両方が０ｘ００００の場合には、ステップＳ３２に進み、初期化が失敗したと判定し、起動を行わない。非選択フラグの両方が０ｘＦＦＦＦである場合には、ステップＳ３４に進む。
【００２８】
ステップＳ３４では、第１領域１４０及び第２領域１５０の有効フラグを比較する。ここで、有効フラグが互いに異なる場合には、ステップＳ３５に進み、有効フラグが０ｘ００００の領域を有効とする。また、有効フラグの両方が０ｘＦＦＦＦの場合には、ステップＳ３６に進み、管理領域に保存された消去回数の少ない領域を有効とし、有効フラグの両方が０ｘ００００である場合には、ステップＳ３７に進む。
【００２９】
ステップＳ３７では、第１領域１４０及び第２領域１５０の書込中フラグを比較する。ここで、書込中フラグが互いに異なる場合には、ステップＳ３８に進み、書込中フラグが０ｘＦＦＦＦの領域を有効とする。また、有効フラグの両方が同じ値を示している場合には、ステップＳ３６に進み、管理領域に保存された消去回数の少ない領域を有効とする。
【００３０】
このフローにより、有効である領域が決定した場合には、有効である領域のユーザデータ領域の値にバッファ領域に保存された変更を反映させて、揮発性ユーザデータ領域１２２に書込み、起動する。このような判定方法を用いることにより、図５のいずれかのステップにおいて電源が瞬断されたときであっても、次の起動時に適切な領域を選択することができる。
【００３１】
以上説明したように、本実施形態では、不揮発メモリへの書き込み中に電源瞬断等が発生した場合でも、最新のデータを保持することが可能である。
【００３２】
また、本実施形態では、書き込み処理時にユーザデータ領域と差異があった場合のみ、そのアドレスとデータを関連付けて保存し、書き込み用バッファ領域が一杯となったときにユーザデータ領域に書き込みを行うため、不揮発性メモリの書込み回数を低減することができると共に、不揮発性メモリへの書き込み処理時間を短縮することができる。
【００３３】
なお、本実施形態においては、光伝送モジュールを例としたが、不揮発性メモリを使用するその他の装置に適用することができる。
【００３４】
また、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で多様な変更、変形または置換が可能である。
【符号の説明】
【００３５】
１００ 光伝送モジュール、１０２ 送受信制御部、１０３ 電気信号、１０４ 光信号、１０５ 光信号、１０６ 電気信号、１１０ データ制御部、１１１ 中央処理装置、１１２ データバス、１１３ 外部通信部、１１４ 送受信制御部通信部、１２０ 揮発性メモリ、１２２ 揮発性ユーザデータ領域、１３０ 不揮発性メモリ、１４０ 第１領域、１４１ 第１不揮発性ユーザデータ領域、１４２ 第１バッファ領域、１４３ 第１管理領域、１５０ 第２領域、１５１ 第２不揮発性ユーザデータ領域、１５２ 第２バッファ領域、１５３ 第２管理領域、２００ 外部装置、２０２ 制御線。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録媒体、光伝送モジュール、データ保存方法及びメモリ管理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
外部からデータ保存処理が可能な機能を有する光伝送モジュール等の不揮発性メモリを使用する装置においては、不揮発性メモリへのデータ保存中に装置又は不揮発性メモリの電源が瞬停電された際、データが消去、または破壊されないように内部に電源電圧保持回路が必要であるが、価格や実装スペースの制約により電源電圧保持回路が搭載できない場合がある。この場合、マイクロプロセッサや不揮発メモリを使用してこれを回避することがある。例えば、下記の特許文献１にはマイクロプロセッサを使用しファームウェアのデータ破壊を防ぐ技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−００４６０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、不揮発メモリの種類によっては決められたセクタ領域が大きく、書き込みに不必要なセクタ領域全てを消去しデータを書き込む必要がある。この場合、データ書き込みに不必要な領域も消去し、データ情報を書き込む必要があり、データ情報の書き込み回数によっては不揮発性メモリの上書きの上限回数に達する可能性が高い。また、セクタ領域が大きいと消去または書き込み処理時間が長くなり、光信号の送受信を行う送受信制御部の動作に影響を及ぼす可能性がある。
【０００５】
本発明は上述の事情に鑑みてされたものであり、不揮発メモリへ書き込み中に電源等が断たれた場合であっても、より最新のデータ情報を利用可能とすると共に、不揮発メモリへの保存回数の制約のリスクを低減させる記録媒体、光伝送モジュール、データ保存方法及びメモリ管理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の記録媒体は、書込み要求されたデータと、前記書込み要求されたアドレスに対応する揮発性メモリの領域である揮発性ユーザデータ領域のアドレスのデータとを比較し、データの変更があるか否かを判定するデータ変更判定ステップと、前記データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合に、前記揮発性ユーザデータ領域の前記対応するアドレスに書込みを行う揮発性領域書込みステップと、前記データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合に、前記変更するデータとアドレスを関連付けたパリティビットを生成し、前記変更の内容を、不揮発性メモリの領域である第１不揮発性ユーザデータ領域及び第１不揮発性バッファ領域のうち、前記第１不揮発性バッファ領域にデータ毎に保存すると共に、前記変更の内容の保存先を示すアドレスを逐次変更する第１変更内容保存ステップと、前記第１不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、前記揮発性ユーザデータ領域のデータを不揮発性メモリの領域である第２不揮発性ユーザデータ領域にパリティビットを使用し、データ毎にチェックし複製保存する第１複製保存ステップと、前記第１複製保存ステップの後の前記データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合に、前記変更するデータとアドレスを関連付けたパリティビットを生成し、前記変更の内容を、不揮発性メモリの領域である第２不揮発性バッファ領域にデータ毎に保存すると共に、前記変更の内容の保存先を示すアドレスを逐次変更する第２変更内容保存ステップと、前記第２不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、前記揮発性ユーザデータ領域のデータを不揮発性メモリである前記第１不揮発性ユーザデータ領域にパリティビットを使用し、データ毎にチェックし複製保存する第２複製保存ステップと、を実行させ、前記第２複製保存ステップの後の前記データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合には、再び前記第１変更内容保存ステップを実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体である。
【０００７】
ここで「有効であるかを示す値」は、単独の値により有効であることを示すものであってもよいし、複数の値により有効であることを示すものであってもよい。
【０００８】
また、本発明の記録媒体においては、前記第１不揮発性ユーザデータ領域及び前記第１不揮発性バッファ領域が有効であるか、前記第２不揮発性ユーザデータ領域及び前記第２不揮発性バッファ領域が有効であるか、を判定する不揮発性領域判定ステップと、前記不揮発性領域判定ステップにおいて、前記第１不揮発性ユーザデータ領域及び前記第１不揮発性バッファ領域が有効と判定された場合に、前記第１不揮発性ユーザデータ領域に複製保存されたデータに、前記第１不揮発性バッファ領域に保存された変更内容をデータ毎にパリティビットにて判定後反映させて、前記揮発性ユーザデータ領域に書込み、前記不揮発性領域判定ステップにおいて、前記第２不揮発性ユーザデータ領域及び前記第２不揮発性バッファ領域が有効と判定された場合に、前記第２不揮発性ユーザデータ領域に複製保存されたデータに、前記第２不揮発性バッファ領域に保存された変更内容をデータ毎にパリティビットにて判定後反映させて、前記揮発性ユーザデータ領域に書込む揮発性領域再現ステップと、を更に実行させるためのプログラムが記録された記録媒体とすることができる。
【０００９】
また、本発明の記録媒体において、前記第２複製保存ステップでは、更に、前記複製保存の前に、不揮発性メモリに消去した回数として保存された第１消去回数を読み出し、前記第１不揮発性ユーザデータ領域及び前記第１不揮発性バッファ領域を消去し、前記第１消去回数に１を加えた数を前記第１消去回数として不揮発性メモリに保存し、前記第１複製保存ステップでは、更に、前記複製保存の前に、不揮発性メモリに消去した回数として保存された第２消去回数を読み出し、前記第２不揮発性ユーザデータ領域及び前記第２不揮発性バッファ領域を消去し、前記第２消去回数に１を加えた数を前記第２消去回数として不揮発性メモリに保存し、前記不揮発性領域判定ステップでは、前記第１消去回数及び前記第２消去回数を比較し、前記第１消去回数の方が少ない場合には、前記第１不揮発性ユーザデータ領域及び前記第１不揮発性バッファ領域が有効であると判定し、前記第２消去回数の方が少ない場合には、前記第２不揮発性ユーザデータ領域及び前記第２不揮発性バッファ領域が有効であると判定する、ことを特徴とするプログラムを記録した記録媒体であってもよい。
【００１０】
本発明の光伝送モジュールは、上述のいずれかに記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体と、前記揮発性ユーザデータ領域の内容により動作を制御され、電気信号と光信号の相互変換を行う送受信制御部と、を備えることを特徴とする光伝送モジュールである。
【００１１】
本発明のデータ保存方法は、書込み要求されたデータと、前記書込み要求されたアドレスに対応する揮発性メモリの領域である揮発性ユーザデータ領域のアドレスのデータとを比較し、データの変更があるか否かを判定するデータ変更判定ステップと、前記データ変更判定ステップにおいて、肯定的な判定の場合に、前記揮発性ユーザデータ領域の前記対応するアドレスに書込みを行う揮発性領域書込みステップと、前記データ変更判定ステップにおいて、肯定的な判定の場合に、前記変更するデータとアドレスを関連付けたパリティビットを生成し、前記変更の内容を、不揮発性メモリの領域である第１不揮発性ユーザデータ領域及び第１不揮発性バッファ領域のうち、前記第１不揮発性バッファ領域にデータ毎に保存すると共に、前記変更の内容の保存先を示すアドレスを逐次変更する第１変更内容保存ステップと、前記第１不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、前記揮発性ユーザデータ領域のデータを不揮発性メモリの領域である第２不揮発性ユーザデータ領域にパリティビットを使用し、データ毎にチェックし複製保存する第１複製保存ステップと、前記第１複製保存ステップの後の前記データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