半導体装置及びその駆動方法
【課題】光電変換部の高集積化、制御系の複雑高度化に伴って、光電変換手段のそれぞれやこれらを制御する信号線についての不良検出が容易ではない。
【解決手段】複数のセンサ部と、前記複数のセンサ部のそれぞれに対応する複数の記憶部とを有し、通常モードにおいては、前記複数のセンサ部の出力に基づいて複数の第１制御情報を設定し前記複数の記憶部にそれぞれ格納し、前記複数のセンサ部のそれぞれに、対応する前記第１制御情報にしたがった基準まで電荷を蓄積させ、検査モードにおいては、予め定められた検査用の複数の第２制御情報を前記複数の記憶部にそれぞれ格納し、前記複数のセンサ部のそれぞれに、対応する前記第２制御情報にしたがった基準まで電荷を蓄積させ、前記複数のセンサ部にそれぞれ蓄積された電荷量に基づいて、前記複数のセンサ部を検査する制御部を備える半導体装置を採用する。
【解決手段】複数のセンサ部と、前記複数のセンサ部のそれぞれに対応する複数の記憶部とを有し、通常モードにおいては、前記複数のセンサ部の出力に基づいて複数の第１制御情報を設定し前記複数の記憶部にそれぞれ格納し、前記複数のセンサ部のそれぞれに、対応する前記第１制御情報にしたがった基準まで電荷を蓄積させ、検査モードにおいては、予め定められた検査用の複数の第２制御情報を前記複数の記憶部にそれぞれ格納し、前記複数のセンサ部のそれぞれに、対応する前記第２制御情報にしたがった基準まで電荷を蓄積させ、前記複数のセンサ部にそれぞれ蓄積された電荷量に基づいて、前記複数のセンサ部を検査する制御部を備える半導体装置を採用する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、カメラの測距点のそれぞれに対応する焦点検出用の光電変換部を設け、この光電変換部のそれぞれの出力に基づいて制御情報を設定する技術が開示されている。この制御情報は、被写体の輝度レベルに応じて、電荷の蓄積動作や蓄積電荷に基づく信号の読出動作などを制御するための情報であり、通常使用の用途においては、測距点ごとに設定されうる。これにより、精度の高い焦点検出を達成しうる半導体装置が提供される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−１５０６８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
焦点検出用の光電変換部の微細化は、光電変換部の電荷蓄積の特性ばらつきをもたらしうる。また、制御系の複雑化および高度化は、光電変換部を含むセンサ部のそれぞれやこれらを制御する信号線のショート不良が生じさせうる。したがって、これらの機能不良の検出試験の効率化が求められる。特許文献１に記載の半導体装置は、これら機能不良の検査の効率化については考慮されていない。
【０００５】
本発明の目的は、半導体装置の機能不良の検査を効率化することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一つの側面は半導体装置にかかり、前記半導体装置は、複数のセンサ部と、前記複数のセンサ部のそれぞれに対応する複数の記憶部とを有し、通常モードにおいては、前記複数のセンサ部の出力に基づいて複数の第１制御情報を設定し前記複数の記憶部にそれぞれ格納し、前記複数のセンサ部のそれぞれに、対応する前記第１制御情報にしたがった基準まで電荷を蓄積させ、検査モードにおいては、予め定められた検査用の複数の第２制御情報を前記複数の記憶部にそれぞれ格納し、前記複数のセンサ部のそれぞれに、対応する前記第２制御情報にしたがった基準まで電荷を蓄積させ、前記複数のセンサ部にそれぞれ蓄積された電荷量に基づいて、前記複数のセンサ部を検査する制御部を備える、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、半導体装置の機能不良の検査を効率化することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態の構成を説明する図。
【図２】本発明の第２実施形態の構成を説明する図。
【図３】第２実施形態のメイン・フローチャート。
【図４】第２実施形態のサブ・フローチャート。
【図５】第２実施形態の蓄積される電荷量を説明するプロット図。
【図６】本発明の第３実施形態の構成を説明する図。
【図７】第３実施形態のメイン・フローチャート。
【図８】第３実施形態のサブ・フローチャート。
【図９】第３実施形態の蓄積される電荷量を説明するプロット図。
【図１０】第４実施形態のサブ・フローチャート。
【図１１】各機能ブロックの内部構成の例。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜第１実施形態＞
まず、図１（ａ）を参照しながら、本発明の第１実施形態の半導体装置１ａを説明する。半導体装置１ａは、各測距点に対応する複数のユニットｋ（ｋ＝１〜ｎ）、およびこれらを制御する制御部１００を有する。複数のユニットｋのそれぞれは、複数のセンサ部１０ｋ、複数のセンサ部１０ｋのそれぞれに対応する複数の記憶部２０ｋを含む。センサ部１０ｋと記憶部２０ｋは、それぞれユニットｋに互いに対応するように図示したが、これらは必ずしも近傍に配置される必要はなく、チップレイアウトの都合に合わせて配置を変更してもよい。また、センサ部１０ｋのそれぞれは、後述の各機能に応じて、フォトダイオード等の受光素子を含む焦点検出用の光電変換部、当該光電変換部の出力信号を読み出す読出部１２ｋ、および当該光電変換部の電荷を保持する電荷保持部を含んでもよい。
【００１０】
半導体装置１ａは、動作モードとして、通常モードと検査モードを含む。通常モードにおいては、制御部１００は、複数のセンサ部１０ｋのそれぞれの出力に基づいて、それに対応する第１制御情報を設定し、この第１制御情報を複数の記憶部２０ｋにそれぞれ格納する。その後、制御部１００は、複数の記憶部２０ｋのそれぞれに格納された第１制御情報にしたがった基準まで、対応するセンサ部１０ｋのそれぞれに電荷を蓄積させるという動作を行う。これにより、通常モードにおいては、例えば、外部からの入力情報を検知したセンサ部１０ｋからの出力に応じて、その後のセンサ部１０ｋにおける電荷の蓄積動作を制御することが可能となる。
【００１１】
一方、検査モードにおいては、制御部１００は、予め定められた検査用の複数の第２制御情報を複数の記憶部２０ｋにそれぞれ格納する。その後、制御部１００は、複数の記憶部２０ｋのそれぞれに格納された第２制御情報にしたがった基準まで、対応するセンサ部１０ｋのそれぞれに電荷を蓄積させ、複数のセンサ部１０ｋにそれぞれ蓄積された電荷量を検査する。即ち、検査モードにおいては、複数のセンサ部１０ｋのそれぞれにおいて予め定められた電荷の蓄積動作がなされる。これにより、蓄積された電荷量に基づいてセンサ部１０ｋのそれぞれから出力される信号が、期待する値と異なった場合は、センサ部１０ｋのそれぞれ、またはそれらの制御信号において機能不良があることを意味する。
【００１２】
図１（ａ）に示す半導体装置１ａは、例えば、カメラに含まれる焦点検出装置に適用することができる。よく使われる方式として、焦点検出装置は、焦点検出をする際に、被写体の輝度レベルに応じて蓄積時間を制御しうる。本実施形態の場合、通常モードにおいては、まず、被写体の輝度レベルによって蓄積動作を制御する第１制御情報が設定されうる。そして、その後の焦点を検出する工程において、制御部１００は、複数の記憶部２０ｋのそれぞれに格納された第１制御情報にしたがった基準まで、対応するセンサ部１０ｋのそれぞれに電荷を蓄積させる。そして、この蓄積された電荷量に従って出力された信号に基づいて、演算処理を行う演算部（例えば、デフォーカス量検出部（不図示））が所定の演算処理を行う。その後、この演算結果は、焦点を合わせる合焦部（例えば、レンズ駆動部（不図示））にフィードバックされ、その結果、レンズの焦点を合わせることができる。一方、検査モードにおいては、予め定められた第２制御情報を複数の記憶部２０ｋのそれぞれに格納する。これにより、複数のセンサ部１０ｋのそれぞれにおいて、第２制御情報により予め定められた基準まで電荷量が蓄積される。そのため、センサ部１０ｋのそれぞれからは、機能不良がなければ期待した出力値を示し、機能不良があれば期待しない出力値を示すことになる。したがって、複数のセンサ部１０ｋから出力される信号のそれぞれを区別することができ、例えば、一様の照射光のもとにおいても機能不良を検出することが可能となる。
【００１３】
また、図１（ｂ）には、半導体装置１ａの変形例である半導体装置１ｂを示されている。半導体装置１ｂは増幅部３０をさらに含み、この増幅部３０は、センサ部１０ｋから出力される信号を設定された増幅率に従って増幅して出力しうる。例えば、通常モードにおいては、制御部１００は、複数の記憶部２０ｋのそれぞれに格納された第１制御情報に基づいて増幅率を設定することも可能である。これにより、前述の電荷の蓄積動作を制御する効果と併せて、さらに高精度の焦点検出を行うことが可能である。より具体的には、輝度レベルが高い場合は、蓄積される電荷量を少なくし、小さい増幅率を選択することにより、装置で処理可能な画素信号のダイナミックレンジを超えてしまうことを回避しうる。輝度レベルが低い場合は、蓄積時間を長くすることで十分量の電荷量を確保して相対的なノイズ影響を抑制し、大きい増幅率を選択することが可能である。
【００１４】
一方、検査モードにおいては、制御部１００は予め定められた増幅率を設定しうる。例えば、制御部１００は増幅率を固有の値とすることも可能である。このとき、増幅部３０は、この固有の値の増幅率に従って、センサ部１０ｋから出力される信号を増幅して出力しうる。ここで、センサ部１０ｋから出力される信号は、予め定められた第２制御情報にしたがった基準まで蓄積された電荷量により決まる。そのため、機能不良がなければ半導体装置１ｂは期待した値を出力し、機能不良があれば同じ値が出力されることになる。したがって、この場合も、一様の照射光のもとにおいて機能不良を検出することが可能となる。
【００１５】
＜第２実施形態＞
図２〜図５を用いて、本発明の第２実施形態を説明する。図２は、第２実施形態にかかる焦点検出装置２である。焦点検出装置２は、複数のセンサ部１０、複数のセンサ部１０のそれぞれに対応する複数の記憶部２０、センサ部１０から出力される信号を設定された増幅率に従って増幅して出力する増幅部３０、およびこれらを制御する制御部１００を含む。また、複数のセンサ部１０のそれぞれは、電荷の蓄積を行って蓄積された電荷量に応じた信号を出力する光電変換部１１、光電変換部１１の出力信号を読み出す読出部１２、および光電変換部１１に蓄積された電荷を保持する電荷保持部１３を含む。また、制御部１００は、読出部１２からの出力信号と比較するための基準電位Ｖｒｅｆを出力する基準設定部１１０、基準電位Ｖｒｅｆと読出部１２からの出力信号を比較する比較部１２０を含む。さらに、制御部１００は、初期設定部１３０、増幅率設定部１４０、および通常モードと検査モードのいずれかを動作モードとして選択するモード設定端子ｍｏｄｅ＿ｓｅｌを含み、これにより、初期設定部１３０と増幅率設定部１４０の動作を切り替えうる。例えば本実施形態のように、ｍｏｄｅ＿ｓｅｌ＝Ｌｏｗとすることで通常モード、ｍｏｄｅ＿ｓｅｌ＝Ｈｉとすることで検査モード、とすることができる。そして、制御部１００は、これらの装置のそれぞれと情報を通信して各動作の指示をするコントローラ１５０を含む。また、センサ部１０と記憶部２０は、ユニットｋ（ｋ＝１、２、…、２ｍ−１、２ｍ）ごとに互いに対応するように図示した。しかし、第１実施形態と同様に、これらは必ずしも近傍に配置される必要はなく、チップレイアウトの都合に合わせて配置を変更してもよい。ここで、ユニットの最後のものをユニットｎとして、ｎ＝２ｍ（偶数）であるとする。
