【課題】
本発明は、ストレージシステム内の複数の物理記憶デバイスから得られる評価値を、物理的な位置関係で関連づけて、状態の異変を顕在化して検知する。
【解決手段】
入出力ユニット１０１、制御・演算ユニット１０２、一次記憶ユニット１０３、二次記憶ユニット１０４ａ、１０４ｂ、バス１０５を有するストレージシステムにおいて、物理的に近接する複数の物理記憶デバイスの組合せを定義し、組合せ定義に基づいて、グループ内の物理記憶デバイスの評価値の平均の分散と組合せサイズを乗算した指標により、ストレージシステム内の状態の異変を顕在化して通知する。 （もっと読む）

【課題】メモリ装置の書き込み欠陥からデータを保護するための方法及びシステムを提供する。
【解決手段】この方法は、データアイテムのセットにわたる冗長情報を計算し、データアイテムを、メモリに記憶するために送信することを含む。冗長情報は、データアイテムがメモリに首尾良く書き込まれるまでの間のみ保持され、次いで、破棄される。データアイテムは、それをメモリに書き込むのに欠陥が生じたとき、冗長情報を使用して回復される。 （もっと読む）

【課題】復号効率がよい半導体メモリ装置１を提供する
【解決手段】半導体メモリ装置１は、半導体メモリ部３と、ＬＤＰＣ符号化データをサムプロダクトアルゴリズムを用い復号する復号部１８と、を具備し、復号部１８が、検査行列の行毎に、行処理演算と列処理演算とからなるイタレーション処理を繰り返し実行することで事後尤度比を更新するときに、列処理演算において事後尤度比の絶対値が閾値以上の場合、列要素尤度比には事後尤度比をそのまま使用し、事後尤度更新処理において、列要素尤度比の絶対値が前記閾値以上の場合、事後尤度比には列要素尤度比をそのまま使用する。 （もっと読む）

【課題】メモリの寿命を縮める動作を遅延させるシステム、方法、及びコンピュータプログラム製品を提供する。
【解決手段】メモリの寿命を縮める動作を遅延させるシステム５００は、複数のストレージデバイス５３０、５４０を含むストレージシステム５０３が含まれている。コマンドの少なくとも一部は、寿命を縮めるコマンドであり、少なくとも一つのモジュール又はブロック５３１、５３２、５３３、５４１、５４２、５４３への悪影響を有する。使用中に、装置５１０は、そのような寿命を縮めるコマンドに拠らず、ストレージデバイス５３０、５４０の寿命を延ばすように働く。使用時に、メモリの寿命に関連する少なくとも一つの特徴が、特定される。このために、メモリの寿命を縮める少なくとも一つの動作が、当該特徴に基づいて遅延される。 （もっと読む）

【課題】半導体メモリを効率的に利用可能なメモリコントローラを提供すること。
【解決手段】実施形態のメモリコントローラ２０は、第１インターフェイス２１と、第２インターフェイス２３と、制御部２４とを備える。第１インターフェイス２１は、ホスト１０との間で信号を送受信する。第２インターフェイス２３は、不揮発性の半導体メモリ３０との間で信号を送受信する。制御部２４は、第１インターフェイス２１で受信した第１コマンドに応答して半導体メモリ３０に予備領域を確保し、半導体メモリ３０に保持されるデータの更新時には予備領域に更新データを書き込む。予備領域のサイズは、第１コマンドに応じて可変である。 （もっと読む）

【課題】 データを確実且つ高速に書き込むことが可能なメモリシステムとその制御方法を提供する。
【解決手段】 メモリシステムは、第１、第２のディストリクト３１ａ、３１ｂと、制御部２１を含んでいる。第１、第２のディストリクト３１ａ、３１ｂは、それぞれメモリセルアレイ３２を有する。制御部２１は、第１、第２のディストリクト３１ａ、３１ｂへ同時に第１のデータを書き込むための書き込みコマンド及びアドレスを受け、第１、第２のディストリクト３１ａ、３１ｂに同時に第１のデータを書き込む。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体メモリをストレージとして用いる場合のトータル的な応答性の向上を図ることのできる情報処理装置を提供する。
【解決手段】この情報処理装置は、複数の半導体メモリそれぞれの物理的特性を評価して、評価結果に見合った用途属性を、少なくとも一部の半導体メモリに割り当てる割当部と、データのライト命令に対して当該データのライト先として最適な用途属性の前記半導体メモリを判定する判定部とを具備する。複数の半導体メモリの物理的特性に個体差がある場合に、その半導体メモリの物理的特性が活かされるようにデータのライト先が判定部にて判定される。これにより、複数の半導体メモリを１つのストレージとして用いた場合のストレージのトータル的な応答性の向上を期待できる。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリと該フラッシュメモリに対するアクセスを制御するメモリコントローラに動作電圧を供給する電源回路が有する電圧調整回路の出力側の充電手段の充電電圧を規定時間内に下げる。
【解決手段】フラッシュメモリと該フラッシュメモリに対するアクセスを制御するメモリコントローラに動作電圧を供給する電源回路は、外部から供給される入力電圧によって充電される充電手段である入力充電手段と、入力電圧と入力充電手段の充電電圧のいずれか高い方の電圧を動作電圧に調整して出力する電圧調整手段と、動作電圧によって充電される充電手段である出力充電手段と、入力電圧と充電電圧のいずれか高い方の電圧が設定値より低くなったときに出力充電手段に充電されている電荷を放電させる放電手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリにてワード線不良によるバースト誤りが発生した場合も、格納したデータを正しく読み出せる不揮発性記憶装置、及びメモリコントローラを提供する。
【解決手段】不揮発性記憶装置は、データを記憶する不揮発性メモリと、不揮発性メモリの制御を行うメモリコントローラとを備え、不揮発性メモリは、ブロックを複数含み、ブロックは、ページを複数含み、ブロック内には、一つのワード線を共有する２以上のページからなるページの組が少なくとも一つ存在し、メモリコントローラは、データを格納するページであるデータページと、データページの誤り訂正演算のための符号を格納する誤り訂正符号ページとを、夫々一つ以上含む、誤り訂正グループを複数構成し、同一の誤り訂正グループにおける、データページと誤り訂正ページの夫々に対してワード線の異なるページを割り当てる。 （もっと読む）

【課題】メモリセルとしてバイト単位のアクセスが可能であり、求められるアクセスに対して最適な単位でＥＣＣ処理を行うことが可能な不揮発性メモリ、メモリコントローラ、不揮発性メモリのアクセス方法、およびプログラムを提供する。
【解決手段】ワード単位でアクセス可能で固定レイテンシでアクセス可能な第１アクセスモードと可変レイテンシでアクセス可能な第２アクセスモードによりアクセス可能な不揮発性メモリセルアレイを少なくとも含む不揮発性メモリセルデバイスと、第１アクセス経路に配置され、第１アクセスモード時にメモリセルアレイから出力されたデータに対してＥＣＣを適用した誤り検出処理および訂正処理を行う第１ＥＣＣ処理部と、第２アクセス経路に配置され、第２アクセスモード時にメモリセルアレイから出力されたデータに対してＥＣＣを適用した誤り検出処理および訂正処理を行う第２ＥＣＣ処理部とを有する。 （もっと読む）

【課題】記憶媒体へのデータ転送速度を改善する技術を提供する。
【解決手段】RAIDコントローラ２（記憶制御装置）は、複数のSSD制御ユニット４（記憶媒体制御ユニット）と、論理ドライブ制御部５（ユニット統括部）と、を備えている。SSD制御ユニット４は、サイズ記憶部６（データブロックサイズ記憶部）とデバイスアクセス処理部７（入出力実行部）、最適アクセス方法評価部８（データブロックサイズ設定部）を有している。最適アクセス方法評価部８は、異なる複数のデータブロックサイズにてSSD３に対して入出力を実行すると共にその際のデータ転送速度を計測し、その計測結果に基づいてサイズ記憶部６のデータブロックサイズを設定する。 （もっと読む）