合に、前記変更するデータとアドレスを関連付けたパリティビットを生成し、前記変更の内容を、不揮発性メモリの領域である第２不揮発性バッファ領域にデータ毎に保存すると共に、前記変更の内容の保存先を示すアドレスを逐次変更する第２変更内容保存ステップと、前記第２不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、前記揮発性ユーザデータ領域のデータを不揮発性メモリである前記第１不揮発性ユーザデータ領域にパリティビットを使用し、データ毎にチェックし複製保存する第２複製保存ステップと、を備え、前記第２複製保存ステップの後の前記データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合には、再び前記第１変更内容保存ステップが行われることを特徴とするデータ保存方法である。
【００１２】
本発明のメモリ管理装置は、書込み要求されたデータと、前記書込み要求されたアドレスに保存されたデータとを比較し、変更があると判定された場合に、前記書込み要求されたデータが対応するアドレスに保存される揮発性メモリの領域である揮発性ユーザデータ領域と、不揮発性メモリの領域であり、第１不揮発性バッファ領域と、第１不揮発性ユーザデータ領域と、第１管理領域とを有する第１領域と、不揮発性メモリの領域であり、第２不揮発性バッファ領域と、第２不揮発性ユーザデータ領域と、第２管理領域とを有する第２領域と、を備え、前記第１管理領域と前記第２管理領域とには、前記第１領域及び前記第２領域のいずれが有効であるかを示す値が保存され、前記第１不揮発性バッファ領域には、第１領域が有効である場合で、前記変更があると判定されたときに、変更するデータとアドレスを関連付けたパリティビットと共に、変更の内容が逐次保存先アドレスを変更して保存され、前記第２不揮発性バッファ領域には、第２領域が有効である場合で、前記変更があると判定されたときに、変更するデータとアドレスを関連付けたパリティビットと共に、変更の内容が逐次保存先アドレスを変更して保存され、前記第１不揮発性ユーザデータ領域には、第２領域が有効である場合で、前記第２不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、前記揮発性ユーザデータ領域のデータが、パリティビットを使用してデータ毎にチェックされた後、複製保存され、前記第２不揮発性ユーザデータ領域には、第１領域が有効である場合で、前記第１不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、前記揮発性ユーザデータ領域のデータが、パリティビットを使用してデータ毎にチェックされた後、複製保存され、前記第１管理領域と前記第２管理領域とに保存された前記第１領域及び前記第２領域のいずれか一方が有効である旨を示す値は、前記複製保存時にいずれか他方が有効である旨を示す値に書換えられる、ことを特徴とするメモリ管理装置である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係る光伝送モジュールについて概略的に示す図である。
【図２】図１のデータ制御部の詳細について示す図である。
【図３】揮発性メモリの第１管理領域及び第１バッファ領域のメモリマップについて示す図である。
【図４】データ制御部における書込み処理について示すフローチャートである。
【図５】第１管理領域及び第２管理領域の各フラグの値の遷移の様子を示す図である。
【図６】光伝送モジュール起動時に有効とする領域を判定するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面において、同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態に係る光伝送モジュール１００について概略的に示す図である。この図に示されるように、光伝送モジュール１００は、外部装置２００から入力した電気信号１０３を光信号１０４に変換して出力すると共に、入力した光信号１０５を電気信号１０６に変換して外部装置２００に出力する送受信制御部１０２と、制御線２０２を介して外部装置２００からの指令により、送受信制御部１０２の状態値の読み出しや制御パラメータの読み出し及び書込みを行うデータ制御部１１０とを備えている。
【００１６】
図２には、図１のデータ制御部１１０の詳細が示されている。データ制御部１１０は、外部装置２００との信号の送受信を行う外部通信部１１３と、送受信制御部１０２への制御信号を送信する送受信制御部通信部１１４と、電源をＯＦＦした際にも記憶された内容を保持する不揮発性メモリ１３０と、電源をＯＦＦした際に記憶された内容は消去される揮発性メモリ１２０と、外部通信部１１３、送受信制御部通信部１１４、不揮発性メモリ１３０及び揮発性メモリ１２０をデータバス１１２を介して統括的に制御する中央処理装置（ＣＰＵ）１１１と、を備えている。なお、中央処理装置１１１は、不図示のプログラムを実行することにより動作する。
【００１７】
不揮発性メモリ１３０は、第１領域１４０及び第２領域１５０を有しており、第１領域１４０は、送受信制御部１０２を制御するためのパラメータである制御パラメータ等が保存された第１不揮発性ユーザデータ領域１４１と、外部装置２００からの書換え命令によりユーザデータの変更内容について、アドレスと共に一時保存する第１バッファ領域１４２と、第１バッファ領域１４２の使用の状態を保持する第１管理領域１４３とを備えている。また、第２領域１５０も第１領域と同様に、第２不揮発性ユーザデータ領域１５１、第２バッファ領域１５２及び第２管理領域１５３を備えている。
【００１８】
