【課題】画像周辺部の画像品質低下度合い、低下頻度を軽減した撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像装置の一例であるデジタルスチルカメラでは、レンズ１０１により被写体からの入射光を撮像素子１０６に結像させ、撮像素子１０６からの出力信号を画像データに変換し、画像データに対して輝度シェーディング補正を行う。このとき、遮光された状態で遮光画像を撮影し、得られた遮光画像の画像データから暗電流ムラ量を求め、暗電流ムラ量の大きさと、撮像素子１０６の記録画素領域において暗電流ムラが大きく発生している位置とに基づいて、全体制御演算部（ＣＰＵ）１１２が、輝度シェーディング補正に用いる補正量を決定する。 （もっと読む）

【課題】撮影状況や製造課題に対応した積層型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】第１のリセットトランジスタを備えた第１の画素と、第２のリセットトランジスタを備えた第２の画素とが形成された半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された配線層と、前記配線層の上に形成され、前記第１のリセットトランジスタのソースに電気的に接続された第１の下部電極と、前記配線層の上に形成され、前記第２のリセットトランジスタのソースに電気的に接続された第２の下部電極と、前記第１の下部電極および前記第２の下部電極の上に形成された光電変換膜と、前記光電変換膜の上に形成され、上部電極電位が印加される透明な上部電極とを備え、前記第１のリセットトランジスタのドレインにかける第１のリセット電位と前記第２のリセットトランジスタのドレインにかける第２のリセット電位とが異なることを特徴とする固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】放射線画像撮影装置のゲートドライバーに非接続の端子が存在する場合でも、読み出された画像データに基づいて、輝度の段差のない放射線画像を生成することが可能な放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】放射線画像撮影システム５０は、ゲートドライバー１５ｂに走査線５が接続されていない非接続の端子ｐを備える放射線画像撮影装置１と、放射線画像撮影装置１から送信された画像データＤに基づいて放射線画像Ｉを生成する画像処理装置５８とを備え、画像処理装置５８は、放射線画像撮影装置１における画像データＤの読み出し処理の際に、当該放射線画像撮影装置１のゲートドライバー１５ｂの非接続の端子ｐにオン電圧が印加される前に読み出された画像データＤ、またはゲートドライバー１５ｂの非接続の端子ｐにオン電圧が印加された後に読み出された画像データＤの少なくとも一方を補正して、放射線画像Ｉを生成する。 （もっと読む）

【課題】複数のフォトダイオード間の例えば感度等の特性のばらつきを抑制することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置を、複数の光電変換部と、フローティングディフュージョン部と、複数の転送部と、第１トランジスタ群と、第２トランジスタ群とを備える構成にする。さらに、第１トランジスタ群は、第１のレイアウト構成で配置されたゲート及びソース／ドレインを有する。そして、第２トランジスタ群を、第１のレイアウト構成と対称的な第２レイアウト構成で配置されたゲート及びソース／ドレインを有する構成にする。 （もっと読む）

【課題】撮像特性の局所的な不均一性を抑制することができるようにする。
【解決手段】例えばCMOSセンサ等の固体撮像素子であって、それぞれがフォト・ダイオードを有し、入射光を光電変換して電気信号を出力する複数の画素よりなる少なくとも１つの画素を有し、その一部の画素の、例えばAL配線層等任意の階層のレイアウトが、その他の画素の同階層のレイアウトと異なる。本開示は撮像素子または撮像装置に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】 ウェルコンタクトが配される画素の補正を容易にする。また、線状のノイズを低減する。
【解決手段】 複数の画素毎にウェルコンタクトを配した増幅型の撮像装置において、第１の配線によって電圧が供給されるウェルコンタクトを有する第１の画素に近接した、ウェルコンタクトが配されていない第２の画素に、第２の配線を配する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置に含まれる信号処理回路の増幅率を大きくするために、入力容量を大きい値とする、帰還容量を小さい値とする、もしくはその両方の手法があるが、容量値を大きくすることはチップ面積の増大をもたらし、容量値を小さくすることは製造ばらつきをもたらしうる。
【解決手段】帰還容量に代替して、第１容量素子および第２容量素子が直列に配置され、第１容量素子と第２容量素子とを接続する経路と基準電位との間に第３容量素子が配置されたフィードバック回路を採用する。 （もっと読む）

