【課題】屈折率を高めたマイクロレンズを含む裏面照明イメージセンサピクセルを提供する。
【解決手段】イメージセンサピクセル２００は、シリコン基板２０２内に形成されたフォトダイオード２０８と、基板の裏面に形成された第１のマイクロレンズと、基板の前面を覆って形成された第２のマイクロレンズと、基板の前面上に形成された誘電体スタック２２３と、第２レンズの上方で、記誘電体スタック内に形成されたと反射構造２５０とを含む。第１のマイクロレンズは、裏面にシャロートレンチアイソレーション構造２１４を形成することにより、第２のマイクロレンズは、基板の前面基板上にポリシリコンを堆積させることによって製造される。 （もっと読む）

【課題】光電変換部での飽和の可能性を低減して光電変換部の小型化を可能にし、全体としてのサイズの小型化を可能にする。
【解決手段】分離電極１４ａと蓄積電極１４ｂとが障壁制御電極１４ｃを挟んで配置される。分離電極１４ａと蓄積電極１４ｂと障壁制御電極１４ｃとに正極性の電圧が印加されてウェル１２にポテンシャル井戸が形成された状態で光照射による電子が集積される。その後、障壁制御電極１４ｃに印加された電圧に応じて形成されるポテンシャル障壁の高さが調節されることにより、規定した一定量の不要電荷が電荷分離部で分離される。電子の集積と不要電荷の分離とが複数回繰り返された後、蓄電電極１４ｂに対応して形成された電荷蓄積部に流れ込んだ有効電荷が受光出力として取り出される。 （もっと読む）

【課題】黒レベルの基準値の検出をより正確に行うことができるようにする。
【解決手段】本開示の撮像素子は、有効画素領域の画素値の黒レベルの基準値を検出するための領域であり、半導体基板外部からの光が遮光膜により遮光されるオプティカルブラック画素領域に、前記オプティカルブラック画素領域の前記半導体基板内部に存在する電荷を、前記オプティカルブラック画素領域の外部に伝送する伝送路領域を備える。本開示は撮像素子、撮像装置、並びに、製造装置および方法に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】小型画素及び高性能ＣＭＯＳイメージセンサアレイで使用することができる実質
的な画素設計を提供すること。
【解決手段】本発明のリセットトランジスタは、電荷を検出するフローティング拡散領域
と、電荷を排出する接合領域と、リセット信号の制御を受けて、前記フローティング拡散
領域から前記接合領域への電荷転送を制御するゲートと、該ゲートの下部に統合された電
位井戸とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】固体ＣＭＯＳイメージセンサに関し、更に具体的には、１つのピクセルに２つの
ロウラインのみを有し、光を感知するためのピンフォトダイオード、及び１つ又は２つの
カラムラインを有するＣＭＯＳイメージセンサピクセル並びにそのアレイに関する。
【解決手段】ピクセルは、アドレッシングトランジスタを有さず、感知トランジスタとリ
セットトランジスタは、何れもｐチャネル型ＭＯＳトランジスタである。結果的に、この
ような構造は、極めて低いノイズ動作をもたらす。そして、この新たなピクセル構造は、
標準ＣＤＳ信号処理動作を許容し、ピクセル−ピクセルの不均一性を減少させて、ｋＴＣ
リセットノイズを最小化する。ピクセルは、高感度、高い変換利得、高い応答均一性及び
低ノイズを有し、これは効率的な３Ｔピクセルレイアウトによって可能になる。 （もっと読む）

【課題】 例えばブルーミングや混色などの発生をさらに抑制することのできる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 本開示の固体撮像装置１００では、キャリア極性が第１の導電型である第１不純物層５を含む光電変換部１１上に、キャリア極性が第２の導電型である第２不純物層６、及び、キャリア極性が第１の導電型である第３不純物層７をこの順で形成する。さらに、第３不純物層７を不純物領域部１６と接続し、かつ、第３不純物層７を覆うようにゲート電極３を形成する。この構成により、光電変換期間中に、光電変換部１１から第２不純物層６を介して第３不純物層７に向かう方向に余剰電子のオーバーフロー経路を形成して光電変換部１１の余剰電子を排出する。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成でありながら、被写体の輝度に関わらず被写体を撮影することが出来る撮像装置、撮像装置付車両及び画像形成方法を提供する。
【解決手段】レンズ１１を用いることで、被写体から反射した可視光と遠赤外光の双方を透過させることができるので、同じ位置に撮像素子１２Ａと撮像素子１２Ｂとを設置することが出来、画像処理にて重ね合わせる際に、画角の違いなどを考慮する必要がなく、簡易的に処理が行え、装置全体も小型化できる。 （もっと読む）