なお、本実施形態において使用される不揮発性メモリ１３０は、第１領域１４０及び第２領域をそれぞれ１つのセクタとしており、一度書込まれたデータの消去は各セクタ毎に行うことができる。消去後のデータは各ビットが１となる。つまり１６ビットでは消去により０ｘＦＦＦＦとなり、消去された領域には２バイト（１６ビット）毎にデータの書込みを行うことができることとしている。なお、不揮発性メモリ１３０はこのような仕様に限られず、電源ＯＦＦ時においても記憶内容を失わないメモリであれば、利用することができる。
【００１９】
揮発性メモリ１２０は、外部装置２００からの書換え命令の内容が反映された最新の制御パラメータが保存された揮発性ユーザデータ領域１２２を有している。
【００２０】
図３は、第１領域１４０のメモリマップの具体例について示す図である。なお、第２領域１５０も同様のメモリマップを有している。この図に示されるように、第１領域１４０の第１管理領域１４３には、それぞれ１６ビットのデータからなる有効フラグ、書込み中フラグ、非選択フラグ及び消去回数の領域が確保されている。また、第１領域１４０の第１バッファ領域１４２は、変更すべきユーザデータ領域のアドレス、そのアドレスに記録されるデータ及びパリティビットにより構成されており、外部装置２００からの書込み要求により、変更が必要となった分のみが記録され、指定されたアドレスのデータが同じであり変更を要しない場合には記録されない。ここで、第１バッファ領域１４２のデータ更新エラーの判定に用いられるものはパリティビットとしたが、アドレスとデータを関連付けたチェックサム等を判定に用いても良い。
【００２１】
図４には、データ制御部１１０において、外部装置２００から書込み命令を受信した際に実行される書込み処理について示すフローチャートである。このフローチャートに示されるように、書込み処理では、まず、ステップＳ１１において、書込みが要求されたアドレスに対応する揮発性ユーザデータ領域１２２のデータと、書込みが要求されたデータとを比較し、変更があるかどうかを判定する。ここで、変更がないという否定的な判定の場合には、そのまま処理を終了する。変更があるとする肯定的な判定の場合には、ステップＳ１２に進み、揮発性ユーザデータ領域１２２の対応するアドレスにそのデータを上書きする。引き続き、ステップＳ１３において、第１領域１４０及び第２領域１５０のいずれが有効な領域であるかを判定し、有効な領域のバッファ領域にアドレス及びデータを書込む。有効な領域の判定方法については後述する。次に、ステップＳ１４において、バッファ領域のアドレスポインタを１つ増加させ、ステップＳ１５において増加されたアドレスポインタ値が最大ポインタ値に達しているかどうかを判定する。ここで、否定的な判定の場合には、そのまま処理を終了する。一方、肯定的な判定の場合には、ステップＳ１６において、有効な領域が第１領域１４０である場合には、第２領域１５０のセクタを消去すると共に、揮発性ユーザデータ領域１２２のデータを第２不揮発性ユーザデータ領域１５１に書込む。この際に、第２管理領域１５３の消去回数の値を１増加させて書込む。有効な領域が第２領域１５０である場合には、第１領域１４０のセクタを消去すると共に、揮発性ユーザデータ領域１２２のデータを第１不揮発性ユーザデータ領域１４１に書込む。この際に、第１管理領域１４３の消去回数の値を１増加させて書込む。
【００２２】
引き続き、ステップＳ１７において、有効な領域をステップＳ１６で書込みを行った領域に変更し、処理を終了する。各バッファ領域の有効／無効に係る第１管理領域１４３又は第２管理領域１５３の各フラグの値の変化については図５を用いて説明する。
【００２３】
図５は、図４のフローチャートにおいて、第１バッファ領域１４２が最大ポインタ値となり、有効な領域が第１領域１４０から第２領域１５０に変化する場合の、データ第１管理領域１４３及び第２管理領域１５３の各フラグの値の遷移の様子を示す図である。ここで各フラグの値は、前述したようにセクタ消去時に１６進数の値０ｘＦＦＦＦにリセットされ、値０ｘ００００の書込みが１度のみ行われる。有効な領域の判定方法については後述するが、ステップＳ２１〜Ｓ２３では、第１領域１４０が有効であり、ステップＳ２４及びＳ２５では、第２領域が有効となっている。
【００２４】
ステップＳ２１では、第１管理領域１４３の有効フラグ、書込み中フラグ及び非選択フラグは、１６進数でそれぞれ０ｘ００００、０ｘＦＦＦＦ、０ｘＦＦＦＦであり、第１バッファ領域１４２に揮発性ユーザデータ領域１２２の変更箇所が逐次書込まれている状態となっている。一方、第２管理領域１５３の非選択フラグは０ｘ００００であり、第２領域１５０は有効になっていない。
【００２５】
ステップＳ２２には、第１バッファ領域１４２のアドレスポインタ値が最大ポインタ値に達した場合について示されている。ここで、第１管理領域１４３の書込中フラグには１６進数で０ｘ００００が書込まれ、第１バッファ領域１４２の変更データが第２不揮発性ユーザデータ領域１５１に書込まれている又は書込まれる準備をしていることを意味している。ステップＳ２３には、第２領域１５０のセクタが消去されたときの様子が示されている。上述したように、第２領域１５０は、消去されたことにより、すべて１６進数で０ｘＦＦＦＦになっている。
【００２６】
ステップＳ２４では、揮発性ユーザデータ領域１２２のデータが第２不揮発性ユーザデータ領域１５１へ複製され、第２管理領域１５３の有効フラグに０ｘ００００が書込まれ、た様子が示されている。この状態では、第２領域１５０が有効になっている。ステップＳ２５では、第１領域１４０が既に有効でないことを示すため、第１管理領域１４３の非選択フラグに０ｘ００００が書込まれる。
【００２７】