【００１６】
光電変換部１１ｋは、位相差検出方式のため１対のセンサアレイからなり、例えば、約３０〜８０画素で、２つの像を形成しうる。読出部１２ｋは、光電変換部１１ｋにおいて蓄積した電荷量を検知し、例えば、光電変換部１１ｋの複数の画素からの出力のうちピークのものを出力しうる。また、例えば、ピークと共にボトムをも検知し、これらの差分より得られたピーク‐ボトム信号を用いてもよい。この出力結果は、コントローラ１５０からの指示に従って、比較部１２０に信号ｓ＿ｏｕｔが出力されうる。電荷保持部１３ｋは、光電変換部１１ｋにおいて蓄積された電荷を、画素信号ｑ＿ｏｕｔとして一時的に保持しうる。この画素信号ｑ＿ｏｕｔは、コントローラ１５０からの指示に従って、増幅部３０に出力されうる。
【００１７】
記憶部２０ｋは、コントローラ１５０からの指示に従って、光電変換部１１ｋにおける電荷の蓄積に関する制御情報（第１制御情報または第２制御情報）を格納しうる。この制御情報は、例えば本実施形態のように、２ビットの情報（「０」〜「３」）でもよい。また、この制御情報は、コントローラ１５０からの指示に従って、基準設定部１１０および増幅率設定部１４０に出力されうる。本実施形態においては、記憶部２０ｋのそれぞれは、奇数番号のユニットもしくは偶数番号のユニットのいずれのセンサ部１０ｋに対応するかによって、制御情報を格納するために接続された信号配線はｒｉｎ＿ｏｄｄとｒｉｎ＿ｅｖｅｎとで別にする。ここで、奇数番号のユニットの記憶部２０ｋは、入力をｒｉｎ＿ｏｄｄ、出力をｒｏｕｔとし、偶数番号のユニットの記憶部２０ｋは、入力をｒｉｎ＿ｏｄｄ、出力をｒｏｕｔとしている。
【００１８】
基準設定部１１０は、例えば図１１（ａ）のような構成でもよく、カウンタ１１１、セレクタ１６０、デコーダ１１２、複数の抵抗体１１３、およびアンプ１１４を含みうる。カウンタ１１１は、基準電位Ｖｒｅｆと読出部１２ｋからの出力信号を比較する際に使用されうる。セレクタ１６０は、カウンタ１１１の計測結果ｃ＿ｏｕｔと記憶部２０ｋからの制御情報のいずれか一方を選択しうる。デコーダ１１２は、セレクタ１６０からの出力に基づいて基準電位Ｖｒｅｆを選択する制御信号を生成しうる。アンプ１１４は、これらの制御信号および複数の抵抗体１１３により生成された基準電位Ｖｒｅｆを出力しうる。基準設定部１１０は、複数の記憶部２０ｋのそれぞれに格納された制御情報を、コントローラ１５０からの指示に従って選択的に読み出し、読出部１２ｋからの出力信号を比較するための基準電位Ｖｒｅｆを生成して比較部１２０に出力しうる。また、基準設定部１１０は、カウンタ１１１の計測結果ｃ＿ｏｕｔを出力しうる。計測結果ｃ＿ｏｕｔは、コントローラ１５０からの指示に従って初期設定部１３０に入力されうる。比較部１２０は、基準電位Ｖｒｅｆと、読出部１２ｋから読み出した信号ｓ＿ｏｕｔとを比較し、その比較結果ｃｏｍｐ＿ｏｕｔをコントローラ１５０に出力しうる。本実施例においては、ｓ＿ｏｕｔ≧Ｖｒｅｆのときにｃｏｍｐ＿ｏｕｔ＝Ｈｉとなるように設定している。
【００１９】
初期設定部１３０は、モード設定端子ｍｏｄｅ＿ｓｅｌの設定により通常モードと検査モードのいずれかを動作モードとして選択しうる。これにより、通常モードにおいては、記憶部２０ｋのそれぞれには、光電変換部１１ｋにおける電荷の蓄積に関する第１制御情報（後述のカウンタ１１１の計測結果ｃ＿ｏｕｔ）が格納されうる。一方、検査モードにおいては、予め定められた第２制御情報が格納されうる。初期設定部１３０は、例えば、図１１（ｂ）のような構成でもよく、２つの出力端子は図２のｒｉｎ＿ｏｄｄおよびｒｉｎ＿ｅｖｅｎを伝達するための信号配線のそれぞれに接続されうる。このとき、モード設定端子がＨｉ状態の場合は、ｒｉｎ＿ｅｖｅｎには「０」が出力される。即ち、検査モードにおいては、偶数番号のユニットの記憶部２０ｋのそれぞれには、制御情報「０」を第２制御情報として格納されることが可能となる。また、ｒｉｎ＿ｏｄｄには、後述のカウンタ１１１の計測結果ｃ＿ｏｕｔが出力され、奇数番号のユニットの記憶部２０ｋのそれぞれには、この情報が第２制御情報として格納されることが可能となる。
【００２０】
増幅率設定部１４０は、モード設定端子ｍｏｄｅ＿ｓｅｌの設定により通常モードと検査モードのいずれかを動作モードとして選択し、電荷保持部１３ｋからの出力信号ｑ＿ｏｕｔを増幅するための増幅率を定める制御情報を設定する。増幅率設定部１４０は、例えば、図１１（ｃ）のような構成でもよい。これにより、通常モードにおいては、複数の記憶部２０ｋのそれぞれから読み出された第１制御情報が選択され、検査モードにおいては、予め格納された固有の値の制御情報（本実施形態の場合は「３」）が選択される。その後、増幅部３０は電荷保持部１３ｋからの出力信号ｑ＿ｏｕｔを、増幅率設定部１４０によって設定される増幅率に従って、増幅して出力しうる。
【００２１】
コントローラ１５０は、実行プログラムに従って、これらの機能ブロックのそれぞれと通信して動作の指示を出しうる。実行プログラムは、図２に示すようにコントローラ１５０に含まれるプログラムメモリ１５１に格納されてもよい。
【００２２】
焦点検出装置２の、例えば図３に示すフローチャートに示す各動作は、実行プログラムがコントローラ１５０によって実行されることにより達成されうる。また、通常モードおよび検査モードのいずれの動作モードの場合も、このフローチャートに従った実行プログラムによって達成されうる。以下、通常モードの場合と検査モードの場合に分けて、それぞれ述べる。
【００２３】
まず、通常モードの場合について述べる。ステップＳ１００（以下、単に記号のみで示し、その後の各ステップについても同様とする）において本実行プログラムは開始される。Ｓ１１０では、タイマー１５２（例えば、コントローラ１５０に含まれる）の値ｔｉｍｅｒを初期化する（ｔｉｍｅｒ＝０）。
Ｓ１２０では、例えば図４（ａ）に示すフローチャート（Ｓ１２０〜Ｓ１２６）に従ったリセット処理がなされる。まず、コントローラ１５０からの指示により、光電変換部１１ｋにおいて蓄積されていた電荷がリセットされ（Ｓ１２１）、この後、電荷の蓄積が開始される。また、通常モードのリセット処理では、複数の記憶部２０ｋのそれぞれに格納される制御情報が初期化（例えば「３」（Ｓ１２３））され、全てのユニットの記憶部２０ｋのそれぞれに格納される（Ｓ１２２、Ｓ１２４、Ｓ１２５、Ｓ１２６）。この初期値の制御情報「３」は、例えば本実施形態のように、コントローラ１５０からの指示により、カウンタ１１１（図１１（ａ））の出力ｃ＿ｏｕｔから格納されてもよい。Ｓ１３０では、タイマー１５２によって経時的計測が開始（ｔｉｍｅｒが時間とともに加算）されるが、プログラムの実行によりカウントされ、計測されるとしてもよい。
【００２４】
Ｓ１４０では、ユニットｋを指定するレジスタ（不図示）の値を初期化する（ｋ＝１）。Ｓ１５０では、コントローラ１５０は、ｔｉｍｅｒが、予め設定されている電荷を蓄積させる時間の上限値（Ｅｔｉｍｅ）を超えているか否かを判断する。ｔｉｍｅｒ≧Ｅｔｉｍｅの場合は後述のＳ２２０に進む。ｔｉｍｅｒ＜Ｅｔｉｍｅの場合は次のＳ１６０に進む。Ｓ１６０では、コントローラ１５０からの指示により、ユニットｋについて、読出部１２ｋの出力ｓ＿ｏｕｔと、記憶部２０ｋに格納された制御情報に基づいて基準電位Ｖｒｅｆと、がそれぞれ比較部１２０に入力される。Ｓ１７０では、比較部１２０において、Ｓ１６０で設定されたｓ＿ｏｕｔとＶｒｅｆを比較する。このとき、比較部１２０の出力ｃｏｍｐ＿ｏｕｔ＝Ｈｉ（ｓ＿ｏｕｔ≧Ｖｒｅｆ）の場合は後述のＳ２２０に進む。ｃｏｍｐ＿ｏｕｔ＝Ｌｏｗ（ｓ＿ｏｕｔ＜Ｖｒｅｆ）の場合は次のＳ１８０に進む。Ｓ１８０では、コントローラ１５０は、ｔｉｍｅｒが、予め設定されている中間判断の時間（Ｈｔｉｍｅ）を超えているか否かを判断する。ｔｉｍｅｒ≧Ｈｔｉｍｅの場合は次のＳ１９０に進む。ｔｉｍｅｒ＜Ｈｔｉｍｅの場合は後述のＳ２００に進む。Ｓ１９０では、コントローラ１５０により、ユニットｋの光電変換部１１ｋにおいて蓄積された電荷量にしたがった制御情報（第１制御情報）が設定されて、記憶部２０ｋに格納される。この第１制御情報は、光電変換部１１ｋにおいてどの程度の電荷量が蓄積されているか、コントローラ１５０からの指示に従って基準設定部１１０から出力される基準電位Ｖｒｅｆ、および比較部１２０の結果によって判断される。このＳ１９０の動作は、例えば図４（ｂ）に示すフローチャートに従ったプログラムよって、達成されうる。
【００２５】
ここで、Ｓ１９０の一連の動作を、図５（ａ）を用いて、より具体的に述べる。図５（ａ）は、第２実施形態の検査モードの場合における、横軸がｔｉｍｅｒ、縦軸が光電変換部１１ｋにおいて蓄積された電荷量に応じた出力電位Ｖｑのプロット図である。図５（ａ）中の鎖線９０ａは被写体が暗く電荷の蓄積が早い場合を示し、鎖線９１ａは被写体が十分に明るく電荷の蓄積が遅い場合を示す。
【００２６】
鎖線９０ａの場合（被写体が暗く電荷の蓄積が遅い場合）は、ｔｉｍｅｒ≧ＨｔｉｍｅとなったときにＳ１９０の動作がなされる。Ｓ１９１では、コントローラ１５０からの指示に従って、カウンタ１１１の出力ｃ＿ｏｕｔがリセットされる（ｃ＿ｏｕｔ＝０）。Ｓ１９２では、ｃ＿ｏｕｔの値にしたがった基準電位Ｖｒｅｆが設定される。このときの基準電位Ｖｒｅｆは、コントローラ１５０からの指示に従ってセレクタ１６０によってｃ＿ｏｕｔが選択され、設定されている。例えば、ｃ＿ｏｕｔ＝２のときは、基準電位Ｖｒｅｆは「レベル２」に設定される。Ｓ１９３では、比較部１２０においてＶｑとＶｒｅｆの比較がなされる。比較部１２０の出力ｃｏｍｐ＿ｏｕｔ＝Ｌｏｗ（Ｖｑ＜Ｖｒｅｆ）の場合は後述のＳ１９６に進み、ｃｏｍｐ＿ｏｕｔ＝Ｈｉ（Ｖｑ≧Ｖｒｅｆ）の場合はＳ１９４に進む。Ｓ１９４では、コントローラ１５０によって基準電位Ｖｒｅｆに「レベル３」が設定されているかどうか（ｃ＿ｏｕｔ＝３かどうか）が判定される。基準電位Ｖｒｅｆが「レベル３」の場合（ｃ＿ｏｕｔ＝３の場合）は後述のＳ１９６に進む。基準電位Ｖｒｅｆが「レベル３」でなかった場合（ｃ＿ｏｕｔ≠３の場合）はＳ１９５に進む。Ｓ１９５では、コントローラ１５０からの指示に従って、基準電位Ｖｒｅｆを１つ上のレベルに設定（ｃ＿ｏｕｔの値に＋１を加算）し、Ｓ１９３に戻る。同様の手順が、Ｓ１９３においてＶｑ≧ＶｒｅｆとなってＳ１９６に進むまで、もしくはＳ１９４において基準電位Ｖｒｅｆが「レベル３」（ｃ＿ｏｕｔ＝３）となってＳ１９６に進むまで、繰り返される。Ｓ１９６では、Ｓ１９３またはＳ１９４において設定された基準電位Ｖｒｅｆに従って制御情報が設定される。即ち、このときのｃ＿ｏｕｔの値が、コントローラ１５０からの指示に従って、第１制御情報として記憶部２０ｋに格納される。したがって、、鎖線９０ａの場合（被写体が暗く電荷の蓄積が遅い場合）は、以上のＳ１９０〜Ｓ１９６により、ｃ＿ｏｕｔ＝１が第１制御情報として記憶部２０ｋに格納される。