【課題】積層型の画素構造を採用するに当たって、色毎の感度のＦ値依存の低減を可能にした固体撮像装置及び当該固体撮像装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】半導体基板の配線層が形成される第１面と反対側の第２面側に設けられ、所定の波長域の光について光電変換を行い、他の波長域の光を透過させる光電変換膜と、半導体基板の内部に設けられ、光電変換膜を透過した他の波長域の光について光電変換を行う光電変換層とを備え、光電変換膜に対して第２面側から入射光を取り込むようにする。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／Ｎを向上しつつ、ダイナミックレンジを広くする。
【解決手段】固体撮像装置１０は、光電変換素子２１と、光電変換素子２１から信号電荷が転送される浮遊拡散層２６とを有する複数の単位画素２０が行列状に配置された画素アレイ部１１と、画素列ごとに設けられ、かつ単位画素２０から信号を読み出すための複数の信号線３０と、画素列ごとに設けられ、かつ浮遊拡散層２６と容量結合する複数の容量配線４０と、複数の信号線３０と複数の容量配線４０との接続を切り替える複数のスイッチ素子４２と、複数の容量配線４０と電源線４１との接続を切り替える複数のスイッチ素子４３とを含む。 （もっと読む）

【課題】分光感度のバラツキや色滲みのなく高感度・高解像性であるとともに、隣接する画素部への光の混入を防ぐことができる構成の固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１の内部には、複数のフォトダイオード１０２が内部に形成されている。配線層１０３は、絶縁膜１０５と配線１０４との積層構造を有し、半導体基板１０１の上に形成されている。複数のカラーフィルタ１０６は、配線層１０３の上方において、複数のフォトダイオード１０２の各々に対応して形成されている。カラーフィルタ１０６の上には、平坦化膜１０７とマイクロレンズ１０８が順に積層されている。固体撮像装置１では、カラーフィルタ１０６の各々において、平坦化膜１０７よりも屈折率が高いとともに、Ｚ軸方向の上面が凹形状である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の深部に存在する光電子が、熱拡散により半導体基板の表面側に浸入することを防ぐことが可能な受光装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子が第１導電型半導体基板上に形成された受光装置は、前記第１導電型半導体基板上に形成された複数の光電子振分部を有し、前記光電子振分部は、前記光電変換素子に発生した前記光電子を転送するための第１転送部と、前記光電変換素子により発生した前記光電子を一時的に保持する光電子保持部と、前記光電子保持部が保持した前記光電子を転送するための第２転送部と、転送された前記光電子を保持して該転送された前記光電子を電圧に変換させるための浮遊拡散層とを備え、前記光電子保持部には、前記第１導電型半導体基板の第１導電型不純物濃度よりも高い第１濃度の前記第１導電型の第１導電型不純物領域が、前記第１導電型半導体基板の表面側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン界面からの暗電流の発生を防止するために、基板裏面側にｐ＋層を形成する構造を採った場合に種々の問題が発生する。
【解決手段】シリコン基板３１の裏面上に絶縁膜３９を設け、さらにその上に透明電極４０を設け、電圧源４１から透明電極４０を介して絶縁膜３９にシリコン基板３１のポテンシャルに対して負の電圧を印加することにより、基板裏面側シリコン界面に正孔を貯めて当該シリコン界面に正孔蓄積層が存在しているのと等価な構造を作り出す。 （もっと読む）

【課題】低輝度レベルでの画像収集を行う電子増倍画像センサを提供する。
【解決手段】各ピクセルは、半導体能動層１２の表面に、フォトダイオード領域（ＰＨＤ）、電荷蓄積ノード１８、およびフォトダイオードから蓄積ノードに電荷を転送するための転送構造を含んでいる。転送構造は、フォトダイオードに隣接する第１の転送ゲート（ＴＲ１）、蓄積ノードに隣接する第２の転送ゲート（ＴＲ２）、および第１と第２の転送ゲートの間に位置する電子増倍増幅構造（ＡＭＰ）を含んでいる。増幅構造は、２個の別々の加速ゲート（ＧＡ、ＧＢ）、および２個の加速ゲートの間に位置し、固定された表面電位を有する中間ダイオード領域（ＤＩ）を含んでいる。電荷が蓄積ノードに転送される前に転送構造内で移動中に、一連の高および低電位が交互に加速ゲートに印加される。増幅は交替の数に依存する。 （もっと読む）

【課題】オーバーフローバリアを低下させ、リセット電圧を低減でき、ピンチ領域にかかる電界を抑制で、また、チャネルでのディップやバリアの形成を抑制し、線形性の劣化を防止しすることが可能な固体撮像装置およびカメラを提供する。
【解決手段】画素セルＣｅｌは、基板１００に形成された第１導電型(ｎ型)の第１ウェル１１０と、第１ウェル１１０より第２基板面１０２側に形成された第２導電型（ｐ型）の第２ウェル１２０とを有し、第１ウェル１１０は光を受光する受光部として機能し、受光した光の光電変換機能および電荷蓄積機能を有し、第２ウェル１２０は、第１ウェル１１０の受光部における蓄積電荷を検出し、閾値変調機能を有するＭＯＳ型トランジスタ１３０が形成され、トランジスタ１３０は、ゲート電極１３１がソース側主ゲート１３１Ｍとドレイン側サブゲート１３１Ｓに分離されている。 （もっと読む）

