【課題】 揮発性記憶装置上の配分の変更がＯＳの起動後に不可能な領域に対して配分を変更することができる画像形成装置を提供する。
【解決手段】 ＭＦＰ１０は、画像データを記憶する領域を含む複数の領域が確保されるＲＡＭ２３と、ＲＡＭ２３上の領域の配分の情報である配分情報３１を記憶するフラッシュメモリ３０と、ＲＡＭ２３上に領域を確保するＯＳと、ＯＳをブートするブート手段と、フラッシュメモリ３０に記憶されている配分情報３１を変更する配分情報変更手段とを備えており、配分情報３１は、ＲＡＭ２３上の配分の変更がＯＳの起動後に不可能な領域の配分の情報を含んでおり、ブート手段は、配分情報３１をＯＳの起動前にＲＡＭ２３に書き込み、ＯＳは、ブート手段によってブートされるとき、フラッシュメモリ３０にアクセス可能となる前に、ＲＡＭ２３に記憶されている配分情報に基づいてＲＡＭ２３上に領域を確保することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】２ビット以上のデータを多値化して記憶する記憶装置において、データ書込み処理の信頼性を改善する。
【解決手段】記憶装置１は、ページ単位でのデータ書き込みが可能な複数のページを有し、各ページに複数ページ分の書込みデータを多値化して記憶可能なメモリ１６と、メモリ１６に対してデータを書き込む場合、メモリ１６の複数のページから書き込み先のページを選択し、選択したメモリ１６のページに、当該書込みに係るデータのページを含む複数のページによる２ビット以上のデータを多値化して書き込む制御部１２，１４とを有する。複数ページ分の書込みデータをメモリ１６に書き込む場合、制御部１２，１４は、当該複数ページ分の書込みデータを、ページ毎に別々に多値化し、メモリ１６の互いに異なる未使用の複数のページに１ページずつ書き込む。 （もっと読む）

【課題】メモリ使用効率を向上させる。
【解決手段】メモリ領域と、前記メモリ領域のメモリ資源をタスクに割り当てるアロケータをメモリ割り当て／解放のルール毎に複数生成するアロケータ生成手段１１と、タスクのコードに記述されているアロケータ指定に基づいて前記生成されたアロケータのうちの一つを選択し、前記タスクが前記選択したアロケータを使用できるように設定するタスク対応付け手段１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 メモリリークの発生箇所の特定を精度良く、かつ検出に至る時間を短縮する。
【解決手段】 ガベージコレクションを実装したコンピュータシステムにおけるメモリリーク検出装置であって、演算処理手段１０は、ガベージコレクションの前後に生成されるオブジェクト数の変化に関する情報を参照し、メモリリーク発生の可能性の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】システムデータをフラッシュメモリ内に保存するフラッシュメモリシステムにおいて、ホストシステム側から与えられるユーザーデータに含まれるファイル管理データの信頼性を向上させる。
【解決手段】予め予約されている物理ブロック（システムブロック）にシステムデータを保存するフラッシュメモリシステムにおいて、フラッシュメモリシステム内のメモリコントローラが、いずれかの論理ブロックに対して空きブロックを割り当てるときに、空きブロックを検出することができなかった場合に、その論理ブロックが所定の論理ブロックに該当するか否かを判断する。そして、メモリコントローラは、その論理ブロックが所定の論理ブロックに該当すると判断したときだけ、その論理ブロックに対して有効なシステムデータが記憶されていないシステムブロックを割り当てる。 （もっと読む）

【課題】コンパクションの処理時間を短縮化すること。
【解決手段】トラック単位で読み出し／書き込みが行われ、トラック単位の２以上の自然数倍であるブロック単位で消去が行われる不揮発性の半導体記憶素子と、半導体記憶素子内におけるブロック単位内の有効なデータをトラック単位で複数選択して半導体記憶素子内の別のブロック単位内に書き直すコンパクション処理を実行するコントローラと、を具備し、コントローラは、半導体記憶素子内のデータをブロック単位毎に管理するとともに、ブロックに含まれる有効なトラック数毎にブロックをリンクドリスト形式で管理する管理テーブルを備える。 （もっと読む）

【課題】読み出しの際の検索処理を高速化する。
【解決手段】第１の単位で読み出し／書き込みが行われ、第１の単位の自然数倍である第２の単位で管理が行われる揮発性の半導体記憶素子から構成される第１の記憶部と、不揮発性の半導体記憶素子から構成される第２の記憶部と、不揮発性の半導体記憶素子から構成される第３の記憶部と、コントローラは、複数のリンクドリストによって、第２の記憶部に保持されているデータの位置を、第２の単位で管理する第１の管理テーブルと、第３の記憶部に保持されているデータの位置を、インデックス毎に、複数のリンクドリストの先頭エントリへのポインタ情報が登録される第２の管理テーブルとを備え、第２の管理テーブルには、所定の複数の第１の個数の前記第２の単位が、第２の記憶部に存在するか、第３の記憶部に存在するかを夫々示す識別情報が登録されている。 （もっと読む）