【００２７】
一方で、鎖線９１ａの場合（被写体が十分に明るく電荷の蓄積が早い場合）は、ｔｉｍｅｒ＜ＨｔｉｍｅにおいてＶｑが「レベル３」の基準電位Ｖｒｅｆに到達し、Ｓ１７０の後はＳ２２０に進むため、Ｓ１９０の動作はなされない。これは、リセット処理（Ｓ１２０）によって、任意の記憶部２０ｋに初期化された制御情報「３」が格納されているため、Ｓ１６０において、基準電位Ｖｒｅｆにはこの制御情報「３」にしたがった電位「レベル３」が設定されるからである。
【００２８】
Ｓ２００では、コントローラ１５０によって、全てのユニットｋについてＳ２２０がなされたか否かが判断される。すべてのユニットｋについてＳ２２０がなされている場合は、後述のＳ２３０へ進み、なされていない場合はＳ２１０に進む。Ｓ２１０では、次のユニットｋを指定してＳ１５０の動作に戻る。具体的には、ｋ＜ｎの場合は、その次のユニットｋを指定（ｋの値に＋１を加算）する。ｋ＝ｎの場合は、ｋ＝１にリセットし、その次の時間を指定（例えば、ｔｉｍｅｒの値に＋１を加算）する。Ｓ２２０では、コントローラ１５０によって、ユニットｋの光電変換部１１ｋにおける電荷の蓄積動作を終了させ、同時に、蓄積された電荷は画素信号ｑ＿ｏｕｔとして電荷保持部１３ｋに一時的に保持される。Ｓ２３０では、全てのユニットｋについてＳ２２０がなされた後にコントローラ１５０によってなされる動作であり、任意の電荷保持部１３ｋから画素信号ｑ＿ｏｕｔが読み出される。Ｓ２４０では、増幅率設定部１４０により、記憶部２０ｋに格納された第１制御情報が読み出され、増幅率が設定される。このとき、このＳ２４０に先立って、Ｓ１９０で設定された制御情報の正当性を確認するために、図４（ｂ）に示すＳ１９０のステップにより再び制御情報を設定しなおすことも可能である（不図示）。Ｓ２５０では、Ｓ２３０において読み出された画素信号ｑ＿ｏｕｔは、Ｓ２４０において設定された増幅率に従って増幅されて出力される。Ｓ２６０で、以上の一連の動作が終了し、通常モードの機能が達成されうる。
【００２９】
このようにして、本実施形態の焦点検出装置２は、通常モードにおいては、被写体の輝度レベルによって蓄積動作を制御しうる第１制御情報を出力し、この第１制御情報を複数の記憶部２０ｋのそれぞれに格納する。
【００３０】
次に、検査モードの場合について述べる。検査モードは、ｔｉｍｅｒ＜ＨｔｉｍｅにおいてＶｑが「レベル３」の基準電位Ｖｒｅｆに到達する程度に十分に明るい一様光が照射される条件下でなされる（図５（ｂ））。また、検査モードは、通常モードと同一のフローチャート（図３、図４）によって達成されうる。Ｓ１００〜Ｓ１１０は、通常モードと同様の内容であるので説明を省く。
【００３１】
Ｓ１２０では、検査モードにしたがったリセット処理（Ｓ１２０〜Ｓ１２６）がなされ、奇数番号のユニットの記憶部２０ｋには制御情報「３」が、偶数番号のユニットの記憶部２０ｋには制御情報「０」が、それぞれ格納される。これは、セレクタ１６０ｓ（図１１（ｂ））において、モード設定端子ｍｏｄｅ＿ｓｅｌ＝Ｈｉと設定することにより達成されうる。制御情報「３」は、前述のように、コントローラ１５０からの指示によりカウンタ１１１（図１１（ａ））の出力ｃ＿ｏｕｔから出力されたものでもよい。また、制御情報「０」は、予め用意された固定の情報でもよい。Ｓ１３０〜Ｓ１５０は、通常モードと同様の内容であるので説明を省く。
【００３２】
Ｓ１６０では、ユニットｋが奇数番号の場合と偶数番号の場合で、異なる基準電位Ｖｒｅｆが設定されうる。より具体的には、図５（ｂ）を用いて述べる。図５（ｂ）は、第２実施形態の検査モードの場合における、横軸がｔｉｍｅｒ、縦軸が光電変換部１１ｋにおいて蓄積された電荷量に応じた出力電位Ｖｑのプロット図である。検査モードにおいては、十分に明るい一様光が照射されるため、図５（ｂ）中の鎖線９１ｂに示すように電荷の蓄積が早い。したがって、ｔｉｍｅｒ＜ＨｔｉｍｅにおいてＶｑが「レベル３」もしくは「レベル０」の基準電位Ｖｒｅｆに到達するため、全てのユニットｋについて、Ｓ１７０の後はＳ２２０に進む。ここで、リセット処理（Ｓ１２０）により、奇数番号と偶数番号のユニットの記憶部２０ｋのそれぞれには、初期化された制御情報「３」と「０」がそれぞれ格納されている。したがって、Ｓ１６０において、奇数番号のユニットについては制御情報「３」にしたがった「レベル３」の基準電位Ｖｒｅｆが、偶数番号のユニットについては制御情報「０」にしたがった「レベル０」の基準電位Ｖｒｅｆが設定される。その結果、Ｓ１７０では、奇数番号のユニットについてはｔｉｍｅｒ＝ｔｅｎｄ＿ｏｄｄにおいて、偶数番号のユニットについてはｔｉｍｅｒ＝ｔｅｎｄ＿ｅｖｅｎにおいて、それぞれｃｏｍｐ＿ｏｕｔ＝Ｈｉが得られ、Ｓ２２０に進むことになる。Ｓ１７０〜Ｓ２１０は、通常モードと同様の内容であるので説明を省く。
【００３３】
Ｓ２２０では、奇数番号のユニットの電荷保持部１３ｋにはｔｅｎｄ＿ｏｄｄの時間だけ蓄積された電荷が、偶数番号のユニットの電荷保持部１３ｋにはｔｅｎｄ＿ｅｖｅｎの時間だけ蓄積された電荷が、画素信号ｑ＿ｏｕｔとして一時的に保持される。Ｓ２３０では、したがって、奇数番号のユニットの場合と偶数番号のユニットの場合とで、電荷保持部１３ｋから読み出される画素信号ｑ＿ｏｕｔが異なる。Ｓ２４０では、増幅率設定部１４０は、記憶部２０ｋのそれぞれに格納された第２制御情報に関わらず、ある固有の値の増幅率を定める情報（本実施形態の場合は「３」）を設定する。Ｓ２５０では、Ｓ２３０において読み出された画素信号ｑ＿ｏｕｔは、Ｓ２４０において設定された固有の値の増幅率に従って増幅されて出力される。したがって、複数のセンサ部１０ｋのそれぞれに隣接するセンサ部１０ｋとの機能不良がなかった場合は、増幅部３０からはユニットｋ＝１〜２ｍについて交互に異なる値が出力される。一方で、機能不良があった場合は、機能不良のあるユニットについては隣接するユニットのものと同じ値の出力が、増幅部３０からなされることになる。
【００３４】
このようにして、本実施形態の焦点検出装置２は、検査モードにおいては、奇数番号のユニットの記憶部２０ｋのそれぞれと、偶数番号のユニットの記憶部２０ｋのそれぞれと、に異なる情報を格納する。例えば、奇数番号のユニットの記憶部２０ｋのそれぞれには第２制御情報として、蓄積する電荷量を高い基準に設定する情報を、偶数番号のユニットの記憶部２０ｋのそれぞれには第２制御情報として、蓄積する電荷量を低く基準に設定する情報を格納すればよい。これら第２制御情報とは逆の情報を、奇数番号と偶数番号のユニットの記憶部２０ｋのそれぞれに格納してもよい。これにより、複数のセンサ部１０ｋのそれぞれには、交互に異なる電荷量が蓄積され、したがって、センサ部１０ｋのそれぞれの、隣接するセンサ部（１０ｋ−１や１０ｋ＋１）との機能不良を検出することが可能となる。
【００３５】
＜第３実施形態＞
図６は、本発明を適用した第３実施形態にかかる焦点検出装置３である。本実施形態は、複数の記憶部２０ｋのそれぞれが、第１制御情報を格納する第１記憶領域２１ｋ、および第２制御情報を格納する第２記憶領域２２ｋを含む点で、第２実施形態と異なる。第１記憶領域２１ｋには、基準電位Ｖｒｅｆを設定するための制御情報が格納されうる。第２記憶領域２２ｋには、光電変換部１１ｋにおける電荷の蓄積時間を設定するための制御情報が格納されうる。また、これに伴って、制御部１００の内部構成が変更されうる。即ち、比較器１２０ｂおよびセレクタ１６０ｂが追加され得、初期設定部１３０の代わりに初期設定部１３０ｂが採用されうる。その他、機能ブロック同士の結線が変更されうる。即ち、比較部１２０には、基準電位Ｖｒｅｆ、および読出部１２ｋから読み出した信号ｓ＿ｏｕｔがそれぞれ入力され、これらを比較した結果はセレクタ１６０ｂに出力される。比較部１２０は、本実施形態においては、ｓ＿ｏｕｔ≧ＶｒｅｆのときにＨｉを出力する設定としている。比較部１２０ｂには、ｔｉｍｅｒの値、および第２記憶領域２２ｋから読み出された制御情報ｒｏｕｔ２が入力され、これらを比較した結果はセレクタ１６０ｂに出力される。比較部１２０ｂは、本実施形態においては、ｔｉｍｅｒ≧ｒｏｕｔ２のときにＨｉを出力する設定としている。セレクタ１６０ｂには、比較部１２０の出力と比較部１２０ｂの出力がそれぞれ入力され、モード設定端子ｍｏｄｅ＿ｓｅｌにより、これらのいずれか一方が選択的に出力される。
【００３６】
初期設定部１３０ｂには、ｃ＿ｏｕｔの代わりにｔｉｍｅｒが入力され、２つの出力端子は図６のｒｉｎ２＿ｏｄｄおよびｒｉｎ２＿ｅｖｅｎを格納するための信号配線のそれぞれに接続されうる。ここで、第１記憶領域２１ｋのそれぞれは、入力をｒｉｎ１、出力をｒｏｕｔ１とし、第２記憶領域２２ｋのそれぞれは、入力をｒｉｎ２＿ｏｄｄおよびｒｉｎ２＿ｅｖｅｎ、出力をｒｏｕｔ２としている。初期設定部１３０ｂは、例えば、図１１（ｄ）のような構成でもよく、セレクタ１６０ｏとセレクタ１６０ｅを有し、モード設定端子ｍｏｄｅ＿ｓｅｌの設定により通常モードと検査モードのいずれかを動作モードとして選択しうる。初期設定部１３０ｂは、コントローラ１５０からの指示に従って、第２記憶領域２２ｋのそれぞれの入力ｒｉｎ２＿ｏｄｄおよびｒｉｎ２＿ｅｖｅｎに制御情報を出力しうる。通常モードにおいては、複数の第２記憶領域２２ｋのそれぞれには、時間に関する第１制御情報（ｔｉｍｅｒ）が格納されうる。一方、検査モードにおいては、予め定められた時間に関する第２制御情報（ｔｑ＿ｏｄｄ、ｔｑ＿ｅｖｅｎ）が格納されうる。即ち、検査モードであるモード設定端子ｍｏｄｅ＿ｓｅｌ＝Ｈｉの場合は、ｒｉｎ２＿ｏｄｄは「ｔｑ＿ｏｄｄ」、ｒｉｎ２＿ｅｖｅｎは「ｔｑ＿ｅｖｅｎ」、となる。したがって、奇数番号のユニットの第２記憶領域２２ｋのそれぞれには制御情報「ｔｑ＿ｏｄｄ」が、偶数番号のユニットの第２記憶領域２２ｋのそれぞれには、制御情報「ｔｑ＿ｅｖｅｎ」が、第２制御情報として格納されうる。また、本実施形態においてはｔｑ＿ｏｄｄ＞ｔｑ＿ｅｖｅｎとするが、逆の場合も本発明の目的は達成されうる。
【００３７】
焦点検出装置３の、例えば図７および図８に示すフローチャートにおける各動作は、実行プログラムがコントローラ１５０によって実行されることにより、達成されうる。また、このフローチャートにおける各動作は、各動作ブロックのそれぞれの仕様やこれらの結線を変更することによって、第２実施形態と同一の実行プログラムによって達成されることも可能である。このフローチャートにおける各動作を、以下、通常モードの場合と検査モードの場合に分けて、第２実施形態と異なる効果が得られるステップを述べる。
【００３８】
まず、通常モードの場合について述べる。Ｓ４００〜Ｓ４２３は、Ｓ１００〜Ｓ１２３と同様の内容であるので説明を省く。Ｓ４２４では、第１記憶領域２１ｋが初期化され、例えば「３」が格納される。これは第２実施形態と同様で、Ｓ４２３において、ｃ＿ｏｕｔに「３」がセットされる（ｃ＿ｏｕｔ＝３）としたからである。そして、第２記憶領域２２ｋには「０」が格納される。これは、Ｓ４１０において、ｔｉｍｅｒの値がリセットされた（ｔｉｍｅｒ＝０）からである。Ｓ４２５〜Ｓ４６０は、Ｓ１２５〜Ｓ１６０と同様の内容であるので説明を省く。
【００３９】