【課題】バイアス線が断線しても、線欠陥の発生率を低減させることが可能な放射線検出パネルおよび放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線検出パネル（センサパネルＳＰ）が備える各バイアス線９において、当該バイアス線９の一端部９ａ側と他端部９ｂ側との両側から、各放射線検出素子７にバイアス電圧を供給可能に構成し、放射線検出素子７には、バイアス線９の一端部９ａ側からのバイアス電圧の供給が途絶えても、当該バイアス線９の他端部９ｂ側からバイアス電圧が供給されるようにする。具体的には、各バイアス線９において、当該バイアス線９の一端部９ａを、バイアス電源１４に接続し、当該バイアス線９の他端部９ｂを、当該バイアス線９以外のバイアス線９に接続する。 （もっと読む）

【課題】撮像装置を用いて撮影した撮像信号をもとに、どのような向きで表示させても、立体像として鑑賞するために適した方向の視差を持つ画像に変換し、表示することを可能とする。
【解決手段】１つの集光部につき複数の光電変換部を備えた単位画素を、複数有する撮像部と、撮像部によって撮像され、複数の光電変換部のそれぞれから読み出された撮像信号を記録する記録部と、を備え、記録部は、前記撮像信号を得たそれぞれの光電変換部の識別を可能とする識別情報を、撮像信号に関連付けて記録する。 （もっと読む）

【課題】赤外光カットフィルタを用いることなく、実用上問題ない色差を実現することが可能なカラー撮像用の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】画素電極３と、画素電極３に対向する対向電極５と、画素電極３と対向電極５との間に設けられる光電変換層を含む受光層４とを有する受光部Ｐが半導体基板１上方に複数配列された固体撮像素子１００であって、受光部Ｐの分光感度特性は、（１）波長６００ｎｍにおける分光感度が７０％以上、（２）波長６００ｎｍ以上の範囲で分光感度が単調減少、（３）波長７００ｎｍにおける分光感度が波長６００ｎｍにおける分光感度の３０％以下、（４）波長７５０ｎｍにおける分光感度が１０％以下の条件を満たしている。 （もっと読む）

【課題】ライブビュー用の信号を取得する画素が限定されることがなく、静止画像の撮影動作中にライブビュー画像が更新されない時間を短縮することができる固体撮像装置および撮像装置を提供する。
【解決手段】入射光量に応じた信号電荷を発生する光電変換部と、信号電荷を蓄積する蓄積部と、蓄積部に信号電荷を転送する転送部と、信号電荷を増幅した第１の画素信号を出力する増幅部と、蓄積部をリセットするリセット部とを具備した画素を、２次元の行列状に複数配列した画素部と、画素部に配列された所定数の画素に１つの割合で配列され、対応するそれぞれの画素の内いずれか１つの画素の光電変換部が発生した信号電荷に応じた第２の画素信号を出力する補助読み出し部と、全画素を同時露光して得られる第１の画素信号または画素を順次露光して得られる第２の画素信号を読み出す信号読み出し部とを備え、同時露光の直前または直後に第２の画素信号を読み出す。 （もっと読む）

【課題】 電荷伝送効率及びフィルファクタを向上可能なイメージセンサを提供する。
【解決手段】 イメージセンサ５は、第１面１及び第２面２を有する半導体層１００、半導体層１００の第１面１上に配置される配線層２００、および半導体層１００の第２面２上に配置される光透過層３００を有する。半導体層１００は、光電変換部１１０を構成するｐ型不純物層１１３、及びｎ型不純物層１１１を有する。ｐ型不純物層１１３内に形成されるフローティング拡散領域１３１、及びフローティング拡散領域１３１を囲むように形成されるトランスファーゲート電極１２３は、ｎ型不純物層１１１上の第１面１側に形成される。これにより、光電変換部１１０で電位が最も高い地点とトランスファーゲート電極１２３との間の距離が小さくなるため、フローティング拡散領域１３１への電荷伝送効率が向上することができる。 （もっと読む）

【課題】種々のＦナンバーの撮影レンズとの組み合わせにおいて感度の向上とクロストークの低減とに有利な技術を提供する。
【解決手段】位相差検出方式による焦点検出のための複数の画素を含む固体撮像装置において、前記画素は、互いに独立して信号の読み出しが可能な複数の光電変換部を含む半導体領域と、第１マイクロレンズと、前記第１マイクロレンズと前記半導体領域との間に配置された第２マイクロレンズとを含み、前記第２マイクロレンズは、中央部と、前記中央部を取り囲む周辺部とを含み、前記周辺部のパワーは、前記中央部のパワーよりも大きく、かつ、正の値を有する。 （もっと読む）