【課題】MBRとバックアップセクタデータを検証し、正常にリードできない又は不正であるときに、自動的に復旧し起動処理を実行する。
【解決手段】シャットダウンを検知した場合に、ＭＢＲとバックアップＭＢＲのリードを行い、ＭＢＲのデータとバックアップＭＢＲのデータとが同一でないときにＭＢＲをバックアップＭＢＲにコピーするか、バックアップＭＢＲが正常にリードできない又は不正であるときにＭＢＲをバックアップＭＢＲにコピーするかする。コンピュータの電源をオンした場合に、バックアップＭＢＲが正常にリードできない又は不正であるときにＭＢＲをバックアップＭＢＲにコピーする。 （もっと読む）

【課題】データの保持期間を長くする。
【解決手段】コンピュータシステムは、パーソナルコンピュータなどのホスト１０と、ホスト１０に接続されるＵＳＢメモリデバイス１００とを備える。ＵＳＢメモリデバイス１００は、ユーザ用データを格納するためのＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１３０と、ＯＴＰメモリ１４０とを備える。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１３０には、ユーザ用データ以外に、ユーザ用データに対応した第１次のエラー訂正用符号であるＥＣＣ＿Ａとが格納される。一方、ＯＴＰメモリ１４０には、ＥＣＣ＿Ａに対応した第２次のエラー訂正用符号であるＥＣＣ＿Ｂが格納される。 （もっと読む）

【課題】実装面積を増大させることなく、ソフトエラーの発生を検出し、訂正できるようにする。
【解決手段】演算装置１０１（演算部）は、所定の演算により、複数の入力データ５０１に基づいて、誤り検出データ５０３を算出する。記憶装置１０２は、複数の入力データ５０１と、誤り検出データ５０３を記憶する。データ生成装置１０４（判定部・訂正部）は、記憶装置１０２が記憶した複数の入力データと記憶装置１０２が記憶した誤り検出データとの間に整合性があるか判定し、整合性がない場合、記憶装置１０２が記憶した複数の入力データと記憶装置１０２が記憶した誤り検出データとのうちから、誤っているデータを判定し、誤っていると判定したデータについて、正しいデータを算出する。 （もっと読む）

【課題】ガベージコレクションの発生等に伴う他フラッシュメモリへのデータコピーを、コピーコマンドを使用する場合と同等に高速化する。
【解決手段】共通のデータ線が接続された複数のフラッシュメモリ部についてデータの読出／書込制御を行うように構成されたメモリ装置において、上記複数のフラッシュメモリ部のうち第１のフラッシュメモリ部に読出指示を行って当該第１のフラッシュメモリ部から上記共通のデータ線に読出データを出力させると共に、上記第１のフラッシュメモリ部から上記読出データが出力されるタイミングに応じたタイミングで、上記第１のフラッシュメモリ部とは異なる第２のフラッシュメモリ部に書込指示を行うことで、上記共通のデータ線に得られた上記読出データが上記第２のフラッシュメモリ部に書き込まれるようにする。 （もっと読む）

【課題】キャッシュ領域に転送済みのデータが消失することを防止することが可能な記憶装置のデータ保護装置を提供すること。
【解決手段】制御装置１０に備わった、データが格納される不揮発性データ記憶領域１４と、不揮発性データ記憶領域１４に格納されるデータを一時的に保存するキャッシュ領域１５とを有する記憶装置１３のデータ保護装置であって、入力電源から供給される電源の電圧を所定の電圧に変換する内部電源装置１１と、入力電源から供給される電源の電圧を監視し該電圧の低下を検出した時に電圧低下信号を出力する電源監視回路１２と、電圧低下信号を受信したときキャッシュ領域１５に保存されたデータを不揮発性データ領域１４に書き込む書き込み指令を出力する中央演算処理回路１６と、前記書き込み指令が出力されたとき、キャッシュ領域１５に保存されたデータを不揮発性データ記憶領域１４に書き込むようにした記憶装置のデータ保護装置。 （もっと読む）