Ｓ４７０では、セレクタ１６０ｂの出力ｃｏｍｐ＿ｏｕｔを判定する。ここで、通常モード（ｍｏｄｅ＿ｓｅｌ＝Ｌｏｗ）では、セレクタ１６０ｂは比較部１２０の出力（Ｖｒｅｆとｓ＿ｏｕｔの比較結果）を選択して出力している。ｃｏｍｐ＿ｏｕｔ＝Ｈｉ（ｓ＿ｏｕｔ≧Ｖｒｅｆ）の場合は後述のＳ５２０に進む。ｃｏｍｐ＿ｏｕｔ＝Ｌｏｗ（ｓ＿ｏｕｔ＜Ｖｒｅｆ）の場合は次のＳ４８０に進む。Ｓ４８０〜Ｓ５１０は、Ｓ１８０〜Ｓ２１０と同様の内容であるので説明を省く。
【００４０】
Ｓ５２０では、コントローラ１５０によって、光電変換部１１ｋにおける電荷の蓄積動作が終了され、蓄積された電荷は画素信号ｑ＿ｏｕｔとして電荷保持部１３ｋに一時的に保持される。このとき、これと同時に、通常モード（ｍｏｄｅ＿ｓｅｌ＝Ｌｏｗ）においては、初期設定部１３０ｂ（図１１（ｄ））に含まれるセレクタ１６０ｏとセレクタ１６０ｅから、それぞれｔｉｍｅｒが出力される。即ち、この蓄積に要した時間に関する制御情報（ｔｉｍｅｒ）が第２記憶領域２２ｋに格納される。Ｓ５３０〜Ｓ５６０は、Ｓ２３０〜Ｓ２６０と同様の内容であるので説明を省く。
【００４１】
このようにして、本実施形態の焦点検出装置３は、通常モードにおいては、被写体の輝度レベルによって蓄積動作を制御する第１制御情報を出力し、この第１制御情報を複数の第１記憶領域２１ｋのそれぞれに格納する。その後、複数のセンサ部１０ｋのそれぞれに、対応する第１制御情報にしたがった基準まで電荷を蓄積させる。また、この蓄積にかかった時間に関する制御情報は、複数の第２記憶領域２２ｋのそれぞれに格納されて、さらに焦点検出がなされる場合に再利用されることも可能である。
【００４２】
次に、検査モードの場合について述べる。検査モードは、通常モードと同一のフローチャート（図７、図８）によって達成されうる。第２実施形態の検査モードは、十分に明るい一様光が照射されるという前提であったが、本実施形態ではこの前提はない。Ｓ４００〜Ｓ４２３は、通常モードと同様の内容であるので説明を省く。Ｓ４２４では、第１記憶領域２１ｋが初期化（例えば「３」が格納）される他、奇数番号のユニットの第２記憶領域２２ｋには「ｔｑ＿ｏｄｄ」が、偶数番号のユニットの第２記憶領域２２ｋには「ｔｑ＿ｅｖｅｎ」が、第２制御情報としてそれぞれ格納されうる。これは、検査モード（ｍｏｄｅ＿ｓｅｌ＝Ｈｉ）では、初期設定部１３０ｂ（図１１（ｄ））に含まれるセレクタ１６０ｏとセレクタ１６０ｅから、それぞれ「ｔｑ＿ｏｄｄ」「ｔｑ＿ｅｖｅｎ」が出力されるからである。Ｓ４２５〜Ｓ４６０は、通常モードと同様の内容であるので説明を省く。
【００４３】
Ｓ４７０では、セレクタ１６０ｂの出力ｃｏｍｐ＿ｏｕｔを判定する。ここで、検査モード（ｍｏｄｅ＿ｓｅｌ＝Ｈｉ）では、セレクタ１６０ｂは比較部１２０ｂの出力（ｔｉｍｅｒとｒｏｕｔ２の比較結果）を選択して出力している。ｃｏｍｐ＿ｏｕｔ＝Ｈｉ（ｔｉｍｅｒ≧ｒｏｕｔ２）の場合は後述のＳ５２０に進む。ｃｏｍｐ＿ｏｕｔ＝Ｌｏｗ（ｔｉｍｅｒ＜ｒｏｕｔ２）の場合は次のＳ４８０に進む。Ｓ４８０〜Ｓ５１０は、通常モードと同様の内容であるので説明を省く。
【００４４】
Ｓ５２０では、コントローラ１５０によって、光電変換部１１ｋにおける電荷の蓄積動作が終了され、蓄積された電荷は画素信号として電荷保持部１３ｋに一時的に保持される。より具体的には、図９を用いて述べる。図９は、第３実施形態の検査モードの場合における、横軸がｔｉｍｅｒ、縦軸が光電変換部１１ｋにおいて蓄積された電荷量に応じた出力電位Ｖｑのプロット図である。本実施形態の検査モードの場合は、第２制御情報にしたがった時間を基準にして、電荷の蓄積動作を制御しうる。即ち、奇数番号のユニットの光電変換部１１ｋにおける電荷の蓄積動作については、Ｓ４７０においてｔｉｍｅｒ≧ｒｏｕｔ２＝ｔｑ＿ｏｄｄとなったときにｃｏｍｐ＿ｏｕｔ＝Ｈｉとなり、Ｓ５２０がなされる。一方で、偶数番号のユニットの光電変換部１１ｋにおける電荷の蓄積動作については、Ｓ４７０においてｔｉｍｅｒ≧ｒｏｕｔ２＝ｔｑ＿ｅｖｅｎとなったときにｃｏｍｐ＿ｏｕｔ＝Ｈｉとなり、Ｓ５２０がなされる。Ｓ５３０〜Ｓ５６０は、通常モードと同様の内容であるので説明を省く。
【００４５】
このようにして、本実施形態の焦点検出装置３は、検査モードにおいては、奇数番号のユニットの第２記憶領域２２ｋのそれぞれと、偶数番号のユニットの第２記憶領域２２ｋのそれぞれと、に異なる第２制御情報を格納する。その後、複数のセンサ部１０ｋのそれぞれに、対応する第２記憶領域２２ｋに格納された第２制御情報にしたがった基準まで、電荷を蓄積させる。本実施形態においては、奇数番号のユニットの第２記憶領域２２ｋのそれぞれには、電荷を蓄積する時間を長く設定する情報を、偶数番号のユニットの第２記憶領域２２ｋのそれぞれには、電荷を蓄積する時間を短く設定する情報を、第２制御情報として格納した。これら第２制御情報とは逆の情報を、奇数番号と偶数番号のユニットの第２記憶領域２２ｋのそれぞれに格納してもよい。これにより、複数のセンサ部１０ｋのそれぞれには、交互に異なる電荷量が蓄積され、したがって、センサ部１０ｋのそれぞれの、隣接するセンサ部（１０ｋ−１や１０ｋ＋１）との機能不良の検出が可能となる。さらに、第２記憶領域２２ｋについても同様にして機能不良の検出が可能となる。
【００４６】
＜第４実施形態＞
以上の第２実施形態および第３実施形態においては、制御部１００に設けられたモード設定端子ｍｏｄｅ＿ｓｅｌを切り替えることによって通常モードと検査モードを選択した。しかし、以下に述べる第４実施形態のように、モード設定端子ｍｏｄｅ＿ｓｅｌを切り替えずに、プログラムメモリ１５１に予め通常モードと検査モードの実行プログラムをそれぞれ格納して、いずれか一方を選択して読み出し、実行することも可能である。いずれの実行プログラムを選択するかは、例えば、外部インターフェースからの指示などによりなされうる。この場合は、モード設定端子ｍｏｄｅ＿ｓｅｌの状態は固定してもよいし、モード設定端子ｍｏｄｅ＿ｓｅｌを設けなくてもよい。
【００４７】
例えば、通常モードにおいては第２実施形態のフローチャート（図３、図４）に従った実行プログラムを援用し、検査モードにおいてはこれと異なる実行プログラムを実行することが可能である。これにより、モード設定端子ｍｏｄｅ＿ｓｅｌを使用せずに焦点検出装置２と同様の効果が達成されうる。図１０は、第４実施形態の検査モードにおけるリセット処理（Ｓ１２０）の詳細フローチャートの一例である。Ｓ１２０〜Ｓ１２１は、第２実施形態と同様の内容であるので説明を省く。Ｓ１２２ｏ〜Ｓ１２６ｏにおいて、奇数番号のユニットの記憶部２０ｋのそれぞれに格納される制御情報が初期化（例えば「３」（Ｓ１２３ｏ））され、記憶部２０ｋのそれぞれに格納される（Ｓ１２２ｏ、Ｓ１２４ｏ、Ｓ１２５ｏ、Ｓ１２６ｏ）。この初期値の制御情報「３」は、コントローラ１５０からの指示により、例えばカウンタ１１１（図１１（ａ））の出力ｃ＿ｏｕｔから格納されてもよい。その後、Ｓ１２２ｅ〜Ｓ１２６ｅにおいて、偶数番号のユニットの記憶部２０ｋのそれぞれに格納される制御情報が初期化（例えば「０」（Ｓ１２３ｅ））され、記憶部２０ｋのそれぞれに格納される（Ｓ１２２ｅ、Ｓ１２４ｅ、Ｓ１２５ｅ、Ｓ１２６ｅ）。この初期値の制御情報「０」は、コントローラ１５０からの指示により、例えばカウンタ１１１の出力ｃ＿ｏｕｔから格納されてもよい。その後、Ｓ１３０に戻る。Ｓ１３０以降は、第２実施形態と同様の内容であるので説明を省く。これにより、奇数番号と偶数番号のユニットの記憶部２０ｋのそれぞれには、初期化された制御情報「３」と「０」がそれぞれ格納され、第２実施形態と同様の効果を達成することができる。
【００４８】
以上の４つの実施形態を述べたが、本発明はこれらに限られるものではなく、目的、状態、用途、機能、およびその他の仕様の変更が適宜可能であり、他の実施形態によっても実施されうることは言うまでもない。また、センサ部は、例えば、ＣＣＤイメージセンサまたはＣＭＯＳイメージセンサとして構成され、その他の如何なるセンサでもよい。記憶部は、本実施形態においては、例えばＳＲＡＭのようなデジタルメモリであることを想定しているが、アナログメモリを用いてなされることも可能である。また、実行プログラムは、本実施形態においては、コントローラに含まれるプログラムメモリに格納されたものとしたが、マイコンやその他の周辺回路からの指示により周辺の記憶装置から読み出されてもよい。ここで、記憶装置は、例えば、ＲＯＭ、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、磁気テープ、不揮発性のメモリカード等を含む。実行プログラムは、コントローラと共に、もしくはコントローラに代えて、コンピュータ上で稼動しているＯＳ等が、その一部又は全部を行ってもよい。
【００４９】
また、以上の実施形態は、カメラに含まれる焦点検出装置について述べたが、カメラの概念には、撮影を主目的とする装置のみならず、撮影機能を補助的に備える装置（例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末）も含まれる。また、焦点検出処理を実行する演算部は、焦点検出装置に含まれてもよい。カメラは、上記の実施形態として例示された本発明に係る焦点検出装置と、固体撮像装置と、この固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部とを含みうる。この処理部は、例えば、Ａ／Ｄ変換器、および、このＡ／Ｄ変換器から出力されるデジタルデータを処理するプロセッサを含みうる。焦点検出処理は、この処理部によってなされることも可能である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、カメラの測距点のそれぞれに対応する焦点検出用の光電変換部を設け、この光電変換部のそれぞれの出力に基づいて制御情報を設定する技術が開示されている。この制御情報は、被写体の輝度レベルに応じて、電荷の蓄積動作や蓄積電荷に基づく信号の読出動作などを制御するための情報であり、通常使用の用途においては、測距点ごとに設定されうる。これにより、精度の高い焦点検出を達成しうる半導体装置が提供される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−１５０６８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
焦点検出用の光電変換部の微細化は、光電変換部の電荷蓄積の特性ばらつきをもたらしうる。また、制御系の複雑化および高度化は、光電変換部を含むセンサ部のそれぞれやこれらを制御する信号線のショート不良が生じさせうる。したがって、これらの機能不良の検出試験の効率化が求められる。特許文献１に記載の半導体装置は、これら機能不良の検査の効率化については考慮されていない。
【０００５】
本発明の目的は、半導体装置の機能不良の検査を効率化することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一つの側面は半導体装置にかかり、前記半導体装置は、複数のセンサ部と、前記複数のセンサ部のそれぞれに対応する複数の記憶部とを有し、通常モードにおいては、前記複数のセンサ部の出力に基づいて複数の第１制御情報を設定し前記複数の記憶部にそれぞれ格納し、前記複数のセンサ部のそれぞれに、対応する前記第１制御情報にしたがった基準まで電荷を蓄積させ、検査モードにおいては、予め定められた検査用の複数の第２制御情報を前記複数の記憶部にそれぞれ格納し、前記複数のセンサ部のそれぞれに、対応する前記第２制御情報にしたがった基準まで電荷を蓄積させ、前記複数のセンサ部にそれぞれ蓄積された電荷量に基づいて、前記複数のセンサ部を検査する制御部を備える、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、半導体装置の機能不良の検査を効率化することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態の構成を説明する図。