【課題】ディスクイメージコピーを行った場合においても、従来よりも長寿命かつ処理速度の速い不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システムを提供すること。
【解決手段】ディスクイメージコピーにおいて、アクセス装置から転送された転送データが消去済みデータか否かを論理ブロック単位（ＬＢＮ毎）に判定し、消去済みデータと判定した場合は、その物理ブロックのブロックステータスを無効ブロック（値１）に設定し、空き領域として管理する。その結果、ディスクイメージコピー後に、特定のＬＢＮ（例えばＬＢＮ０）の書き換え処理が頻繁に発生した場合においても、空きブロックを書き換え用の代替ブロックとして使用できるので、従来のようにスペアブロックのみを書き換え用の代替ブロックとして使用した場合と比較すると、書き換え回数の平準化がなされ、結果として不揮発性記憶装置の長寿命化を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリの書き換え制御方法において、書き換え回数の平準化（ウエアレベリング）を行い、当該メモリの寿命を延ばすことができる技術を提供する。
【解決手段】フリーブロックテーブルのカレントポインタが示すエントリ１０の物理ブロックアドレス“ｃ４”を取得する第１ステップと、前記フリーブロックテーブルのエンドポインタが示すエントリ１１の物理ブロックアドレス“ｑ３”を前記カレントポインタが示すエントリ１０に設定する第２ステップと、前記エンドポインタが示すエントリ１１に無効物理ブロックアドレスを設定し、前記エンドポインタを下位アドレス側へ１エントリ分シフトする第３ステップと、前記カレントポインタを上位アドレス側へ１エントリ分シフトする第４ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】記録媒体に記録する際に、空き領域の断片化を抑制するようにデータを配置して記録することで、断片化を抑えながら無駄な領域を減らすことが可能な、情報処理装置を提供すること。
【解決手段】記録媒体に対してデータを記録する記録部と、記録媒体の最小割付け単位の連続または断片化した空き領域を検出する検出部と、検出部で検出した前記記録媒体の連続した空き領域に逐次記録を行い、記録が完了した時点で、記録したデータの末尾部分を前記検出部で検出した前記記録媒体の断片化した空き領域に移動して記録するように記録部を制御する記録制御部と、を含むことを特徴とする、情報処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】あるLPARでメモリ障害を検出して停止した場合、共有している全LPARが障害となることを防止する。
【解決手段】ハイパバイザにより１以上のＣＰＵおよび２以上のメモリモジュールから成る物理計算機を複数の仮想計算機に分割し、各仮想計算機に前記ＣＰＵおよび前記メモリモジュールのメモリ領域を割当てて動作させる仮想計算機システムの制御方法において、前記ハイパバイザは制御対象の仮想計算機を停止させるステップと、前記停止させた仮想計算機に割当てられていたメモリモジュールのメモリ領域に記憶されている情報を、該メモリモジュールとは異なるメモリモジュールのメモリ領域に移動させるステップと、前記停止させた仮想計算機に前記情報の移動後のメモリモジュールのメモリ領域を割当てるステップと、前記停止させた仮想計算機を再稼動させるステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリなどの記憶媒体に対して、電源遮断対策などに加えて、複数のアプリケーション間で使用領域の排他制御や共用などの領域管理を行う制御回路、および領域管理方法を提供する。
【解決手段】処理装置１２０において、ＥＥＰＲＯＭ１４０の所定の領域をドメインとして設定し、ドメインの管理およびアクセス要件の管理を行うアドレス制御回路１３０であって、ＥＥＰＲＯＭ１４０にドメインの管理のための制御情報１５１を設定するためのドメイン設定レジスタ１３３と、現在の処理対象であるドメインについての情報を保持するドメイン制御レジスタ１３１とを有し、ドメイン設定レジスタ１３３の情報を用いてＥＥＰＲＯＭ１４０上のアドレスに制御情報１５１を設定し、プログラムによるアクセスの際に、該アドレスに設定されている制御情報１５１とドメイン制御レジスタ１３１の情報とに基づいて該アクセスの可否を判断する。 （もっと読む）

【課題】一部のデータ更新に伴う無効データのコピー動作の発生を低減するメモリシステムを提供する。
【解決手段】メモリシステムは、複数のブロックを含み、各ブロック単位でデータ消去が行われる不揮発性半導体記憶装置と、外部装置からデータの書き込み要求及び読み出し要求を受け付けて、前記不揮発性半導体記憶装置に対するデータの書き込み及び読み出しを制御する制御部と、を具備し、前記制御部は、前記外部装置の読み出し要求に応じて読み出される有効データが前記不揮発性半導体記憶装置に格納されているかを前記ブロックごとに管理し、前記制御部は、前記ブロックに格納されているデータの一部を新データで更新する際に、更新されるデータが格納された旧ブロックと異なる新ブロックに前記新データを書き込み、前記制御部は、前記データの更新において、前記旧ブロックに有効データが格納されているかを判定する。 （もっと読む）