図６には、光伝送モジュール起動時に有効とする領域を判定するためのフローチャートが示されている。このフローチャートに示されるように、まず、ステップＳ３１において、第１領域１４０及び第２領域１５０の非選択フラグを比較する。ここで、非選択フラグが互いに異なる場合には、ステップＳ３３に進み、非選択フラグが０ｘＦＦＦＦの領域を有効とする。また、非選択フラグの両方が０ｘ００００の場合には、ステップＳ３２に進み、初期化が失敗したと判定し、起動を行わない。非選択フラグの両方が０ｘＦＦＦＦである場合には、ステップＳ３４に進む。
【００２８】
ステップＳ３４では、第１領域１４０及び第２領域１５０の有効フラグを比較する。ここで、有効フラグが互いに異なる場合には、ステップＳ３５に進み、有効フラグが０ｘ００００の領域を有効とする。また、有効フラグの両方が０ｘＦＦＦＦの場合には、ステップＳ３６に進み、管理領域に保存された消去回数の少ない領域を有効とし、有効フラグの両方が０ｘ００００である場合には、ステップＳ３７に進む。
【００２９】
ステップＳ３７では、第１領域１４０及び第２領域１５０の書込中フラグを比較する。ここで、書込中フラグが互いに異なる場合には、ステップＳ３８に進み、書込中フラグが０ｘＦＦＦＦの領域を有効とする。また、有効フラグの両方が同じ値を示している場合には、ステップＳ３６に進み、管理領域に保存された消去回数の少ない領域を有効とする。
【００３０】
このフローにより、有効である領域が決定した場合には、有効である領域のユーザデータ領域の値にバッファ領域に保存された変更を反映させて、揮発性ユーザデータ領域１２２に書込み、起動する。このような判定方法を用いることにより、図５のいずれかのステップにおいて電源が瞬断されたときであっても、次の起動時に適切な領域を選択することができる。
【００３１】
以上説明したように、本実施形態では、不揮発メモリへの書き込み中に電源瞬断等が発生した場合でも、最新のデータを保持することが可能である。
【００３２】
また、本実施形態では、書き込み処理時にユーザデータ領域と差異があった場合のみ、そのアドレスとデータを関連付けて保存し、書き込み用バッファ領域が一杯となったときにユーザデータ領域に書き込みを行うため、不揮発性メモリの書込み回数を低減することができると共に、不揮発性メモリへの書き込み処理時間を短縮することができる。
【００３３】
なお、本実施形態においては、光伝送モジュールを例としたが、不揮発性メモリを使用するその他の装置に適用することができる。
【００３４】
また、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で多様な変更、変形または置換が可能である。
【符号の説明】
【００３５】
１００ 光伝送モジュール、１０２ 送受信制御部、１０３ 電気信号、１０４ 光信号、１０５ 光信号、１０６ 電気信号、１１０ データ制御部、１１１ 中央処理装置、１１２ データバス、１１３ 外部通信部、１１４ 送受信制御部通信部、１２０ 揮発性メモリ、１２２ 揮発性ユーザデータ領域、１３０ 不揮発性メモリ、１４０ 第１領域、１４１ 第１不揮発性ユーザデータ領域、１４２ 第１バッファ領域、１４３ 第１管理領域、１５０ 第２領域、１５１ 第２不揮発性ユーザデータ領域、１５２ 第２バッファ領域、１５３ 第２管理領域、２００ 外部装置、２０２ 制御線。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
書込み要求されたデータと、前記書込み要求されたアドレスに対応する揮発性メモリの領域である揮発性ユーザデータ領域のアドレスのデータとを比較し、データの変更があるか否かを判定するデータ変更判定ステップと、
前記データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合に、前記揮発性ユーザデータ領域の前記対応するアドレスに書込みを行う揮発性領域書込みステップと、
前記データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合に、前記変更するデータとアドレスを関連付けたパリティビットを生成し、前記変更の内容を、不揮発性メモリの領域である第１不揮発性ユーザデータ領域及び第１不揮発性バッファ領域のうち、前記第１不揮発性バッファ領域にデータ毎に保存すると共に、前記変更の内容の保存先を示すアドレスを逐次変更する第１変更内容保存ステップと、
前記第１不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、前記揮発性ユーザデータ領域のデータを不揮発性メモリの領域である第２不揮発性ユーザデータ領域にパリティビットを使用し、データ毎にチェックし複製保存する第１複製保存ステップと、
前記第１複製保存ステップの後の前記データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合に、前記変更するデータとアドレスを関連付けたパリティビットを生成し、前記変更の内容を、不揮発性メモリの領域である第２不揮発性バッファ領域にデータ毎に保存すると共に、前記変更の内容の保存先を示すアドレスを逐次変更する第２変更内容保存ステップと、
前記第２不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、前記揮発性ユーザデータ領域のデータを不揮発性メモリである前記第１不揮発性ユーザデータ領域にパリティビットを使用し、データ毎にチェックし複製保存する第２複製保存ステップと、を実行させ、
前記第２複製保存ステップの後の前記データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合には、再び前記第１変更内容保存ステップを実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項２】