【図２】本発明の第２実施形態の構成を説明する図。
【図３】第２実施形態のメイン・フローチャート。
【図４】第２実施形態のサブ・フローチャート。
【図５】第２実施形態の蓄積される電荷量を説明するプロット図。
【図６】本発明の第３実施形態の構成を説明する図。
【図７】第３実施形態のメイン・フローチャート。
【図８】第３実施形態のサブ・フローチャート。
【図９】第３実施形態の蓄積される電荷量を説明するプロット図。
【図１０】第４実施形態のサブ・フローチャート。
【図１１】各機能ブロックの内部構成の例。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜第１実施形態＞
まず、図１（ａ）を参照しながら、本発明の第１実施形態の半導体装置１ａを説明する。半導体装置１ａは、各測距点に対応する複数のユニットｋ（ｋ＝１〜ｎ）、およびこれらを制御する制御部１００を有する。複数のユニットｋのそれぞれは、複数のセンサ部１０ｋ、複数のセンサ部１０ｋのそれぞれに対応する複数の記憶部２０ｋを含む。センサ部１０ｋと記憶部２０ｋは、それぞれユニットｋに互いに対応するように図示したが、これらは必ずしも近傍に配置される必要はなく、チップレイアウトの都合に合わせて配置を変更してもよい。また、センサ部１０ｋのそれぞれは、後述の各機能に応じて、フォトダイオード等の受光素子を含む焦点検出用の光電変換部、当該光電変換部の出力信号を読み出す読出部１２ｋ、および当該光電変換部の電荷を保持する電荷保持部を含んでもよい。
【００１０】
半導体装置１ａは、動作モードとして、通常モードと検査モードを含む。通常モードにおいては、制御部１００は、複数のセンサ部１０ｋのそれぞれの出力に基づいて、それに対応する第１制御情報を設定し、この第１制御情報を複数の記憶部２０ｋにそれぞれ格納する。その後、制御部１００は、複数の記憶部２０ｋのそれぞれに格納された第１制御情報にしたがった基準まで、対応するセンサ部１０ｋのそれぞれに電荷を蓄積させるという動作を行う。これにより、通常モードにおいては、例えば、外部からの入力情報を検知したセンサ部１０ｋからの出力に応じて、その後のセンサ部１０ｋにおける電荷の蓄積動作を制御することが可能となる。
【００１１】
一方、検査モードにおいては、制御部１００は、予め定められた検査用の複数の第２制御情報を複数の記憶部２０ｋにそれぞれ格納する。その後、制御部１００は、複数の記憶部２０ｋのそれぞれに格納された第２制御情報にしたがった基準まで、対応するセンサ部１０ｋのそれぞれに電荷を蓄積させ、複数のセンサ部１０ｋにそれぞれ蓄積された電荷量を検査する。即ち、検査モードにおいては、複数のセンサ部１０ｋのそれぞれにおいて予め定められた電荷の蓄積動作がなされる。これにより、蓄積された電荷量に基づいてセンサ部１０ｋのそれぞれから出力される信号が、期待する値と異なった場合は、センサ部１０ｋのそれぞれ、またはそれらの制御信号において機能不良があることを意味する。
【００１２】
図１（ａ）に示す半導体装置１ａは、例えば、カメラに含まれる焦点検出装置に適用することができる。よく使われる方式として、焦点検出装置は、焦点検出をする際に、被写体の輝度レベルに応じて蓄積時間を制御しうる。本実施形態の場合、通常モードにおいては、まず、被写体の輝度レベルによって蓄積動作を制御する第１制御情報が設定されうる。そして、その後の焦点を検出する工程において、制御部１００は、複数の記憶部２０ｋのそれぞれに格納された第１制御情報にしたがった基準まで、対応するセンサ部１０ｋのそれぞれに電荷を蓄積させる。そして、この蓄積された電荷量に従って出力された信号に基づいて、演算処理を行う演算部（例えば、デフォーカス量検出部（不図示））が所定の演算処理を行う。その後、この演算結果は、焦点を合わせる合焦部（例えば、レンズ駆動部（不図示））にフィードバックされ、その結果、レンズの焦点を合わせることができる。一方、検査モードにおいては、予め定められた第２制御情報を複数の記憶部２０ｋのそれぞれに格納する。これにより、複数のセンサ部１０ｋのそれぞれにおいて、第２制御情報により予め定められた基準まで電荷量が蓄積される。そのため、センサ部１０ｋのそれぞれからは、機能不良がなければ期待した出力値を示し、機能不良があれば期待しない出力値を示すことになる。したがって、複数のセンサ部１０ｋから出力される信号のそれぞれを区別することができ、例えば、一様の照射光のもとにおいても機能不良を検出することが可能となる。
【００１３】
また、図１（ｂ）には、半導体装置１ａの変形例である半導体装置１ｂを示されている。半導体装置１ｂは増幅部３０をさらに含み、この増幅部３０は、センサ部１０ｋから出力される信号を設定された増幅率に従って増幅して出力しうる。例えば、通常モードにおいては、制御部１００は、複数の記憶部２０ｋのそれぞれに格納された第１制御情報に基づいて増幅率を設定することも可能である。これにより、前述の電荷の蓄積動作を制御する効果と併せて、さらに高精度の焦点検出を行うことが可能である。より具体的には、輝度レベルが高い場合は、蓄積される電荷量を少なくし、小さい増幅率を選択することにより、装置で処理可能な画素信号のダイナミックレンジを超えてしまうことを回避しうる。輝度レベルが低い場合は、蓄積時間を長くすることで十分量の電荷量を確保して相対的なノイズ影響を抑制し、大きい増幅率を選択することが可能である。
【００１４】
一方、検査モードにおいては、制御部１００は予め定められた増幅率を設定しうる。例えば、制御部１００は増幅率を固有の値とすることも可能である。このとき、増幅部３０は、この固有の値の増幅率に従って、センサ部１０ｋから出力される信号を増幅して出力しうる。ここで、センサ部１０ｋから出力される信号は、予め定められた第２制御情報にしたがった基準まで蓄積された電荷量により決まる。そのため、機能不良がなければ半導体装置１ｂは期待した値を出力し、機能不良があれば同じ値が出力されることになる。したがって、この場合も、一様の照射光のもとにおいて機能不良を検出することが可能となる。
【００１５】
＜第２実施形態＞
図２〜図５を用いて、本発明の第２実施形態を説明する。図２は、第２実施形態にかかる焦点検出装置２である。焦点検出装置２は、複数のセンサ部１０、複数のセンサ部１０のそれぞれに対応する複数の記憶部２０、センサ部１０から出力される信号を設定された増幅率に従って増幅して出力する増幅部３０、およびこれらを制御する制御部１００を含む。また、複数のセンサ部１０のそれぞれは、電荷の蓄積を行って蓄積された電荷量に応じた信号を出力する光電変換部１１、光電変換部１１の出力信号を読み出す読出部１２、および光電変換部１１に蓄積された電荷を保持する電荷保持部１３を含む。また、制御部１００は、読出部１２からの出力信号と比較するための基準電位Ｖｒｅｆを出力する基準設定部１１０、基準電位Ｖｒｅｆと読出部１２からの出力信号を比較する比較部１２０を含む。さらに、制御部１００は、初期設定部１３０、増幅率設定部１４０、および通常モードと検査モードのいずれかを動作モードとして選択するモード設定端子ｍｏｄｅ＿ｓｅｌを含み、これにより、初期設定部１３０と増幅率設定部１４０の動作を切り替えうる。例えば本実施形態のように、ｍｏｄｅ＿ｓｅｌ＝Ｌｏｗとすることで通常モード、ｍｏｄｅ＿ｓｅｌ＝Ｈｉとすることで検査モード、とすることができる。そして、制御部１００は、これらの装置のそれぞれと情報を通信して各動作の指示をするコントローラ１５０を含む。また、センサ部１０と記憶部２０は、ユニットｋ（ｋ＝１、２、…、２ｍ−１、２ｍ）ごとに互いに対応するように図示した。しかし、第１実施形態と同様に、これらは必ずしも近傍に配置される必要はなく、チップレイアウトの都合に合わせて配置を変更してもよい。ここで、ユニットの最後のものをユニットｎとして、ｎ＝２ｍ（偶数）であるとする。
【００１６】
光電変換部１１ｋは、位相差検出方式のため１対のセンサアレイからなり、例えば、約３０〜８０画素で、２つの像を形成しうる。読出部１２ｋは、光電変換部１１ｋにおいて蓄積した電荷量を検知し、例えば、光電変換部１１ｋの複数の画素からの出力のうちピークのものを出力しうる。また、例えば、ピークと共にボトムをも検知し、これらの差分より得られたピーク‐ボトム信号を用いてもよい。この出力結果は、コントローラ１５０からの指示に従って、比較部１２０に信号ｓ＿ｏｕｔが出力されうる。電荷保持部１３ｋは、光電変換部１１ｋにおいて蓄積された電荷を、画素信号ｑ＿ｏｕｔとして一時的に保持しうる。この画素信号ｑ＿ｏｕｔは、コントローラ１５０からの指示に従って、増幅部３０に出力されうる。
【００１７】
記憶部２０ｋは、コントローラ１５０からの指示に従って、光電変換部１１ｋにおける電荷の蓄積に関する制御情報（第１制御情報または第２制御情報）を格納しうる。この制御情報は、例えば本実施形態のように、２ビットの情報（「０」〜「３」）でもよい。また、この制御情報は、コントローラ１５０からの指示に従って、基準設定部１１０および増幅率設定部１４０に出力されうる。本実施形態においては、記憶部２０ｋのそれぞれは、奇数番号のユニットもしくは偶数番号のユニットのいずれのセンサ部１０ｋに対応するかによって、制御情報を格納するために接続された信号配線はｒｉｎ＿ｏｄｄとｒｉｎ＿ｅｖｅｎとで別にする。ここで、奇数番号のユニットの記憶部２０ｋは、入力をｒｉｎ＿ｏｄｄ、出力をｒｏｕｔとし、偶数番号のユニットの記憶部２０ｋは、入力をｒｉｎ＿ｏｄｄ、出力をｒｏｕｔとしている。
【００１８】
基準設定部１１０は、例えば図１１（ａ）のような構成でもよく、カウンタ１１１、セレクタ１６０、デコーダ１１２、複数の抵抗体１１３、およびアンプ１１４を含みうる。カウンタ１１１は、基準電位Ｖｒｅｆと読出部１２ｋからの出力信号を比較する際に使用されうる。セレクタ１６０は、カウンタ１１１の計測結果ｃ＿ｏｕｔと記憶部２０ｋからの制御情報のいずれか一方を選択しうる。デコーダ１１２は、セレクタ１６０からの出力に基づいて基準電位Ｖｒｅｆを選択する制御信号を生成しうる。アンプ１１４は、これらの制御信号および複数の抵抗体１１３により生成された基準電位Ｖｒｅｆを出力しうる。基準設定部１１０は、複数の記憶部２０ｋのそれぞれに格納された制御情報を、コントローラ１５０からの指示に従って選択的に読み出し、読出部１２ｋからの出力信号を比較するための基準電位Ｖｒｅｆを生成して比較部１２０に出力しうる。また、基準設定部１１０は、カウンタ１１１の計測結果ｃ＿ｏｕｔを出力しうる。計測結果ｃ＿ｏｕｔは、コントローラ１５０からの指示に従って初期設定部１３０に入力されうる。比較部１２０は、基準電位Ｖｒｅｆと、読出部１２ｋから読み出した信号ｓ＿ｏｕｔとを比較し、その比較結果ｃｏｍｐ＿ｏｕｔをコントローラ１５０に出力しうる。本実施例においては、ｓ＿ｏｕｔ≧Ｖｒｅｆのときにｃｏｍｐ＿ｏｕｔ＝Ｈｉとなるように設定している。