【課題】サイクリック収録することが可能な不揮発性メモリ情報蓄積装置とそのサイクリック収録方法を提供する。
【解決手段】不揮発性メモリ情報蓄積装置において、制御部２０は、管理テーブル３０に記録されている蓄積状況及び書き込み回数を参照して、蓄積部１０の不揮発性メモリのうち書き込み回数が少ない順に一定容量分の空きブロックを選定し、選定した空きブロックにサイクリック素材を順次書き込む。そして、制御部２０は、全ての空きブロックにサイクリック素材を書き込むと、それ以降は、最も古いサイクリック素材を蓄積しているブロックを開放し、再度管理テーブル３０を参照して選定した空きブロックに次のサイクリック素材を書き込む処理を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】NAND型フラッシュメモリの転送速度と長寿命化を両立させる。
【解決手段】NAND型フラッシュメモリの１つのパーティションに、プログラムコードのみを格納しておく。他のパーティションに、プログラムコード以外の各種データのみを格納しておく。適当なタイミングにおいてプログラムコードをパーティション単位で他のパーティションに移動させる。例えば、主電源ON時や省エネモード移行時やタイマー割込み時や移動指示操作入力時を、移動タイミングとする。あるいは、プログラムコード量に対する各種データの量の比率と、各種データの更新回数とに基づいて、プログラムコードの移動タイミングを決める。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリにおける特定の記憶領域にアクセスが集中しないようにすることによって、メモリ破壊が起きるのを回避するための技術を提供する。
【解決手段】アクセスの対象となるデータを記憶している記憶領域のアクセス回数を確認し、当該記憶領域のアクセス回数が上限値以上であると判定した場合（Ｓ２０：ＮＯ）、当該記憶領域とデータを入れ替える対象となる記憶領域を選択する（Ｓ５０）。つぎに、当該記憶領域とＳ５０の処理で選択された入替対象の記憶領域との間で互いにデータを入れ替える（Ｓ６０）。そして、不揮発性メモリ２３に格納されている上述のデータ管理アドレスにおいて、Ｓ６０でのデータ入替に係る各データの記憶場所を示す情報（アドレス）を変更し（Ｓ７０）、入替対象の記憶領域へ移動したアクセス対象のデータへのアクセスを行う（Ｓ４０）。 （もっと読む）

【課題】同じブロックまたは別のブロックのいずれかのブロックの未使用ページに新しいデータをプログラムすることにより、不揮発性メモリブロックのページのすべてよりも少ないページ数のデータが更新される。
【解決手段】無変化のデータページを新しいブロックの中へコピーしたり、置換されたデータページの中へフラグをプログラムしたりする必要がないようにするために、この新しいデータページは、置換されたデータページと同じ論理アドレスにより特定され、各ページがいつ書込まれたかを記すタイムスタンプが付加される。上記データを読出すとき、最新のデータページが使用され、旧い置換されたデータページは無視される。この技法は、上記ユニットのうちの１ユニット内の単一の未使用ブロックに更新されるすべてのページを向けることにより、メモリアレイのいくつかの異なるユニットの各々から得られる１ブロックを含むメタブロックにも適用される。 （もっと読む）

【課題】プロセッサからメモリにアクセスする性能に影響を与えることなく、メモリが消費する電力を低減する。
【解決手段】メモリに供給される電力の状態は、メモリランク毎に、プロセッサから当該メモリランクに含まれる記憶領域にアクセスできる活性状態と、遅延なしでアクセスできない不活性状態とのいずれかに制御され、基本システムソフトウェアは、割り当てられる記憶領域が、複数のメモリランクに跨がって割り当てられる断片化を抑制し、メモリコントローラを介して、割り当てられる記憶領域を含まないメモリランクの電力状態を不活性状態にし、割り当てに必要な記憶領域が含まれるメモリランクの電力状態を先行して活性状態にすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 データ記憶にかかる処理遅延をもたらすことなく，メモリ空間の利用効率を上げ，少ないメモリ容量でも多くのデータを蓄積することが可能となる。
【解決手段】 本発明の，メモリ１１０へのデータの記憶または読み出しを管理するメモリ管理装置１００は，メモリに記憶されるデータのセル長を計数するセル長計数部１２２
と，メモリの各セルに対応付けられセルの記憶状態を示す空き情報に基づいて，セル長以上連続して空いており，かつ，隣接するセルが占有されている空きセル群を検出する空きセル群検出部１２４と，検出された空きセル群にデータを記憶するデータ記憶部１２６と，データが記憶された各セルの空き情報を更新する空き情報更新部１２８とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 不揮発性メモリの論理的セクターに対する接近要請にかかる時間を最小化させう不揮発性メモリのマッピング情報管理装置及び方法を提供する。
【解決手段】 所定の論理的ユニットにマッピングされた物理的ユニット内の各物理的セクターにマッピングされた論理的セクターを抽出する抽出部、抽出された論理的セクターを通じて論理的ユニットに属した論理的セクターについてのマッピング情報を生成するマッピング情報生成部、及び生成されたマッピング情報を貯蔵するマッピング情報貯蔵部とを含む。 （もっと読む）