請求項１に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、
前記第１不揮発性ユーザデータ領域及び前記第１不揮発性バッファ領域が有効であるか、前記第２不揮発性ユーザデータ領域及び前記第２不揮発性バッファ領域が有効であるか、を判定する不揮発性領域判定ステップと、
前記不揮発性領域判定ステップにおいて、前記第１不揮発性ユーザデータ領域及び前記第１不揮発性バッファ領域が有効と判定された場合に、前記第１不揮発性ユーザデータ領域に複製保存されたデータに、前記第１不揮発性バッファ領域に保存された変更内容をデータ毎にパリティビットにて判定後反映させて、前記揮発性ユーザデータ領域に書込み、前記不揮発性領域判定ステップにおいて、前記第２不揮発性ユーザデータ領域及び前記第２不揮発性バッファ領域が有効と判定された場合に、前記第２不揮発性ユーザデータ領域に複製保存されたデータに、前記第２不揮発性バッファ領域に保存された変更内容をデータ毎にパリティビットにて判定後反映させて、前記揮発性ユーザデータ領域に書込む揮発性領域再現ステップと、を更に実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、
前記第２複製保存ステップでは、更に、前記複製保存の前に、不揮発性メモリに消去した回数として保存された第１消去回数を読み出し、前記第１不揮発性ユーザデータ領域及び前記第１不揮発性バッファ領域を消去し、前記第１消去回数に１を加えた数を前記第１消去回数として不揮発性メモリに保存し、
前記第１複製保存ステップでは、更に、前記複製保存の前に、不揮発性メモリに消去した回数として保存された第２消去回数を読み出し、前記第２不揮発性ユーザデータ領域及び前記第２不揮発性バッファ領域を消去し、前記第２消去回数に１を加えた数を前記第２消去回数として不揮発性メモリに保存し、
前記不揮発性領域判定ステップでは、前記第１消去回数及び前記第２消去回数を比較し、前記第１消去回数の方が少ない場合には、前記第１不揮発性ユーザデータ領域及び前記第１不揮発性バッファ領域が有効であると判定し、前記第２消去回数の方が少ない場合には、前記第２不揮発性ユーザデータ領域及び前記第２不揮発性バッファ領域が有効であると判定する、ことを特徴とするプログラムを記録した請求項１に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体と、
前記揮発性ユーザデータ領域の内容により動作を制御され、電気信号と光信号の相互変換を行う送受信制御部と、を備えることを特徴とする光伝送モジュール。
【請求項５】
書込み要求されたデータと、前記書込み要求されたアドレスに対応する揮発性メモリの領域である揮発性ユーザデータ領域のアドレスのデータとを比較し、データの変更があるか否かを判定するデータ変更判定ステップと、
前記データ変更判定ステップにおいて、肯定的な判定の場合に、前記揮発性ユーザデータ領域の前記対応するアドレスに書込みを行う揮発性領域書込みステップと、
前記データ変更判定ステップにおいて、肯定的な判定の場合に、前記変更するデータとアドレスを関連付けたパリティビットを生成し、前記変更の内容を、不揮発性メモリの領域である第１不揮発性ユーザデータ領域及び第１不揮発性バッファ領域のうち、前記第１不揮発性バッファ領域にデータ毎に保存すると共に、前記変更の内容の保存先を示すアドレスを逐次変更する第１変更内容保存ステップと、
前記第１不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、前記揮発性ユーザデータ領域のデータを不揮発性メモリの領域である第２不揮発性ユーザデータ領域にパリティビットを使用し、データ毎にチェックし複製保存する第１複製保存ステップと、
前記第１複製保存ステップの後の前記データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合に、前記変更するデータとアドレスを関連付けたパリティビットを生成し、前記変更の内容を、不揮発性メモリの領域である第２不揮発性バッファ領域にデータ毎に保存すると共に、前記変更の内容の保存先を示すアドレスを逐次変更する第２変更内容保存ステップと、
前記第２不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、前記揮発性ユーザデータ領域のデータを不揮発性メモリである前記第１不揮発性ユーザデータ領域にパリティビットを使用し、データ毎にチェックし複製保存する第２複製保存ステップと、を備え、
前記第２複製保存ステップの後の前記データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合には、再び前記第１変更内容保存ステップが行われることを特徴とするデータ保存方法。
【請求項６】
書込み要求されたデータと、前記書込み要求されたアドレスに保存されたデータとを比較し、変更があると判定された場合に、前記書込み要求されたデータが対応するアドレスに保存される揮発性メモリの領域である揮発性ユーザデータ領域と、
不揮発性メモリの領域であり、第１不揮発性バッファ領域と、第１不揮発性ユーザデータ領域と、第１管理領域とを有する第１領域と、
不揮発性メモリの領域であり、第２不揮発性バッファ領域と、第２不揮発性ユーザデータ領域と、第２管理領域とを有する第２領域と、を備え、
前記第１管理領域と前記第２管理領域とには、前記第１領域及び前記第２領域のいずれが有効であるかを示す値が保存され、
前記第１不揮発性バッファ領域には、第１領域が有効である場合で、前記変更があると判定されたときに、変更するデータとアドレスを関連付けたパリティビットと共に、変更の内容が逐次保存先アドレスを変更して保存され、