【００１９】
初期設定部１３０は、モード設定端子ｍｏｄｅ＿ｓｅｌの設定により通常モードと検査モードのいずれかを動作モードとして選択しうる。これにより、通常モードにおいては、記憶部２０ｋのそれぞれには、光電変換部１１ｋにおける電荷の蓄積に関する第１制御情報（後述のカウンタ１１１の計測結果ｃ＿ｏｕｔ）が格納されうる。一方、検査モードにおいては、予め定められた第２制御情報が格納されうる。初期設定部１３０は、例えば、図１１（ｂ）のような構成でもよく、２つの出力端子は図２のｒｉｎ＿ｏｄｄおよびｒｉｎ＿ｅｖｅｎを伝達するための信号配線のそれぞれに接続されうる。このとき、モード設定端子がＨｉ状態の場合は、ｒｉｎ＿ｅｖｅｎには「０」が出力される。即ち、検査モードにおいては、偶数番号のユニットの記憶部２０ｋのそれぞれには、制御情報「０」を第２制御情報として格納されることが可能となる。また、ｒｉｎ＿ｏｄｄには、後述のカウンタ１１１の計測結果ｃ＿ｏｕｔが出力され、奇数番号のユニットの記憶部２０ｋのそれぞれには、この情報が第２制御情報として格納されることが可能となる。
【００２０】
増幅率設定部１４０は、モード設定端子ｍｏｄｅ＿ｓｅｌの設定により通常モードと検査モードのいずれかを動作モードとして選択し、電荷保持部１３ｋからの出力信号ｑ＿ｏｕｔを増幅するための増幅率を定める制御情報を設定する。増幅率設定部１４０は、例えば、図１１（ｃ）のような構成でもよい。これにより、通常モードにおいては、複数の記憶部２０ｋのそれぞれから読み出された第１制御情報が選択され、検査モードにおいては、予め格納された固有の値の制御情報（本実施形態の場合は「３」）が選択される。その後、増幅部３０は電荷保持部１３ｋからの出力信号ｑ＿ｏｕｔを、増幅率設定部１４０によって設定される増幅率に従って、増幅して出力しうる。
【００２１】
コントローラ１５０は、実行プログラムに従って、これらの機能ブロックのそれぞれと通信して動作の指示を出しうる。実行プログラムは、図２に示すようにコントローラ１５０に含まれるプログラムメモリ１５１に格納されてもよい。
【００２２】
焦点検出装置２の、例えば図３に示すフローチャートに示す各動作は、実行プログラムがコントローラ１５０によって実行されることにより達成されうる。また、通常モードおよび検査モードのいずれの動作モードの場合も、このフローチャートに従った実行プログラムによって達成されうる。以下、通常モードの場合と検査モードの場合に分けて、それぞれ述べる。
【００２３】
まず、通常モードの場合について述べる。ステップＳ１００（以下、単に記号のみで示し、その後の各ステップについても同様とする）において本実行プログラムは開始される。Ｓ１１０では、タイマー１５２（例えば、コントローラ１５０に含まれる）の値ｔｉｍｅｒを初期化する（ｔｉｍｅｒ＝０）。
Ｓ１２０では、例えば図４（ａ）に示すフローチャート（Ｓ１２０〜Ｓ１２６）に従ったリセット処理がなされる。まず、コントローラ１５０からの指示により、光電変換部１１ｋにおいて蓄積されていた電荷がリセットされ（Ｓ１２１）、この後、電荷の蓄積が開始される。また、通常モードのリセット処理では、複数の記憶部２０ｋのそれぞれに格納される制御情報が初期化（例えば「３」（Ｓ１２３））され、全てのユニットの記憶部２０ｋのそれぞれに格納される（Ｓ１２２、Ｓ１２４、Ｓ１２５、Ｓ１２６）。この初期値の制御情報「３」は、例えば本実施形態のように、コントローラ１５０からの指示により、カウンタ１１１（図１１（ａ））の出力ｃ＿ｏｕｔから格納されてもよい。Ｓ１３０では、タイマー１５２によって経時的計測が開始（ｔｉｍｅｒが時間とともに加算）されるが、プログラムの実行によりカウントされ、計測されるとしてもよい。
【００２４】
Ｓ１４０では、ユニットｋを指定するレジスタ（不図示）の値を初期化する（ｋ＝１）。Ｓ１５０では、コントローラ１５０は、ｔｉｍｅｒが、予め設定されている電荷を蓄積させる時間の上限値（Ｅｔｉｍｅ）を超えているか否かを判断する。ｔｉｍｅｒ≧Ｅｔｉｍｅの場合は後述のＳ２２０に進む。ｔｉｍｅｒ＜Ｅｔｉｍｅの場合は次のＳ１６０に進む。Ｓ１６０では、コントローラ１５０からの指示により、ユニットｋについて、読出部１２ｋの出力ｓ＿ｏｕｔと、記憶部２０ｋに格納された制御情報に基づいて基準電位Ｖｒｅｆと、がそれぞれ比較部１２０に入力される。Ｓ１７０では、比較部１２０において、Ｓ１６０で設定されたｓ＿ｏｕｔとＶｒｅｆを比較する。このとき、比較部１２０の出力ｃｏｍｐ＿ｏｕｔ＝Ｈｉ（ｓ＿ｏｕｔ≧Ｖｒｅｆ）の場合は後述のＳ２２０に進む。ｃｏｍｐ＿ｏｕｔ＝Ｌｏｗ（ｓ＿ｏｕｔ＜Ｖｒｅｆ）の場合は次のＳ１８０に進む。Ｓ１８０では、コントローラ１５０は、ｔｉｍｅｒが、予め設定されている中間判断の時間（Ｈｔｉｍｅ）を超えているか否かを判断する。ｔｉｍｅｒ≧Ｈｔｉｍｅの場合は次のＳ１９０に進む。ｔｉｍｅｒ＜Ｈｔｉｍｅの場合は後述のＳ２００に進む。Ｓ１９０では、コントローラ１５０により、ユニットｋの光電変換部１１ｋにおいて蓄積された電荷量にしたがった制御情報（第１制御情報）が設定されて、記憶部２０ｋに格納される。この第１制御情報は、光電変換部１１ｋにおいてどの程度の電荷量が蓄積されているか、コントローラ１５０からの指示に従って基準設定部１１０から出力される基準電位Ｖｒｅｆ、および比較部１２０の結果によって判断される。このＳ１９０の動作は、例えば図４（ｂ）に示すフローチャートに従ったプログラムよって、達成されうる。
【００２５】
ここで、Ｓ１９０の一連の動作を、図５（ａ）を用いて、より具体的に述べる。図５（ａ）は、第２実施形態の検査モードの場合における、横軸がｔｉｍｅｒ、縦軸が光電変換部１１ｋにおいて蓄積された電荷量に応じた出力電位Ｖｑのプロット図である。図５（ａ）中の鎖線９０ａは被写体が暗く電荷の蓄積が早い場合を示し、鎖線９１ａは被写体が十分に明るく電荷の蓄積が遅い場合を示す。
【００２６】
鎖線９０ａの場合（被写体が暗く電荷の蓄積が遅い場合）は、ｔｉｍｅｒ≧ＨｔｉｍｅとなったときにＳ１９０の動作がなされる。Ｓ１９１では、コントローラ１５０からの指示に従って、カウンタ１１１の出力ｃ＿ｏｕｔがリセットされる（ｃ＿ｏｕｔ＝０）。Ｓ１９２では、ｃ＿ｏｕｔの値にしたがった基準電位Ｖｒｅｆが設定される。このときの基準電位Ｖｒｅｆは、コントローラ１５０からの指示に従ってセレクタ１６０によってｃ＿ｏｕｔが選択され、設定されている。例えば、ｃ＿ｏｕｔ＝２のときは、基準電位Ｖｒｅｆは「レベル２」に設定される。Ｓ１９３では、比較部１２０においてＶｑとＶｒｅｆの比較がなされる。比較部１２０の出力ｃｏｍｐ＿ｏｕｔ＝Ｌｏｗ（Ｖｑ＜Ｖｒｅｆ）の場合は後述のＳ１９６に進み、ｃｏｍｐ＿ｏｕｔ＝Ｈｉ（Ｖｑ≧Ｖｒｅｆ）の場合はＳ１９４に進む。Ｓ１９４では、コントローラ１５０によって基準電位Ｖｒｅｆに「レベル３」が設定されているかどうか（ｃ＿ｏｕｔ＝３かどうか）が判定される。基準電位Ｖｒｅｆが「レベル３」の場合（ｃ＿ｏｕｔ＝３の場合）は後述のＳ１９６に進む。基準電位Ｖｒｅｆが「レベル３」でなかった場合（ｃ＿ｏｕｔ≠３の場合）はＳ１９５に進む。Ｓ１９５では、コントローラ１５０からの指示に従って、基準電位Ｖｒｅｆを１つ上のレベルに設定（ｃ＿ｏｕｔの値に＋１を加算）し、Ｓ１９３に戻る。同様の手順が、Ｓ１９３においてＶｑ≧ＶｒｅｆとなってＳ１９６に進むまで、もしくはＳ１９４において基準電位Ｖｒｅｆが「レベル３」（ｃ＿ｏｕｔ＝３）となってＳ１９６に進むまで、繰り返される。Ｓ１９６では、Ｓ１９３またはＳ１９４において設定された基準電位Ｖｒｅｆに従って制御情報が設定される。即ち、このときのｃ＿ｏｕｔの値が、コントローラ１５０からの指示に従って、第１制御情報として記憶部２０ｋに格納される。したがって、、鎖線９０ａの場合（被写体が暗く電荷の蓄積が遅い場合）は、以上のＳ１９０〜Ｓ１９６により、ｃ＿ｏｕｔ＝１が第１制御情報として記憶部２０ｋに格納される。
【００２７】
一方で、鎖線９１ａの場合（被写体が十分に明るく電荷の蓄積が早い場合）は、ｔｉｍｅｒ＜ＨｔｉｍｅにおいてＶｑが「レベル３」の基準電位Ｖｒｅｆに到達し、Ｓ１７０の後はＳ２２０に進むため、Ｓ１９０の動作はなされない。これは、リセット処理（Ｓ１２０）によって、任意の記憶部２０ｋに初期化された制御情報「３」が格納されているため、Ｓ１６０において、基準電位Ｖｒｅｆにはこの制御情報「３」にしたがった電位「レベル３」が設定されるからである。
【００２８】
Ｓ２００では、コントローラ１５０によって、全てのユニットｋについてＳ２２０がなされたか否かが判断される。すべてのユニットｋについてＳ２２０がなされている場合は、後述のＳ２３０へ進み、なされていない場合はＳ２１０に進む。Ｓ２１０では、次のユニットｋを指定してＳ１５０の動作に戻る。具体的には、ｋ＜ｎの場合は、その次のユニットｋを指定（ｋの値に＋１を加算）する。ｋ＝ｎの場合は、ｋ＝１にリセットし、その次の時間を指定（例えば、ｔｉｍｅｒの値に＋１を加算）する。Ｓ２２０では、コントローラ１５０によって、ユニットｋの光電変換部１１ｋにおける電荷の蓄積動作を終了させ、同時に、蓄積された電荷は画素信号ｑ＿ｏｕｔとして電荷保持部１３ｋに一時的に保持される。Ｓ２３０では、全てのユニットｋについてＳ２２０がなされた後にコントローラ１５０によってなされる動作であり、任意の電荷保持部１３ｋから画素信号ｑ＿ｏｕｔが読み出される。Ｓ２４０では、増幅率設定部１４０により、記憶部２０ｋに格納された第１制御情報が読み出され、増幅率が設定される。このとき、このＳ２４０に先立って、Ｓ１９０で設定された制御情報の正当性を確認するために、図４（ｂ）に示すＳ１９０のステップにより再び制御情報を設定しなおすことも可能である（不図示）。Ｓ２５０では、Ｓ２３０において読み出された画素信号ｑ＿ｏｕｔは、Ｓ２４０において設定された増幅率に従って増幅されて出力される。Ｓ２６０で、以上の一連の動作が終了し、通常モードの機能が達成されうる。
【００２９】
このようにして、本実施形態の焦点検出装置２は、通常モードにおいては、被写体の輝度レベルによって蓄積動作を制御しうる第１制御情報を出力し、この第１制御情報を複数の記憶部２０ｋのそれぞれに格納する。
【００３０】
次に、検査モードの場合について述べる。検査モードは、ｔｉｍｅｒ＜ＨｔｉｍｅにおいてＶｑが「レベル３」の基準電位Ｖｒｅｆに到達する程度に十分に明るい一様光が照射される条件下でなされる（図５（ｂ））。また、検査モードは、通常モードと同一のフローチャート（図３、図４）によって達成されうる。Ｓ１００〜Ｓ１１０は、通常モードと同様の内容であるので説明を省く。
【００３１】
Ｓ１２０では、検査モードにしたがったリセット処理（Ｓ１２０〜Ｓ１２６）がなされ、奇数番号のユニットの記憶部２０ｋには制御情報「３」が、偶数番号のユニットの記憶部２０ｋには制御情報「０」が、それぞれ格納される。これは、セレクタ１６０ｓ（図１１（ｂ））において、モード設定端子ｍｏｄｅ＿ｓｅｌ＝Ｈｉと設定することにより達成されうる。制御情報「３」は、前述のように、コントローラ１５０からの指示によりカウンタ１１１（図１１（ａ））の出力ｃ＿ｏｕｔから出力されたものでもよい。また、制御情報「０」は、予め用意された固定の情報でもよい。Ｓ１３０〜Ｓ１５０は、通常モードと同様の内容であるので説明を省く。
【００３２】
