【課題】複数枚のチップを接続した構成の固体撮像装置において、それぞれのチップの大きさの差を少なくすることによって、固体撮像装置のチップ面積（実装面積）の縮小化と、コストの削減を図ることができる固体撮像装置、固体撮像装置の制御方法、および撮像装置を提供する。
【解決手段】第１の基板と第２の基板とが接続部によって電気的に接続された固体撮像装置であって、第１の基板に配置された光電変換素子と、第２の基板に配置され、光電変換素子で発生した信号をアナログの読み出し信号として出力する読み出し回路とを具備する画素が複数配置された画素部と、読み出し信号に対して信号処理を行う信号処理回路とを備え、信号処理回路を構成する回路要素を区分基準に基づいて第１の基板側または第２の基板側に区分し、第１信号処理回路に区分された回路要素を第１の基板内に配置し、第２信号処理回路に区分された回路要素を第２の基板内に配置する。 （もっと読む）

【課題】光電変換部の高集積化、制御系の複雑高度化に伴って、光電変換手段のそれぞれやこれらを制御する信号線についての不良検出が容易ではない。
【解決手段】複数のセンサ部と、前記複数のセンサ部のそれぞれに対応する複数の記憶部とを有し、通常モードにおいては、前記複数のセンサ部の出力に基づいて複数の第１制御情報を設定し前記複数の記憶部にそれぞれ格納し、前記複数のセンサ部のそれぞれに、対応する前記第１制御情報にしたがった基準まで電荷を蓄積させ、検査モードにおいては、予め定められた検査用の複数の第２制御情報を前記複数の記憶部にそれぞれ格納し、前記複数のセンサ部のそれぞれに、対応する前記第２制御情報にしたがった基準まで電荷を蓄積させ、前記複数のセンサ部にそれぞれ蓄積された電荷量に基づいて、前記複数のセンサ部を検査する制御部を備える半導体装置を採用する。 （もっと読む）

【課題】ストリーキングを低減することができるようにする。
【解決手段】 入射された光に対応する画素読み出し信号を出力する複数の単位画素から出力された画素読み出し信号が信号線により伝達され、信号線に接続され、単位画素から画素読み出し信号を読み出すための読み出し電流を供給され、画素読み出し信号のレベルをディジタルデータに変換するための参照信号が生成され、信号線の電圧の振幅の変化を制限する閾値を参照信号のゲインに連動して切り替えて、信号線の電圧の振幅の変化が制限される。 （もっと読む）

【課題】スミア信号を低減させることができるようにする。
【解決手段】固体撮像素子は入射した光を光電変換し、得られた信号電荷を、画素を構成する受光部に蓄積する。信号電荷の読み出し時には、転送電極に読み出し電圧が印加され、受光部から電荷転送チャネル領域への信号電荷の読み出しが行なわれる。電荷転送チャネル領域には、転送電極に印加される電圧に応じて、実際に信号電荷が蓄積されるパケットと、信号電荷が蓄積されない空パケットとが形成され、受光部から読み出された信号電荷は、パケットに蓄積される。このとき、固体撮像素子は、電荷転送チャネル領域の空パケットの領域の一部のポテンシャルを浅くし、空パケットに不要電荷が蓄積されにくくなるようにする。本技術は、撮像装置に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】放射線画像を取得できない状態が発生しないようにリセット処理を実行する。
【解決手段】放射線撮影装置（１０）において、一方の放射線変換パネル（２８ａ）は、静止画像又は動画像を取得可能な放射線変換パネルであり、他方の放射線変換パネル（２８ｂ）は、動画像を取得可能な放射線変換パネルである。この場合、他方の放射線変換パネル（２８ｂ）に対してリセット処理部（２８ｃ、３０、３２、４０）がリセット処理を実行可能な時間帯にのみ、一方の放射線変換パネル（２８ａ）は、放射線（１６）を静止画像又は動画像に変換する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、再分極を行うことなく、赤外線を検出することができる焦電型赤外線検出素子、焦電型赤外線撮像素子および焦電型赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の焦電型赤外線検出素子Ｄは、一対の下部電極層および上部電極層と前記一対の下部電極層および上部電極層間に配置される強誘電体材料とを備える焦電部１１と、前記一対の下部電極層および上部電極層間に所定の電圧値Ｖｉの電圧を印加するための電圧印加部１２と、電圧印加部１２によって前記一対の下部電極層および上部電極層間に前記所定の電圧値Ｖｉの電圧を印加した電圧印加分極状態から自然分極状態までに焦電部１１で生じた電荷量に関係する所定の物理量を測定する測定部１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】光電変換機能を有するｐｎ接合の逆方向電流がショットキ接合の逆方向電流ほど大きくならない技術を提供をする。
【解決手段】光電変換機能を有するｐｎ接合と電界効果トランジスタとから少なくとも構成され、電界効果トランジスタのソースが接続されているｐｎ接合の１方の半導体領域が他方の半導体領域に対してゼロまたは逆バイスとなる電位となった場合に、電界効果トランジスタが導通するゲート電位を供給することにより、２つの異なる導電型の半導体領域のいずれかに光が照射されても、ｐｎ接合が深い順方向電圧にバイアスされないよう飽和制御する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で、放射線の照射に関する検出を行うことができる、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】画素２０が、ＴＦＴスイッチ４と、センサ部１０３と、ソースフォロア回路４０であるＴＦＴスイッチ４２と、を備えている。ＴＦＴスイッチ４２は、ゲート端子がセンサ部１０３に接続されており、一端が専用配線４４に接続されており、他端が放射線検出配線１２２に接続されている。放射線検出モードでは、センサ部１０３で発生した電荷により、ＴＦＴスイッチ４２がスイッチングされ、センサ部１０３で発生した電荷に応じた電荷が放射線検出配線１２２に出力される。すなわち、照射された放射線の線量に応じた電荷がＴＦＴスイッチ４２により放射線検出配線１２２に出力される。 （もっと読む）