【課題】長寿命化などを実現できる半導体装置を提供する。
【解決手段】本半導体装置（メモリモジュールMM0）の制御回路（SC0）は、データ書込みの要求に対し、上書き可能な不揮発性メモリ装置（NVM）へのデータ書込みの際、上書き要求であっても上書き動作せずに、データの書込と消去のサイズを同じにして、メモリ（NVM）のアドレスを連続的に割当てて使用し、メモリ（NVM）の使用のバラツキを抑え平準化する仕組みにより、長寿命化などを実現する。制御回路（SC0）は、（ａ）第１のアドレスのデータの消去動作、またはフラグ値を無効に設定する動作と、（ｂ）第１のアドレスとは別の第２のアドレスに対するデータの書込動作、またはフラグ値を有効に設定する動作との２種類の動作のセットによりデータ書込みを実現する。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、不揮発性メモリデバイスの信頼性を改善できるメモリシステムを提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、不揮発性メモリデバイスとモニタ部と変更部とを有することを特徴とするメモリシステムが提供される。不揮発性メモリデバイスは、データを記憶する。モニタ部は、前記不揮発性メモリデバイスに対するデータの書き込み処理及び消去処理による前記不揮発性メモリデバイスの特性をモニタする。変更部は、前記モニタされた前記不揮発性メモリデバイスの特性に応じて、前記書き込み処理に要する時間が目標値に一致するように、書き込み動作とベリファイ動作とが交互に繰り返される前記書き込み処理における書き込み開始電圧の値と書き込み電圧の増加幅との少なくとも一方を変更する。 （もっと読む）

【課題】データ管理テーブルに対する整合性の確認処理を高速に行なことが可能なデータ記憶装置を提供することにある。
【解決手段】実施形態によれば、データ記憶装置は、第１の管理テーブルを格納する記憶デバイスと、第２の管理テーブルを格納する記憶デバイスと、カウンタテーブル格納モジュールと、コントローラとを具備する。前記第１の管理テーブルは、フラッシュメモリのデータの記録場所を示すアドレス情報を有する。前記第２の管理テーブルは、前記フラッシュメモリの記録データの中で有効なデータを示すアドレス情報を有する。前記カウンタテーブル格納モジュールは、有効なデータ数のカウント値をアドレス単位で示すカウンタテーブルを格納する。前記コントローラは、前記第１の管理テーブルを参照して取得されるアドレス単位の有効なデータ数と、前記カウンタテーブルのアドレス単位のカウント値とを比較し、当該比較結果に基づいて前記第１及び第２の管理テーブルの整合性を確認する整合性確認処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】エラー訂正不能と判定された場合に、ＥＣＣ処理の再実行を効率的に行なうことを実現し、リード処理効率を向上できるデータ記憶装置を提供することにある。
【解決手段】実施形態によれば、データ記憶装置は、リードモジュールと、誤り検出訂正モジュールと、コントローラとを具備する。リードモジュールは、不揮発性メモリからアクセス対象のデータ及び当該データを特定する指定データを読み出す。誤り検出訂正モジュールは、前記リードモジュールにより読み出されたデータ及び前記指定データに対する誤り検出訂正処理を実行する。コントローラは、前記誤り検出訂正モジュールによる誤り訂正が不能である場合に、前記指定データの修正処理を実行し、修正処理後の指定データに基づいた再度の誤り検出処理を実行する。 （もっと読む）