Ｓ１６０では、ユニットｋが奇数番号の場合と偶数番号の場合で、異なる基準電位Ｖｒｅｆが設定されうる。より具体的には、図５（ｂ）を用いて述べる。図５（ｂ）は、第２実施形態の検査モードの場合における、横軸がｔｉｍｅｒ、縦軸が光電変換部１１ｋにおいて蓄積された電荷量に応じた出力電位Ｖｑのプロット図である。検査モードにおいては、十分に明るい一様光が照射されるため、図５（ｂ）中の鎖線９１ｂに示すように電荷の蓄積が早い。したがって、ｔｉｍｅｒ＜ＨｔｉｍｅにおいてＶｑが「レベル３」もしくは「レベル０」の基準電位Ｖｒｅｆに到達するため、全てのユニットｋについて、Ｓ１７０の後はＳ２２０に進む。ここで、リセット処理（Ｓ１２０）により、奇数番号と偶数番号のユニットの記憶部２０ｋのそれぞれには、初期化された制御情報「３」と「０」がそれぞれ格納されている。したがって、Ｓ１６０において、奇数番号のユニットについては制御情報「３」にしたがった「レベル３」の基準電位Ｖｒｅｆが、偶数番号のユニットについては制御情報「０」にしたがった「レベル０」の基準電位Ｖｒｅｆが設定される。その結果、Ｓ１７０では、奇数番号のユニットについてはｔｉｍｅｒ＝ｔｅｎｄ＿ｏｄｄにおいて、偶数番号のユニットについてはｔｉｍｅｒ＝ｔｅｎｄ＿ｅｖｅｎにおいて、それぞれｃｏｍｐ＿ｏｕｔ＝Ｈｉが得られ、Ｓ２２０に進むことになる。Ｓ１７０〜Ｓ２１０は、通常モードと同様の内容であるので説明を省く。
【００３３】
Ｓ２２０では、奇数番号のユニットの電荷保持部１３ｋにはｔｅｎｄ＿ｏｄｄの時間だけ蓄積された電荷が、偶数番号のユニットの電荷保持部１３ｋにはｔｅｎｄ＿ｅｖｅｎの時間だけ蓄積された電荷が、画素信号ｑ＿ｏｕｔとして一時的に保持される。Ｓ２３０では、したがって、奇数番号のユニットの場合と偶数番号のユニットの場合とで、電荷保持部１３ｋから読み出される画素信号ｑ＿ｏｕｔが異なる。Ｓ２４０では、増幅率設定部１４０は、記憶部２０ｋのそれぞれに格納された第２制御情報に関わらず、ある固有の値の増幅率を定める情報（本実施形態の場合は「３」）を設定する。Ｓ２５０では、Ｓ２３０において読み出された画素信号ｑ＿ｏｕｔは、Ｓ２４０において設定された固有の値の増幅率に従って増幅されて出力される。したがって、複数のセンサ部１０ｋのそれぞれに隣接するセンサ部１０ｋとの機能不良がなかった場合は、増幅部３０からはユニットｋ＝１〜２ｍについて交互に異なる値が出力される。一方で、機能不良があった場合は、機能不良のあるユニットについては隣接するユニットのものと同じ値の出力が、増幅部３０からなされることになる。
【００３４】
このようにして、本実施形態の焦点検出装置２は、検査モードにおいては、奇数番号のユニットの記憶部２０ｋのそれぞれと、偶数番号のユニットの記憶部２０ｋのそれぞれと、に異なる情報を格納する。例えば、奇数番号のユニットの記憶部２０ｋのそれぞれには第２制御情報として、蓄積する電荷量を高い基準に設定する情報を、偶数番号のユニットの記憶部２０ｋのそれぞれには第２制御情報として、蓄積する電荷量を低く基準に設定する情報を格納すればよい。これら第２制御情報とは逆の情報を、奇数番号と偶数番号のユニットの記憶部２０ｋのそれぞれに格納してもよい。これにより、複数のセンサ部１０ｋのそれぞれには、交互に異なる電荷量が蓄積され、したがって、センサ部１０ｋのそれぞれの、隣接するセンサ部（１０ｋ−１や１０ｋ＋１）との機能不良を検出することが可能となる。
【００３５】
＜第３実施形態＞
図６は、本発明を適用した第３実施形態にかかる焦点検出装置３である。本実施形態は、複数の記憶部２０ｋのそれぞれが、第１制御情報を格納する第１記憶領域２１ｋ、および第２制御情報を格納する第２記憶領域２２ｋを含む点で、第２実施形態と異なる。第１記憶領域２１ｋには、基準電位Ｖｒｅｆを設定するための制御情報が格納されうる。第２記憶領域２２ｋには、光電変換部１１ｋにおける電荷の蓄積時間を設定するための制御情報が格納されうる。また、これに伴って、制御部１００の内部構成が変更されうる。即ち、比較器１２０ｂおよびセレクタ１６０ｂが追加され得、初期設定部１３０の代わりに初期設定部１３０ｂが採用されうる。その他、機能ブロック同士の結線が変更されうる。即ち、比較部１２０には、基準電位Ｖｒｅｆ、および読出部１２ｋから読み出した信号ｓ＿ｏｕｔがそれぞれ入力され、これらを比較した結果はセレクタ１６０ｂに出力される。比較部１２０は、本実施形態においては、ｓ＿ｏｕｔ≧ＶｒｅｆのときにＨｉを出力する設定としている。比較部１２０ｂには、ｔｉｍｅｒの値、および第２記憶領域２２ｋから読み出された制御情報ｒｏｕｔ２が入力され、これらを比較した結果はセレクタ１６０ｂに出力される。比較部１２０ｂは、本実施形態においては、ｔｉｍｅｒ≧ｒｏｕｔ２のときにＨｉを出力する設定としている。セレクタ１６０ｂには、比較部１２０の出力と比較部１２０ｂの出力がそれぞれ入力され、モード設定端子ｍｏｄｅ＿ｓｅｌにより、これらのいずれか一方が選択的に出力される。
【００３６】
初期設定部１３０ｂには、ｃ＿ｏｕｔの代わりにｔｉｍｅｒが入力され、２つの出力端子は図６のｒｉｎ２＿ｏｄｄおよびｒｉｎ２＿ｅｖｅｎを格納するための信号配線のそれぞれに接続されうる。ここで、第１記憶領域２１ｋのそれぞれは、入力をｒｉｎ１、出力をｒｏｕｔ１とし、第２記憶領域２２ｋのそれぞれは、入力をｒｉｎ２＿ｏｄｄおよびｒｉｎ２＿ｅｖｅｎ、出力をｒｏｕｔ２としている。初期設定部１３０ｂは、例えば、図１１（ｄ）のような構成でもよく、セレクタ１６０ｏとセレクタ１６０ｅを有し、モード設定端子ｍｏｄｅ＿ｓｅｌの設定により通常モードと検査モードのいずれかを動作モードとして選択しうる。初期設定部１３０ｂは、コントローラ１５０からの指示に従って、第２記憶領域２２ｋのそれぞれの入力ｒｉｎ２＿ｏｄｄおよびｒｉｎ２＿ｅｖｅｎに制御情報を出力しうる。通常モードにおいては、複数の第２記憶領域２２ｋのそれぞれには、時間に関する第１制御情報（ｔｉｍｅｒ）が格納されうる。一方、検査モードにおいては、予め定められた時間に関する第２制御情報（ｔｑ＿ｏｄｄ、ｔｑ＿ｅｖｅｎ）が格納されうる。即ち、検査モードであるモード設定端子ｍｏｄｅ＿ｓｅｌ＝Ｈｉの場合は、ｒｉｎ２＿ｏｄｄは「ｔｑ＿ｏｄｄ」、ｒｉｎ２＿ｅｖｅｎは「ｔｑ＿ｅｖｅｎ」、となる。したがって、奇数番号のユニットの第２記憶領域２２ｋのそれぞれには制御情報「ｔｑ＿ｏｄｄ」が、偶数番号のユニットの第２記憶領域２２ｋのそれぞれには、制御情報「ｔｑ＿ｅｖｅｎ」が、第２制御情報として格納されうる。また、本実施形態においてはｔｑ＿ｏｄｄ＞ｔｑ＿ｅｖｅｎとするが、逆の場合も本発明の目的は達成されうる。
【００３７】
焦点検出装置３の、例えば図７および図８に示すフローチャートにおける各動作は、実行プログラムがコントローラ１５０によって実行されることにより、達成されうる。また、このフローチャートにおける各動作は、各動作ブロックのそれぞれの仕様やこれらの結線を変更することによって、第２実施形態と同一の実行プログラムによって達成されることも可能である。このフローチャートにおける各動作を、以下、通常モードの場合と検査モードの場合に分けて、第２実施形態と異なる効果が得られるステップを述べる。
【００３８】
まず、通常モードの場合について述べる。Ｓ４００〜Ｓ４２３は、Ｓ１００〜Ｓ１２３と同様の内容であるので説明を省く。Ｓ４２４では、第１記憶領域２１ｋが初期化され、例えば「３」が格納される。これは第２実施形態と同様で、Ｓ４２３において、ｃ＿ｏｕｔに「３」がセットされる（ｃ＿ｏｕｔ＝３）としたからである。そして、第２記憶領域２２ｋには「０」が格納される。これは、Ｓ４１０において、ｔｉｍｅｒの値がリセットされた（ｔｉｍｅｒ＝０）からである。Ｓ４２５〜Ｓ４６０は、Ｓ１２５〜Ｓ１６０と同様の内容であるので説明を省く。
【００３９】
Ｓ４７０では、セレクタ１６０ｂの出力ｃｏｍｐ＿ｏｕｔを判定する。ここで、通常モード（ｍｏｄｅ＿ｓｅｌ＝Ｌｏｗ）では、セレクタ１６０ｂは比較部１２０の出力（Ｖｒｅｆとｓ＿ｏｕｔの比較結果）を選択して出力している。ｃｏｍｐ＿ｏｕｔ＝Ｈｉ（ｓ＿ｏｕｔ≧Ｖｒｅｆ）の場合は後述のＳ５２０に進む。ｃｏｍｐ＿ｏｕｔ＝Ｌｏｗ（ｓ＿ｏｕｔ＜Ｖｒｅｆ）の場合は次のＳ４８０に進む。Ｓ４８０〜Ｓ５１０は、Ｓ１８０〜Ｓ２１０と同様の内容であるので説明を省く。
【００４０】
Ｓ５２０では、コントローラ１５０によって、光電変換部１１ｋにおける電荷の蓄積動作が終了され、蓄積された電荷は画素信号ｑ＿ｏｕｔとして電荷保持部１３ｋに一時的に保持される。このとき、これと同時に、通常モード（ｍｏｄｅ＿ｓｅｌ＝Ｌｏｗ）においては、初期設定部１３０ｂ（図１１（ｄ））に含まれるセレクタ１６０ｏとセレクタ１６０ｅから、それぞれｔｉｍｅｒが出力される。即ち、この蓄積に要した時間に関する制御情報（ｔｉｍｅｒ）が第２記憶領域２２ｋに格納される。Ｓ５３０〜Ｓ５６０は、Ｓ２３０〜Ｓ２６０と同様の内容であるので説明を省く。
【００４１】
このようにして、本実施形態の焦点検出装置３は、通常モードにおいては、被写体の輝度レベルによって蓄積動作を制御する第１制御情報を出力し、この第１制御情報を複数の第１記憶領域２１ｋのそれぞれに格納する。その後、複数のセンサ部１０ｋのそれぞれに、対応する第１制御情報にしたがった基準まで電荷を蓄積させる。また、この蓄積にかかった時間に関する制御情報は、複数の第２記憶領域２２ｋのそれぞれに格納されて、さらに焦点検出がなされる場合に再利用されることも可能である。
【００４２】
次に、検査モードの場合について述べる。検査モードは、通常モードと同一のフローチャート（図７、図８）によって達成されうる。第２実施形態の検査モードは、十分に明るい一様光が照射されるという前提であったが、本実施形態ではこの前提はない。Ｓ４００〜Ｓ４２３は、通常モードと同様の内容であるので説明を省く。Ｓ４２４では、第１記憶領域２１ｋが初期化（例えば「３」が格納）される他、奇数番号のユニットの第２記憶領域２２ｋには「ｔｑ＿ｏｄｄ」が、偶数番号のユニットの第２記憶領域２２ｋには「ｔｑ＿ｅｖｅｎ」が、第２制御情報としてそれぞれ格納されうる。これは、検査モード（ｍｏｄｅ＿ｓｅｌ＝Ｈｉ）では、初期設定部１３０ｂ（図１１（ｄ））に含まれるセレクタ１６０ｏとセレクタ１６０ｅから、それぞれ「ｔｑ＿ｏｄｄ」「ｔｑ＿ｅｖｅｎ」が出力されるからである。Ｓ４２５〜Ｓ４６０は、通常モードと同様の内容であるので説明を省く。
【００４３】
Ｓ４７０では、セレクタ１６０ｂの出力ｃｏｍｐ＿ｏｕｔを判定する。ここで、検査モード（ｍｏｄｅ＿ｓｅｌ＝Ｈｉ）では、セレクタ１６０ｂは比較部１２０ｂの出力（ｔｉｍｅｒとｒｏｕｔ２の比較結果）を選択して出力している。ｃｏｍｐ＿ｏｕｔ＝Ｈｉ（ｔｉｍｅｒ≧ｒｏｕｔ２）の場合は後述のＳ５２０に進む。ｃｏｍｐ＿ｏｕｔ＝Ｌｏｗ（ｔｉｍｅｒ＜ｒｏｕｔ２）の場合は次のＳ４８０に進む。Ｓ４８０〜Ｓ５１０は、通常モードと同様の内容であるので説明を省く。
【００４４】
Ｓ５２０では、コントローラ１５０によって、光電変換部１１ｋにおける電荷の蓄積動作が終了され、蓄積された電荷は画素信号として電荷保持部１３ｋに一時的に保持される。より具体的には、図９を用いて述べる。図９は、第３実施形態の検査モードの場合における、横軸がｔｉｍｅｒ、縦軸が光電変換部１１ｋにおいて蓄積された電荷量に応じた出力電位Ｖｑのプロット図である。本実施形態の検査モードの場合は、第２制御情報にしたがった時間を基準にして、電荷の蓄積動作を制御しうる。即ち、奇数番号のユニットの光電変換部１１ｋにおける電荷の蓄積動作については、Ｓ４７０においてｔｉｍｅｒ≧ｒｏｕｔ２＝ｔｑ＿ｏｄｄとなったときにｃｏｍｐ＿ｏｕｔ＝Ｈｉとなり、Ｓ５２０がなされる。一方で、偶数番号のユニットの光電変換部１１ｋにおける電荷の蓄積動作については、Ｓ４７０においてｔｉｍｅｒ≧ｒｏｕｔ２＝ｔｑ＿ｅｖｅｎとなったときにｃｏｍｐ＿ｏｕｔ＝Ｈｉとなり、Ｓ５２０がなされる。Ｓ５３０〜Ｓ５６０は、通常モードと同様の内容であるので説明を省く。