【課題】画素の読み出しへのノイズ混入を防止でき、画素を形成するトランジスタの継時的な特性劣化を抑止することが可能な固体撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】光電変換素子を有し、画素電源電圧が供給される増幅素子が信号線を駆動して光電変換により得られた電気信号を画素信号として出力する画素が複数行列状に配列された画素アレイ部と、供給される電源電圧から電源電圧より低い画素電源電圧を生成して、画素の増幅素子に供給する画素電源部と、画素から画素信号の読み出しを行う画素信号読み出し部と、を有し、画素電源部は、少なくとも電源電圧のノイズが出力すべき画素信号に伝達しないように減衰させてターゲット電圧の画素電源電圧を生成する画素電源回路を含む。 （もっと読む）

【課題】短時間で欠陥画素の抽出を行うことができる、放射線画像撮影装置、放射線画像撮影システム、欠陥画素抽出プログラム、及び欠陥画素抽出方法を提供する。
【解決手段】画素２０のＴＦＴスイッチ４の駆動時間（オン時間）を異ならせて取得した、第１の駆動時間による第１画像と、第２の駆動時間による第２画像とを取得し、第１画像と第２画像との差分画像を取得する。さらに、差分画像の画素の画素値と、当該画素の周囲の画素の画素値の平均値とを比較した比較値が閾値を超える場合は、当該画素を欠陥画素として判定し、記憶することにより欠陥画素の抽出を行う。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を抑制することができる、放射線画像撮影装置、放射線画像撮影システム、放射線画像撮影プログラム、及び放射線画像撮影方法を提供する。
【解決手段】画素２０の列毎に、バイアス線２５が備えられており、複数のバイアス線２５のうち、１０ｍｍ間隔で設けられたバイアス線２５Ａが電流検出器１２０を介してバイアス電源１１０に接続されている。また、残りのバイアス線２５Ｂは、電流検出器１２０を介さずに直接バイアス電源１１０に接続されている。画素２０では、照射された放射線量に応じて放射線検知素子１０３で電荷が発生すると、発生した電荷に応じて、バイアス線２５に電流が流れる。電流検出器１２０は、バイアス線２５Ａに流れる電流を検出し、制御部１０６は、検出した電流（電流値）が閾値以上になった場合を、放射線の照射開始のタイミングとして検出し、放射線画像の撮影を開始させる。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／Ｎ特性及び画質の劣化を抑制する。
【解決手段】本発明に係る固体撮像装置１０Ａは、行列状に配置された複数の画素セル１１と、複数の垂直信号線２２と、１以上の列毎に一つ設けられており、対応する列に配置された垂直信号線２２に出力された信号電圧が入力される複数の列回路２０とを備え、列回路２０の各々は、定電流源トランジスタ１１５及び１２２を含むアンプ４０と、定電流源トランジスタ１１５及び１１２とカレントミラー回路を構成するカレントミラートランジスタ１７２と、カレントミラートランジスタ１７２に電流を供給する基準電流源トランジスタ１７１とを備え、固体撮像装置１０Ａは、アンプ４０に接続されている電源電圧線Ｌ１１と、アンプ４０及びカレントミラー回路に接続されているグランド線Ｌ１２と、基準電流源トランジスタ１７１に接続されている電源電圧線Ｌ１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＲＯＩ駆動方式を用いた固体撮像素子において、消費電力を低減させ、撮像部の熱ノイズを低減させて高品質な画像を撮像できる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】画素部２０と信号読出部２１とを備え、該信号読出部が前記画素部の各画素２１の画素信号をＸＹアドレス方式で読み出す固体撮像素子１０と、前記画素部の関心領域Ｒ１のみの前記画素信号を前記信号読出部に読み出させる関心領域読出制御を行う関心領域読出制御手段９０と、を有する固体撮像装置において、
前記関心領域読出制御手段は、前記関心領域読出制御を行う際に、前記信号読出部のうち前記関心領域を読み出し対象に含まず、読み出し動作を行わない非読出領域の電源を遮断する電源遮断制御を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の静電破壊を防止する共に、帯電防止膜を設けたことによる副作用を防止することができる、光電変換基板、放射線検出器、及び放射線画像撮影装置光電変換素子の静電破壊を防止する。
【解決手段】基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４及びセンサ部１０３の上面が平坦化層１８により平坦化されており、当該平坦化層１８の略全面（本実施の形態では画素領域２０Ａの全面）に帯電防止機能を有する導電膜３０が形成されている。導電膜３０は、接続配線４２により接続部４４に接続されており、接続部４４は、接続配線４２を共通電極配線２５を介してバイアス電源１１０またはグランドに接続するように構成されている。また、光電変換基板６０（導電膜３０）の上には、シンチレータ７０が形成されており、シンチレータ７０は、光電変換基板６０に近い方から非柱状部７１及び柱状部７２を備えている。 （もっと読む）