【課題】各画素回路の変曲点を精度良く算出すること。
【解決手段】制御部９は光源４を光強度Ｌ１で点灯させ、撮像素子５に第１露光時間において蓄積された画像信号Ｐ４を出力させる。続いて、制御部９は撮像素子５に第２露光時間において蓄積された画像信号Ｐ３を出力させる。次に、制御部９は光源４を光強度Ｌ２で点灯させ、撮像素子５に第１露光時間において蓄積された画像信号Ｐ２を出力させる。続いて、制御部９は撮像素子５に第２露光時間において蓄積された画像信号Ｐ１を出力させる。画像信号解析部６は画像信号Ｐ１〜Ｐ４を用いて全画素の変曲点を算出する。バラツキ補正部７は、画像信号解析部６が算出した全画素の変曲点を用いて撮像素子５が通常撮影時に出力した画像信号の補正を行う。 （もっと読む）

【課題】高精度且つ高分解能のＡ／Ｄ変換を行いつつ、サイズ縮小を可能にしたＡ／Ｄ変換回路を搭載した半導体装置を提供する。
【解決手段】１つのループ状抵抗配線を複数の電源供給スイッチ及び複数の出力回路で共有化し、該抵抗配線及び複数の電源供給スイッチを用いて発生させた三角波（階段状）波形を有する参照電圧を利用する事で、煩雑な回路を用いることなくサイズ縮小を可能にしたＡ／Ｄ変換回路を出力回路に用いて、高精度なデジタル信号を得ることができる。また、Ａ／Ｄ変換回路の構成要素が少ないため、並列型のＡ／Ｄ変換回路では、個々のＡ／Ｄ変換回路間でのばらつきを少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】 撮像画素と焦点検出用画素とを有する撮像素子において、撮像画素と焦点検出用画素との飽和容量の差異を抑制する。
【解決手段】 撮像画素が有する電荷蓄積層の静電容量と、焦点検出用画素が有する電荷蓄積層の静電容量とを異ならせることで、撮像画素と焦点検出用画素の受光効率の差異による飽和容量の差異を抑制する。この際、撮像画素が有する電荷蓄積層の静電容量と、焦点検出用画素が有する電荷蓄積層の静電容量の比を、絞り値と射出瞳距離の少なくとも一方の変化に伴う受光効率の比の変化を考慮して決定する。 （もっと読む）

【課題】基板上に配置された光検出器のバイアス条件が改良された検出行列を備える電磁放射検出装置およびこの製造方法を提供する。
【解決手段】検出装置は、第１の導電型の半導体基板（１）を備えている。第１の組織軸に沿って組織化されたフォトダイオード行列が基板（１）上に形成される。各フォトダイオードが基板（１）に少なくとも部分的に形成される。周辺バイアスリングがフォトダイオード行列（１）の周辺に形成される。バイアスリングはバイアス電圧生成器（３）に接続される。導電性コンタクトが基板に接続され、かつ、第１の組織軸上の２つのフォトダイオード間に配置される。コンタクトを２つのフォトダイオードの各々から分離する距離は、第１の組織軸に沿って２つの隣接するフォトダイオードを分離する距離に等しい。コンタクトはバイアス電圧生成器に接続される。 （もっと読む）

【課題】現状のピクセル型半導体素子をより良く有効に用いること。
【解決手段】複数の半導体素子により各画素を形成する半導体検出器を備えた放射線イメージング装置において、各半導体素子からそれぞれ出力されるガンマ線のエネルギ強度分布を示すエネルギスペクトラムデータとしての各エネルギ信号を解析する解析部と、解析部によるエネルギスペクトラムデータの解析結果に基づいて各半導体素子の性能を３つに分類する分類部と、３つの分類結果のうち各半導体素子の性能が低いと分類される２つの分類の各画素の値をそれぞれ補間処理する補正部とを具備する半導体検出器の補間装置である。 （もっと読む）