前記第２不揮発性バッファ領域には、第２領域が有効である場合で、前記変更があると判定されたときに、変更するデータとアドレスを関連付けたパリティビットと共に、変更の内容が逐次保存先アドレスを変更して保存され、
前記第１不揮発性ユーザデータ領域には、第２領域が有効である場合で、前記第２不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、前記揮発性ユーザデータ領域のデータが、パリティビットを使用してデータ毎にチェックされた後、複製保存され、
前記第２不揮発性ユーザデータ領域には、第１領域が有効である場合で、前記第１不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、前記揮発性ユーザデータ領域のデータが、パリティビットを使用してデータ毎にチェックされた後、複製保存され、
前記第１管理領域と前記第２管理領域とに保存された前記第１領域及び前記第２領域のいずれか一方が有効である旨を示す値は、前記複製保存時にいずれか他方が有効である旨を示す値に書換えられる、ことを特徴とするメモリ管理装置。
【請求項１】
書込み要求されたデータと、前記書込み要求されたアドレスに対応する揮発性メモリの領域である揮発性ユーザデータ領域のアドレスのデータとを比較し、データの変更があるか否かを判定するデータ変更判定ステップと、
前記データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合に、前記揮発性ユーザデータ領域の前記対応するアドレスに書込みを行う揮発性領域書込みステップと、
前記データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合に、前記変更するデータとアドレスを関連付けたパリティビットを生成し、前記変更の内容を、不揮発性メモリの領域である第１不揮発性ユーザデータ領域及び第１不揮発性バッファ領域のうち、前記第１不揮発性バッファ領域にデータ毎に保存すると共に、前記変更の内容の保存先を示すアドレスを逐次変更する第１変更内容保存ステップと、
前記第１不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、前記揮発性ユーザデータ領域のデータを不揮発性メモリの領域である第２不揮発性ユーザデータ領域にパリティビットを使用し、データ毎にチェックし複製保存する第１複製保存ステップと、
前記第１複製保存ステップの後の前記データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合に、前記変更するデータとアドレスを関連付けたパリティビットを生成し、前記変更の内容を、不揮発性メモリの領域である第２不揮発性バッファ領域にデータ毎に保存すると共に、前記変更の内容の保存先を示すアドレスを逐次変更する第２変更内容保存ステップと、
前記第２不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、前記揮発性ユーザデータ領域のデータを不揮発性メモリである前記第１不揮発性ユーザデータ領域にパリティビットを使用し、データ毎にチェックし複製保存する第２複製保存ステップと、を実行させ、
前記第２複製保存ステップの後の前記データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合には、再び前記第１変更内容保存ステップを実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項２】
請求項１に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、
前記第１不揮発性ユーザデータ領域及び前記第１不揮発性バッファ領域が有効であるか、前記第２不揮発性ユーザデータ領域及び前記第２不揮発性バッファ領域が有効であるか、を判定する不揮発性領域判定ステップと、
前記不揮発性領域判定ステップにおいて、前記第１不揮発性ユーザデータ領域及び前記第１不揮発性バッファ領域が有効と判定された場合に、前記第１不揮発性ユーザデータ領域に複製保存されたデータに、前記第１不揮発性バッファ領域に保存された変更内容をデータ毎にパリティビットにて判定後反映させて、前記揮発性ユーザデータ領域に書込み、前記不揮発性領域判定ステップにおいて、前記第２不揮発性ユーザデータ領域及び前記第２不揮発性バッファ領域が有効と判定された場合に、前記第２不揮発性ユーザデータ領域に複製保存されたデータに、前記第２不揮発性バッファ領域に保存された変更内容をデータ毎にパリティビットにて判定後反映させて、前記揮発性ユーザデータ領域に書込む揮発性領域再現ステップと、を更に実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、
前記第２複製保存ステップでは、更に、前記複製保存の前に、不揮発性メモリに消去した回数として保存された第１消去回数を読み出し、前記第１不揮発性ユーザデータ領域及び前記第１不揮発性バッファ領域を消去し、前記第１消去回数に１を加えた数を前記第１消去回数として不揮発性メモリに保存し、
前記第１複製保存ステップでは、更に、前記複製保存の前に、不揮発性メモリに消去した回数として保存された第２消去回数を読み出し、前記第２不揮発性ユーザデータ領域及び前記第２不揮発性バッファ領域を消去し、前記第２消去回数に１を加えた数を前記第２消去回数として不揮発性メモリに保存し、