【課題】飽和特性を維持しつつ、スミアを抑制することが可能な固体撮像装置及び電子カメラを提供することを目的とする。
【解決手段】行列状に配置され、信号電荷を生成する複数の光電変換部１１０と、複数の光電変換部１１０の各列に対応して設けられ、複数の光電変換部１１０それぞれに対応する転送電極１１１を有し、転送電極１１１に対応する複数の光電変換部１１０から信号電荷を読み出して垂直方向に転送する垂直転送部１２０と、垂直転送部１２０より転送された信号電荷を水平方向に転送する水平転送部１３０とを備え、水平転送部１３０が信号電荷を転送する水平転送期間では、複数の光電変換部１１０の行のうちの一部の行に対応する転送電極１１１に、垂直転送部１２０に印加される電位の中で最も低いローレベルの電位を印加し、複数の光電変換部１１０の行のうちの残部の行に対応する転送電極１１１に、ローレベルより高い電位を印加する。 （もっと読む）

【課題】素子数を低減でき、部品選定の制約を緩和することのできる技術を提供する。
【解決手段】撮像装置は、シャッタドライブパルス電圧に応じて、電荷蓄積部に蓄積された不要電荷を第１極性の半導体基板に掃出し可能に構成されている固体撮像装置と、固体撮像装置を駆動するための駆動パルスを出力するパルス駆動部と、パルス駆動部と固体撮像装置との間のシャッタドライブパルスの配線系統に配置されており、固体撮像装置を破損・劣化から保護する保護部とを備える。保護部は、パルス駆動部のシャッタドライブパルスの出力端と固体撮像装置の基板電圧端子との間に接続されたコンデンサ、所定電位点と基板電圧端子との間に接続されたダイオード、及び、基板電圧端子と基準電位点との間に接続された抵抗素子で構成されたクランプ回路を有する。ダイオードのアノード端は、基板電圧端子の定格電圧と対応した電位が印加される所定電位点に接続されている。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて、精度よく放射線を検知することができる、放射線検出素子、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】放射線検出素子１０では、放射線検知用画素２０Ｂが検知用ＴＦＴ６０を有しており、検知用ＴＦＴ６０には、シンチレータ４０から直接、放射線から変換された光が照射される。これにより、検知用ＴＦＴ６０半導体活性層６１により、照射された光の光量（強度）に応じてリーク電流が発生し、信号配線３に通電される。従って、当該リーク電流をモニタリングすることにより、放射線を検知でき、放射線の照射開始タイミング等を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】画素用電源としてアナログ電源を使用した場合においても、画素飽和信号量のばらつきの増大を抑制する。
【解決手段】画素アレイ部１は、光電変換した電荷を蓄積する画素２がマトリックス状に配置され、アナログ電圧安定化回路７は、アナログ電圧が所定値を超える場合、アナログ電圧を画素２の電源電圧として供給し、アナログ電圧が所定値以下の場合、アナログ電圧を昇圧してから画素２の電源電圧として供給する。 （もっと読む）

【課題】静電気からの保護をより確実に行うことが可能な信号伝達装置等を提供する。
【解決手段】信号伝達装置は、信号の入力動作および出力動作のうちの少なくとも一方の動作を行う複数の画素と、画素に接続された１または複数の信号線を含む複数の配線と、複数の配線のうちの一の信号線と他の一の配線との間に配設され、第１トランジスタおよび容量素子を有する１または複数の静電気保護回路と、静電気保護回路に接続された第１制御線とを備えている。静電気保護回路では、第１トランジスタのゲートが、第１制御線と直接もしくは間接的に接続され、第１トランジスタにおけるソースおよびドレインのうちの一方が、一の信号線および容量素子の一端に接続されると共に、他方が他の一の配線に接続され、容量素子の他端が、第１トランジスタのゲートに接続されている。 （もっと読む）