【課題】各受光素子の出力信号のゲインを調整しつつ、コストが嵩むことが抑制された光センサを提供する。
【解決手段】受光量に応じた電荷を蓄積する複数の受光素子と、全ての受光素子それぞれの受光面に入射する光の入射角度が異なるように、光の入射角度を規定する規定部と、全ての受光素子それぞれと共通して電気的に接続された共通配線と、対応する受光素子と共通配線との間に設けられた転送スイッチと、各受光素子に対して設けられ、受光素子に蓄積された電荷をリセットするリセット部と、転送スイッチの開閉、及び、リセット部の駆動を制御する制御部と、を有し、制御部が、転送スイッチの開閉とリセット部の駆動を調整することで、各受光素子から共通配線に出力される電荷の量を調整する。 （もっと読む）

【課題】ダミー画素領域の増大を抑えつつ、非直線性ばらつきを除去するための補正式を算出することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】画素アレイ3において、有効画素1は、少なくとも、入射光量に基づく画素信号を出力し、ダミー画素2は、与えられた基準電圧の電圧値に基づく画素信号を出力する。制御回路8は、ダミー画素2に、少なくとも、第1の基準電圧を与えてiフレーム分のダミー画素2の画素信号を読み出し、第2の基準電圧を与えてjフレーム分のダミー画素2の画素信号を読み出す制御を行う。補正式算出回路9は、少なくとも、第1の基準電圧が与えられたときに読み出されたiフレーム分のダミー画素2の画素信号をアナログ・デジタル変換した値と、第2の基準電圧が与えられたときに読み出されたjフレーム分のダミー画素2の画素信号をアナログ・デジタル変換した値とから、A/D変換器6の非直線性を補正する補正式を算出する。 （もっと読む）

【課題】光の感度を向上させた光電変換素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体基板１０１と、半導体基板１０１内に形成されたウェル領域１０２と、ウェル領域１０２内に形成された受光部を有し、受光部は第一の半導体領域１０３と第二の半導体領域１０４を有し、第二の半導体領域１０４は第一の半導体領域１０３よりも半導体基板１０１の表面側に位置し、第二の半導体領域１０４の禁制帯幅は、第一の半導体領域１０３の禁制帯幅よりも広いことを特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】放射線画像の信号からノイズ成分を確実に除去する。
【解決手段】ＦＰＤ３６には、画素３７の複数列のグループ６２毎に、画素３７で蓄積された信号電荷を電気信号に変換して出力する信号処理回路４０とノイズ検出素子６３が配されている。ノイズ検出素子６３は、画素３７と同様の構成であるが電荷蓄積機能を有さず、その出力電圧信号Ｄｎｚはノイズ成分を表す。減算器６４は、信号処理回路４０から出力された画素３７の電圧信号Ｄｉからノイズ検出素子６３の電圧信号Ｄｎｚを減算する。 （もっと読む）

【課題】暗電流及びオフセットノイズに起因するノイズだけでなく、ゲート線印加電圧の時間変動に起因する横引きノイズを、効率的にリダクションすること。
【解決手段】放射線検出部は、マトリクス状にアレイされた複数の画素を有し、入射した放射線を検出する。読み出し部は、選択的に仕様可能な複数の読み出し方式を有しており、放射線検出部から検出信号を読み出す。記憶部は、読み出し方式各々に対応する補正値を、読み出し方式毎に記憶する。補正部は、記憶部から読み出し方式に応じて選択的に読み出された補正値に基づいて、出力された検出信号を補正する。 （もっと読む）

【課題】異なるゲインで増幅した信号を得る場合のゲイン誤差やアナログデジタル変換誤差を低減することができる固体撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光電変換により信号を生成する複数の画素（１０１）と、複数の画素の信号又は基準信号入力部（１０７）の基準信号を第１のゲインで増幅した第１の信号及び第２のゲインで増幅した第２の信号を出力する列増幅部（１０２−１，１０２−２）と、第１の信号及び第２の信号をアナログからデジタルに変換するアナログデジタル変換部と、列増幅部が基準信号を増幅した第１の信号及び第２の信号を出力した時、第１及び第２の信号を同じゲインレベルにレベルシフトした後の第１及び第２の信号の間のゲイン誤差を検出する比較部と、列増幅部が複数の画素の信号を増幅した第１の信号及び第２の信号を出力した時、ゲイン誤差を基に第１の信号又は第２の信号を補正する補正部とを有する。 （もっと読む）