【００４５】
このようにして、本実施形態の焦点検出装置３は、検査モードにおいては、奇数番号のユニットの第２記憶領域２２ｋのそれぞれと、偶数番号のユニットの第２記憶領域２２ｋのそれぞれと、に異なる第２制御情報を格納する。その後、複数のセンサ部１０ｋのそれぞれに、対応する第２記憶領域２２ｋに格納された第２制御情報にしたがった基準まで、電荷を蓄積させる。本実施形態においては、奇数番号のユニットの第２記憶領域２２ｋのそれぞれには、電荷を蓄積する時間を長く設定する情報を、偶数番号のユニットの第２記憶領域２２ｋのそれぞれには、電荷を蓄積する時間を短く設定する情報を、第２制御情報として格納した。これら第２制御情報とは逆の情報を、奇数番号と偶数番号のユニットの第２記憶領域２２ｋのそれぞれに格納してもよい。これにより、複数のセンサ部１０ｋのそれぞれには、交互に異なる電荷量が蓄積され、したがって、センサ部１０ｋのそれぞれの、隣接するセンサ部（１０ｋ−１や１０ｋ＋１）との機能不良の検出が可能となる。さらに、第２記憶領域２２ｋについても同様にして機能不良の検出が可能となる。
【００４６】
＜第４実施形態＞
以上の第２実施形態および第３実施形態においては、制御部１００に設けられたモード設定端子ｍｏｄｅ＿ｓｅｌを切り替えることによって通常モードと検査モードを選択した。しかし、以下に述べる第４実施形態のように、モード設定端子ｍｏｄｅ＿ｓｅｌを切り替えずに、プログラムメモリ１５１に予め通常モードと検査モードの実行プログラムをそれぞれ格納して、いずれか一方を選択して読み出し、実行することも可能である。いずれの実行プログラムを選択するかは、例えば、外部インターフェースからの指示などによりなされうる。この場合は、モード設定端子ｍｏｄｅ＿ｓｅｌの状態は固定してもよいし、モード設定端子ｍｏｄｅ＿ｓｅｌを設けなくてもよい。
【００４７】
例えば、通常モードにおいては第２実施形態のフローチャート（図３、図４）に従った実行プログラムを援用し、検査モードにおいてはこれと異なる実行プログラムを実行することが可能である。これにより、モード設定端子ｍｏｄｅ＿ｓｅｌを使用せずに焦点検出装置２と同様の効果が達成されうる。図１０は、第４実施形態の検査モードにおけるリセット処理（Ｓ１２０）の詳細フローチャートの一例である。Ｓ１２０〜Ｓ１２１は、第２実施形態と同様の内容であるので説明を省く。Ｓ１２２ｏ〜Ｓ１２６ｏにおいて、奇数番号のユニットの記憶部２０ｋのそれぞれに格納される制御情報が初期化（例えば「３」（Ｓ１２３ｏ））され、記憶部２０ｋのそれぞれに格納される（Ｓ１２２ｏ、Ｓ１２４ｏ、Ｓ１２５ｏ、Ｓ１２６ｏ）。この初期値の制御情報「３」は、コントローラ１５０からの指示により、例えばカウンタ１１１（図１１（ａ））の出力ｃ＿ｏｕｔから格納されてもよい。その後、Ｓ１２２ｅ〜Ｓ１２６ｅにおいて、偶数番号のユニットの記憶部２０ｋのそれぞれに格納される制御情報が初期化（例えば「０」（Ｓ１２３ｅ））され、記憶部２０ｋのそれぞれに格納される（Ｓ１２２ｅ、Ｓ１２４ｅ、Ｓ１２５ｅ、Ｓ１２６ｅ）。この初期値の制御情報「０」は、コントローラ１５０からの指示により、例えばカウンタ１１１の出力ｃ＿ｏｕｔから格納されてもよい。その後、Ｓ１３０に戻る。Ｓ１３０以降は、第２実施形態と同様の内容であるので説明を省く。これにより、奇数番号と偶数番号のユニットの記憶部２０ｋのそれぞれには、初期化された制御情報「３」と「０」がそれぞれ格納され、第２実施形態と同様の効果を達成することができる。
【００４８】
以上の４つの実施形態を述べたが、本発明はこれらに限られるものではなく、目的、状態、用途、機能、およびその他の仕様の変更が適宜可能であり、他の実施形態によっても実施されうることは言うまでもない。また、センサ部は、例えば、ＣＣＤイメージセンサまたはＣＭＯＳイメージセンサとして構成され、その他の如何なるセンサでもよい。記憶部は、本実施形態においては、例えばＳＲＡＭのようなデジタルメモリであることを想定しているが、アナログメモリを用いてなされることも可能である。また、実行プログラムは、本実施形態においては、コントローラに含まれるプログラムメモリに格納されたものとしたが、マイコンやその他の周辺回路からの指示により周辺の記憶装置から読み出されてもよい。ここで、記憶装置は、例えば、ＲＯＭ、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、磁気テープ、不揮発性のメモリカード等を含む。実行プログラムは、コントローラと共に、もしくはコントローラに代えて、コンピュータ上で稼動しているＯＳ等が、その一部又は全部を行ってもよい。
【００４９】
また、以上の実施形態は、カメラに含まれる焦点検出装置について述べたが、カメラの概念には、撮影を主目的とする装置のみならず、撮影機能を補助的に備える装置（例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末）も含まれる。また、焦点検出処理を実行する演算部は、焦点検出装置に含まれてもよい。カメラは、上記の実施形態として例示された本発明に係る焦点検出装置と、固体撮像装置と、この固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部とを含みうる。この処理部は、例えば、Ａ／Ｄ変換器、および、このＡ／Ｄ変換器から出力されるデジタルデータを処理するプロセッサを含みうる。焦点検出処理は、この処理部によってなされることも可能である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセンサ部と、前記複数のセンサ部のそれぞれに対応する複数の記憶部と、を有する半導体装置であって、
通常モードにおいては、前記複数のセンサ部の出力に基づいて複数の第１制御情報を設定して前記複数の記憶部にそれぞれ格納し、前記複数のセンサ部のそれぞれに、対応する前記第１制御情報にしたがった基準まで電荷を蓄積させ、
検査モードにおいては、予め定められた検査用の複数の第２制御情報を前記複数の記憶部にそれぞれ格納し、前記複数のセンサ部のそれぞれに、対応する前記第２制御情報にしたがった基準まで電荷を蓄積させ、前記複数のセンサ部にそれぞれ蓄積された電荷量に基づいて、前記複数のセンサ部を検査する制御部を備える、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
増幅部を更に含み、
前記制御部は、前記通常モードにおいては前記複数の記憶部のそれぞれに格納された前記第１制御情報に基づいて増幅率を設定し、前記検査モードにおいては前記複数の記憶部のそれぞれについて予め定められた前記第２制御情報に基づいて増幅率を設定し、
前記増幅部は、前記センサ部から出力される信号を前記設定された増幅率に従って増幅して出力する、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記複数の記憶部のそれぞれは、前記第１制御情報を格納する第１記憶領域および前記第２制御情報を格納する第２記憶領域を含み、
前記通常モードおよび前記検査モードのそれぞれにおいて前記第１記憶領域および前記第２記憶領域を選択的に使用する、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記制御部は、プログラムに従って動作する、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置と、
前記半導体装置の出力に基づいて焦点検出処理を実行する演算部と、
を備えることを特徴とする焦点検出装置。
【請求項６】
請求項５に記載の焦点検出装置と、
固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【請求項１】
複数のセンサ部と、前記複数のセンサ部のそれぞれに対応する複数の記憶部と、を有する半導体装置であって、
通常モードにおいては、前記複数のセンサ部の出力に基づいて複数の第１制御情報を設定して前記複数の記憶部にそれぞれ格納し、前記複数のセンサ部のそれぞれに、対応する前記第１制御情報にしたがった基準まで電荷を蓄積させ、
検査モードにおいては、予め定められた検査用の複数の第２制御情報を前記複数の記憶部にそれぞれ格納し、前記複数のセンサ部のそれぞれに、対応する前記第２制御情報にしたがった基準まで電荷を蓄積させ、前記複数のセンサ部にそれぞれ蓄積された電荷量に基づいて、前記複数のセンサ部を検査する制御部を備える、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
増幅部を更に含み、
前記制御部は、前記通常モードにおいては前記複数の記憶部のそれぞれに格納された前記第１制御情報に基づいて増幅率を設定し、前記検査モードにおいては前記複数の記憶部のそれぞれについて予め定められた前記第２制御情報に基づいて増幅率を設定し、
前記増幅部は、前記センサ部から出力される信号を前記設定された増幅率に従って増幅して出力する、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記複数の記憶部のそれぞれは、前記第１制御情報を格納する第１記憶領域および前記第２制御情報を格納する第２記憶領域を含み、
前記通常モードおよび前記検査モードのそれぞれにおいて前記第１記憶領域および前記第２記憶領域を選択的に使用する、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記制御部は、プログラムに従って動作する、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置と、
前記半導体装置の出力に基づいて焦点検出処理を実行する演算部と、
を備えることを特徴とする焦点検出装置。
【請求項６】
請求項５に記載の焦点検出装置と、
固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１３−１０６０９９（Ｐ２０１３−１０６０９９Ａ）
【公開日】平成２５年５月３０日（２０１３．５．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２４６８５５（Ｐ２０１１−２４６８５５）
【出願日】平成２３年１１月１０日（２０１１．１１．１０）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月３０日（２０１３．５．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月１０日（２０１１．１１．１０）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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