前記不揮発性領域判定ステップでは、前記第１消去回数及び前記第２消去回数を比較し、前記第１消去回数の方が少ない場合には、前記第１不揮発性ユーザデータ領域及び前記第１不揮発性バッファ領域が有効であると判定し、前記第２消去回数の方が少ない場合には、前記第２不揮発性ユーザデータ領域及び前記第２不揮発性バッファ領域が有効であると判定する、ことを特徴とするプログラムを記録した請求項１に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体と、
前記揮発性ユーザデータ領域の内容により動作を制御され、電気信号と光信号の相互変換を行う送受信制御部と、を備えることを特徴とする光伝送モジュール。
【請求項５】
書込み要求されたデータと、前記書込み要求されたアドレスに対応する揮発性メモリの領域である揮発性ユーザデータ領域のアドレスのデータとを比較し、データの変更があるか否かを判定するデータ変更判定ステップと、
前記データ変更判定ステップにおいて、肯定的な判定の場合に、前記揮発性ユーザデータ領域の前記対応するアドレスに書込みを行う揮発性領域書込みステップと、
前記データ変更判定ステップにおいて、肯定的な判定の場合に、前記変更するデータとアドレスを関連付けたパリティビットを生成し、前記変更の内容を、不揮発性メモリの領域である第１不揮発性ユーザデータ領域及び第１不揮発性バッファ領域のうち、前記第１不揮発性バッファ領域にデータ毎に保存すると共に、前記変更の内容の保存先を示すアドレスを逐次変更する第１変更内容保存ステップと、
前記第１不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、前記揮発性ユーザデータ領域のデータを不揮発性メモリの領域である第２不揮発性ユーザデータ領域にパリティビットを使用し、データ毎にチェックし複製保存する第１複製保存ステップと、
前記第１複製保存ステップの後の前記データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合に、前記変更するデータとアドレスを関連付けたパリティビットを生成し、前記変更の内容を、不揮発性メモリの領域である第２不揮発性バッファ領域にデータ毎に保存すると共に、前記変更の内容の保存先を示すアドレスを逐次変更する第２変更内容保存ステップと、
前記第２不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、前記揮発性ユーザデータ領域のデータを不揮発性メモリである前記第１不揮発性ユーザデータ領域にパリティビットを使用し、データ毎にチェックし複製保存する第２複製保存ステップと、を備え、
前記第２複製保存ステップの後の前記データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合には、再び前記第１変更内容保存ステップが行われることを特徴とするデータ保存方法。
【請求項６】
書込み要求されたデータと、前記書込み要求されたアドレスに保存されたデータとを比較し、変更があると判定された場合に、前記書込み要求されたデータが対応するアドレスに保存される揮発性メモリの領域である揮発性ユーザデータ領域と、
不揮発性メモリの領域であり、第１不揮発性バッファ領域と、第１不揮発性ユーザデータ領域と、第１管理領域とを有する第１領域と、
不揮発性メモリの領域であり、第２不揮発性バッファ領域と、第２不揮発性ユーザデータ領域と、第２管理領域とを有する第２領域と、を備え、
前記第１管理領域と前記第２管理領域とには、前記第１領域及び前記第２領域のいずれが有効であるかを示す値が保存され、
前記第１不揮発性バッファ領域には、第１領域が有効である場合で、前記変更があると判定されたときに、変更するデータとアドレスを関連付けたパリティビットと共に、変更の内容が逐次保存先アドレスを変更して保存され、
前記第２不揮発性バッファ領域には、第２領域が有効である場合で、前記変更があると判定されたときに、変更するデータとアドレスを関連付けたパリティビットと共に、変更の内容が逐次保存先アドレスを変更して保存され、
前記第１不揮発性ユーザデータ領域には、第２領域が有効である場合で、前記第２不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、前記揮発性ユーザデータ領域のデータが、パリティビットを使用してデータ毎にチェックされた後、複製保存され、
前記第２不揮発性ユーザデータ領域には、第１領域が有効である場合で、前記第１不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、前記揮発性ユーザデータ領域のデータが、パリティビットを使用してデータ毎にチェックされた後、複製保存され、
前記第１管理領域と前記第２管理領域とに保存された前記第１領域及び前記第２領域のいずれか一方が有効である旨を示す値は、前記複製保存時にいずれか他方が有効である旨を示す値に書換えられる、ことを特徴とするメモリ管理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１２−２４３１５６（Ｐ２０１２−２４３１５６Ａ）
【公開日】平成２４年１２月１０日（２０１２．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１１４０００（Ｐ２０１１−１１４０００）
【出願日】平成２３年５月２０日（２０１１．５．２０）
【出願人】（３０１００５３７１）日本オクラロ株式会社 (311)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月１０日（２０１２．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年５月２０日（２０１１．５．２０）
【出願人】（３０１００５３７１）日本オクラロ株式会社 (311)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]